JPH05243616A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH05243616A JPH05243616A JP7611592A JP7611592A JPH05243616A JP H05243616 A JPH05243616 A JP H05243616A JP 7611592 A JP7611592 A JP 7611592A JP 7611592 A JP7611592 A JP 7611592A JP H05243616 A JPH05243616 A JP H05243616A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 2波長型の発光素子において、各波長の光強
度を独立に変調させることができ、しかも、1回の結晶
成長工程で簡易に製造できるようにする。 【構成】 n型GaAs基板1の上にn型下クラッド層
2、p型活性層3、p型上クラッド層4、n型電流ブロ
ック層5、p型キャップ層6を順次積層する。この後、
Znを上クラッド層4まで拡散させ、p型の電流通路領
域9を形成する。ついで、キャップ層6の上にアノード
電極11を設け、電流ブロック層5の露出部上面に第1
のカソード電極12を設け、GaAs基板1の下面全面
に第2のカソード電極13を設ける。アノード電極11
から注入した電流の一部は電流通路領域9を通って活性
層3に注入され、活性層3で赤外発光する。また、アノ
ード電極11から注入した電流の一部はキャップ層6か
ら電流ブロック層5へ流れ、キャップ層6と電流ブロッ
ク層5の間のpn接合で赤色発光する。
度を独立に変調させることができ、しかも、1回の結晶
成長工程で簡易に製造できるようにする。 【構成】 n型GaAs基板1の上にn型下クラッド層
2、p型活性層3、p型上クラッド層4、n型電流ブロ
ック層5、p型キャップ層6を順次積層する。この後、
Znを上クラッド層4まで拡散させ、p型の電流通路領
域9を形成する。ついで、キャップ層6の上にアノード
電極11を設け、電流ブロック層5の露出部上面に第1
のカソード電極12を設け、GaAs基板1の下面全面
に第2のカソード電極13を設ける。アノード電極11
から注入した電流の一部は電流通路領域9を通って活性
層3に注入され、活性層3で赤外発光する。また、アノ
ード電極11から注入した電流の一部はキャップ層6か
ら電流ブロック層5へ流れ、キャップ層6と電流ブロッ
ク層5の間のpn接合で赤色発光する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は発光素子に関する。具体
的にいうと、異なる波長の光(例えば、赤外光と赤色
光)を同時に出射させることができる2波長型の発光素
子に関する。
的にいうと、異なる波長の光(例えば、赤外光と赤色
光)を同時に出射させることができる2波長型の発光素
子に関する。
【0002】
【従来技術とその問題点】光センサにおいては、発光波
長の異なる2種類の光が同時に必要とされる場合があ
る。その場合、発光波長の異なる別個の2つの発光素子
を用いると、発光点が異なるために大きな色ずれが生じ
たり、集光位置が大きくずれたりするという問題があ
る。このため、1つの発光素子によって異なる2つの波
長の光を出射させることができる2波長型の発光素子が
望まれている。
長の異なる2種類の光が同時に必要とされる場合があ
る。その場合、発光波長の異なる別個の2つの発光素子
を用いると、発光点が異なるために大きな色ずれが生じ
たり、集光位置が大きくずれたりするという問題があ
る。このため、1つの発光素子によって異なる2つの波
長の光を出射させることができる2波長型の発光素子が
望まれている。
【0003】図3に示すものは、従来の2波長型発光ダ
イオードBの断面図である。この2波長発光ダイオード
Bは、n−GaAs基板21の上面にn−Al0.45Ga
0.55As下クラッド層22、p−Al0.03Ga0.97As
第1活性層23、p−Al0. 3Ga0.7As第2活性層2
4、p−Al0.45Ga0.55As上クラッド層25を順次
積層し、この上クラッド層25の上面に部分的にアノー
ド電極26を設け、n−GaAs基板21の下面全体に
カソード電極27を設けたものである。
イオードBの断面図である。この2波長発光ダイオード
Bは、n−GaAs基板21の上面にn−Al0.45Ga
0.55As下クラッド層22、p−Al0.03Ga0.97As
