JPH05242434A - 磁束検知読出し素子を備えた読み書き磁気ヘッド - Google Patents
磁束検知読出し素子を備えた読み書き磁気ヘッドInfo
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- JPH05242434A JPH05242434A JP4334454A JP33445492A JPH05242434A JP H05242434 A JPH05242434 A JP H05242434A JP 4334454 A JP4334454 A JP 4334454A JP 33445492 A JP33445492 A JP 33445492A JP H05242434 A JPH05242434 A JP H05242434A
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- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 MR読出し素子及び誘導型書込み素子を備え
た磁気ヘッドにおいて、製造上の公差問題を除去し、M
R読出し素子の雑音を減少させる。 【構成】 薄膜読み書き磁気ヘッドは、薄膜磁性層P
1,P2よりなる磁気回路を有する書込み用誘導型部分
と、磁気回路中のギャップ内に位置する、磁気抵抗素子
19またはホール効果装置22,26のような読出し用
磁束検知手段を含んでいる。書込みモードの間には、電
気的導通体18,20,24を含む磁気バルブが、磁束
検知手段をバイパスするための短絡路を与える。読出し
モードの間には、短絡路が開かれて磁束検知手段が読出
し信号を検知するのを許容するように、バルブ導通体1
8,20,24に飽和電流が与えられる。
た磁気ヘッドにおいて、製造上の公差問題を除去し、M
R読出し素子の雑音を減少させる。 【構成】 薄膜読み書き磁気ヘッドは、薄膜磁性層P
1,P2よりなる磁気回路を有する書込み用誘導型部分
と、磁気回路中のギャップ内に位置する、磁気抵抗素子
19またはホール効果装置22,26のような読出し用
磁束検知手段を含んでいる。書込みモードの間には、電
気的導通体18,20,24を含む磁気バルブが、磁束
検知手段をバイパスするための短絡路を与える。読出し
モードの間には、短絡路が開かれて磁束検知手段が読出
し信号を検知するのを許容するように、バルブ導通体1
8,20,24に飽和電流が与えられる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、読み書き磁気ヘッド、
特に磁束検知読出し素子(flux sensing read elemen
t)を組み込んだ薄膜磁気ヘッドに関する。
特に磁束検知読出し素子(flux sensing read elemen
t)を組み込んだ薄膜磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドすなわち変換器は、代表
的にはデータを記録しまた読み出すための誘導型素子を
採用している。よく知られているように、薄膜磁気ヘッ
ドは、書込みモードの間に変化している磁束信号が磁気
ディスクに記録されたデータとなる場所である変換ギャ
ップを与えるパーマロイ層を含んでいる。読出しモード
の間に、記録された信号を表す磁束は、その後の利用の
ために読み出される電気信号を生じさせるために変換ギ
ャップにおいて検知される。
的にはデータを記録しまた読み出すための誘導型素子を
採用している。よく知られているように、薄膜磁気ヘッ
ドは、書込みモードの間に変化している磁束信号が磁気
ディスクに記録されたデータとなる場所である変換ギャ
ップを与えるパーマロイ層を含んでいる。読出しモード
の間に、記録された信号を表す磁束は、その後の利用の
ために読み出される電気信号を生じさせるために変換ギ
ャップにおいて検知される。
【0003】過去において、磁気抵抗(MR)(magnet
oresistive)及びホール効果(Halleffect)デバイス
が、読み出し機能を果たすための磁束検知素子(flux s
ensing element)として使用されていた。これまでのM
Rヘッド(例えば米国特許第4967298号)では、
導体または磁性層であるMR素子及びバイアス付与素子
(biasing element)は、2つの遮蔽要素(shield elem
ent)の間に形成されたギャップ内に位置してる。MR
素子を遮蔽要素から分離する絶縁層は、遮蔽要素とMR
素子の間の電気的接触の原因となるかも知れないピンホ
ールがないことを保証するために充分厚くなければなら
ない。もし2素子のMR変換器が使用されるならば、3
つの絶縁層と2つの磁性層が2つの遮蔽要素の間のギャ
ップ中に置かれなければならない。このような場合に
は、ギャップ長(gap length)は比較的大となり、これ
は特に高密度のデータ記録において読出し過程の分解能
(resolution)に悪影響を与える。
oresistive)及びホール効果(Halleffect)デバイス
