JPH05247460A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH05247460A JPH05247460A JP4300903A JP30090392A JPH05247460A JP H05247460 A JPH05247460 A JP H05247460A JP 4300903 A JP4300903 A JP 4300903A JP 30090392 A JP30090392 A JP 30090392A JP H05247460 A JPH05247460 A JP H05247460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- poly
- light emitting
- phenylene vinylene
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
クトロルミネッセンス素子を提供する。 【構成】少なくとも一方が透明または半透明である一対
の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも発光層
を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該発光層が下記化1 【化1】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 はそれぞれ独立に水
素,炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基および
アルキルチオ基ならびに炭素数6〜20の芳香族炭化水
素基から選ばれた基を示し、且つ少なくとも一つが炭素
数4〜20のアルキル基、アルコキシ基またはアルキル
チオ基であり、nは5以上の数を表す。)で表される置
換ポリ(p−フェニレンビニレン)と電子輸送性化合物
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子。
Description
センス素子(以下有機EL素子)に関するものである。
詳しくは、置換ポリ(p−フェニレンビニレン)を発光
材料として用いた有機EL素子に関する。
ルミネッセンス素子は発光させるのに高電圧が必要であ
った。最近、Tangらは有機蛍光色素を発光層とし、
それに電子写真の感光体等に用いられていた有機電荷輸
送化合物を積層した二層構造を有する有機EL素子を作
製し、発光層のみを有するものに比較して低電圧駆動、
高効率、高輝度の有機EL素子を実現させた(特開昭5
9−194393号公報)。有機EL素子は無機EL素
子に比べ、低電圧駆動、高輝度に加えて多数の色の発光
が容易に得られるという特長があることから、 素子構造
や有機蛍光色素、有機電荷輸送化合物について多くの試
みが報告されている〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス(Jpn.J.Appl.
Phys.)27巻、L269(1988年)〕、〔ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(J.Ap
pl.Phys.)65巻、3610頁(1989年)
〕。これまでに、発光材料としては低分子量の有機蛍
光色素が一般に用いられており、高分子量の発光材料と
しては、WO9013148号公開明細書、特開平3−
126787号公報、アプライド・フィジックス・レタ
ーズ(Appl.Phys.Lett.) 58巻、19
82頁(1991年)などで提案されているにすぎなか
った。
で報告されてきた高分子発光材料を用いた有機EL素子
は駆動電圧が高く、輝度も必ずしも十分とは言い難いも
のであった。高分子発光材料は熱的に安定であり、また
塗布法により容易に均一性に優れた発光層を形成できる
ことから、それらの長所を生かしながら、より駆動電圧
が低く、高輝度である有機EL素子が要望されている。
した低電圧駆動、高輝度の有機EL素子を提供すること
にある。
光材料を発光層として用いた有機EL素子の低電圧駆
動、高輝度化を鋭意検討してきた。その結果、高分子発
光材料として、置換ポリ−p−フェニレンビニレンを用
い、これに、電子輸送性化合物を添加したものを発光層
として用いるか、または、高分子発光層と陰極との間に
高分子発光層に隣接して電子輸送性化合物の層を形成す
ることにより、高分子発光材料を単独で用いた場合に比
べて、低電圧駆動化、高輝度化が実現されることを見い
出し、本発明に至った。
明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電
極間に、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、該発光層が下記化2
素,炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基および
アルキルチオ基ならびに炭素数6〜20の芳香族炭化水
素基から選ばれた基を示し、且つ少なくとも一つが炭素
数4〜20のアルキル基、アルコキシ基またはアルキル
チオ基であり、nは5以上の数を表す。)で表される置
換ポリ(p−フェニレンビニレン)と電子輸送性化合物
を含むこと、あるいは該発光層が上記化2で表される置
換ポリ(p−フェニレンビニレン)よりなり、且つ該発
光層と陰極の間に該発光層に隣接して電子輸送性化合物
の層を設けることを特徴とする有機EL素子を提供する
ことにある。
に説明する。本発明に用いられる上記化2で表わされる
置換ポリ(p−フェニレンビニレン)は溶剤に可溶性の
ものである。ここで、R1 、R2 、R3 、R4 はそれぞ
れ独立に水素,炭素数1〜20のアルキル基、アルコキ
シ基およびアルキルチオ基ならびに炭素数6〜20の芳
香族炭化水素基から選ばれた基を示し、且つ可溶性を与
えるには、少なくともそれらの一つが炭素数4〜20の
アルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基である
ことが必要である。これらのなかで成膜性が良好なアル
キル基、アルコキシ基が特に好ましい。ここで、炭素数
1〜20のアルキル基としては、例えば、メチル基、エ
チル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、デシル基、ラウリル基、2−エチル−
ヘキシル基、3−メチル−ブチル基、イソプロピル基な
どであり、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、デシル基、2−エチル−ヘキシル基、3−メチ
ル−ブチル基が好ましい。または炭素数1〜20のアル
コキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリル
オキシ基、2−エチル−ヘキシルオキシ基、3−メチル
−ブトキシ基、イソプルピルオキシ基などであり、ペン
チルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、
オクチルオキシ基、デシルオキシ基、2−エチル−ヘキ
シルオキシ基、3−メチル−ブトキシ基が好ましい。ア
ルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、
ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプ
チルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ラウリル
チオ基、2−エチル−ヘキシルチオ基、3−メチル−ブ
チルチオ基、イソプルピルチオ基などであり、ペンチル
チオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチ
オ基、デシルチオ基、2−エチル−ヘキシルチオ基、3
−メチル−ブチルチオ基が好ましい。芳香族炭化水素基
としてはフェニル基、4- アルコキシフェニル基、4-
アルキルフェニル基、1−ナフタレン基、2−ナフタレ
ン基が例示される。
ン)としては、ポリ(2,5−ジペンチル−p−フェニ
レンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘキシル−p−フェ
ニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘプチル−p−フ
ェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジオクチル−p−
フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジデシル−p−
フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジペンチルオキ
シ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘキ
シルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5
−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2,5−ジオクチルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)、ポリ(2,5−ジデシルオキシ−p−フェニレン
ビニレン)、ポリ(2,5−ジペンチルチオ−p−フェ
ニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘキシルチオ−p
−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘプチルチ
オ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メトキシ−
5−ヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2−メトキシ−5−ラウリルオキシ−p−フェニレン
ビニレン)、ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチル
−ヘキシルオキシ)−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2−メトキシ−5−ヘプチルチオ−p−フェニレンビ
ニレン)、ポリ(2−メトキシ−5−ラウリルチオ−p
−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メトキシ−5−
(3’−メチル−ブトキシ)−p−フェニレンビニレ
ン)などが例示される。これらの中で、ポリ(2,5−
ジペンチル−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5
−ジヘキシル−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,
5−ジヘプチル−p−フェニレンビニレン)、ポリ
(2,5−ジオクチル−p−フェニレンビニレン)、ポ
リ(2,5−ジペンチルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)、ポリ(2,5−ジヘキシルオキシ−p−フェニレ
ンビニレン)、ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−
フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジオクチルオキ
シ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジデシ
ルオキシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2−メト
キシ−5−ヘキシルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)、ポリ(2−メトキシ−5−(3’−メチル−ブト
キシ)−p−フェニレンビニレン)が好ましい。これら
の置換ポリ(p−フェニレンビニレン)は単独で用いて
もよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。
し、5以上であれば特に限定されないが、余りにも小さ
すぎると均一な膜が得られにくい場合があり、また、余
りに大きすぎても溶解性が低下し、均一に製膜すること
が困難になる場合があるのでnの範囲は10〜3000
0が好ましく、10〜10000がより好ましい。
フェニレンビニレン)を用いることにより、溶液から成
膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去す
るだけでよく、また、電子輸送性化合物を混合した場合
においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利で
ある。
レンビニレン)の合成法としては特に限定されないが、
例えば特開平1−254734号公報、特開平1−79
217号公報等に記載されている方法が用いられる。す
なわち、例えば、相当するビス(ハロゲン化メチル)化
合物、より具体的には、例えば、2,5−ジヘプチルオ
キシ−p−キシリレンジブロミドを、キシレン/第三級
ブチルアルコール混合溶媒中、第三級ブトキシカリウム
を用いて重合させる脱ハロゲン化水素法をあげることが
できる。また、相当するホスホニウム塩とアルデヒドと
をリチウムアルコラートを触媒として反応させる方法で
あるWittig法、相当するスルホニウム塩をアルカ
リ存在下に重合させ、ついで脱スルホニウム塩処理を行
なうスルホニウム塩分解法などが例示される。また、こ
れらの高分子化合物を有機EL素子の発光層として用い
る場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成
後、再沈精製、クロマトグラフによる分別等の純化処理
をすることが望ましい。
ては、発光材料として使用する置換ポリ(p−フェニレ
ンビニレン)に対して電子輸送性が高ければ特に限定さ
れないが、例えば、オキサジアゾール系化合物、ベンゾ
キノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノ
ン系化合物、テトラシアノアンスラキノジメタン系化合
物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フルオレノ
ン系化合物、ジフェノキノン系化合物、8−ヒドロキシ
キノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。
具体的には、特開昭63−70257、同63−175
860号公報、特開平2−135361、同2−135
359、同3−152184号公報に記載されているも
の等、公知のものが使用可能であるが、オキサジアゾー
ル系化合物、ベンゾキノン系化合物、アントラキノン系
化合物、8−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金
属錯体が好ましく、特に、2−(4−ビフェニリル)−
5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス
(8−キノリノール)アルミニウムが好ましい。これら
の電子輸送性化合物は、単独で用いてもよいし、2種類
以上を混合して用いてもよい。電子輸送性化合物を置換
ポリ(p−フェニレンビニレン)に混合して使用する場
合、その量は少なすぎると効果が小さく、多すぎると発
光に寄与しない電流が増加するため、有機EL素子にし
た場合、輝度等の特性が悪くなる。使用する電子輸送性
化合物の分子量によっても異なるが、混合する割合は長
鎖基置換ポリ(p−フェニレンビニレン)に対して1〜
40wt%が好ましく、より好ましくは2〜30wt%
である。
リ(p−フェニレンビニレン)に、既知の発光材料を分
散させたものを発光層として用いることも含まれる。発
光材料としては特に限定されないが、例えば、ナフタレ
ン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及び
その誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン
系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキシキノリン
およびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフ
ェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェ
ニルブタジエン及びその誘導体などを用いることができ
る。具体的には、例えば特開昭57−51781、同5
9−194393号公報に記載されているもの等、公知
のものが使用可能である。
に述べる。陽極および陰極からなる一対の電極で、透明
または半透明な電極としては、ガラス、透明プラスチッ
ク等の透明基板の上に透明または半透明の電極を形成し
たものが用いられる。陽極の材料としては、導電性の金