第1活性層23、p−Al0. 3Ga0.7As第2活性層2
4、p−Al0.45Ga0.55As上クラッド層25を順次
積層し、この上クラッド層25の上面に部分的にアノー
ド電極26を設け、n−GaAs基板21の下面全体に
カソード電極27を設けたものである。
【0004】ここで、アノード電極26とカソード電極
27の間に駆動電圧を印加すると、アノード電極26か
ら第2活性層24及び第1活性層23に電流が注入さ
れ、Al組成の比較的大きな第2活性層24では赤色光
が発生し、Al組成の比較的小さな第1活性層23では
赤外光が発生し、上面側へ向けて赤色光と赤外光とが同
時に出射される。
27の間に駆動電圧を印加すると、アノード電極26か
ら第2活性層24及び第1活性層23に電流が注入さ
れ、Al組成の比較的大きな第2活性層24では赤色光
が発生し、Al組成の比較的小さな第1活性層23では
赤外光が発生し、上面側へ向けて赤色光と赤外光とが同
時に出射される。
【0005】しかしながら、このような2波長型の発光
ダイオードにおいては、第2活性層に注入される電流と
第1活性層に注入される電流とを独立に制御することが
できず、赤色発光の光出力と赤外発光の光出力とを別々
に変調させることが不可能であった。
ダイオードにおいては、第2活性層に注入される電流と
第1活性層に注入される電流とを独立に制御することが
できず、赤色発光の光出力と赤外発光の光出力とを別々
に変調させることが不可能であった。
【0006】つぎに、図4は赤色発光と赤外発光の各光
出力を独立して制御できるようにした2波長型の発光ダ
イオードCを示す断面図である。
出力を独立して制御できるようにした2波長型の発光ダ
イオードCを示す断面図である。
【0007】この発光ダイオードCは次のようにして製
造されている。すなわち、n−GaAs基板31の上面
にn−Al0.3Ga0.7As第1下クラッド層32、p−
Al0.03Ga0.97As第1活性層33、p−Al0.3G
a0.7As第1上クラッド層34を順次積層した後、第
1上クラッド層34から第1下クラッド層32の途中ま
でエッチングにより凹穴35を掘設し、ついで、この凹
穴35を含む領域の上にn−Al0.6Ga0.4As第2下
クラッド層36、p−Al0.3Ga0.7As第2活性層3
7、p−Al0.6Ga0.4As第2上クラッド層38を順
次積層する。さらに、第1上クラッド層34の上面に第
1アノード電極39を設けると共に第2上クラッド層3
8の上面に第2アノード電極40を設け、n−GaAs
基板31の下面全体にカソード電極41を設ける。
造されている。すなわち、n−GaAs基板31の上面
にn−Al0.3Ga0.7As第1下クラッド層32、p−
Al0.03Ga0.97As第1活性層33、p−Al0.3G
a0.7As第1上クラッド層34を順次積層した後、第
1上クラッド層34から第1下クラッド層32の途中ま
でエッチングにより凹穴35を掘設し、ついで、この凹
穴35を含む領域の上にn−Al0.6Ga0.4As第2下
クラッド層36、p−Al0.3Ga0.7As第2活性層3
7、p−Al0.6Ga0.4As第2上クラッド層38を順
次積層する。さらに、第1上クラッド層34の上面に第
1アノード電極39を設けると共に第2上クラッド層3
8の上面に第2アノード電極40を設け、n−GaAs
基板31の下面全体にカソード電極41を設ける。
【0008】しかして、第1アノード電極39とカソー
ド電極41間に駆動電圧を印加すると、第1アノード電
極39から第1活性層33に電流が注入され、第1活性
層33で赤外光が発生する。また、第2アノード電極4
0とカソード電極41間に駆動電圧を印加すると、第2
アノード電極40から注入された電流は第2活性層37
に注入され、さらに第2下クラッド層36及び第1下ク
ラッド層32を通ってカソード電極41へ流れ、電流を
注入されることにより第2活性層37で赤色光が発生す
る。しかも、第2下クラッド層36と第1上クラッド層
34及び第1活性層33との間は逆方向pn接合(電流
阻止領域)となっているので、第2アノード電極40か
ら注入された電流は第1活性層33へ流入することがな
い。このため、第1アノード電極39に印加する駆動電
圧によって第一活性層33に注入される電流と第2アノ
ード電極40に印加する駆動電圧によって第2活性層3
7に注入される電流とをそれぞれ独立に制御することが
でき、赤色発光と赤外発光との光出力を別々に制御する
ことができる
