JPH05243682A - Package-type semiconductor laser device - Google Patents
Package-type semiconductor laser deviceInfo
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- JPH05243682A JPH05243682A JP4041662A JP4166292A JPH05243682A JP H05243682 A JPH05243682 A JP H05243682A JP 4041662 A JP4041662 A JP 4041662A JP 4166292 A JP4166292 A JP 4166292A JP H05243682 A JPH05243682 A JP H05243682A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はパッケージ型半導体レー
ザー装置に関するものである。更に詳しくは、コンパク
トディスク，ビデオディスク，光磁気ディスク，書き込
みオンリーディスク等の光ディスクに用いる光ピックア
ップ；レーザービームプリンタ，ファクシミリ等に用い
るレーザービーム放射装置等に適用可能であって、特に
高密度ニーズ用として最適なパッケージ型半導体レーザ
ー装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package type semiconductor laser device. More specifically, it is applicable to optical pickups for optical discs such as compact discs, video discs, magneto-optical discs, write-only discs; laser beam emission devices used for laser beam printers, facsimiles, etc., especially for high density needs. The present invention relates to an optimal package type semiconductor laser device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体レーザー(例えば、レーザーダイ
オード)等から成るパッケージ型半導体レーザー装置
は、上記のような様々な装置の発光源として用いられて
いる。そして、このような装置を用いた場合に得られる
解像度は、レーザービームのスポット径で決まり、スポ
ット径は、ｋ・λ／ＮＡ(但し、ｋ：定数，λ：波長，Ｎ
Ａ：開口数)の値で決まってしまう。従って、波長を短
くするか又は開口数を大きくしないと、解像度を上げる
ことができない。2. Description of the Related Art A package type semiconductor laser device including a semiconductor laser (for example, a laser diode) is used as a light emitting source of various devices as described above. Then, the resolution obtained when using such an apparatus is determined by the spot diameter of the laser beam, and the spot diameter is k · λ / NA (where k: constant, λ: wavelength, N
A: Numerical aperture) value. Therefore, the resolution cannot be increased unless the wavelength is shortened or the numerical aperture is increased.
【０００３】しかし、波長は半導体レーザーチップを構
成する材料で決まるため、解像度も半導体レーザーチッ
プを構成する材料で決まってしまうことになる。波長0.
78μｍのレーザービームを発生させるAl-Ga-As系の半導
体レーザーチップは低コストで得られるが、これより波
長の短いレーザービームを発生させる半導体レーザーチ
ップはコストが高く寿命が短いといった問題がある。However, since the wavelength is determined by the material forming the semiconductor laser chip, the resolution is also determined by the material forming the semiconductor laser chip. Wavelength 0.
Although an Al-Ga-As based semiconductor laser chip that generates a 78 μm laser beam can be obtained at low cost, a semiconductor laser chip that generates a laser beam having a shorter wavelength than this has a problem of high cost and short life.
【０００４】また、コンパクトディスクの開口数は通常
0.45であるが、開口数をこれよりも大きくするとコスト
が高くなってしまうといった問題がある。特に、光ディ
スクに適用したときにはディスクの傾きの影響を受け易
くなってしまうといった問題もある。The numerical aperture of a compact disc is usually
Although it is 0.45, there is a problem that the cost becomes higher if the numerical aperture is made larger than this. In particular, when applied to an optical disc, there is also a problem that it is easily affected by the tilt of the disc.