属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的
にはインジウム・スズ・オキサイド (ITO) 、酸化ス
ズ (NESA)、Au、Pt、Ag、Cu等が用いられ
る。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
メッキ法などが用いられる。
ニレンビニレン)と電子輸送性化合物を含む発光層を形
成する。成膜方法としてはこれら材料の混合液を使用し
てスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピ
ング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法また
は真空蒸着法が例示されるが、混合溶液をスピンコーテ
ィング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコ
ート法、ロールコート法等の塗布法により成膜するのが
特に好ましい。
ましくは10Å〜1μmである。電流密度を上げて発光
効率を上げるためには100〜5000Åの範囲が好ま
しい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、溶媒を
除去するため、減圧下あるいは不活性雰囲気下、室温以
上で材料の分解温度以下、具体的には30〜330℃、
好ましくは60〜300℃、さらに好ましくは100〜
250℃の温度で熱処理することが望ましい。熱処理す
る時間としては、溶媒を除去するためには少なくとも1
0分以上処理することが好ましく、実用的には1〜24
時間がより好ましい。
化合物を含まない場合には上記の成膜方法で発光層を設
け、その上に電子輸送層を形成する。電子輸送層の材料
としては前述の電子輸送性化合物が用いられる。
に限定されないが、粉末状態からの真空蒸着法、あるい
は溶媒に溶かした後のスピンコーティング法、キャステ
ィング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコー
ト法等の塗布法、あるいは上記化2の長鎖基置換ポリ
(p−フェニレンビニレン)またはそれとは別の高分子
化合物と電子輸送性化合物とを溶液状態または溶融状態
で混合し分散させた後のスピンコーティング法、キャス
ティング法、ディッピング法、バーコート法、ロールコ
ート法等の塗布法を用いることができる。混合する高分
子化合物としては、特に限定されないが、電荷輸送を極
度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する
吸収が強くないものが好適に用いられる。例えば、上記
化2の長鎖基置換ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポ
リ(p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジメト
キシ−p−フェニレンビニレン)、ポリ(2,5−ジメ
チル−p−フェニレンビニレン)、ポリチオフェン及び
その誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)及び
その誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリレート、
ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリシロキサンなどが例示される。製膜が容易に
行なえるという点では、塗布法を用いることが好まし
い。
ルが発生しないような厚みが必要であるが、あまり厚い
と素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ま
しくない。したがって、電子輸送層の膜厚は5Å〜10
μm、好ましくは10Å〜1μm、さらに好ましくは5
0〜2000Åである。
ンビニレン)と電子輸送性化合物との混合層の場合はこ
の層の上に、また発光層と電子輸送層が積層されている
場合は電子輸送層の上に電極を設ける。この電極は電子
注入陰極となる。その材料としては、特に限定されない
が、イオン化エネルギーの小さい材料が好ましい。例え
ば、Al、In、Mg、MgとAgの合金(Mg−Ag
合金と記載することがある)、In−Ag合金、Mg−
In合金、グラファイト薄膜等が用いられる。これらの
中ではMgとAgの合金が好ましい。陰極の作製方法と
しては真空蒸着法、スパッタリング法等公知の方法が用
いられる。
これまで述べた陽極/発光層/陰極(/は層を積層した
ことを示す)、あるいは陽極/発光層/電子輸送層/陰
極の構造以外に、陽極と発光層の間、または陰極と電子
輸送層との間に高分子化合物のバッファー層を有する組
み合わせの構造、すなわち陽極/バッファー層/発光層
/陰極、陽極/バッファー層/発光層/電子輸送層/陰
極、陽極/発光層/バッファー層/陰極、陽極/発光層
/電子輸送層/バッファー層/陰極、陽極/バッファー
層/発光層/バッファー層/陰極、陽極/バッファー層
/発光層/電子輸送層/バッファー層/陰極をとること
もできる。バッファー層に用いる高分子化合物としては
特に限定されないが、電荷輸送を極度に阻害しないもの
が好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないもの
が好適に用いられる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバ
ゾール)、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェ
ン及びその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレ
ン)及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体などが
例示される。成膜が容易に行なえるという点では、塗布
法を用いることが好ましい。バッファー層の厚みは通常
5Å〜10μm、電流密度を上げて発光効率を上げるた
めには好ましくは10〜5000Å、より好ましくは2
0〜1000Åである。
に限定されるものではない。
付けたガラス基板に、特開平1−79217号公報の実
施例6で2,5−ジヘプチル−p−キシリレンジブロミ
ドの代わりに2,5−ジヘプチルオキシ−p−キシリレ
ンジブロミドを用いて実施例6記載の方法で合成したポ
リ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)〔ゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)
によるポリスチレン換算の数平均重合度約360〕と電
子輸送性化合物として2−(4−ビフェニリル)−5−
(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール〔ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニ
レンビニレン)に対する混合割合は5wt%〕の0.6
7wt%トルエン/クロロホルム(3/2重量比)溶液
を用い、スピンコートにより800Åの厚みで成膜し
た。次いで、これを減圧下60℃で1時間乾燥した後、
その上に陰極として、Inを3000Å蒸着して、有機
EL素子を作製した。蒸着のときの真空度は3×10-6
Torr以下であった。この素子に電圧19.4Vを印
加したところ、電流密度275mA/cm2 の電流が流
れ、輝度160.6cd/m2 のオレンジ色のEL発光
が観察された。また20cd/m2 の輝度にするための
電圧は13.2Vであった。
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールをポリ(2,5
−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)に対し
て15wt%とした以外は実施例1と同じ方法で890Å
の厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製した。この
素子に電圧26.0Vを印加したところ、電流密度21
9mA/cm2 の電流が流れ、輝度71.9cd/m2
のオレンジ色のEL発光が観察された。また20cd/
m2 の輝度にするための電圧は19.6Vであった。
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールをポリ(2,5
