JPH05239636A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH05239636A JPH05239636A JP7883292A JP7883292A JPH05239636A JP H05239636 A JPH05239636 A JP H05239636A JP 7883292 A JP7883292 A JP 7883292A JP 7883292 A JP7883292 A JP 7883292A JP H05239636 A JPH05239636 A JP H05239636A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、複数枚の基板を連続的にスパッタ
リングで成膜した際に、基板毎に自動的に成膜条件を変
更することにより、基板間におけるスパッタ膜の膜質の
ばらつきを低減することを可能にする。 【構成】 スパッタ膜の膜質を制御するシステム３１を
設けたスパッタリング装置１である。上記システム３１
は、反応ガスの流量値を成膜処理する基板９１毎に記憶
する記憶装置３２と、記憶装置３２に記憶した各反応ガ
スの流量値に基づいてスパッタリング室１１に供給され
る各反応ガス流量の制御信号を送信するガス制御器３３
と、制御信号を受信して各反応ガス流量を調節する手段
としてのマスフローコントローラー２２，２３とよりな
る。
リングで成膜した際に、基板毎に自動的に成膜条件を変
更することにより、基板間におけるスパッタ膜の膜質の
ばらつきを低減することを可能にする。 【構成】 スパッタ膜の膜質を制御するシステム３１を
設けたスパッタリング装置１である。上記システム３１
は、反応ガスの流量値を成膜処理する基板９１毎に記憶
する記憶装置３２と、記憶装置３２に記憶した各反応ガ
スの流量値に基づいてスパッタリング室１１に供給され
る各反応ガス流量の制御信号を送信するガス制御器３３
と、制御信号を受信して各反応ガス流量を調節する手段
としてのマスフローコントローラー２２，２３とよりな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の膜形成に
用いられるスパッタリング装置に関する。
用いられるスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を構成する素子の微細化にと
もない、特に拡散層の厚さが薄くなっている。このた
め、拡散層上のコンタクト部のアルミニウム配線では、
拡散層とアルミニウム配線との間にバリヤメタルを形成
して、アルミニウム配線に発生するいわゆるアルミスパ
イクによる拡散層の破損を防いでいる。上記バリヤメタ
ルには、例えば酸化窒化チタン（ＴｉＯＮ）膜を用い
る。このＴｉＯＮ膜は、プロセスの簡便さゆえに、主に
枚葉式の反応性スパッタリング装置により成膜される。
もない、特に拡散層の厚さが薄くなっている。このた
め、拡散層上のコンタクト部のアルミニウム配線では、
拡散層とアルミニウム配線との間にバリヤメタルを形成
して、アルミニウム配線に発生するいわゆるアルミスパ
イクによる拡散層の破損を防いでいる。上記バリヤメタ
ルには、例えば酸化窒化チタン（ＴｉＯＮ）膜を用い
る。このＴｉＯＮ膜は、プロセスの簡便さゆえに、主に
枚葉式の反応性スパッタリング装置により成膜される。
【０００３】次に上記枚葉式の反応性スパッタリング装
置を図５により説明する。図では、一例として、直流型
の枚葉式の反応性スパッタリング装置１００を示す。図
に示す如く、スパッタリング室１１の内部には、ターゲ
ット１２が設けられている。ターゲット１２に対向する
位置には、基板９１を保持する基板保持部１３が設けら
れている。ターゲット１２と基板保持部１３との間に
は、シャッター１４が取付けられている。さらに基板保
持部１３の側周にはシールド板１５が形成されている。
上記ターゲット１２には電源１６が接続されている。ま
た上記スパッタリング室１１には、スパッタガス（例え
ばアルゴン）を導入する配管１７と、反応ガス（例えば
窒素，酸素等）を導入する配管１８，１９と、スパッタ
リング室１１内のガスを排出する排気管２０とが接続さ
れている。上記配管１７，１８，１９のそれぞれには、
マスフローコントローラー２１，２２，２３が取り付け
られている。上記排気管２０には、図示しない排気装置
が接続されている。さらに上記スパッタリング装置１０
０には、スパッタリング室１１にゲートバルブ（図示せ
ず）を介してロードロック室（図示せず）を設けたもの
もある。
置を図５により説明する。図では、一例として、直流型
の枚葉式の反応性スパッタリング装置１００を示す。図
に示す如く、スパッタリング室１１の内部には、ターゲ
ット１２が設けられている。ターゲット１２に対向する
位置には、基板９１を保持する基板保持部１３が設けら
れている。ターゲット１２と基板保持部１３との間に
は、シャッター１４が取付けられている。さらに基板保
持部１３の側周にはシールド板１５が形成されている。
上記ターゲット１２には電源１６が接続されている。ま
た上記スパッタリング室１１には、スパッタガス（例え
ばアルゴン）を導入する配管１７と、反応ガス（例えば
窒素，酸素等）を導入する配管１８，１９と、スパッタ
リング室１１内のガスを排出する排気管２０とが接続さ
れている。上記配管１７，１８，１９のそれぞれには、
マスフローコントローラー２１，２２，２３が取り付け
られている。上記排気管２０には、図示しない排気装置
が接続されている。さらに上記スパッタリング装置１０
０には、スパッタリング室１１にゲートバルブ（図示せ
ず）を介してロードロック室（図示せず）を設けたもの
もある。
【０００４】上記枚葉式の反応性スパッタリング装置１
００でＴｉＯＮ膜を成膜するは、チタン製のターゲット
１２を用い、ターゲット１２をスパッタするガスにアル
ゴン（Ａｒ）を用いる。さらに反応ガスとして窒素（Ｎ
2 ）と酸素（Ｏ2 ）とをスパッタリング室１１の内部に
導入する。このためターゲット１２表面で、酸素および
窒素とターゲット１２のチタンとが反応して酸化窒化チ
タン（ＴｉＯＮ）になり、アルゴンイオンのスパッタ作