ド電極41間に駆動電圧を印加すると、第1アノード電
極39から第1活性層33に電流が注入され、第1活性
層33で赤外光が発生する。また、第2アノード電極4
0とカソード電極41間に駆動電圧を印加すると、第2
アノード電極40から注入された電流は第2活性層37
に注入され、さらに第2下クラッド層36及び第1下ク
ラッド層32を通ってカソード電極41へ流れ、電流を
注入されることにより第2活性層37で赤色光が発生す
る。しかも、第2下クラッド層36と第1上クラッド層
34及び第1活性層33との間は逆方向pn接合(電流
阻止領域)となっているので、第2アノード電極40か
ら注入された電流は第1活性層33へ流入することがな
い。このため、第1アノード電極39に印加する駆動電
圧によって第一活性層33に注入される電流と第2アノ
ード電極40に印加する駆動電圧によって第2活性層3
7に注入される電流とをそれぞれ独立に制御することが
でき、赤色発光と赤外発光との光出力を別々に制御する
ことができる
【0009】しかしながら、このような構造の発光ダイ
オードの製造工程においては、第1回目の結晶成長工程
を行なった後、エッチングにより凹穴を形成し、さら
に、第2回目の結晶成長工程を行なう必要がある。この
ため、製造時に結晶成長工程が2回必要となり、しか
も、凹穴を形成された段差のある基板の上に第2回目の
結晶成長を行なう必要があり、製造時の歩留りが低いと
いう問題があった。
オードの製造工程においては、第1回目の結晶成長工程
を行なった後、エッチングにより凹穴を形成し、さら
に、第2回目の結晶成長工程を行なう必要がある。この
ため、製造時に結晶成長工程が2回必要となり、しか
も、凹穴を形成された段差のある基板の上に第2回目の
結晶成長を行なう必要があり、製造時の歩留りが低いと
いう問題があった。
【0010】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、2波長の光
を発光させることができる2波長型の発光素子におい
て、各波長の光の光強度を独立に変調させることがで
き、しかも、1回の結晶成長工程によって簡易に製造す
ることができるようにすることにある。
れたものであり、その目的とするところは、2波長の光
を発光させることができる2波長型の発光素子におい
て、各波長の光の光強度を独立に変調させることがで
き、しかも、1回の結晶成長工程によって簡易に製造す
ることができるようにすることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の発光素子は、活
性層より上方に活性層の禁制帯幅よりも大なる逆方向p
n接合による電流ブロック層が形成され、順方向pn接
合を形成するようにして電流ブロック層の上面にキャッ
プ層が形成され、前記電流ブロック層の一部の導電型を
反転させることによって電流通路領域が設けられ、前記
キャップ層の上に第1の電極が形成され、前記電流通路
領域を含まない領域において前記電流ブロック層に第2
の電極が形成され、活性層の下方に第3の電極が形成さ
れ、活性層で第1の波長の発光を行なうと共にキャップ
層と電流ブロック層の間の順方向pn接合で第2の波長
の発光を行なうことを特徴としている。
性層より上方に活性層の禁制帯幅よりも大なる逆方向p
n接合による電流ブロック層が形成され、順方向pn接
合を形成するようにして電流ブロック層の上面にキャッ
プ層が形成され、前記電流ブロック層の一部の導電型を
反転させることによって電流通路領域が設けられ、前記
キャップ層の上に第1の電極が形成され、前記電流通路
領域を含まない領域において前記電流ブロック層に第2
の電極が形成され、活性層の下方に第3の電極が形成さ
れ、活性層で第1の波長の発光を行なうと共にキャップ
層と電流ブロック層の間の順方向pn接合で第2の波長
の発光を行なうことを特徴としている。
【0012】
【作用】本発明にあっては、活性層より上方に逆方向p
n接合による電流ブロック層を形成し、電流ブロック層
の一部を貫通するように電流通路領域を設け、電流ブロ
ック層の上面のキャップ層の上に第1の電極を形成し、
活性層の下方に第3の電極を形成しているので、第1の
電極と第3の電極間に駆動電圧を印加すると、電流通路
領域を通って活性層に電流が注入され、活性層で第1の
波長の光が発生する。
n接合による電流ブロック層を形成し、電流ブロック層
の一部を貫通するように電流通路領域を設け、電流ブロ
ック層の上面のキャップ層の上に第1の電極を形成し、