−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)に対し
て2.5wt%とした以外は実施例1と同じ方法で10
10Åの厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製し
た。この素子に電圧19.4Vを印加したところ、電流
密度56mA/cm2 の電流が流れ、輝度46.8cd
/m2 のオレンジ色のEL発光が観察された。また20
cd/m2 の輝度にするための電圧は17.5Vであっ
た。
レン)に2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブ
チルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールを混合
しない以外は実施例1と同じ方法で980Åの厚みの発
光層を持つ、有機EL素子を作製した。この素子に電圧
33.3Vを印加したところ、電流密度617mA/c
m2 の電流が流れたが、輝度26.4cd/m2 のオレ
ンジ色のEL発光が観察されただけであった。また20
cd/m2 の輝度にするための電圧は32.9Vであっ
た。
レン)の代わりに、特開平1−79217号公報の実施
例6で2,5−ジヘプチル−p−キシリレンジブロミド
の代わりに2,5−ジヘキシルオキシ−p−キシリレン
ジブロミドを用いて実施例6記載の方法で合成したポリ
(2,5−ジヘキシルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)(GPCによるポリスチレン換算数平均重合度約1
60)を用い、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−
t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール
をポリ(2,5−ジヘキシルオキシ−p−フェニレンビ
ニレン)に対して10wt%混合し、溶媒としてクロロ
ホルムを用いた以外は実施例1と同じ方法で1300Å
の厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製した。この
素子に電圧25.0Vを印加したところ、電流密度34
6mA/cm2 の電流が流れ、輝度44.6cd/m2
のオレンジ色のEL発光が観察された。また20cd/
m2 の輝度にするための電圧は23.5Vであった。
レン)の代わりに、特開平1−79217号公報の実施
例6で2,5−ジヘプチル−p−キシリレンジブロミド
の代わりに2,5−ジペンチルオキシ−p−キシリレン
ジブロミドを用いて実施例6記載の方法で合成したポリ
(2,5−ジペンチルオキシ−p−フェニレンビニレ
ン)(GPCによるポリスチレン換算数平均重合度約4
00)を用い、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−
t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール
をポリ(2,5−ジペンチルオキシ−p−フェニレンビ
ニレン)に対して10wt%混合し、溶媒としてクロロ
ホルムを用いた以外は実施例1と同じ方法で1400Å
の厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製した。この
素子に電圧23.3Vを印加したところ、電流密度38
6mA/cm2 の電流が流れ、輝度51.4cd/m2
のオレンジ色のEL発光が観察された。また20cd/
m2 の輝度にするための電圧は22.5Vであった。
ニル)−1,3,4−オキサジアゾールをポリ(2,5
−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン)に対し
て44.4wt%混合した以外は実施例1と同じ方法で
2600Åの厚みの発光層を持つ、有機EL素子を作製
した。この素子に電圧40.0Vを印加したところ、電
流密度1360mA/cm2の電流が流れたが、輝度1
3.4cd/m2 のオレンジ色のEL発光が観察された
だけであった。また電圧を上げると絶縁破壊のため20
cd/m2 の輝度にすることができなかった。
付けたガラス基板に、実施例1と同様の方法で合成した
ポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニ
レン)と電子輸送性化合物としてアントラキノン〔ポリ
(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン
に対する混合割合は5wt%〕の0.67wt%トルエ
ン/クロロホルム(3/2重量比)溶液を用い、スピン
コートにより1100Åの厚みで成膜した。次いで、こ
れを減圧下60℃で1時間乾燥した後、その上に陰極と
して、Inを3000Å蒸着して、有機EL素子を作製
した。蒸着のときの真空度は3×10-6Torr以下で
あった。この素子に電圧20.8Vを印加したところ、
電流密度165.2mA/cm 2 の電流が流れ、輝度1
46cd/m2 のオレンジ色のEL発光が観察された。
また、20cd/m2 の輝度にするための電圧は16.
8Vであった。
レンビニレン)とポリ(p−フェニレンビニレン)の
7:3(重量比)の混合物から成る層をつけた以外は、
発光層、陰極は実施例6と同じ方法で、バッファー層と
発光層の厚さの合計が1500Åの有機EL素子を作製
した。ここで、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)と
ポリ(p−フェニレンビニレン)の7:3の混合物から
成る層は、特開平1−9221号公報の実施例1に記載
の方法で得たポリ(2,5−チエニレンビニレン)(P
TV)中間体をN,N−ジメチルホルムアミド(DM
F)に溶解してPTV中間体溶液としたものと、特開昭
59−199746号公報の実施例1に記載の方法で合
成したポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)中間
体のBr- 塩の水溶液を大量のNaBF4水溶液に添加
して対イオン(Br- )をBF4 - に交換し、沈澱とし
て回収したPPV中間体のBF4 - 塩をDMFに溶解し
てPPV中間体溶液としたものを、熱処理後生成する両
高分子の重量比が7:3となるような割合で混合した溶
液をスピンコートにより成膜し、200℃で熱処理する
ことにより作成した。この素子に電圧24.4Vを印加
したところ、電流密度70.8mA/cm2の電流が流
れ、輝度120cd/m2 のオレンジ色のEL発光が観
察された。また、20cd/m2 の輝度にするための電
圧は18.2Vであった。
は実施例6と同じ方法で630Åの厚みの発光層を持
つ、有機EL素子を作製した。この素子に電圧18.3
Vを印加したところ、電流密度163.4mA/cm2
の電流が流れ、輝度63cd/m2 のオレンジ色のEL
発光が観察された。また、20cd/m2の輝度にする
ための電圧は14.8Vであった。
実施例1と同じ方法で合成したポリ(2,5−ジヘプチ
ルオキシ−p−フェニレンビニレン)〔ゲルパーハエー
ションクロマトグラフ(GPC)によるポリスチレン換
算の数平均重合度約360〕の0.75wt%クロロホ
ルム溶液を用い、ディッピングにより成膜した。つい
で、これを減圧下60℃で1時間乾燥した後、その上に
電子輸送層として、トリス(8−キノリノール)アルミ
ニウムを700Å蒸着し、ついで陰極として、Mg−A
g合金(重量比10:1)を1500Å、さらにその上
にAgを1000Å蒸着して、有機EL素子を作製し
た。有機層の厚さは合計910Åであった。また、蒸着
のときの真空度はいずれも3×10-6Torr以下であ
った。この素子に電圧17.8Vを印加したところ、電
流密度420mA/cm2 の電流が流れ、輝度2290
cd/m2 のオレンジ色のEL発光が観察された。発光
スペクトルはポリ(2,5−ジヘプチルオキシ−p−フ
ェニレンビニレン)の蛍光スペクトルと一致した。
機EL素子を作製した。この素子に電圧9.2Vを印加
したところ、電流密度569mA/cm2 の電流が流
れ、輝度1189cd/m2 のオレンジ色のEL発光が
観察された。また、これ以上電圧を上げても輝度は向上
せず、11.7Vで素子の破壊のため発光しなくなっ
た。
素子は、従来のものと比較して、低電圧駆動で、しかも
輝度が向上しており、バックライトとしての面状光源、
フラットパネルディスプレイ等の装置としての使用が可
能である。
Claims (3)
- 【請求項1】少なくとも一方が透明または半透明である