用によりＴｉＯＮが弾き飛ばされる。そして生成された
ＴｉＯＮ粒子が基板９１に到達して付着し、ＴｉＯＮ膜
（図示せず）を成膜する。
００でＴｉＯＮ膜を成膜するは、チタン製のターゲット
１２を用い、ターゲット１２をスパッタするガスにアル
ゴン（Ａｒ）を用いる。さらに反応ガスとして窒素（Ｎ
2 ）と酸素（Ｏ2 ）とをスパッタリング室１１の内部に
導入する。このためターゲット１２表面で、酸素および
窒素とターゲット１２のチタンとが反応して酸化窒化チ
タン（ＴｉＯＮ）になり、アルゴンイオンのスパッタ作
用によりＴｉＯＮが弾き飛ばされる。そして生成された
ＴｉＯＮ粒子が基板９１に到達して付着し、ＴｉＯＮ膜
（図示せず）を成膜する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記枚
葉式の反応性スパッタリング装置で、複数枚の基板にか
つ連続的にＴｉＯＮ膜を成膜した場合には、各基板に成
膜されるＴｉＯＮ膜の膜厚がほぼ等しいものであって
も、処理枚数が増加するごとに成膜されるＴｉＯＮ膜の
抵抗値が高くなる。したがって、ＴｉＯＮ膜の抵抗は基
板毎にばらつく。
葉式の反応性スパッタリング装置で、複数枚の基板にか
つ連続的にＴｉＯＮ膜を成膜した場合には、各基板に成
膜されるＴｉＯＮ膜の膜厚がほぼ等しいものであって
も、処理枚数が増加するごとに成膜されるＴｉＯＮ膜の
抵抗値が高くなる。したがって、ＴｉＯＮ膜の抵抗は基
板毎にばらつく。
【０００６】この原因の一つには、Ａｒイオンの衝突に
よってターゲットの表面温度が上昇することがある。す
なわち、ターゲットの表面温度が上昇すると、ターゲッ
ト表面での酸化反応が活発になる。このため、ターゲッ
ト表面上のチタン原子の多くは酸化チタンになる。この
結果、基板に成膜されるスパッタ膜中の酸素の含有量が
過剰になって、ＴｉＯＮ膜の抵抗が高くなる。したがっ
て基板の処理枚数が増加する毎にターゲットの表面温度
はさらに上昇するので、成膜されるスパッタ膜の抵抗は
処理枚数が増加する毎に高くなる。
よってターゲットの表面温度が上昇することがある。す
なわち、ターゲットの表面温度が上昇すると、ターゲッ
ト表面での酸化反応が活発になる。このため、ターゲッ
ト表面上のチタン原子の多くは酸化チタンになる。この
結果、基板に成膜されるスパッタ膜中の酸素の含有量が
過剰になって、ＴｉＯＮ膜の抵抗が高くなる。したがっ
て基板の処理枚数が増加する毎にターゲットの表面温度
はさらに上昇するので、成膜されるスパッタ膜の抵抗は
処理枚数が増加する毎に高くなる。
【０００７】別の原因としては、スパッタ膜を成膜する
前に、通常複数枚のダミー基板に対してターゲットの空
打ちを行う。このため、スパッタリング室の内部に設け
られているシールド板やシャッター等にチタン膜が成膜
される。このチタン膜は酸素と反応し易いので、反応ガ
スに酸素を用いた場合には、成膜されたチタン膜に反応
ガスの酸素がゲッタリングされる。このため、ターゲッ
トより弾き飛ばされたチタン粒子と反応する酸素量が減
少するので、一枚目に成膜されるスパッタ膜中に含まれ
る酸素の含有量が少なくなる。この結果、成膜されるス
パッタ膜の抵抗は低くなる。その後シールド板やシャッ
ターにゲッタリングされる酸素量は減少するので、二枚
目以降に成膜されるスパッタ膜の抵抗は徐々に高くな
る。そして数枚め以降では、ほぼ一定の酸素を含むスパ
ッタ膜が成膜されるので、成膜されるスパッタ膜の抵抗
もほぼ所定値になる。上記の如くに、成膜されるスパッ
タ膜の抵抗が所定範囲の値にならない場合には、そのス
パッタ膜を成膜した基板は不良品になる。
前に、通常複数枚のダミー基板に対してターゲットの空
打ちを行う。このため、スパッタリング室の内部に設け
られているシールド板やシャッター等にチタン膜が成膜
される。このチタン膜は酸素と反応し易いので、反応ガ
スに酸素を用いた場合には、成膜されたチタン膜に反応
ガスの酸素がゲッタリングされる。このため、ターゲッ
トより弾き飛ばされたチタン粒子と反応する酸素量が減
少するので、一枚目に成膜されるスパッタ膜中に含まれ
る酸素の含有量が少なくなる。この結果、成膜されるス
パッタ膜の抵抗は低くなる。その後シールド板やシャッ
ターにゲッタリングされる酸素量は減少するので、二枚
目以降に成膜されるスパッタ膜の抵抗は徐々に高くな
る。そして数枚め以降では、ほぼ一定の酸素を含むスパ
ッタ膜が成膜されるので、成膜されるスパッタ膜の抵抗
もほぼ所定値になる。上記の如くに、成膜されるスパッ
タ膜の抵抗が所定範囲の値にならない場合には、そのス
パッタ膜を成膜した基板は不良品になる。
【０００８】本発明は、膜質に優れたスパッタ膜を形成
するスパッタリング装置を提供することを目的とする。
するスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたスパッタリング装置である。すな
わち、基板に成膜されるスパッタ膜の膜質を制御するシ
ステムを設けたスパッタリング装置である。上記システ
ムとして、スパッタリング室に供給する各反応ガスの流
量値を成膜処理する基板毎に記憶する記憶装置と、この
記憶装置に記憶した各反応ガスの流量値に基づいて、ス
パッタリング室に供給される各反応ガス流量の制御信号
を送信するガス制御器と、制御信号を受信して各反応ガ
ス流量を調節する手段とを設けたものである。
成するためになされたスパッタリング装置である。すな
わち、基板に成膜されるスパッタ膜の膜質を制御するシ
ステムを設けたスパッタリング装置である。上記システ
ムとして、スパッタリング室に供給する各反応ガスの流
量値を成膜処理する基板毎に記憶する記憶装置と、この
記憶装置に記憶した各反応ガスの流量値に基づいて、ス
パッタリング室に供給される各反応ガス流量の制御信号
を送信するガス制御器と、制御信号を受信して各反応ガ
ス流量を調節する手段とを設けたものである。
【００１０】または別のシステムとして、ターゲットに
印加される電力量値を成膜処理する基板毎に記憶する記
憶装置と、この記憶装置に記憶した電力量値に基づい
て、ターゲットに印加される電力量を制御する制御信号
を送信する電力制御器と、制御信号を受信してターゲッ