活性層の下方に第3の電極を形成しているので、第1の
電極と第3の電極間に駆動電圧を印加すると、電流通路
領域を通って活性層に電流が注入され、活性層で第1の
波長の光が発生する。
【0013】また、順方向pn接合を形成するようにし
て電流ブロック層の上面にキャップ層を形成し、電流通
路領域を含まない領域において前記電流ブロック層に第
2の電極を形成しているので、第1の電極と第2の電極
間に駆動電圧を印加すると、電流通路領域外でキャップ
層と電流ブロック層の間に電流が流れ、キャップ層と電
流ブロック層の間の順方向pn接合で第2の波長の光が
発生する。
て電流ブロック層の上面にキャップ層を形成し、電流通
路領域を含まない領域において前記電流ブロック層に第
2の電極を形成しているので、第1の電極と第2の電極
間に駆動電圧を印加すると、電流通路領域外でキャップ
層と電流ブロック層の間に電流が流れ、キャップ層と電
流ブロック層の間の順方向pn接合で第2の波長の光が
発生する。
【0014】また、第2の電極と第3の電極とは互いに
独立しているので、2種の発光機構は電気的に独立した
発光素子として動作させることができる。したがって、
2つの波長の光を独立に変調させることができ、用途に
応じて様々な2波長の光強度比を得ることができる。
独立しているので、2種の発光機構は電気的に独立した
発光素子として動作させることができる。したがって、
2つの波長の光を独立に変調させることができ、用途に
応じて様々な2波長の光強度比を得ることができる。
【0015】しかも、電流ブロック層の一部の導電型を
反転させて電流通路領域を形成しているので、発光素子
の製造においては、各結晶層を1度に積層した後、例え
ばZnの拡散やイオン打ち込み等によって電流ブロック
層の一部の導電型を反転させて電流通路領域を形成すれ
ばよく、1回の結晶成長工程によって製造することがで
き、製造工程を簡略にすることができる。
反転させて電流通路領域を形成しているので、発光素子
の製造においては、各結晶層を1度に積層した後、例え
ばZnの拡散やイオン打ち込み等によって電流ブロック
層の一部の導電型を反転させて電流通路領域を形成すれ
ばよく、1回の結晶成長工程によって製造することがで
き、製造工程を簡略にすることができる。
【0016】
【実施例】図1は本発明の一実施例による2波長型の発
光ダイオードAを示す断面図、図2(a)(b)(c)
はその発光ダイオードAの製造順序を示す断面図であ
る。以下、この発光ダイオードAを製造順序に従って説
明する。まず、例えばMOCVD(metal-organic CV
D)法によりn−GaAs基板(ウエハ)1の上にn−
Al0.45Ga0.55As下クラッド層2、p−Al0.05G
a0.95As活性層3、p−Al0.45Ga0.55As上クラ
ッド層4、n−Al0.65Ga0.35As電流ブロック層
5、p−Al0.3Ga0.7Asキャップ層6を順次積層す
る〔図2(a)〕。
光ダイオードAを示す断面図、図2(a)(b)(c)
はその発光ダイオードAの製造順序を示す断面図であ
る。以下、この発光ダイオードAを製造順序に従って説
明する。まず、例えばMOCVD(metal-organic CV
D)法によりn−GaAs基板(ウエハ)1の上にn−
Al0.45Ga0.55As下クラッド層2、p−Al0.05G
a0.95As活性層3、p−Al0.45Ga0.55As上クラ
ッド層4、n−Al0.65Ga0.35As電流ブロック層
5、p−Al0.3Ga0.7Asキャップ層6を順次積層す
る〔図2(a)〕。
【0017】ついで、基板をMOCVD装置から取り出
し、キャップ層6の上面にSiO2等によるマスク7を
形成し、フォトリソグラフィ工程等によりキャップ層6
の中央部付近に所定の大きさの窓8を開口する。この
後、例えば石英管内におけるZn雰囲気中で、マスク7
に開口された窓8を通してZnをキャップ層6から上ク
ラッド層4の途中まで拡散させ、このZn拡散工程によ
り電流ブロック層5の一部をp型に反転させて電流通路
領域9を形成する〔図2(b)〕。
し、キャップ層6の上面にSiO2等によるマスク7を
形成し、フォトリソグラフィ工程等によりキャップ層6
の中央部付近に所定の大きさの窓8を開口する。この
後、例えば石英管内におけるZn雰囲気中で、マスク7
に開口された窓8を通してZnをキャップ層6から上ク
ラッド層4の途中まで拡散させ、このZn拡散工程によ
り電流ブロック層5の一部をp型に反転させて電流通路
領域9を形成する〔図2(b)〕。