一対の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも発
光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、該発光層が下記化1 【化1】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 はそれぞれ独立に水
素,炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基および
アルキルチオ基ならびに炭素数6〜20の芳香族炭化水
素基から選ばれた基を示し、且つ少なくとも一つが炭素
数4〜20のアルキル基、アルコキシ基またはアルキル
チオ基であり、nは5以上の数を表す。)で表される置
換ポリ(p−フェニレンビニレン)と電子輸送性化合物
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子。 - 【請求項2】少なくとも一方が透明または半透明である
一対の陽極および陰極からなる電極間に少なくとも発光
層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、該発光層が化1で表される置換ポリ(p−フェニレ
ンビニレン)よりなり、且つ陰極と該発光層との間に、
該発光層に隣接して電子輸送性化合物からなる層を設け
たことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項3】陰極がMgとAgの合金からなることを特
徴とする請求項1または2記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30090392A JP3328731B2 (ja) | 1991-12-05 | 1992-11-11 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32197691 | 1991-12-05 | ||
JP3-321976 | 1992-01-09 | ||
JP4-2124 | 1992-01-09 | ||
JP212492 | 1992-01-09 | ||
JP30090392A JP3328731B2 (ja) | 1991-12-05 | 1992-11-11 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002051037A Division JP2002319493A (ja) | 1991-12-05 | 2002-02-27 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05247460A true JPH05247460A (ja) | 1993-09-24 |
JP3328731B2 JP3328731B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=27275209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30090392A Expired - Lifetime JP3328731B2 (ja) | 1991-12-05 | 1992-11-11 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3328731B2 (ja) |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998005187A1 (en) * | 1996-07-29 | 1998-02-05 | Cambridge Display Technology Limited | Electroluminescent devices with electrode protection |
US6066712A (en) * | 1997-05-09 | 2000-05-23 | Minolta Co., Ltd. | Styryl polymer, production method and use thereof |
JP2001522926A (ja) * | 1997-11-05 | 2001-11-20 | アクシーバ・ゲーエムベーハー | 置換ポリ(アリーレンビニレン)、それらの製造方法、およびエレクトロルミネセント素子におけるそれらの使用 |
US6436559B1 (en) | 1999-11-12 | 2002-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device |
US6458476B1 (en) | 2000-01-27 | 2002-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device with spiro compound |
US6461749B2 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic boron compound, process for producing the compound and organic luminescence device using the compound |
US6461748B1 (en) | 2000-01-27 | 2002-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device with spiro compound having silicon spiro atom |
KR20020089084A (ko) * | 2001-05-23 | 2002-11-29 | 한화석유화학 주식회사 | 알킬옥시페닐옥시기가 치환된 폴리(p-페닐렌비닐렌)계전기발광고분자 및 이의 제조방법 |
KR100394509B1 (ko) * | 2000-01-27 | 2003-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 네개의 치환체를 갖는 페닐렌기를 포함하는 고기능성전기발광고분자 |
US6652997B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device |
WO2004020372A1 (en) | 2002-08-27 | 2004-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorene compound and organic luminescent device using the same |
KR100441282B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2004-07-22 | 일진다이아몬드(주) | 시클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기를 측쇄로 구비하는폴리(p-페닐렌비닐렌)유도체, 이를 포함한 전기발광소자및 동 유도체의 제조방법 |
US6830829B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Fused polynuclear compound and organic luminescence device |
EP1491610A2 (en) | 2003-06-27 | 2004-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent device |
KR100510094B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2005-08-24 | 부산대학교 산학협력단 | 1,3,4-옥사디아졸 및 알콕시페닐옥시 치환기를 갖는폴리(1,4-페닐렌비닐렌)계 고효율 전기 발광 고분자 및고분자 전기발광 다이오드 |
US6998182B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device |
US7129386B2 (en) | 2003-06-27 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Substituted anthryl derivative and electroluminescence device using the same |