トに印加する電力量を調節する手段とを設けたものであ
る。
印加される電力量値を成膜処理する基板毎に記憶する記
憶装置と、この記憶装置に記憶した電力量値に基づい
て、ターゲットに印加される電力量を制御する制御信号
を送信する電力制御器と、制御信号を受信してターゲッ
トに印加する電力量を調節する手段とを設けたものであ
る。
【００１１】あるいは他のシステムとして、スパッタリ
ング室内の圧力値を成膜処理する基板毎に記憶する記憶
装置と、この記憶装置に記憶したスパッタリング室内の
圧力値をに基づいて、当該スパッタリング室内の圧力を
制御する制御信号を送信する圧力制御器と、制御信号を
受信してスパッタリング室内の圧力を調節する手段とを
設けたものである。
ング室内の圧力値を成膜処理する基板毎に記憶する記憶
装置と、この記憶装置に記憶したスパッタリング室内の
圧力値をに基づいて、当該スパッタリング室内の圧力を
制御する制御信号を送信する圧力制御器と、制御信号を
受信してスパッタリング室内の圧力を調節する手段とを
設けたものである。
【００１２】もしくは上記以外のシステムとして、スパ
ッタリング装置に設けた基板保持部の温度の値を成膜処
理する基板毎に記憶する記憶装置と、この記憶装置に記
憶した前記温度の値をに基づいて、当該基板保持部の温
度を制御する制御信号を送信する温度制御器と、制御信
号を受信して基板保持部の温度を調節する手段とを設け
たものである。
ッタリング装置に設けた基板保持部の温度の値を成膜処
理する基板毎に記憶する記憶装置と、この記憶装置に記
憶した前記温度の値をに基づいて、当該基板保持部の温
度を制御する制御信号を送信する温度制御器と、制御信
号を受信して基板保持部の温度を調節する手段とを設け
たものである。
【００１３】
【作用】上記構成のスパッタリング装置では、予め記憶
装置に記憶した成膜処理する基板毎の反応ガス流量値に
基づいて、反応ガス流量を調節する手段でその流量を制
御する。このため、基板にスパッタ膜を成膜するときの
反応ガス流量は、成膜されるスパッタ膜の抵抗値が所定
値になる流量に設定される。または、予め記憶装置に記
憶した成膜処理する基板毎のターゲットに印加する電力
量値に基づいて、電力量を調節する手段でその電力量を
制御する。このため、基板にスパッタ膜を成膜するとき
の電力量は、成膜されるスパッタ膜の抵抗値が所定値に
なる電力量に設定される。
装置に記憶した成膜処理する基板毎の反応ガス流量値に
基づいて、反応ガス流量を調節する手段でその流量を制
御する。このため、基板にスパッタ膜を成膜するときの
反応ガス流量は、成膜されるスパッタ膜の抵抗値が所定
値になる流量に設定される。または、予め記憶装置に記
憶した成膜処理する基板毎のターゲットに印加する電力
量値に基づいて、電力量を調節する手段でその電力量を
制御する。このため、基板にスパッタ膜を成膜するとき
の電力量は、成膜されるスパッタ膜の抵抗値が所定値に
なる電力量に設定される。
【００１４】あるいは、予め記憶装置に記憶した成膜処
理する基板毎のスパッタリング室内の圧力値に基づい
て、スパッタリング室内の圧力を調節する手段でその圧
力を制御する。このため、基板にスパッタ膜を成膜する
ときのスパッタリング室内の圧力は、成膜されるスパッ
タ膜の抵抗値が所定値になる圧力に設定される。もしく
は、予め記憶装置に記憶した成膜処理する基板毎の基板
保持部の温度の値に基づいて、基板保持部の温度を調節
する手段でその温度を制御する。このため、基板にスパ
ッタ膜を成膜するときの基板保持部の温度は、成膜され
るスパッタ膜の抵抗値が所定値になる温度に設定され
る。
理する基板毎のスパッタリング室内の圧力値に基づい
て、スパッタリング室内の圧力を調節する手段でその圧
力を制御する。このため、基板にスパッタ膜を成膜する
ときのスパッタリング室内の圧力は、成膜されるスパッ
タ膜の抵抗値が所定値になる圧力に設定される。もしく
は、予め記憶装置に記憶した成膜処理する基板毎の基板
保持部の温度の値に基づいて、基板保持部の温度を調節
する手段でその温度を制御する。このため、基板にスパ
ッタ膜を成膜するときの基板保持部の温度は、成膜され
るスパッタ膜の抵抗値が所定値になる温度に設定され
る。
【００１５】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１に示す概略構成
断面図により説明する。図では、一例として、直流型の
枚葉式反応性スパッタリング装置１（以下スパッタリン
グ装置１と記す）を示す。図に示すように、スパッタリ
ング装置１は、従来の技術で説明したスパッタリング装
置（１００）のスパッタリング室１１に、ゲートバルブ
２４を介してロードロック室２５を設け、かつロードロ
ック室２５の内部に基板９１を搬送するための搬送機２
６を設けるとともに、基板９１に成膜されるスパッタ膜
（図示せず）のシート抵抗を制御するシステム３１を当
該スパッタリング装置１に設けたものである。各構成部
品のうちのスパッタリング室１１、ターゲット１２、基
板保持部１３、シャッター１４、シールド板１５、電源
１６、配管１７，１８，１９、排気管２０、反応ガス流
量を調節する手段としてのマスフローコントローラー２
１，２２，２３等の詳細な説明は、前述した従来の技術
中で説明したのと同様なので省略する。また従来の技術
中で説明した構成部品と同様の構成部品には、同一番号
を付す。
断面図により説明する。図では、一例として、直流型の
枚葉式反応性スパッタリング装置１（以下スパッタリン
グ装置１と記す）を示す。図に示すように、スパッタリ
ング装置１は、従来の技術で説明したスパッタリング装
置（１００）のスパッタリング室１１に、ゲートバルブ
２４を介してロードロック室２５を設け、かつロードロ
ック室２５の内部に基板９１を搬送するための搬送機２
６を設けるとともに、基板９１に成膜されるスパッタ膜
（図示せず）のシート抵抗を制御するシステム３１を当
該スパッタリング装置１に設けたものである。各構成部
品のうちのスパッタリング室１１、ターゲット１２、基
板保持部１３、シャッター１４、シールド板１５、電源
１６、配管１７，１８，１９、排気管２０、反応ガス流