【0018】次に、フッ酸を用いてマスク7を除去した
後、電流通路領域(Zn拡散領域)9を含む領域におい
てキャップ層6の上面に部分的にマスク10を形成し、
マスク10の外側領域を電流ブロック層5に達するまで
エッチングし、電流ブロック層5の一部を露出させる
〔図2(c)〕。
後、電流通路領域(Zn拡散領域)9を含む領域におい
てキャップ層6の上面に部分的にマスク10を形成し、
マスク10の外側領域を電流ブロック層5に達するまで
エッチングし、電流ブロック層5の一部を露出させる
〔図2(c)〕。
【0019】この後、マスク10を除去し、キャップ層
6の上面の一部にCr/Auによるアノード電極11を
形成し、エッチングによって露出させた電流ブロック層
5の上面にAuGeNi/Auによる第1のカソード電
極12を設け、さらにGaAs基板1の下面全面にAu
GeNi/Auによる第2のカソード電極13を形成す
る。こうして、図1に示すような2波長型の発光ダイオ
ードAが製造される。
6の上面の一部にCr/Auによるアノード電極11を
形成し、エッチングによって露出させた電流ブロック層
5の上面にAuGeNi/Auによる第1のカソード電
極12を設け、さらにGaAs基板1の下面全面にAu
GeNi/Auによる第2のカソード電極13を形成す
る。こうして、図1に示すような2波長型の発光ダイオ
ードAが製造される。
【0020】この発光ダイオードAにおいては、電流ブ
ロック層5の下面に活性層3の禁制帯幅よりも大なる逆
方向pn接合が形成され、電流ブロック層5の一部を上
下に貫通するように反転型の電流通路領域9が形成され
ているので、アノード電極11と第2のカソード電極1
3間では電流狭窄構造の発光ダイオードが構成されてお
り、アノード電極11と第2のカソード電極13間に駆
動電圧を印加すると、アノード電極11から注入された
電流の一部はキャップ層6から電流通路領域9に入り、
電流通路領域9を通って活性層3に注入され、活性層3
から840nmの波長の赤外光が出射される。そして、
アノード電極11と第2のカソード電極13間に印加す
る駆動電圧を制御することにより、この赤外発光の光強
度を変調させることができる。
ロック層5の下面に活性層3の禁制帯幅よりも大なる逆
方向pn接合が形成され、電流ブロック層5の一部を上
下に貫通するように反転型の電流通路領域9が形成され
ているので、アノード電極11と第2のカソード電極1
3間では電流狭窄構造の発光ダイオードが構成されてお
り、アノード電極11と第2のカソード電極13間に駆
動電圧を印加すると、アノード電極11から注入された
電流の一部はキャップ層6から電流通路領域9に入り、
電流通路領域9を通って活性層3に注入され、活性層3
から840nmの波長の赤外光が出射される。そして、
アノード電極11と第2のカソード電極13間に印加す
る駆動電圧を制御することにより、この赤外発光の光強
度を変調させることができる。
【0021】また、順方向pn接合を形成するようにし
て電流ブロック層5の上面にキャップ層6が形成されて
いるので、アノード電極11と第1のカソード電極12
の間に駆動電圧を印加すると、アノード電極11から注
入された電流の一部はキャップ層6から電流ブロック層
5へ流れ、キャップ層6と電流ブロック層5の間のpn
接合により660nmの波長の赤色光が出射される。そ
して、この赤色光の光出力はアノード電極11と第1の
カソード電極12との間に印加される駆動電圧によって
変調させることができる。
て電流ブロック層5の上面にキャップ層6が形成されて
いるので、アノード電極11と第1のカソード電極12
の間に駆動電圧を印加すると、アノード電極11から注
入された電流の一部はキャップ層6から電流ブロック層
5へ流れ、キャップ層6と電流ブロック層5の間のpn
接合により660nmの波長の赤色光が出射される。そ
して、この赤色光の光出力はアノード電極11と第1の
カソード電極12との間に印加される駆動電圧によって
変調させることができる。
【0022】しかも、第1のカソード電極12と第2の
カソード電極13との間では、電流ブロック層5と、上
クラッド層4及び活性層3と、下クラッド層2及びGa
As基板1とによってn型層−p型層−n型層という導
電型構成になっているので、第1のカソード電極12か
ら第2のカソード電極13側を見た場合も、逆に、第2
のカソード電極13から第1のカソード電極12側を見
た場合も、いずれの場合にも中間に逆方向pn接合が存