US7173131B2 (en) | 2003-06-27 | 2007-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Anthryl derivative group substituted compound, and organic luminescent device making use of same |
JP2007035647A (ja) * | 2006-09-21 | 2007-02-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100710985B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2007-04-24 | 에스케이 주식회사 | 아릴기를 포함하는 스티릴기가 치환된 폴리(페닐렌비닐렌)유도체 및 이를 이용한 전기발광소자 |
US7229702B2 (en) | 2002-03-27 | 2007-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Oligofluorenlylene compounds |
US7232618B2 (en) | 2002-04-12 | 2007-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
US7338721B2 (en) | 2002-08-27 | 2008-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Condensed polycyclic compound and organic light-emitting device using the same |
US7375250B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Aminoanthryl derivative substitution compound and organic electroluminescence device using the same |
US7387845B2 (en) | 2002-08-28 | 2008-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Monoamino compound and organic luminescence device using the same |
US7510781B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Spiro compound and organic luminescence device using the same |
US7550594B2 (en) | 2002-09-19 | 2009-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Phenanthroline compound and organic light emitting device using same |
US7604873B2 (en) | 2004-07-20 | 2009-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light emitting device |
US7632577B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
US7691492B2 (en) | 2004-04-12 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorene compound and organic light-emitting device using same |
US7691491B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Monoaminofluorene compound and organic light-emitting device using the same |
US7709104B2 (en) | 2004-11-26 | 2010-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Aminoanthryl derivative-substituted pyrene compound and organic light-emitting device |
US7785719B2 (en) | 2004-11-26 | 2010-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorene compound and organic light-emitting device |
US7875308B2 (en) | 2002-06-28 | 2011-01-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device using a mixture of high and low molecular light-emitting substances as a light-emitting substance |
US7952269B2 (en) | 2004-11-26 | 2011-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP30090392A patent/JP3328731B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998005187A1 (en) * | 1996-07-29 | 1998-02-05 | Cambridge Display Technology Limited | Electroluminescent devices with electrode protection |
GB2331400A (en) * | 1996-07-29 | 1999-05-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices with electrode protection |
GB2331400B (en) * | 1996-07-29 | 2001-01-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices with electrode protection |
US7151341B2 (en) | 1996-07-29 | 2006-12-19 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices with electrode protection |
US8039041B2 (en) | 1996-07-29 | 2011-10-18 | Cambridge Display Technology, Ltd. | Electroluminescent devices with electrode protection |
US6066712A (en) * | 1997-05-09 | 2000-05-23 | Minolta Co., Ltd. | Styryl polymer, production method and use thereof |
JP2001522926A (ja) * | 1997-11-05 | 2001-11-20 | アクシーバ・ゲーエムベーハー | 置換ポリ(アリーレンビニレン)、それらの製造方法、およびエレクトロルミネセント素子におけるそれらの使用 |
US6436559B1 (en) | 1999-11-12 | 2002-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device |
US6461748B1 (en) | 2000-01-27 | 2002-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device with spiro compound having silicon spiro atom |
KR100394509B1 (ko) * | 2000-01-27 | 2003-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 네개의 치환체를 갖는 페닐렌기를 포함하는 고기능성전기발광고분자 |