【０００５】一方、レーザービームは半導体レーザーチ
ップの接合面から発せられるため、パッケージ内の半導
体レーザーチップはパッケージからのビーム発射方向に
対して平行に配置される必要があり、また、半導体レー
ザーチップから発せられたレーザービームを受光するこ
とによってモニターするフォトダイオードを配する必要
もある。更に、放熱板をレーザーチップに対して広い面
積で接触させるように設ける必要もある。その結果、パ
ッケージは、そのレーザー発射方向に沿って大型化して
しまうといった問題が生じる。On the other hand, since the laser beam is emitted from the bonding surface of the semiconductor laser chip, the semiconductor laser chip in the package needs to be arranged parallel to the beam emission direction from the package. It is also necessary to arrange a photodiode that monitors by receiving the emitted laser beam. Further, it is necessary to provide the heat sink so as to contact the laser chip over a wide area. As a result, there arises a problem that the package becomes large along the laser emitting direction.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、パッケ
ージ型半導体レーザー装置には、光ピックアップに適用
しうるような高い解像度、更にはレーザー発射方向に薄
いコンパクト性が要求されているのであるAs described above, the package type semiconductor laser device is required to have a high resolution applicable to an optical pickup and a thinness and compactness in the laser emitting direction.
【０００７】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であって、解像度が高く、低コスト化、レーザービーム
発射方向のコンパクト化(薄型化)が図られたパッケージ
型半導体レーザー装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a package type semiconductor laser device having a high resolution, a low cost, and a compact (thin thickness) laser beam emitting direction. The purpose is to
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のパッケージ型半導体レーザー装置は、半導体レ
ーザーチップから発せられたレーザービームを受光する
ことによってモニターするフォトダイオードを備えたパ
ッケージ型半導体レーザー装置において、前記フォトダ
イオードは前記レーザービームを反射する受光面を有
し、該受光面において、前記レーザービームで形成され
るビームスポットの中心部分に位置する受光部分は、該
ビームスポットの周辺部分に位置する受光部分よりも反
射率が小さいことを特徴としている。To achieve the above object, a packaged semiconductor laser device of the present invention is a packaged semiconductor laser provided with a photodiode for monitoring by receiving a laser beam emitted from a semiconductor laser chip. In the device, the photodiode has a light-receiving surface that reflects the laser beam, and the light-receiving portion located in the central portion of the beam spot formed by the laser beam is located in the peripheral portion of the beam spot. The feature is that the reflectance is smaller than that of the light receiving portion located.
【０００９】前記ビームスポットの中心部分に位置する
受光部分を黒色樹脂の塗布により形成することができ
る。また、前記ビームスポットの周辺部分に位置する受
光部分を金属蒸着により形成することができる。The light receiving portion located at the central portion of the beam spot can be formed by applying a black resin. Further, the light receiving portion located around the beam spot can be formed by metal deposition.
【００１０】[0010]
【作用】このような構成によると、前記ビームスポット
の中心部分に位置する受光部分の反射率は、周辺部分に
位置する受光部分の反射率よりも小さくなっているた
め、レーザービームの回折効果により、空間周波数高域
での解像度が上がる。また、前記半導体レーザーチップ
から発せられたレーザービームのうち前記受光面でモニ
ター用に用いられるもの以外のレーザービームは反射さ
れるため、半導体レーザー装置はレーザービーム発射方
向に薄くなるように半導体レーザーチップとフォトダイ
オードが並ぶことになる。According to this structure, since the reflectance of the light receiving portion located in the central portion of the beam spot is smaller than the reflectance of the light receiving portion located in the peripheral portion, the diffraction effect of the laser beam causes , The resolution in the high spatial frequency range increases. Further, the laser beam emitted from the semiconductor laser chip other than the one used for monitoring on the light receiving surface is reflected, so that the semiconductor laser device is thinned in the laser beam emitting direction. And the photodiodes will be lined up.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の第１実施例の要部構成を概略的に
示す斜視図、図２は本実施例によって光ディスク１５に
レーザービームＢ２を照射している状態を示す図、図３
はレーザーダイオードチップ１から光ディスクの記録面
１７までの光路図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a main part configuration of a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing a state where an optical disc 15 is irradiated with a laser beam B2 according to the present embodiment, and FIG.
FIG. 3 is an optical path diagram from the laser diode chip 1 to the recording surface 17 of the optical disc.