在し、第1のカソード電極12と第2のカソード電極1
3とが互いに電気的に独立している。このため、赤色発
光と赤外発光を独立に変調させることができ、アノード
電極11と第1のカソード電極12間に印加する駆動電
圧及びアノード電極11と第2のカソード電極13間に
印加する駆動電圧により2つの波長の光を所望の強度比
で変調させることが可能になる。
カソード電極13との間では、電流ブロック層5と、上
クラッド層4及び活性層3と、下クラッド層2及びGa
As基板1とによってn型層−p型層−n型層という導
電型構成になっているので、第1のカソード電極12か
ら第2のカソード電極13側を見た場合も、逆に、第2
のカソード電極13から第1のカソード電極12側を見
た場合も、いずれの場合にも中間に逆方向pn接合が存
在し、第1のカソード電極12と第2のカソード電極1
3とが互いに電気的に独立している。このため、赤色発
光と赤外発光を独立に変調させることができ、アノード
電極11と第1のカソード電極12間に印加する駆動電
圧及びアノード電極11と第2のカソード電極13間に
印加する駆動電圧により2つの波長の光を所望の強度比
で変調させることが可能になる。
【0023】上記実施例においては、電流通路領域9を
石英管内でのZn拡散工程により設けているが、塗布性
の拡散剤(OCD)を用いてZnを拡散させてもよい。
あるいは、イオン打ち込み等の方法によって電流通路領
域9を設けても差し支えない。また、キャップ層6及び
電流ブロック層5の一部をエッチング除去して電流キャ
ップ層6を露出させ、この部分に第1のカソード電極1
2を設けているので、第1のカソード電極12によって
キャップ層6と電流ブロック層5の間を短絡させる恐れ
がない。しかし、例えば、キャップ層6と電流ブロック
層5を短絡させることなく電流ブロック層5の側面に第
1のカソード電極12を設けることができれば、キャッ
プ層6及び電流ブロック層5の一部をエッチングする必
要はない。
石英管内でのZn拡散工程により設けているが、塗布性
の拡散剤(OCD)を用いてZnを拡散させてもよい。
あるいは、イオン打ち込み等の方法によって電流通路領
域9を設けても差し支えない。また、キャップ層6及び
電流ブロック層5の一部をエッチング除去して電流キャ
ップ層6を露出させ、この部分に第1のカソード電極1
2を設けているので、第1のカソード電極12によって
キャップ層6と電流ブロック層5の間を短絡させる恐れ
がない。しかし、例えば、キャップ層6と電流ブロック
層5を短絡させることなく電流ブロック層5の側面に第
1のカソード電極12を設けることができれば、キャッ
プ層6及び電流ブロック層5の一部をエッチングする必
要はない。
【0024】なお、上記実施例においてはAlGaAs
系の発光ダイオードについて説明したが、本発明の発光
素子は半導体レーザ素子などにも用いることができ、ま
たAlGaAs系以外の発光素子、例えばAlGaIn
P系等の発光素子にも適用することができる。また、p
型及びn型の導電型は上記実施例とは逆になっていても
よく、その場合には電流通路領域の導電型もn型とする
必要がある。
系の発光ダイオードについて説明したが、本発明の発光
素子は半導体レーザ素子などにも用いることができ、ま
たAlGaAs系以外の発光素子、例えばAlGaIn
P系等の発光素子にも適用することができる。また、p
型及びn型の導電型は上記実施例とは逆になっていても
よく、その場合には電流通路領域の導電型もn型とする
必要がある。
【0025】また、上記実施例では、上面出射型の発光
素子について説明したが、端面出射型の発光素子として
もよい。端面出射型の場合には、活性層で赤色光を発光
させ、キャップ層と電流ブロック層の間のpn接合で赤
外光を発光させることも可能である。
素子について説明したが、端面出射型の発光素子として
もよい。端面出射型の場合には、活性層で赤色光を発光
させ、キャップ層と電流ブロック層の間のpn接合で赤
外光を発光させることも可能である。
【0026】
【発明の効果】本発明の発光素子にあっては、第1の電
極と第3の電極間に印加する駆動電圧によって活性層で
発生する第1の波長の光の光出力を制御することがで
き、第1の電極と第2の電極間に印加する駆動電圧によ
ってキャップ層と電流ブロック層の間のpn接合で発生
する第2の波長の光の光出力を制御することができ、し
かも、2つの波長の光を独立に変調させることができ、
用途に応じて様々な2波長の光強度比を得ることができ
る。
極と第3の電極間に印加する駆動電圧によって活性層で