が、読み出し機能を果たすための磁束検知素子(flux s
ensing element)として使用されていた。これまでのM
Rヘッド(例えば米国特許第4967298号)では、
導体または磁性層であるMR素子及びバイアス付与素子
(biasing element)は、2つの遮蔽要素(shield elem
ent)の間に形成されたギャップ内に位置してる。MR
素子を遮蔽要素から分離する絶縁層は、遮蔽要素とMR
素子の間の電気的接触の原因となるかも知れないピンホ
ールがないことを保証するために充分厚くなければなら
ない。もし2素子のMR変換器が使用されるならば、3
つの絶縁層と2つの磁性層が2つの遮蔽要素の間のギャ
ップ中に置かれなければならない。このような場合に
は、ギャップ長(gap length)は比較的大となり、これ
は特に高密度のデータ記録において読出し過程の分解能
(resolution)に悪影響を与える。
【0004】従来のMR変換器に関連した他の大きな問
題は、MRセンサが変換ギャップ内に位置して磁気ディ
スクのような磁気記録媒体に接近しているので、磁気ヘ
ッドが磁気記録媒体の表面から突出するでこぼこと接触
するときに生じる、好ましくない熱雑音スパイク(ther
mal noise spike)の発生である。
題は、MRセンサが変換ギャップ内に位置して磁気ディ
スクのような磁気記録媒体に接近しているので、磁気ヘ
ッドが磁気記録媒体の表面から突出するでこぼこと接触
するときに生じる、好ましくない熱雑音スパイク(ther
mal noise spike)の発生である。
【0005】また、従来のMR読出しヘッド(MR read
head)(前記米国特許参照)では、感度の横方向領域
(lateral region of sensitivity)(これは読出し幅
である)はMR変換器の長さにより決定される。この変
換器の長さはトラック幅とほゞ等しいはずである。小さ
いトラック幅に対しては、信号の振幅と比較してバルク
ハウゼン雑音(Barkhausen noise)が比較的高いが、こ
れはこのような雑音の原因となる磁壁がMR変換器の端
部に圧倒的に位置しているためである。
head)(前記米国特許参照)では、感度の横方向領域
(lateral region of sensitivity)(これは読出し幅
である)はMR変換器の長さにより決定される。この変
換器の長さはトラック幅とほゞ等しいはずである。小さ
いトラック幅に対しては、信号の振幅と比較してバルク
ハウゼン雑音(Barkhausen noise)が比較的高いが、こ
れはこのような雑音の原因となる磁壁がMR変換器の端
部に圧倒的に位置しているためである。
【0006】更に、MR読出し変換器(MR read transd
ucer)を有する従来の記録ヘッド(前記米国特許参照)
では、ヘッドの書き込み及び読み出し部分はそれぞれ別
個の変換ギャップを有しているので、高いトラック密度
で書き込みおよび読み出しするためのトラック追随(tr
ack following)及びトラックアクセス(track accessi
ng)が適切になされるように、注意深く互いに整列され
なければならない。加えて、誘導型書込みヘッド(indu
ctive write head)と組み合わされた従来のMR読出し
変換器は、ロータリーアクチュエータと共に使用した場
合、アクチュエータの揺動に伴いトラックに対するヘッ
ドの方位角が変動するので、書込みギャップとMR磁束
検知素子の間が離れていることによるアクセス上の問題
を提起する。
ucer)を有する従来の記録ヘッド(前記米国特許参照)
では、ヘッドの書き込み及び読み出し部分はそれぞれ別
個の変換ギャップを有しているので、高いトラック密度
で書き込みおよび読み出しするためのトラック追随(tr
ack following)及びトラックアクセス(track accessi
ng)が適切になされるように、注意深く互いに整列され
なければならない。加えて、誘導型書込みヘッド(indu
ctive write head)と組み合わされた従来のMR読出し
変換器は、ロータリーアクチュエータと共に使用した場
合、アクチュエータの揺動に伴いトラックに対するヘッ
ドの方位角が変動するので、書込みギャップとMR磁束
検知素子の間が離れていることによるアクセス上の問題
を提起する。
【0007】従来のMR読出し変換器で認識された他の
問題は、誘導型読出しヘッドにより生じるのと同様な形
を有する電圧パルスの発生、すなわち磁化の遷移が検知
ギャップの中心にあるときに電圧が最大になることであ
る。この点を遅れずに充分な精度で検出するために、パ
ルスは微分されて微分された電圧がゼロを越える位置が
検出される。この必要とされる微分は、信号対雑音比
(signal-to-noise ratio)の本質的低下の原因とな
る。
問題は、誘導型読出しヘッドにより生じるのと同様な形
を有する電圧パルスの発生、すなわち磁化の遷移が検知
ギャップの中心にあるときに電圧が最大になることであ
る。この点を遅れずに充分な精度で検出するために、パ