量を調節する手段としてのマスフローコントローラー２
１，２２，２３等の詳細な説明は、前述した従来の技術
中で説明したのと同様なので省略する。また従来の技術
中で説明した構成部品と同様の構成部品には、同一番号
を付す。
【００１６】上記システム３１は、処理する基板９１毎
に設定される各反応ガスの流量値を記憶する記憶装置３
２と、記憶装置３２に記憶した反応ガスの流量値に基づ
いて反応ガス流量の制御信号を発信するガス制御器３３
と、ガス制御器３３より送信した制御信号を受信して反
応ガス流量を調節する手段としてのマスフローコントロ
ーラー２２，２３とによりなる。上記記憶装置３２に
は、成膜処理する複数枚の基板９１（９１ａ，９１ｂ，
９１ｃ，・・・）のそれぞれに対応する反応ガスの流量
値を、予め実験によって調べておいて記憶させておく。
に設定される各反応ガスの流量値を記憶する記憶装置３
２と、記憶装置３２に記憶した反応ガスの流量値に基づ
いて反応ガス流量の制御信号を発信するガス制御器３３
と、ガス制御器３３より送信した制御信号を受信して反
応ガス流量を調節する手段としてのマスフローコントロ
ーラー２２，２３とによりなる。上記記憶装置３２に
は、成膜処理する複数枚の基板９１（９１ａ，９１ｂ，
９１ｃ，・・・）のそれぞれに対応する反応ガスの流量
値を、予め実験によって調べておいて記憶させておく。
【００１７】次に、上記スパッタリング装置１を用いた
成膜例の一例として、複数の基板９１（９１ａ，９１
ｂ，９１ｃ，・・・）に、連続して酸化窒化チタン（Ｔ
ｉＯＮ）膜を成膜する場合を説明する。まず一枚目の基
板９１ａをスパッタリング室１１に搬送し、配管１７に
スパッタガスのアルゴンを所定量流し、配管１８，１９
に反応ガスの窒素，酸素を所定量流す。このときの成膜
条件は、記憶装置３２に記憶した１枚目の基板９１ａを
処理する条件よる。すなわち記憶装置３２に記憶した反
応ガスの流量値に基づいて、ガス制御器３３が各反応ガ
スの流量を制御する制御信号をマスフローコントローラ
ー２２，２３に送信する。そしてその制御信号を受信し
て、マスフローコントローラー２２，２３は反応ガス流
量を所定の流量に調節する。同時に他のスパッタ条件
（例えばターゲット１２に印加する電力量，スパッタリ
ング室１２内の圧力，基板保持部１３に温度等）も設定
する。このときの成膜条件の一例としては、ターゲット
１２に印加する電力を５ｋＷ，スパッタガスのアルゴン
（Ａｒ）の流量を４０ｓｃｃｍ，反応ガスの窒素
（Ｎ2 ）の流量を６５ｓｃｃｍ，別の反応ガスの酸素
（Ｏ2 ）の流量を４ｓｃｃｍ，成膜時間を１分とする。
そして基板９１ａにスパッタ膜として例えばＴｉＯＮ膜
（図示せず）を成膜する。
成膜例の一例として、複数の基板９１（９１ａ，９１
ｂ，９１ｃ，・・・）に、連続して酸化窒化チタン（Ｔ
ｉＯＮ）膜を成膜する場合を説明する。まず一枚目の基
板９１ａをスパッタリング室１１に搬送し、配管１７に
スパッタガスのアルゴンを所定量流し、配管１８，１９
に反応ガスの窒素，酸素を所定量流す。このときの成膜
条件は、記憶装置３２に記憶した１枚目の基板９１ａを
処理する条件よる。すなわち記憶装置３２に記憶した反
応ガスの流量値に基づいて、ガス制御器３３が各反応ガ
スの流量を制御する制御信号をマスフローコントローラ
ー２２，２３に送信する。そしてその制御信号を受信し
て、マスフローコントローラー２２，２３は反応ガス流
量を所定の流量に調節する。同時に他のスパッタ条件
（例えばターゲット１２に印加する電力量，スパッタリ
ング室１２内の圧力，基板保持部１３に温度等）も設定
する。このときの成膜条件の一例としては、ターゲット
１２に印加する電力を５ｋＷ，スパッタガスのアルゴン
（Ａｒ）の流量を４０ｓｃｃｍ，反応ガスの窒素
（Ｎ2 ）の流量を６５ｓｃｃｍ，別の反応ガスの酸素
（Ｏ2 ）の流量を４ｓｃｃｍ，成膜時間を１分とする。
そして基板９１ａにスパッタ膜として例えばＴｉＯＮ膜
（図示せず）を成膜する。
【００１８】その後、搬送機２６で、ＴｉＯＮ膜を成膜
した基板９１ａをスパッタリング室１１よりロードロッ
ク室２５に搬送する。続いて搬送機２６で２枚目の基板
９１ｂをロードロック室２５よりスパッタリング室１１
に搬送する。そして上記同様にして２枚目の基板９１ｂ
の成膜条件を設定する。このときの反応ガスの流量値に
は、記憶装置３２に記憶した２枚目の基板９１ｂに対応
する反応ガスの流量値が選択される。そして、基板９１
ｂにＴｉＯＮ膜を成膜する。３枚目以降の基板９１ｃ，
９１ｄ，・・・にＴｉＯＮ膜の成膜するには、上記説明
したと同様の手順にしたがって順次行えばよい。
した基板９１ａをスパッタリング室１１よりロードロッ
ク室２５に搬送する。続いて搬送機２６で２枚目の基板
９１ｂをロードロック室２５よりスパッタリング室１１
に搬送する。そして上記同様にして２枚目の基板９１ｂ
の成膜条件を設定する。このときの反応ガスの流量値に
は、記憶装置３２に記憶した２枚目の基板９１ｂに対応
する反応ガスの流量値が選択される。そして、基板９１
ｂにＴｉＯＮ膜を成膜する。３枚目以降の基板９１ｃ，
９１ｄ，・・・にＴｉＯＮ膜の成膜するには、上記説明
したと同様の手順にしたがって順次行えばよい。
【００１９】上記方法によって、複数枚の基板９１ａ，
９１ｂ，９１ｃ，・・・に対して順次スパッタ膜を成膜
した場合には、各基板９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・
に成膜されるスパッタ膜のシート抵抗を所定の値にする
ことが可能になる。
９１ｂ，９１ｃ，・・・に対して順次スパッタ膜を成膜
した場合には、各基板９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・
に成膜されるスパッタ膜のシート抵抗を所定の値にする
ことが可能になる。
【００２０】次に第２の実施例を図２に示す概略構成断
面図により説明する。図に示すように、スパッタリング
装置２の構成は、スパッタ膜の膜質を制御するシステム
４１を除いて、他の構成部品は第１の実施例で説明した
ものと同様なので、ここではシステム４１について説明