【００１２】第１実施例は、図１及び図２に示すように
レーザーダイオードチップ１から発せられたレーザービ
ームＢ１を受光することによってモニターするpinフォ
トダイオード５を備えたパッケージ型半導体レーザー装
置２０である。レーザーダイオードチップ１は、サブマ
ウント２上に固定されており、サブマウント２は放熱板
３上に固定されている。そして、レーザーダイオードチ
ップ１から受光面Ｊに向けて照射されるレーザービーム
Ｂ１をモニターすることにより、レーザーダイオードチ
ップ１のレーザー発光の強さが制御されるようになって
いる。The first embodiment is a package type semiconductor laser device 20 having a pin photodiode 5 for monitoring by receiving a laser beam B1 emitted from a laser diode chip 1 as shown in FIGS. is there. The laser diode chip 1 is fixed on the submount 2, and the submount 2 is fixed on the heat dissipation plate 3. The intensity of laser light emission of the laser diode chip 1 is controlled by monitoring the laser beam B1 emitted from the laser diode chip 1 toward the light receiving surface J.
【００１３】pinフォトダイオード５は、レーザーダイ
オードチップ１から2.2ｍｍ離れた位置に、受光面Ｊが
レーザービームＢ１に対して45°傾斜するようにして固
定されている。このpinフォトダイオード５の傾斜によ
り、図３に示すようにレーザービームＢ１は受光面Ｊで
ほぼ垂直方向に反射されることになる。The pin photodiode 5 is fixed at a position 2.2 mm away from the laser diode chip 1 such that the light receiving surface J is inclined by 45 ° with respect to the laser beam B1. Due to the inclination of the pin photodiode 5, the laser beam B1 is reflected by the light receiving surface J in a substantially vertical direction as shown in FIG.
【００１４】pinフォトダイオード５の受光面Ｊは、研
磨処理等により鏡面状に加工されており、フォトダイオ
ードとしての動作に必要なわずかな光量のレーザービー
ムＢ１のみを通過させ、残りの大部分の反射光(レーザ
ービームＢ２)を光ピックアップ用としている。このよ
うにpinフォトダイオード５で直接的にモニターするこ
とによって、モニター出力を高くすることができ、制御
精度を向上させることも可能となる。しかも、反射部材
として兼用されているので、部品点数を増やす必要がな
く、結果として低コスト化を図られているのである。The light-receiving surface J of the pin photodiode 5 is mirror-finished by polishing or the like, and allows only a small amount of laser beam B1 necessary for the operation as a photodiode to pass through, and most of the remaining portion. The reflected light (laser beam B2) is used for the optical pickup. By directly monitoring with the pin photodiode 5, the monitor output can be increased and the control accuracy can be improved. Moreover, since it is also used as a reflecting member, it is not necessary to increase the number of parts, and as a result, cost reduction is achieved.
【００１５】但し、図１に示すように、受光面Ｊ上に形
成されるビームスポットＳ１(φ0.8ｍｍ)の中心部分に
位置する受光部分は、受光面Ｊ上への黒色樹脂６の塗布
により形成されており、微小な光吸収部分(φ0.24ｍｍ)
Ｊ１となっている。従って、この光吸収部分Ｊ１ではレ
ーザービームＢ１は殆ど反射されずに吸収され、モニタ
ー用のビームとしても用いられない。また、受光面Ｊの
うち光吸収部分Ｊ１を除く部分は、前記鏡面状に加工さ
れたままの受光面(光反射部分Ｊ２)となっている。However, as shown in FIG. 1, the light receiving portion located at the center of the beam spot S1 (φ0.8 mm) formed on the light receiving surface J is formed by applying the black resin 6 onto the light receiving surface J. Formed, minute light absorption part (φ0.24mm)
It is J1. Therefore, the laser beam B1 is hardly reflected and absorbed by the light absorbing portion J1 and is not used as a monitor beam. In addition, a portion of the light receiving surface J excluding the light absorbing portion J1 is a light receiving surface (light reflecting portion J2) that has been processed into the mirror surface.