ルスは微分されて微分された電圧がゼロを越える位置が
検出される。この必要とされる微分は、信号対雑音比
(signal-to-noise ratio)の本質的低下の原因とな
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱雑
音スパイクが事実上除かれる、磁束検知読出し素子を組
み込んだ読み書き薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。
音スパイクが事実上除かれる、磁束検知読出し素子を組
み込んだ読み書き薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。
【0009】本発明の他の目的は、バルクハウゼン雑音
が事実上減少される、磁束検知読出し素子を備えた磁気
ヘッドを提供することである。
が事実上減少される、磁束検知読出し素子を備えた磁気
ヘッドを提供することである。
【0010】本発明の他の目的は、微分を必要としない
で改善された信号対雑音比を与える、磁束検知読出し素
子を備えた磁気ヘッドを提供することである。
で改善された信号対雑音比を与える、磁束検知読出し素
子を備えた磁気ヘッドを提供することである。
【0011】更に別の目的は、MR読出し素子及び誘導
型書込み素子の整列が必要でなく従ってある程度の製造
上の公差問題が除かれる、磁束検知読出し素子を有する
磁気ヘッドを提供することである。
型書込み素子の整列が必要でなく従ってある程度の製造
上の公差問題が除かれる、磁束検知読出し素子を有する
磁気ヘッドを提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、読み書
き薄膜磁気ヘッドは誘導型書込み部分(inductive writ
e section)、磁束検知読出し素子、及びヘッドの1次
磁気回路に結合された短絡路(shunt path)中に設けら
れたバルブ導通体(valve conductor)より成るもので
ある。
き薄膜磁気ヘッドは誘導型書込み部分(inductive writ
e section)、磁束検知読出し素子、及びヘッドの1次
磁気回路に結合された短絡路(shunt path)中に設けら
れたバルブ導通体(valve conductor)より成るもので
ある。
【0013】
【作用】書込みモードの間には、バルブ導通体は付勢さ
れないで磁束検知素子は分路され、従って磁束はMR素
子をバイパスしてヘッドは従来の薄膜ヘッドと同じよう
に機能する。読出しモードでは、電流がバルブ導通体を
通って流されてバルブ導通体を囲む磁性材料を飽和させ
る。その結果、ヘッドの磁極先端に入る磁束はMR素子
により検知され、これによりデータ信号が読み出され
る。
れないで磁束検知素子は分路され、従って磁束はMR素
子をバイパスしてヘッドは従来の薄膜ヘッドと同じよう
に機能する。読出しモードでは、電流がバルブ導通体を
通って流されてバルブ導通体を囲む磁性材料を飽和させ
る。その結果、ヘッドの磁極先端に入る磁束はMR素子
により検知され、これによりデータ信号が読み出され
る。
【0014】
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、誘導型
書込み部分及び磁束検知読出し素子は1つの共通な変換
ギャップにより磁気記録媒体との間でデータの変換がな
されるので、従来技術のように複数の変換ギャップの間
の整列は不要となり、これにより製造公差の問題は多少
なりとも解決される。
書込み部分及び磁束検知読出し素子は1つの共通な変換
ギャップにより磁気記録媒体との間でデータの変換がな
されるので、従来技術のように複数の変換ギャップの間
の整列は不要となり、これにより製造公差の問題は多少
なりとも解決される。
【0015】また、磁束検知読出し素子は磁気記録媒体
と接近する磁気ヘッドの磁極先端から離れており、また
これにより磁束検知読出し素子の長さは磁極先端の幅よ
りも大とすることができるので、磁気記録媒体の表面か
ら突出するでこぼことの接触による温度偏移の影響がな
くなって熱雑音スパイクは除去されまたは最低にされ、
また磁束センサーの長さを大にすることによりバルクハ
ウゼン雑音も除去されまたは最低にされる。
と接近する磁気ヘッドの磁極先端から離れており、また
これにより磁束検知読出し素子の長さは磁極先端の幅よ
りも大とすることができるので、磁気記録媒体の表面か
ら突出するでこぼことの接触による温度偏移の影響がな
くなって熱雑音スパイクは除去されまたは最低にされ、
また磁束センサーの長さを大にすることによりバルクハ
ウゼン雑音も除去されまたは最低にされる。
【0016】加えて、磁束検知読出し素子は変換ギャッ
プ内でなくコイルを結合した磁気回路の一部に設けてあ
り、読込み信号の微分は不要であるので、信号対雑音比
は大幅に改善される。
プ内でなくコイルを結合した磁気回路の一部に設けてあ
り、読込み信号の微分は不要であるので、信号対雑音比
は大幅に改善される。
【0017】