発生する第1の波長の光の光出力を制御することがで
き、第1の電極と第2の電極間に印加する駆動電圧によ
ってキャップ層と電流ブロック層の間のpn接合で発生
する第2の波長の光の光出力を制御することができ、し
かも、2つの波長の光を独立に変調させることができ、
用途に応じて様々な2波長の光強度比を得ることができ
る。
【0027】しかも、発光素子の製造においては、各結
晶層を1度に積層した後に電流ブロック層の一部の導電
型を反転させて電流通路領域を形成すればよいので、1
回の結晶成長工程によって製造することができ、製造工
程を簡略にでき、製造工程における歩留りを向上させる
ことができる。
晶層を1度に積層した後に電流ブロック層の一部の導電
型を反転させて電流通路領域を形成すればよいので、1
回の結晶成長工程によって製造することができ、製造工
程を簡略にでき、製造工程における歩留りを向上させる
ことができる。
【図1】本発明の一実施例による発光ダイオードを示す
断面図である。
断面図である。
【図2】(a)(b)(c)は同上の発光ダイオードの
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【図3】従来の2波長型発光ダイオードを示す断面図で
ある。
ある。
【図4】従来の別な2波長型発光ダイオードを示す断面
図である。
図である。
1 nーGaAs基板 3 活性層 5 電流ブロック層 6 キャップ層 9 電流通路領域 11 アノード電極(第1の電極) 12 第1のカソード電極(第2の電極) 13 第2のカソード電極(第3の電極)
Claims (1)
- 【請求項1】 活性層より上方に活性層の禁制帯幅より
も大なる逆方向pn接合による電流ブロック層が形成さ
れ、順方向pn接合を形成するようにして電流ブロック
層の上面にキャップ層が形成され、前記電流ブロック層
の一部の導電型を反転させることによって電流通路領域
が設けられ、前記キャップ層の上に第1の電極が形成さ
れ、前記電流通路領域を含まない領域において前記電流
ブロック層に第2の電極が形成され、活性層の下方に第
3の電極が形成され、活性層で第1の波長の発光を行な
うと共にキャップ層と電流ブロック層の間の順方向pn
接合で第2の波長の発光を行なうことを特徴とする発光
素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7611592A JPH05243616A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7611592A JPH05243616A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05243616A true JPH05243616A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13595909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7611592A Pending JPH05243616A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05243616A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008159628A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2011138875A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子部品、およびこれを備える発光装置 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP7611592A patent/JPH05243616A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008159628A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2011138875A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子部品、およびこれを備える発光装置 |
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