する。また第１の実施例で説明したと同様の構成部品に
は、同一の番号を付す。
面図により説明する。図に示すように、スパッタリング
装置２の構成は、スパッタ膜の膜質を制御するシステム
４１を除いて、他の構成部品は第１の実施例で説明した
ものと同様なので、ここではシステム４１について説明
する。また第１の実施例で説明したと同様の構成部品に
は、同一の番号を付す。
【００２１】上記システム４１は、ターゲット１２に印
加する電力量値を成膜処理する基板９１毎に記憶する記
憶装置４２と、記憶装置４２に記憶した電力量値に基づ
いてターゲット１２に印加する電力量の制御信号を発信
する電力制御器４３と、電力制御器４３より送信した制
御信号を受信してその電力量を調節する手段としての電
源１６とによりなる。上記記憶装置４２には、成膜処理
する複数枚の基板９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・
・）のそれぞれに対応する電力量値を、予め実験によっ
て調べておいて記憶させておく。
加する電力量値を成膜処理する基板９１毎に記憶する記
憶装置４２と、記憶装置４２に記憶した電力量値に基づ
いてターゲット１２に印加する電力量の制御信号を発信
する電力制御器４３と、電力制御器４３より送信した制
御信号を受信してその電力量を調節する手段としての電
源１６とによりなる。上記記憶装置４２には、成膜処理
する複数枚の基板９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・
・）のそれぞれに対応する電力量値を、予め実験によっ
て調べておいて記憶させておく。
【００２２】次に、上記スパッタリング装置２を用い
て、第１の実施例と同様に、複数の基板９１（９１ａ，
９１ｂ，９１ｃ，・・・）上に、連続して酸化窒化チタ
ン（ＴｉＯＮ）膜を形成する場合について説明する。ま
ず一枚目の基板９１ａをスパッタリング室１１に搬送す
る。そして記憶装置４２に記憶した１枚目の基板９１ａ
を処理するときのターゲット１２に印加する電力量値に
基づいて、電力制御器４３がターゲット１２に印加する
電力量の制御信号を電源１６に送信する。その制御信号
を受信して、電源１６はターゲット１２に印加する電力
量を所定量に調節する。同時に他のスパッタ条件（例え
ば反応ガス流量，スパッタリング室１１内の圧力，基板
保持部１３に温度等）も設定する。そして基板９１ａに
スパッタ膜として例えばＴｉＯＮ膜（図示せず）を成膜
する。
て、第１の実施例と同様に、複数の基板９１（９１ａ，
９１ｂ，９１ｃ，・・・）上に、連続して酸化窒化チタ
ン（ＴｉＯＮ）膜を形成する場合について説明する。ま
ず一枚目の基板９１ａをスパッタリング室１１に搬送す
る。そして記憶装置４２に記憶した１枚目の基板９１ａ
を処理するときのターゲット１２に印加する電力量値に
基づいて、電力制御器４３がターゲット１２に印加する
電力量の制御信号を電源１６に送信する。その制御信号
を受信して、電源１６はターゲット１２に印加する電力
量を所定量に調節する。同時に他のスパッタ条件（例え
ば反応ガス流量，スパッタリング室１１内の圧力，基板
保持部１３に温度等）も設定する。そして基板９１ａに
スパッタ膜として例えばＴｉＯＮ膜（図示せず）を成膜
する。
【００２３】その後、搬送機２６で、ＴｉＯＮ膜を成膜
した基板９１ａをスパッタリング室１１よりロードロッ
ク室２５に搬送する。続いて搬送機２６で２枚目の基板
９１ｂをロードロック室２５よりスパッタリング室１１
に搬送する。そして上記同様にして２枚目の基板９１ｂ
の成膜条件を設定する。このときのターゲット１２に印
加する電力量値は、記憶装置４２に記憶した２枚目の基
板９１ｂに対応する電力量値が選択される。そして、基
板９１ｂにＴｉＯＮ膜を成膜する。３枚目以降の基板９
１ｃ，９１ｄ，・・・にＴｉＯＮ膜の成膜するには、上
記説明したと同様の手順にしたがって順次行えばよい。
した基板９１ａをスパッタリング室１１よりロードロッ
ク室２５に搬送する。続いて搬送機２６で２枚目の基板
９１ｂをロードロック室２５よりスパッタリング室１１
に搬送する。そして上記同様にして２枚目の基板９１ｂ
の成膜条件を設定する。このときのターゲット１２に印
加する電力量値は、記憶装置４２に記憶した２枚目の基
板９１ｂに対応する電力量値が選択される。そして、基
板９１ｂにＴｉＯＮ膜を成膜する。３枚目以降の基板９
１ｃ，９１ｄ，・・・にＴｉＯＮ膜の成膜するには、上
記説明したと同様の手順にしたがって順次行えばよい。
【００２４】上記方法によって、複数枚の基板９１ａ，
９１ｂ，９１ｃ，・・・に対して順次スパッタ膜を成膜
した場合には、各基板９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・
に成膜されるスパッタ膜のシート抵抗を所定の値にする
ことが可能になる。
９１ｂ，９１ｃ，・・・に対して順次スパッタ膜を成膜
した場合には、各基板９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・
に成膜されるスパッタ膜のシート抵抗を所定の値にする
ことが可能になる。
【００２５】次に第３の実施例を図３に示す概略構成断
面図により説明する。図に示すように、スパッタリング
装置３の構成は、スパッタ膜の膜質を制御するシステム
５１を除いて、他の構成部品は第１の実施例で説明した
ものと同様なので、ここでは上記システム５１を説明す
る。また第１の実施例で説明したと同様の構成部品には
同一番号を付す。
面図により説明する。図に示すように、スパッタリング
装置３の構成は、スパッタ膜の膜質を制御するシステム
５１を除いて、他の構成部品は第１の実施例で説明した
ものと同様なので、ここでは上記システム５１を説明す
る。また第１の実施例で説明したと同様の構成部品には
同一番号を付す。
【００２６】上記システム５１は、当該スパッタリング
室１１内の圧力値を成膜処理をする基板９１毎に記憶す
る記憶装置５２と、この記憶装置５２に記憶したスパッ
タリング室１１内の圧力値をに基づいて、スパッタリン
グ室１１内の圧力を制御する制御信号を送信する圧力制