【実施例】本発明は、図面を参照にして詳細に説明され
る。図1の実施例において、リングタイプの薄膜磁気ヘ
ッドアセンブリは、磁気ヨークを形成しその間に変換ギ
ャップGを備えた磁気回路を規定するパーマロイ磁性層
P1及びP2を含んでいる。P1及びP2層はセラミッ
クの基材(図示省略)上に設けられる。銅の巻き線から
なる導電コイルすなわち巻線10が、P1及びP2層の
間に設けられた絶縁材料12中に埋め込まれている。
る。図1の実施例において、リングタイプの薄膜磁気ヘ
ッドアセンブリは、磁気ヨークを形成しその間に変換ギ
ャップGを備えた磁気回路を規定するパーマロイ磁性層
P1及びP2を含んでいる。P1及びP2層はセラミッ
クの基材(図示省略)上に設けられる。銅の巻き線から
なる導電コイルすなわち巻線10が、P1及びP2層の
間に設けられた絶縁材料12中に埋め込まれている。
【0018】本発明によれば、規定された磁化容易軸
(defined easy axis of magnetization)を有するMR
センサー19が、P2層の部分P2A及びP2Bの間の
磁気回路に沿って設けられている。約200〜300オ
ングストロームの厚さを有するパーマロイ材から作られ
たMRセンサー19は、絶縁層21により取り囲まれて
いる。横方向の感度は磁極先端の幅により決定され、M
R変換器の長さによってではないので、MRセンサーの
長さは記録がなされたトラックの幅よりも長くすること
ができる。読出しの感度領域(region of sensitivit
y)は、書込み磁場が記録のために充分大である領域と
正確に一致する。
(defined easy axis of magnetization)を有するMR
センサー19が、P2層の部分P2A及びP2Bの間の
磁気回路に沿って設けられている。約200〜300オ
ングストロームの厚さを有するパーマロイ材から作られ
たMRセンサー19は、絶縁層21により取り囲まれて
いる。横方向の感度は磁極先端の幅により決定され、M
R変換器の長さによってではないので、MRセンサーの
長さは記録がなされたトラックの幅よりも長くすること
ができる。読出しの感度領域(region of sensitivit
y)は、書込み磁場が記録のために充分大である領域と
正確に一致する。
【0019】本発明によれば、バルブ導通体(valve co
nductor)18が、絶縁層21とP2層の上に設けられ
たパーマロイ層14及び16の間に形成されている。パ
ーマロイ層14及び16はP2層と接触しており、これ
により書込み磁気回路のための連続した磁束通路を形成
する。バルブ導通体18は、1またはそれ以上の銅の巻
き線から形成される。バルブ導通体18に1以上の巻き
線が使用されているときは、バルブ導通体の各巻き線と
パーマロイ層14及び16の間に絶縁が設けられる。バ
ルブ導通体18は、磁性層14及び16と共に、層14
及び16により規定された磁気的短絡路(magnetic shu
nt path)の開閉を可能とする磁気バルブ(magnetic va
lve)を形成する。
nductor)18が、絶縁層21とP2層の上に設けられ
たパーマロイ層14及び16の間に形成されている。パ
ーマロイ層14及び16はP2層と接触しており、これ
により書込み磁気回路のための連続した磁束通路を形成
する。バルブ導通体18は、1またはそれ以上の銅の巻
き線から形成される。バルブ導通体18に1以上の巻き
線が使用されているときは、バルブ導通体の各巻き線と
パーマロイ層14及び16の間に絶縁が設けられる。バ
ルブ導通体18は、磁性層14及び16と共に、層14
及び16により規定された磁気的短絡路(magnetic shu
nt path)の開閉を可能とする磁気バルブ(magnetic va
lve)を形成する。
【0020】書込みモードの間には、バルブ導通体18
は付勢されないで不作動であり、記録されるデータを表
す信号はMRセンサー19をバイパスして、バルブ導通
体18を囲むパーマロイ分枝14及び16を通る方に向
けられる。書込みデータ信号は非磁性のギャップGで変
換されて磁気媒体に記録される。読出しモードの間に
は、例えば約25ミリアンペアターンの電流が、パーマ
ロイ層14及び16の磁性材料を飽和させるためにバル
ブ導通体18に印加される。磁性層14及び16は両方
で、例えば約2から3ミクロンであるP2層と本質的に
同じ厚さを有している。記録媒体からの磁束がP1及び
P2層の磁極先端の一方に入れば、MRセンサー19は
磁束がMRギャップを横切るにつれて磁束を検知する。
は付勢されないで不作動であり、記録されるデータを表
す信号はMRセンサー19をバイパスして、バルブ導通
体18を囲むパーマロイ分枝14及び16を通る方に向
けられる。書込みデータ信号は非磁性のギャップGで変
換されて磁気媒体に記録される。読出しモードの間に
は、例えば約25ミリアンペアターンの電流が、パーマ
ロイ層14及び16の磁性材料を飽和させるためにバル
ブ導通体18に印加される。磁性層14及び16は両方
で、例えば約2から3ミクロンであるP2層と本質的に