【００１６】黒色樹脂６としては、例えば一般に用いら
れているカーボンを含む樹脂、その他インク等を用いる
ことができる。そして、黒色樹脂６の塗布は、例えばイ
ンクジェット方式等により行うことができる。また、本
発明では、上記黒色樹脂に代え、青色，緑色，青緑色等
の青系色又は緑系色の樹脂又はインクを用いることもで
きる。As the black resin 6, for example, a resin containing carbon which is generally used, other inks or the like can be used. The black resin 6 can be applied by, for example, an inkjet method or the like. Further, in the present invention, instead of the above black resin, a resin or ink of blue or green color such as blue, green or blue green may be used.
【００１７】反射後の発散したレーザービームＢ２は、
図２及び図３に示すように、回折限界まで絞り込める非
球面プラスチックレンズ１０で絞り込まれ、光ディスク
１５(図２)上の保護膜１６(図３)を通過して記録面１７
上で１点に収束し、ビームスポットＳ２を形成する。The divergent laser beam B2 after reflection is
As shown in FIGS. 2 and 3, the recording surface 17 is narrowed down by the aspherical plastic lens 10 that can be narrowed down to the diffraction limit, passes through the protective film 16 (FIG. 3) on the optical disk 15 (FIG. 2), and passes through the recording surface 17.
It converges on one point above and forms a beam spot S2.
【００１８】波長785.0ｎｍのレーザービームＢ１を発
するレーザーダイオードチップ１を用いて、記録面上の
ビームスポットＳ２の強度分布、即ちレーザービームの
断面プロフィールを、黒色樹脂を塗布する前のもの(比
較例)と黒色樹脂を塗布した後の本実施例とについて調
べた。その結果をそれぞれ図５及び図６に示す。Using the laser diode chip 1 which emits the laser beam B1 having a wavelength of 785.0 nm, the intensity distribution of the beam spot S2 on the recording surface, that is, the cross-sectional profile of the laser beam before the black resin is applied (comparative example ) And this example after applying the black resin. The results are shown in FIGS. 5 and 6, respectively.
【００１９】図５及び図６から分かるように、光吸収部
分Ｊ１に起因するレーザービームＢ１の回折効果によ
り、絞り込んだビームスポット(直径0.8ｍｍ)Ｓ２は、
中心ピークとその周辺の同心円状リングとに分離され
た。黒色樹脂６の塗布されたものは、塗布されていない
ものに比べ中心ピークが細くなり、中心ビームの半値幅
が0.75μｍ(図４)から0.69μｍ(図５)まで減小(９％)し
た。これは、例えば波長670ｎｍのレーザービームで、
波長610ｎｍと同等の解像度を得ることができることを
意味する。As can be seen from FIGS. 5 and 6, due to the diffraction effect of the laser beam B1 caused by the light absorbing portion J1, the narrowed beam spot (diameter 0.8 mm) S2 is
It was separated into a central peak and a concentric ring around it. The one with black resin 6 had a narrower center peak than the one without, and the half-width of the center beam was reduced from 0.75 μm (FIG. 4) to 0.69 μm (FIG. 5) (9%). .. This is a laser beam with a wavelength of 670 nm,
This means that a resolution equivalent to a wavelength of 610 nm can be obtained.
【００２０】上記比較例及び本実施例のＭＴＦ(Modulat
ion Transfer Function)を測定した。その結果をそれぞ
れ図７及び図８に示す。黒色樹脂６が塗布されたもの
は、塗布されていないものに比べ、750サイクル／ｍｍ
以上でＭＴＦ値が高くなった。これは空間周波数高域で
解像度が上がったことを意味する。The MTF (Modulat) of the comparative example and the present example
ion transfer function) was measured. The results are shown in FIGS. 7 and 8, respectively. The one coated with black resin 6 is 750 cycles / mm compared to the one not coated.