御器５３と、上記圧力値の制御信号を受信してスパッタ
リング室１１内の圧力を調節する手段としての絞り弁５
４とによりなる。この絞り弁５４は、排気管２０に設け
られている。上記記憶装置５２には、成膜処理する複数
枚の基板９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・）のそ
れぞれに対応するスパッタリング室１１内の圧力値を、
予め実験によって調べておいて記憶させておく。
室１１内の圧力値を成膜処理をする基板９１毎に記憶す
る記憶装置５２と、この記憶装置５２に記憶したスパッ
タリング室１１内の圧力値をに基づいて、スパッタリン
グ室１１内の圧力を制御する制御信号を送信する圧力制
御器５３と、上記圧力値の制御信号を受信してスパッタ
リング室１１内の圧力を調節する手段としての絞り弁５
４とによりなる。この絞り弁５４は、排気管２０に設け
られている。上記記憶装置５２には、成膜処理する複数
枚の基板９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・）のそ
れぞれに対応するスパッタリング室１１内の圧力値を、
予め実験によって調べておいて記憶させておく。
【００２７】次に、上記スパッタリング装置３を用い
て、第１の実施例と同様に、複数の基板９１（９１ａ，
９１ｂ，９１ｃ，・・・）上に、連続して酸化窒化チタ
ン（ＴｉＯＮ）膜を形成する場合について説明する。ま
ず一枚目の基板９１ａをスパッタリング室１１に搬送す
る。そして記憶装置５２に記憶した１枚目の基板９１ａ
を処理するときのスパッタリング室１１内の圧力値に基
づいて、圧力制御器５３がスパッタリング室１１の圧力
の制御信号を絞り弁５４に送信する。その制御信号を受
信して、絞り弁５４は排気管２０より排気されるガス流
量を調節して、スパッタリング室１１内を所定の圧力値
に調節する。同時に他のスパッタ条件（例えば反応ガス
流量，ターゲット１２に印加する電力量，基板保持部１
３に温度等）も設定する。そして基板９１ａにスパッタ
膜として例えばＴｉＯＮ膜（図示せず）を成膜する。
て、第１の実施例と同様に、複数の基板９１（９１ａ，
９１ｂ，９１ｃ，・・・）上に、連続して酸化窒化チタ
ン（ＴｉＯＮ）膜を形成する場合について説明する。ま
ず一枚目の基板９１ａをスパッタリング室１１に搬送す
る。そして記憶装置５２に記憶した１枚目の基板９１ａ
を処理するときのスパッタリング室１１内の圧力値に基
づいて、圧力制御器５３がスパッタリング室１１の圧力
の制御信号を絞り弁５４に送信する。その制御信号を受
信して、絞り弁５４は排気管２０より排気されるガス流
量を調節して、スパッタリング室１１内を所定の圧力値
に調節する。同時に他のスパッタ条件（例えば反応ガス
流量，ターゲット１２に印加する電力量，基板保持部１
３に温度等）も設定する。そして基板９１ａにスパッタ
膜として例えばＴｉＯＮ膜（図示せず）を成膜する。
【００２８】その後、搬送機２６で、ＴｉＯＮ膜を成膜
した基板９１ａをスパッタリング室１１よりロードロッ
ク室２５に搬送する。続いて搬送機２６で２枚目の基板
９１ｂをロードロック室２５よりスパッタリング室１１
に搬送する。そして上記同様にして２枚目の基板９１ｂ
の成膜条件を設定する。このときのスパッタリング室１
１内の圧力値は、記憶装置５２に記憶した２枚目の基板
９１ｂに対応するスパッタリング室１１の圧力値が選択
される。そして、基板９１ｂにＴｉＯＮ膜を成膜する。
３枚目以降の基板９１ｃ，９１ｄ，・・・にＴｉＯＮ膜
の成膜するには、上記説明したと同様の手順にしたがっ
て順次行えばよい。
した基板９１ａをスパッタリング室１１よりロードロッ
ク室２５に搬送する。続いて搬送機２６で２枚目の基板
９１ｂをロードロック室２５よりスパッタリング室１１
に搬送する。そして上記同様にして２枚目の基板９１ｂ
の成膜条件を設定する。このときのスパッタリング室１
１内の圧力値は、記憶装置５２に記憶した２枚目の基板
９１ｂに対応するスパッタリング室１１の圧力値が選択
される。そして、基板９１ｂにＴｉＯＮ膜を成膜する。
３枚目以降の基板９１ｃ，９１ｄ，・・・にＴｉＯＮ膜
の成膜するには、上記説明したと同様の手順にしたがっ
て順次行えばよい。
【００２９】上記方法によって、複数枚の基板９１ａ，
９１ｂ，９１ｃ，・・・に対して順次スパッタ膜を成膜
した場合には、各基板９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・
に成膜されるスパッタ膜のシート抵抗を所定の値にする
ことが可能になる。
９１ｂ，９１ｃ，・・・に対して順次スパッタ膜を成膜
した場合には、各基板９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・
に成膜されるスパッタ膜のシート抵抗を所定の値にする
ことが可能になる。
【００３０】次に第４の実施例を図４に示す概略構成断
面図により説明する。図に示すように、スパッタリング
装置４の構成は、スパッタ膜の膜質を制御するシステム
６１を除いて、他の構成部品は第１の実施例で説明した
ものと同様なので、ここでは上記システム６１を説明す
る。
面図により説明する。図に示すように、スパッタリング
装置４の構成は、スパッタ膜の膜質を制御するシステム
６１を除いて、他の構成部品は第１の実施例で説明した
ものと同様なので、ここでは上記システム６１を説明す
る。
【００３１】システム６１は、当該スパッタリング装置
４に設けた基板保持部１３の温度の値を成膜処理する基
板９１毎に記憶する記憶装置６２と、この記憶装置６２
に記憶した温度の値に基づいて、当該基板保持部１３の
温度を制御する制御信号を送信する温度制御器６３と、
制御信号を受信して当該基板保持部１３の温度を調節す
る手段としての加熱器６４とよりなる。上記加熱器６４
は、例えば加熱温度範囲が１００℃〜５００℃のランプ
ヒーターよりなる。上記記憶装置６２には、成膜処理す
る複数枚の基板９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・
・）のそれぞれに対応する基板保持部１３の温度の値