同じ厚さを有している。記録媒体からの磁束がP1及び
P2層の磁極先端の一方に入れば、MRセンサー19は
磁束がMRギャップを横切るにつれて磁束を検知する。
【0021】ヘッドの読出し効率はバルブギャップ長v
に対するMRセンサーギャップ長sの比により定まる。
読出し効率はvを増大することにより改善されるが、こ
れはまた高いバルブ電流を必要とする。例えば、もしs
=300マイクロインチでv=1000マイクロインチ
ならば、バルブ導通体18を囲む磁気回路はおおよそ2
500マイクロインチの長さになる。もし5エルステッ
ドの磁場Hk が層14及び15の磁性材料を飽和させる
のに必要ならば、必要な起磁力(mmf)(magnetomotive
force)は25ミリアンペアターンである。この起磁力
を生じさせるためには1巻きが使用でき、バルブ導通体
18を囲むために絶縁材料が必要ではない。もし更に高
い読出し効率が望まれるならば、バルブギャップ長vは
増大されるが、より高い飽和バルブ電流を印加する必要
がある。
に対するMRセンサーギャップ長sの比により定まる。
読出し効率はvを増大することにより改善されるが、こ
れはまた高いバルブ電流を必要とする。例えば、もしs
=300マイクロインチでv=1000マイクロインチ
ならば、バルブ導通体18を囲む磁気回路はおおよそ2
500マイクロインチの長さになる。もし5エルステッ
ドの磁場Hk が層14及び15の磁性材料を飽和させる
のに必要ならば、必要な起磁力(mmf)(magnetomotive
force)は25ミリアンペアターンである。この起磁力
を生じさせるためには1巻きが使用でき、バルブ導通体
18を囲むために絶縁材料が必要ではない。もし更に高
い読出し効率が望まれるならば、バルブギャップ長vは
増大されるが、より高い飽和バルブ電流を印加する必要
がある。
【0022】読出しモードの間に、MR素子は直流電流
で付勢する必要がある。MR素子19及びバルブ導通体
18は、直列に接続されるような寸法にすることができ
る。MR素子19はバルブ導通体18よりもずっと大き
い抵抗を有しているので、このことが読出し効率に大き
く影響することはない。更に、層14の厚さと層16の
厚さの和を層P2の厚さと等しく保ちながらそれらの厚
さを互いに異ならせることにより、直流バイアス磁場を
MR素子19の位置に発生させることができ、他のバイ
アス付与手段を不要とする。
で付勢する必要がある。MR素子19及びバルブ導通体
18は、直列に接続されるような寸法にすることができ
る。MR素子19はバルブ導通体18よりもずっと大き
い抵抗を有しているので、このことが読出し効率に大き
く影響することはない。更に、層14の厚さと層16の
厚さの和を層P2の厚さと等しく保ちながらそれらの厚
さを互いに異ならせることにより、直流バイアス磁場を
MR素子19の位置に発生させることができ、他のバイ
アス付与手段を不要とする。
【0023】別の実施例では、MR素子及び磁気バルブ
は、P2層の代わりにP1層と組み合わされる。このこ
とは、磁気バルブに合わせるために充分な深さと寸法の
溝を基材に設けることが必要になる。MR及びバルブギ
ャップの寸法は、P2のについて先に述べたのと同じで
よい。
は、P2層の代わりにP1層と組み合わされる。このこ
とは、磁気バルブに合わせるために充分な深さと寸法の
溝を基材に設けることが必要になる。MR及びバルブギ
ャップの寸法は、P2のについて先に述べたのと同じで
よい。
【0024】他の実施例では、P1及びP2層のそれぞ
れがMR素子と磁気バルブを含んでいる。2つのMR素
子のバイアス付与及び電気接続は、それらの出力が、同
相抑圧を行い信号を2倍にする差動増幅器により検知さ
れるようになされる。このようにして、信号対雑音比は
大幅に改善される。
れがMR素子と磁気バルブを含んでいる。2つのMR素
子のバイアス付与及び電気接続は、それらの出力が、同
相抑圧を行い信号を2倍にする差動増幅器により検知さ
れるようになされる。このようにして、信号対雑音比は
大幅に改善される。
【0025】この技術でよく知られているように、外部
回路への接続を含む必要な電気的接続を行うために配線
及び経路が使用されるが、図面の記載上の都合及び明快
化のために示されていない。
回路への接続を含む必要な電気的接続を行うために配線
及び経路が使用されるが、図面の記載上の都合及び明快
化のために示されていない。
【0026】図2に関しては、磁束検知読出し素子とし
てホール効果デバイス(Hall effect device)22が使
用されている。ホールセンサー22は代表的には4つの
電気導線、デバイスを付勢するための駆動電流を受け入
れる2つの導線と読出し信号を検知するための2つの直
交して設けられた導線、を有している。ホールセンサー
22の寸法dは、ホールセンサーにおける磁束密度が充
分高くなるように、比較的小さい。この配置は相当な磁
気抵抗を有するバックギャップ(back gap)を生じる。
適切な書込み効率を達成するために、バックギャップは
P2−1及びP2−2層により与えられる短絡路により