US6458476B1 (en) | 2000-01-27 | 2002-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device with spiro compound |
US6461749B2 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic boron compound, process for producing the compound and organic luminescence device using the compound |
US6994922B2 (en) | 2001-02-22 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device with a fused polynuclear compound |
US6830829B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Fused polynuclear compound and organic luminescence device |
US6652997B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device |
KR20020089084A (ko) * | 2001-05-23 | 2002-11-29 | 한화석유화학 주식회사 | 알킬옥시페닐옥시기가 치환된 폴리(p-페닐렌비닐렌)계전기발광고분자 및 이의 제조방법 |
KR100441282B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2004-07-22 | 일진다이아몬드(주) | 시클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기를 측쇄로 구비하는폴리(p-페닐렌비닐렌)유도체, 이를 포함한 전기발광소자및 동 유도체의 제조방법 |
US6998182B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic luminescence device |
KR100710985B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2007-04-24 | 에스케이 주식회사 | 아릴기를 포함하는 스티릴기가 치환된 폴리(페닐렌비닐렌)유도체 및 이를 이용한 전기발광소자 |
US7229702B2 (en) | 2002-03-27 | 2007-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Oligofluorenlylene compounds |
US7232618B2 (en) | 2002-04-12 | 2007-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
US7875308B2 (en) | 2002-06-28 | 2011-01-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device using a mixture of high and low molecular light-emitting substances as a light-emitting substance |
WO2004020372A1 (en) | 2002-08-27 | 2004-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorene compound and organic luminescent device using the same |
US7510781B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Spiro compound and organic luminescence device using the same |
US7241513B2 (en) | 2002-08-27 | 2007-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorene compound and organic luminescent device using the same |
US7338721B2 (en) | 2002-08-27 | 2008-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Condensed polycyclic compound and organic light-emitting device using the same |
US7632577B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
US7387845B2 (en) | 2002-08-28 | 2008-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Monoamino compound and organic luminescence device using the same |
EP2527318A1 (en) | 2002-08-30 | 2012-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Monoaminofluorene compound and organic light-emitting device using the same |
US7691491B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Monoaminofluorene compound and organic light-emitting device using the same |
KR100510094B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2005-08-24 | 부산대학교 산학협력단 | 1,3,4-옥사디아졸 및 알콕시페닐옥시 치환기를 갖는폴리(1,4-페닐렌비닐렌)계 고효율 전기 발광 고분자 및고분자 전기발광 다이오드 |
US7982213B2 (en) | 2002-09-19 | 2011-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Phenanthroline compound and organic light emitting device using same |
US7550594B2 (en) | 2002-09-19 | 2009-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Phenanthroline compound and organic light emitting device using same |
US7358409B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Substituted anthryl derivative and electroluminescence device using the same |
US7129386B2 (en) | 2003-06-27 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Substituted anthryl derivative and electroluminescence device using the same |
US7375250B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-05-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Aminoanthryl derivative substitution compound and organic electroluminescence device using the same |