With the above, the MTF value became high. This means that the resolution has increased in the high spatial frequency range.
【００２１】図５及び図６のビームスポットＳ２の強度
分布の変化並びに図７及び図８のＭＴＦ曲線の変化の起
因となる作用は、超解像現象と呼ばれており、この現象
自体は従来より知られているものである(岩波書店刊,
「波動光学」(久保田広著),p.278〜p.281等参照)。しか
し、本実施例では、レーザービームＢ１をpinフォトダ
イオード５で反射し光路方向を変えることにより薄型化
が図られた装置２０に対し、光路の中心部分に相当する
pinフォトダイオード５の受光面ＪにレーザービームＢ
１を吸収する材料をスポット状に付着させて上記現象を
適用することで解像度を上げているのである。しかも、
部品点数を増やすことなく低コストで、ユーザーの調整
なしで使用しうるようになっている。The action that causes the change in the intensity distribution of the beam spot S2 in FIGS. 5 and 6 and the change in the MTF curve in FIGS. 7 and 8 is called a super-resolution phenomenon, and this phenomenon itself is conventional. It is more known (published by Iwanami Shoten,
"Wave Optics" (Hiro Kubota), p.278-p.281, etc.). However, in this embodiment, the laser beam B1 is reflected by the pin photodiode 5 and the optical path direction is changed, which is equivalent to the central portion of the optical path in the device 20 which is thinned.
Laser beam B on the light receiving surface J of the pin photodiode 5
The material that absorbs 1 is attached in a spot shape and the above phenomenon is applied to increase the resolution. Moreover,
It can be used at low cost without increasing the number of parts and without user adjustment.
【００２２】尚、上記超解像現象による解像度の向上を
図るには、受光面Ｊにおいて、レーザービームＢ１で形
成されるビームスポットＳ１の中心部分に位置する受光
部分(光吸収部分Ｊ１に相当する)が、ビームスポットＳ
１の周辺部分に位置する受光部分(前記光反射部分Ｊ２
に相当する)よりも反射率が小さくなっていればよい。In order to improve the resolution due to the above-mentioned super-resolution phenomenon, on the light receiving surface J, the light receiving portion (corresponding to the light absorbing portion J1) located at the center of the beam spot S1 formed by the laser beam B1. ) Is the beam spot S
1. A light receiving portion (the light reflecting portion J2
(Corresponding to)).
【００２３】図３は、本発明の第２実施例に用いられる
pinフォトダイオード１５を示す斜視図であり、異なるp
inフォトダイオード１５が用いられていることを除き、
本実施例は前記第１実施例と同様の構成となっている。FIG. 3 is used in the second embodiment of the present invention.
It is a perspective view showing a pin photodiode 15, and a different p
except that the in photodiode 15 is used.
This embodiment has the same structure as that of the first embodiment.
【００２４】pinフォトダイオード１５の受光面Ｊにお
いて、前記第１実施例と同様、ビームスポットＳ１の中
心部分に位置する光吸収部分Ｊ１は、ビームスポットＳ
１の周辺部分に位置する光反射部分Ｊ２よりも反射率が
小さくなっている。On the light receiving surface J of the pin photodiode 15, the light absorbing portion J1 located at the central portion of the beam spot S1 is the beam spot S, as in the first embodiment.
The reflectance is smaller than that of the light reflecting portion J2 located in the peripheral portion of 1.