を、予め実験によって調べておいて記憶させておく。
４に設けた基板保持部１３の温度の値を成膜処理する基
板９１毎に記憶する記憶装置６２と、この記憶装置６２
に記憶した温度の値に基づいて、当該基板保持部１３の
温度を制御する制御信号を送信する温度制御器６３と、
制御信号を受信して当該基板保持部１３の温度を調節す
る手段としての加熱器６４とよりなる。上記加熱器６４
は、例えば加熱温度範囲が１００℃〜５００℃のランプ
ヒーターよりなる。上記記憶装置６２には、成膜処理す
る複数枚の基板９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・
・）のそれぞれに対応する基板保持部１３の温度の値
を、予め実験によって調べておいて記憶させておく。
【００３２】次に、上記スパッタリング装置４を用い
て、複数の基板９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・
・）上に、連続して酸化窒化チタン（ＴｉＯＮ）膜を形
成する場合について説明する。まず一枚目の基板９１ａ
をスパッタリング室１１に搬送する。そして記憶装置６
２に記憶した１枚目の基板９１ａを処理するときの基板
保持部１３の温度の値に基づいて、温度制御器６３が基
板保持部１３の温度の制御信号を加熱器６４に送信す
る。その制御信号を受信して、加熱器６４は加熱温度を
調節して、基板保持部１３を所定の温度に調節する。同
時に他のスパッタ条件（例えば反応ガス流量，ターゲッ
ト１２に印加する電力量，スパッタリング室１１内の圧
力等）も設定して、その後基板９１ａにスパッタ膜とし
て例えばＴｉＯＮ膜（図示せず）を成膜する。
て、複数の基板９１（９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・
・）上に、連続して酸化窒化チタン（ＴｉＯＮ）膜を形
成する場合について説明する。まず一枚目の基板９１ａ
をスパッタリング室１１に搬送する。そして記憶装置６
２に記憶した１枚目の基板９１ａを処理するときの基板
保持部１３の温度の値に基づいて、温度制御器６３が基
板保持部１３の温度の制御信号を加熱器６４に送信す
る。その制御信号を受信して、加熱器６４は加熱温度を
調節して、基板保持部１３を所定の温度に調節する。同
時に他のスパッタ条件（例えば反応ガス流量，ターゲッ
ト１２に印加する電力量，スパッタリング室１１内の圧
力等）も設定して、その後基板９１ａにスパッタ膜とし
て例えばＴｉＯＮ膜（図示せず）を成膜する。
【００３３】その後、搬送機２６で、ＴｉＯＮ膜を成膜
した基板９１ａをスパッタリング室１１よりロードロッ
ク室２５に搬送する。続いて搬送機２６で２枚目の基板
９１ｂをロードロック室２５よりスパッタリング室１１
に搬送する。そして上記同様にして２枚目の基板９１ｂ
の成膜条件を設定する。このときの基板保持部１３の温
度の値は、記憶装置５２に記憶した２枚目の基板９１ｂ
に対応する温度の値が選択される。そして、基板９１ｂ
にＴｉＯＮ膜を成膜する。３枚目以降の基板９１ｃ，９
１ｄ，・・・にＴｉＯＮ膜の成膜するには、上記説明し
たと同様の手順にしたがって順次行えばよい。
した基板９１ａをスパッタリング室１１よりロードロッ
ク室２５に搬送する。続いて搬送機２６で２枚目の基板
９１ｂをロードロック室２５よりスパッタリング室１１
に搬送する。そして上記同様にして２枚目の基板９１ｂ
の成膜条件を設定する。このときの基板保持部１３の温
度の値は、記憶装置５２に記憶した２枚目の基板９１ｂ
に対応する温度の値が選択される。そして、基板９１ｂ
にＴｉＯＮ膜を成膜する。３枚目以降の基板９１ｃ，９
１ｄ，・・・にＴｉＯＮ膜の成膜するには、上記説明し
たと同様の手順にしたがって順次行えばよい。
【００３４】上記方法によって、複数枚の基板９１ａ，
９１ｂ，９１ｃ，・・・に対して順次スパッタ膜を成膜
した場合には、各基板９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・
に成膜されるスパッタ膜のシート抵抗を所定の値にする
ことが可能になる。
９１ｂ，９１ｃ，・・・に対して順次スパッタ膜を成膜
した場合には、各基板９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，・・・
に成膜されるスパッタ膜のシート抵抗を所定の値にする
ことが可能になる。
【００３５】なお、一つのスパッタリング装置に、上記
説明したシステム３１，４１，５１，６１のうちの複数
のシステムを設置することも可能である。
説明したシステム３１，４１，５１，６１のうちの複数
のシステムを設置することも可能である。
【００３６】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
スパッタリング装置に、反応ガス流量の値，ターゲット
に印加する電力量値，スパッタリング室内の圧力値，基
板保持部の温度の値等の成膜条件の値を成膜処理する基
板毎に記憶しかつ記憶した値に基づいて各成膜条件を制
御するシステムを設けたので、複数の基板を連続的に成
膜処理する際に、各基板毎に最適な成膜条件を設定する
ことが可能になる。したがって、複数の基板に対し、枚
葉式のスパッタリングによって成膜を行った場合に、各
基板に成膜されるそれぞれのスパッタ膜の抵抗値を所定
の値にすることが可能になる。よってスパッタ膜の品質
の向上が図れる。
スパッタリング装置に、反応ガス流量の値，ターゲット
に印加する電力量値，スパッタリング室内の圧力値，基
板保持部の温度の値等の成膜条件の値を成膜処理する基
板毎に記憶しかつ記憶した値に基づいて各成膜条件を制
御するシステムを設けたので、複数の基板を連続的に成
膜処理する際に、各基板毎に最適な成膜条件を設定する
ことが可能になる。したがって、複数の基板に対し、枚
葉式のスパッタリングによって成膜を行った場合に、各
基板に成膜されるそれぞれのスパッタ膜の抵抗値を所定
の値にすることが可能になる。よってスパッタ膜の品質
の向上が図れる。
【図１】第１の実施例の概略構成断面図である。
【図２】第２の実施例の概略構成断面図である。