バイパスされる。2つの層P2−1及びP2−2の間に
はバルブ導通体20が設けられる。読出しの間には、短
絡を遮断してホールセンサー22による磁束信号の検知
を許容するために、電気的接続を通して飽和用電流(sa
turation current)がバルブ導通体20に印加される。
てホール効果デバイス(Hall effect device)22が使
用されている。ホールセンサー22は代表的には4つの
電気導線、デバイスを付勢するための駆動電流を受け入
れる2つの導線と読出し信号を検知するための2つの直
交して設けられた導線、を有している。ホールセンサー
22の寸法dは、ホールセンサーにおける磁束密度が充
分高くなるように、比較的小さい。この配置は相当な磁
気抵抗を有するバックギャップ(back gap)を生じる。
適切な書込み効率を達成するために、バックギャップは
P2−1及びP2−2層により与えられる短絡路により
バイパスされる。2つの層P2−1及びP2−2の間に
はバルブ導通体20が設けられる。読出しの間には、短
絡を遮断してホールセンサー22による磁束信号の検知
を許容するために、電気的接続を通して飽和用電流(sa
turation current)がバルブ導通体20に印加される。
【0027】図2の配列の別案が図3に示され、ここで
は、厚さが約1〜2マイクロインチのバルブ導通体24
がP1及びP2層の間のバックギャップに位置してい
る。しかしながら、バルブ導通体24とホール素子26
の間の短絡路の厚さである寸法bはきびしく制御されな
ければならない。もし寸法bが大きすぎれば、バルブの
磁性材料は読出しの間に完全には飽和されないであろう
し従って読出し効率は減少するであろう。反対に、寸法
bが小さすぎれば、バルブ24からの漂遊磁束(stray
flux)がホールセンサー26を飽和させるかも知れな
い。
は、厚さが約1〜2マイクロインチのバルブ導通体24
がP1及びP2層の間のバックギャップに位置してい
る。しかしながら、バルブ導通体24とホール素子26
の間の短絡路の厚さである寸法bはきびしく制御されな
ければならない。もし寸法bが大きすぎれば、バルブの
磁性材料は読出しの間に完全には飽和されないであろう
し従って読出し効率は減少するであろう。反対に、寸法
bが小さすぎれば、バルブ24からの漂遊磁束(stray
flux)がホールセンサー26を飽和させるかも知れな
い。
【0028】ここに開示された発明は、読出し機能のた
めに磁束センサーを用いた読み書き磁気ヘッドが遭遇し
ていたいくつかの問題を解決する。すなわち、MR読出
し素子と書込みアセンブリは1つの共通な変換ギャップ
により磁気ディスクのような磁気記録媒体との間でデー
タの変換がなされるので、それぞれ別個の変換ギャップ
を有していた従来技術のように各変換ギャップの間の整
列は不要となり、これにより製造公差の問題は多少なり
とも解決される。また、磁束センサーは磁気記録媒体と
接近する磁気ヘッドの磁極先端から離れており、またこ
れにより磁束センサーの長さは高いトラック密度を得る
ためには小さくする必要がある磁極先端の幅よりも大と
することができるので、磁気記録媒体の表面から突出す
るでこぼことの接触による温度偏移の影響がなくなって
熱雑音スパイクは除去されまたは最低にされ、また磁束
センサーの長さを大にすることによりバルクハウゼン雑
音も除去されまたは最低にされる。
めに磁束センサーを用いた読み書き磁気ヘッドが遭遇し
ていたいくつかの問題を解決する。すなわち、MR読出
し素子と書込みアセンブリは1つの共通な変換ギャップ
により磁気ディスクのような磁気記録媒体との間でデー
タの変換がなされるので、それぞれ別個の変換ギャップ
を有していた従来技術のように各変換ギャップの間の整
列は不要となり、これにより製造公差の問題は多少なり
とも解決される。また、磁束センサーは磁気記録媒体と
接近する磁気ヘッドの磁極先端から離れており、またこ
れにより磁束センサーの長さは高いトラック密度を得る
ためには小さくする必要がある磁極先端の幅よりも大と
することができるので、磁気記録媒体の表面から突出す
るでこぼことの接触による温度偏移の影響がなくなって
熱雑音スパイクは除去されまたは最低にされ、また磁束
センサーの長さを大にすることによりバルクハウゼン雑
音も除去されまたは最低にされる。
【0029】加えて、MRセンサーは変換ギャップ内で
なくコイルを結合した磁気回路の一部に設けてあるの
で、読込み信号の微分はもはや不要となり、従って信号
対雑音比は大幅に改善される。これは、遷移がギャップ
の中心にあるとき、従来技術のMRヘッドは信号がピー
クになるのに対し、本発明ではそれがゼロになるためで
ある。
なくコイルを結合した磁気回路の一部に設けてあるの
で、読込み信号の微分はもはや不要となり、従って信号
対雑音比は大幅に改善される。これは、遷移がギャップ
の中心にあるとき、従来技術のMRヘッドは信号がピー
クになるのに対し、本発明ではそれがゼロになるためで
ある。
【0030】ここに開示されたデバイスは、ギャップ長