【００２５】光吸収部分Ｊ１は、反射率５％程度の酸化
シリコン膜(SiO2膜)８のパターニングにより形成されて
いる。但し、この反射を少なくしている光吸収部分Ｊ１
において吸収されたレーザービームＢ１の一部はSiO2膜
８を通過し、モニター用に用いられる。光反射部分Ｊ２
は、受光されるレーザービームＢ１の殆どを反射するア
ルミニウム膜(Al膜)９のパターニングにより形成されて
いる。The light absorbing portion J1 is formed by patterning a silicon oxide film (SiO 2 film) 8 having a reflectance of about 5%. However, the light absorbing portion J1 that reduces this reflection
Part of the laser beam B1 absorbed in (1) passes through the SiO 2 film 8 and is used for monitoring. Light reflection part J2
Are formed by patterning an aluminum film (Al film) 9 that reflects most of the received laser beam B1.
【００２６】上記SiO2膜８及びAl膜９のパターニング
は、受光面Ｊ上に、従来より公知のフォトレジスト工
程，金属蒸着によるメタライジング工程及びフォトエッ
チング工程における処理よって形成される。尚、アルミ
ニウム膜(Al膜)９の代わりに金等から成る反射膜を形成
してもよい。The patterning of the SiO 2 film 8 and the Al film 9 is formed on the light-receiving surface J by a conventionally known process such as a photoresist process, a metalizing process by metal deposition and a photoetching process. A reflective film made of gold or the like may be formed instead of the aluminum film (Al film) 9.
【００２７】前記第１実施例では光反射部分Ｊ２でレー
ザービームＢ１のモニターを行っており、第２実施例で
は光吸収部分でレーザービームＢ１のモニターを行って
いるが、いずれにおいてもビームスポットＳ１の中心部
分に相当する受光部分の反射率がその周辺部分に位置す
る反射率よりも低ければよい。また、モニターする受光
部分は、必要に応じた受光面Ｊの表面処理を選択するこ
とで対応すればよい。In the first embodiment, the laser beam B1 is monitored at the light reflecting portion J2, and in the second embodiment, the laser beam B1 is monitored at the light absorbing portion. It suffices that the reflectance of the light receiving portion corresponding to the central portion of is lower than the reflectance of the peripheral portion. Further, the light receiving portion to be monitored may be handled by selecting the surface treatment of the light receiving surface J as necessary.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、半導
体レーザーチップから発せられたレーザービームを受光
することによってモニターするフォトダイオードを備え
たパッケージ型半導体レーザー装置において、前記フォ
トダイオードが前記レーザービームを反射する受光面を
有する構成とすることにより、レーザー発射方向のコン
パクト化を図ることができる。更に、前記受光面におい
て、前記レーザービームで形成されるビームスポットの
中心部分に位置する受光部分を例えば黒色樹脂の塗布等
で形成したり、ビームスポットの周辺部分に位置する受
光部分を例えば鏡面処理や金属蒸着等で形成したりする
ことより、ビームスポットの中心部分に位置する受光部
分を周辺部分に位置する受光部分よりも反射率を小さく
することによって超解像度現象を生じさせ、波長の短い
レーザービームを用いなくとも、解像度が高く、低コス
ト化が図られたパッケージ型半導体レーザー装置を実現
することができる。As described above, according to the present invention, in the package type semiconductor laser device including the photodiode for monitoring the laser beam emitted from the semiconductor laser chip, the photodiode is the laser beam. With the configuration having a light receiving surface that reflects light, it is possible to make the laser emitting direction compact. Further, on the light-receiving surface, a light-receiving portion located in the central portion of the beam spot formed by the laser beam is formed, for example, by coating a black resin, or a light-receiving portion located in the peripheral portion of the beam spot is subjected to, for example, mirror finishing. A laser with a short wavelength is created by making the light receiving part located in the central part of the beam spot have a smaller reflectance than the light receiving part located in the peripheral part by forming it by metal or metal vapor deposition. Even without using a beam, it is possible to realize a package type semiconductor laser device with high resolution and low cost.
【図１】本発明の第１実施例の要部構成を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a main part of a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例が動作している状態を示す
図。FIG. 2 is a diagram showing a state in which the first embodiment of the present invention is operating.