【図３】第３の実施例の概略構成断面図である。
【図４】第４の実施例の概略構成断面図である。
【図５】従来のスパッタリング装置の概略構成断面図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ スパッタリング装置 ２ スパッタリング装置 ３ スパッタリング装置 ４ スパッタリング装置 １１ スパッタリング室 １２ ターゲット １３ 基板保持部 １６ 電源 ２２ マスフローコントローラー ２３ マスフローコントローラー ３１ システム ３２ 記憶装置 ３３ ガス制御器 ４１ システム ４２ 記憶装置 ４３ 電力制御器 ５１ システム ５２ 記憶装置 ５３ 圧力制御器 ５４ 絞り弁 ６１ システム ６２ 記憶装置 ６３ 温度制御器 ６４ 加熱器 ９１ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 基板に成膜されるスパッタ膜の膜質を制
御するシステムを設けたスパッタリング装置であって、 前記システムとして、 前記スパッタリング装置のスパッタリング室に供給する
各反応ガスの流量値を、成膜処理する基板毎に記憶する
記憶装置と、 前記記憶装置に記憶した各反応ガスの流量値に基づい
て、スパッタリング室に供給する各反応ガス流量の制御
信号を送信するガス制御器と、 前記制御信号を受信して各反応ガス流量を調節する手段
とを設けたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 基板に成膜されるスパッタ膜の膜質を制
御するシステムを設けたスパッタリング装置であって、 前記システムとして、 前記スパッタリング装置のターゲットに印加する電力量
値を、成膜処理する基板毎に記憶する記憶装置と、 前記記憶装置に記憶した電力量値に基づいて、前記ター
ゲットに印加する電力量の制御信号を送信する電力制御
器と、 前記制御信号を受信して前記ターゲットに印加する電力
量を調節する手段とを設けたことを特徴とするスパッタ
リング装置。 - 【請求項３】 基板に成膜されるスパッタ膜の膜質を制
御するシステムを設けたスパッタリング装置であって、 前記システムとして、 前記スパッタリング装置のスパッタリング室内の圧力値
を、成膜処理する基板毎に記憶する記憶装置と、 前記記憶装置に記憶したスパッタリング室内の圧力値に
基づいて、当該スパッタリング室内の圧力を制御する制
御信号を送信する圧力制御器と、 前記制御信号を受信して当該スパッタリング室内の圧力
を調節する手段とを設けたことを特徴とするスパッタリ
ング装置。 - 【請求項４】 基板に成膜されるスパッタ膜の膜質を制
御するシステムを設けたスパッタリング装置であって、 前記システムとして、 前記スパッタリング装置に設けた基板保持部の温度の値
を、成膜処理する基板毎に記憶する記憶装置と、 前記記憶装置に記憶した前記温度の値をに基づいて、前
記基板保持部の温度を制御する制御信号を送信する温度
制御器と、 前記制御信号を受信して前記基板保持部の温度を調節す
る手段とを設けたことを特徴とするスパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7883292A JPH05239636A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7883292A JPH05239636A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05239636A true JPH05239636A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=13672809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7883292A Pending JPH05239636A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05239636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11500040A (ja) * | 1995-02-22 | 1999-01-06 | ラツァロフ，ミラディン | インプラント |
| US7285342B2 (en) | 2000-05-12 | 2007-10-23 | Unaxis Deutschland Gmbh | Indium-tin oxide (ITO) film and process for its production |
| WO2010116560A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP7883292A patent/JPH05239636A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11500040A (ja) * | 1995-02-22 | 1999-01-06 | ラツァロフ，ミラディン | インプラント |
| JP2011152447A (ja) * | 1995-02-22 | 2011-08-11 | Tinox Ag | インプラント |
| US7285342B2 (en) | 2000-05-12 | 2007-10-23 | Unaxis Deutschland Gmbh | Indium-tin oxide (ITO) film and process for its production |
| WO2010116560A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
| JP4573913B1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-11-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
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