が従来のMRヘッドのそれよりも小さくできるので、従
来のMR読出しヘッドよりも高い空間的な解決を与え
る。MR変換器は、磁気媒体の表面のでこぼことの接触
の間に無視し得る程度の温度偏位しか経験しないよう
に、磁極先端から充分にずっと離れて位置させることが
できる。
が従来のMRヘッドのそれよりも小さくできるので、従
来のMR読出しヘッドよりも高い空間的な解決を与え
る。MR変換器は、磁気媒体の表面のでこぼことの接触
の間に無視し得る程度の温度偏位しか経験しないよう
に、磁極先端から充分にずっと離れて位置させることが
できる。
【0031】本発明は例として述べた特定の要素、材料
及び寸法に限定されるものでなく、それらは本発明の範
囲内で変更がなされ得るものであることは理解されるべ
きである。
及び寸法に限定されるものでなく、それらは本発明の範
囲内で変更がなされ得るものであることは理解されるべ
きである。
【図1】 本発明による、MR素子とバルブ導通体を組
み込んだ薄膜読み書きヘッドの横断面図である。
み込んだ薄膜読み書きヘッドの横断面図である。
【図2】 ホール検知素子とバルブ導通体を組み込んだ
薄膜読み書きヘッドを示す、本発明による他の実施例の
横断面図である。
薄膜読み書きヘッドを示す、本発明による他の実施例の
横断面図である。
【図3】 ホール検知素子とバルブ導通体を組み込ん
だ、本発明により作られた薄膜読み書き磁気ヘッドの別
の実施例の横断面図である。
だ、本発明により作られた薄膜読み書き磁気ヘッドの別
の実施例の横断面図である。
10…電気コイル(導電コイル)、14,16…磁気的
手段(パーマロイ層)、18,20,24…導通体手段
(バルブ導通体)、19…磁束検知手段(MR素子、M
Rセンサー)、22,26…磁束検知手段(ホール素
子、ホールセンサー)、G…変換ギャップ、P1,P2,
P2-1,P2-2…磁性層(パーマロイ磁性層、層)、
P2A,P2B…部分。
手段(パーマロイ層)、18,20,24…導通体手段
(バルブ導通体)、19…磁束検知手段(MR素子、M
Rセンサー)、22,26…磁束検知手段(ホール素
子、ホールセンサー)、G…変換ギャップ、P1,P2,
P2-1,P2-2…磁性層(パーマロイ磁性層、層)、
P2A,P2B…部分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニエル エイ. ネペラ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95123 サンホセ ブラッサムリバーウエ イ 1009
Claims (15)
- 【請求項1】 変換ギャップを備えた磁気回路を形成す
る第1及び第2の磁性層と、 前記磁気回路中に設けられて、信号記録の間にはバイパ
スされて不作動となる磁束検知手段と、 前記磁気回路に結合されて、信号記録の間に前記磁束検
知手段をバイパスするための磁気的短絡を与える磁気バ
ルブ手段よりなり、 前記バルブ手段が少なくとも一つの前記磁性層と結合さ
れた磁気的手段と、この磁気的手段により囲まれた電気
的導通体手段よりなる、 薄膜読み書き磁気ヘッド。 - 【請求項2】 前記少なくとも一つの磁性層が前記第2
の磁性層である請求項1の磁気ヘッド。 - 【請求項3】 前記第2の層に、内部に前記磁束検知手
段が置かれる間隙が形成された請求項2の磁気ヘッド。 - 【請求項4】 前記第2の層は前記間隙の周りに2つの
部分が形成され、前記磁気的手段が前記間隙及び前記両
部分を覆って設けられた第3及び第4の磁性層よりなる
請求項3の磁気ヘッド。 - 【請求項5】 前記バルブ導通体手段が、前記短絡路を
作動または不作動とするために、前記第3及び第4の磁
性層の間に設けられた請求項4の磁気ヘッド。 - 【請求項6】 前記第3及び第4の磁性層の全体の厚さ
が前記第2の磁性層の厚さとほゞ同じである請求項4の
磁気ヘッド。 - 【請求項7】 記録された信号を前記磁束検知手段が読
み出すこと可能とするために、前記バルブ導通体に前記
短絡路を開かせるための飽和用電流を印加する手段を含
む請求項1の磁気ヘッド。 - 【請求項8】 記録モードの間に電気的信号を通すため
に、前記第1及び第2の磁性層の間に設けられた電気コ
イルを含む請求項1の磁気ヘッド。 - 【請求項9】 前記磁束検知手段が磁気抵抗検知素子で
ある請求項1の磁気ヘッド。 - 【請求項10】 前記第1及び第2の層のそれぞれが磁
束検知手段及び磁気バルブ手段を含む請求項1の磁気ヘ
ッド。 - 【請求項11】 変換ギャップを備えた磁気回路を形成
する第1及び第2の磁性層と、 前記第2の磁性層上に設けられてこの第2の層との間に
間隙を備えた第3の磁性層と、 前記第1及び第2の層の間に設けられた磁束検知手段
と、 前記第2及び第3の磁性層の間の前記間隙内に設けられ
た磁気バルブ導通手段よりなる薄膜読み書き磁気ヘッ
ド。 - 【請求項12】 前記磁束検知手段がホール効果デバイ
スである請求項11の磁気ヘッド。 - 【請求項13】 前記第2及び第3の磁性層の全体の厚
さが前記第1の磁性層のそれとほゞ同じである請求項1