US7173131B2 (en) | 2003-06-27 | 2007-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Anthryl derivative group substituted compound, and organic luminescent device making use of same |
US7491450B2 (en) | 2003-06-27 | 2009-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent device |
US7309533B2 (en) | 2003-06-27 | 2007-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Substituted anthryl derivative and electroluminescence device using the same |
EP1491610A2 (en) | 2003-06-27 | 2004-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent device |
US7691492B2 (en) | 2004-04-12 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorene compound and organic light-emitting device using same |
US7604873B2 (en) | 2004-07-20 | 2009-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light emitting device |
US8404363B2 (en) | 2004-07-20 | 2013-03-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light emitting device |
US7919199B2 (en) | 2004-07-20 | 2011-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light emitting device |
US7785719B2 (en) | 2004-11-26 | 2010-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorene compound and organic light-emitting device |
US7952269B2 (en) | 2004-11-26 | 2011-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
US7709104B2 (en) | 2004-11-26 | 2010-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Aminoanthryl derivative-substituted pyrene compound and organic light-emitting device |
JP2007035647A (ja) * | 2006-09-21 | 2007-02-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3328731B2 (ja) | 2002-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3328731B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3191374B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3367064B2 (ja) | 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3772576B2 (ja) | 高分子発光素子 | |
JP3760491B2 (ja) | 高分子蛍光体、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3546645B2 (ja) | 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH1077467A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2000303066A (ja) | 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子 | |
JPH11111463A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2000351967A (ja) | 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子 | |
JP2001003045A (ja) | 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子 | |
JP3362440B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3237282B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH0935871A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3817957B2 (ja) | 有機蛍光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3223571B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3557227B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3475500B2 (ja) | 共役系高分子蛍光体と有機el素子 | |
JP3674973B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH0959614A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH0529078A (ja) | 有機エレクトロルミネツセンス素子 | |
JP3951316B2 (ja) | 高分子蛍光体薄膜とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH1046138A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3440565B2 (ja) | 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3707081B2 (ja) | 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080719 Year of fee payment: 6 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080719 Year of fee payment: 6 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090719 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100719 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110719 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110719 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120719 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120719 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130719 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130719 Year of fee payment: 11 |