【図３】本発明の第１実施例においてレーザーダイオー
ドチップから光ディスク表面までの光路を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an optical path from a laser diode chip to an optical disk surface in the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２実施例に用いられるpinフォトダ
イオードを示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing a pin photodiode used in the second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１実施例における黒色樹脂塗布前の
ビームスポットの強度分布を示すグラフ。FIG. 5 is a graph showing a beam spot intensity distribution before black resin coating in the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第１実施例における黒色樹脂塗布後の
ビームスポットの強度分布を示すグラフ。FIG. 6 is a graph showing a beam spot intensity distribution after black resin coating in the first embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第１実施例における黒色樹脂塗布前の
ＭＴＦ曲線を示すグラフ。FIG. 7 is a graph showing an MTF curve before applying a black resin according to the first embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第１実施例における黒色樹脂塗布後の
ＭＴＦ曲線を示すグラフ。FIG. 8 is a graph showing an MTF curve after applying a black resin in the first example of the present invention.
１ …レーザーダイオードチップ ２ …サブマウント ３ …放熱板 ５ …pinフォトダイオード ６ …黒色樹脂 ８ …酸化シリコン膜(SiO2膜) ９ …アルミニウム膜(Al膜) ２０ …パッケージ型半導体レーザー装置 Ｊ１ …光吸収面 Ｊ２ …光反射面 Ｂ１，Ｂ２ …レーザービーム Ｓ１，Ｓ２ …ビームスポット1 ... laser diode chip 2 ... submount 3 ... radiating plate 5 ... pin photodiode 6 ... black resin 8 ... silicon oxide film (SiO 2 film) 9 ... aluminum film (Al film) 20 ... packaged semiconductor laser device J1 ... Light Absorbing surface J2 ... Light reflecting surface B1, B2 ... Laser beam S1, S2 ... Beam spot
Claims (3)
ザービームを受光することによってモニターするフォト
ダイオードを備えたパッケージ型半導体レーザー装置に
おいて、 前記フォトダイオードは前記レーザービームを反射する
受光面を有し、 該受光面において、前記レーザービームで形成されるビ
ームスポットの中心部分に位置する受光部分は、該ビー
ムスポットの周辺部分に位置する受光部分よりも反射率
が小さいことを特徴とするパッケージ型半導体レーザー
装置。1. A package type semiconductor laser device comprising a photodiode for monitoring a laser beam emitted from a semiconductor laser chip by receiving the laser beam, wherein the photodiode has a light receiving surface for reflecting the laser beam, A package type semiconductor laser device characterized in that, on the light receiving surface, a light receiving portion located in the central portion of the beam spot formed by the laser beam has a smaller reflectance than a light receiving portion located in the peripheral portion of the beam spot. ..
受光部分は黒色樹脂の塗布により形成されることを特徴
とする請求項１に記載のパッケージ型半導体レーザー装
置。2. The package type semiconductor laser device according to claim 1, wherein the light receiving portion located at the central portion of the beam spot is formed by applying a black resin.
受光部分は金属蒸着により形成されることを特徴とする
請求項１に記載のパッケージ型半導体レーザー装置。3. The package type semiconductor laser device according to claim 1, wherein the light receiving portion located in the peripheral portion of the beam spot is formed by metal deposition.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04041662A JP3124100B2 (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Package type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04041662A JP3124100B2 (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Package type semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243682A true JPH05243682A (en) | 1993-09-21 |
| JP3124100B2 JP3124100B2 (en) | 2001-01-15 |
Family
ID=12614597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04041662A Expired - Fee Related JP3124100B2 (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Package type semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3124100B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996034439A1 (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device using the laser |
| WO1996037024A1 (en) * | 1995-05-17 | 1996-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP04041662A patent/JP3124100B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996034439A1 (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device using the laser |
| WO1996037024A1 (en) * | 1995-05-17 | 1996-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3124100B2 (en) | 2001-01-15 |
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