1の磁気ヘッド。 - 【請求項14】 変換ギャップ及びバックギャップを備
えた磁気ヨークを形成する第1及び第2の磁性層と、 前記両磁性層の間で前記バックギャップに接近して設け
られた磁束検知手段と、 前記バックギャップの位置において前記両層の間に形成
され、読出しモードの間に前記磁束検知手段が読出し信
号を検知するのを可能とするための飽和用電流を受け入
れ、かつ前記磁束検知手段に接近して位置された磁気バ
ルブ導通体手段よりなる薄膜読み書き磁気ヘッド。 - 【請求項15】 前記磁束検知手段がホール効果デバイ
スである請求項14の磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/807,194 US5255141A (en) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | Read-write magnetic head with flux sensing read element |
US07/807,194 | 1991-12-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05242434A true JPH05242434A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=25195794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4334454A Pending JPH05242434A (ja) | 1991-12-16 | 1992-12-15 | 磁束検知読出し素子を備えた読み書き磁気ヘッド |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5255141A (ja) |
EP (1) | EP0549876A1 (ja) |
JP (1) | JPH05242434A (ja) |
KR (1) | KR930014291A (ja) |
CN (1) | CN1074549A (ja) |
TW (1) | TW214591B (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5778514A (en) * | 1993-01-06 | 1998-07-14 | Das Devices, Inc. | Method for forming a transducing head |
US6195233B1 (en) * | 1993-03-15 | 2001-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular thin-film magnetic head |
EP0638893A3 (en) * | 1993-08-10 | 1996-05-15 | Read Rite Corp | Magnetic head with flow detector element for recording / reproducing on a tape. |
US6078479A (en) * | 1993-08-10 | 2000-06-20 | Read-Rite Corporation | Magnetic tape head with flux sensing element |
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-
1991
- 1991-12-16 US US07/807,194 patent/US5255141A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-11-09 TW TW081108952A patent/TW214591B/zh active
- 1992-11-11 KR KR1019920021130A patent/KR930014291A/ko not_active Application Discontinuation
- 1992-11-16 EP EP92119539A patent/EP0549876A1/en not_active Withdrawn
- 1992-11-26 CN CN92112864A patent/CN1074549A/zh active Pending
- 1992-12-15 JP JP4334454A patent/JPH05242434A/ja active Pending
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---|---|
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EP0549876A1 (en) | 1993-07-07 |
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