JPH0523649B2 - - Google Patents
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- JPH0523649B2 JPH0523649B2 JP61166353A JP16635386A JPH0523649B2 JP H0523649 B2 JPH0523649 B2 JP H0523649B2 JP 61166353 A JP61166353 A JP 61166353A JP 16635386 A JP16635386 A JP 16635386A JP H0523649 B2 JPH0523649 B2 JP H0523649B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は近接スイツチに係り、特に検出対象
物を検知する応答速度の速い高周波発振型近接ス
イツチに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a proximity switch, and particularly to a high-frequency oscillation type proximity switch with a fast response speed for detecting an object to be detected.
高周波発振型近接スイツチは検出ヘツド内に検
出コイルを収納し、この検出コイルを発振コイル
として用いて発振回路を構成し、この回路の出力
の低下により検出対象物を検知している。この際
に、検知に要する時間である応答速度は検出コイ
ルの形状、巻数値等により変化し、発振回路の発
振開始所要時間と発振停止所要時間の和とみなせ
る。そして通常、発振開始所要時間は発振停止所
要時間と比較し極めて長い。また、検出距離を伸
長するために検出コイルの形状を大きくすると、
それに比例して応答速度は遅くなる。それゆえ検
出対象物が高速で移動している場合には、検出が
できないという問題点があつた。したがつて従来
から検出距離が長く取れ、しかも応答速度が速い
近接スイツチの実現が課題とされていた。
A high frequency oscillation type proximity switch houses a detection coil in a detection head, uses this detection coil as an oscillation coil to constitute an oscillation circuit, and detects an object to be detected by a decrease in the output of this circuit. At this time, the response speed, which is the time required for detection, changes depending on the shape of the detection coil, the number of turns, etc., and can be regarded as the sum of the time required to start oscillation and the time required to stop oscillation of the oscillation circuit. Usually, the time required to start oscillation is extremely long compared to the time required to stop oscillation. Also, if the shape of the detection coil is enlarged to extend the detection distance,
The response speed becomes slower in proportion to this. Therefore, there is a problem in that if the object to be detected is moving at high speed, it cannot be detected. Therefore, the challenge has been to create a proximity switch that has a long detection distance and a fast response speed.
この課題を解決する提案がいくつかなされてい
る。まず、実開昭60−145742号公報に開示されて
いる第１の技術がある。この技術は発振回路に発
振出力の低下を検出するシユミツト回路を設け、
この回路の出力により発振回路に設けられた発振
状態調整用抵抗の抵抗値を変化させ、検出対象物
の近接により発振出力が低下して検知信号を出力
した後、さらに検出対象物が近接しても近接スイ
ツチから所定の位置までは、小さな振幅で発振が
継続するようにしている。 Several proposals have been made to solve this problem. First, there is a first technique disclosed in Japanese Utility Model Application Publication No. 60-145742. This technology includes a Schmitt circuit in the oscillation circuit that detects a drop in oscillation output.
The output of this circuit changes the resistance value of the oscillation state adjustment resistor provided in the oscillation circuit, and when the detection target approaches, the oscillation output decreases and a detection signal is output, and then the detection target approaches further. The oscillation continues with a small amplitude from the proximity switch to a predetermined position.
次に、特開昭61−35619、32620、35621、
35622、35623号公報に開示されている第２の技術
がある。この技術は発振回路の出力の低下により
比較回路を動作させ、この回路の出力によつて電
流ミラー回路を動作させる。そして、検出対象物
の近接により発振出力が低下して検知信号を出力
した後、さらに検出対象物が近接を継続しても発
振が停止せず、低レベルで発振が継続される。 Next, JP-A-61-35619, 32620, 35621,
There is a second technique disclosed in Publications Nos. 35622 and 35623. In this technique, a comparator circuit is operated by a drop in the output of an oscillation circuit, and a current mirror circuit is operated by the output of this circuit. Then, after the oscillation output decreases due to the proximity of the object to be detected and a detection signal is output, even if the object to be detected continues to approach, the oscillation does not stop and continues to oscillate at a low level.
ところがこれら２つの技術には、以下に述べる
ような問題点があつた。上記２つの技術とも、検
出対象物が近接し発振振幅が小さくなると、より
小さな振幅で発振を継続させるように作用する。
それゆえ、動作安定、耐ノイズの目的でなされる
ヒステリシスと反対の動作を行う。すなわち、ヒ
ステリシスとは動作開始、終了時の動作点を安定
させるために設けられた、動作開始、終了時の動
作レベルの差異のことである。よつて、動作開
始、終了レベルが同一であるとそのレベルにおい
て動作の不安定を招来する。上記２つの技術では
このヒステリシスを消滅させる方向に動作するた
め、動作安定性が悪くノイズの影響を受けやすい
という問題点がある。
However, these two techniques have the following problems. Both of the above two techniques work to continue oscillation with a smaller amplitude when the object to be detected approaches and the oscillation amplitude becomes smaller.
Therefore, the operation is opposite to the hysteresis that is performed for the purpose of stable operation and noise resistance. That is, hysteresis is a difference between the operating levels at the start and end of an operation, which is provided to stabilize the operating points at the start and end of the operation. Therefore, if the operation start and end levels are the same, the operation will become unstable at that level. Since the above two techniques operate in a direction to eliminate this hysteresis, there is a problem in that the operation stability is poor and they are easily affected by noise.
この発明は上記問題点に鑑みてなされたもので
あり、応答速度が速く動作安定性に優れ、かつノ
イズの影響を受けにくい高周波発振型近接スイツ
チの提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a high-frequency oscillation type proximity switch that has a fast response speed, excellent operational stability, and is less susceptible to noise.
上記問題点を解決し、この目的を達成するため
の具体的手段は、発振電流の一部を帰還させる電
流帰還型発振回路の出力低下により検出対象物の
検知を行う近接スイツチにおいて、前記電流帰還
型発振回路に、共振回路と、この共振回路への帰
還電流を出力する電流ミラー回路と、前記帰還電
流を断続的に増大または減少させるスイツチング
素子を具備したことである。
A specific means for solving the above problems and achieving this objective is to detect an object to be detected by reducing the output of a current feedback type oscillator circuit that feeds back a part of the oscillation current. The type oscillation circuit is provided with a resonant circuit, a current mirror circuit that outputs a feedback current to the resonant circuit, and a switching element that intermittently increases or decreases the feedback current.
この発明は前述のような手段を採つたので、次
のような作用がもたらされる。検出対象物が近接
すると、電流帰還型発振回路の共振回路による発
振出力が低下する。この低下を受けて、電流ミラ
ー回路から出力される帰還電流も小さくなる。検
出対象物が次第に近接し、発振出力が検出レベル
を下回ると検知信号が出力される。さらに検出対
象物が近接すると発振出力は徐々に減少し、最後
には発振が停止される。スイツチング素子は断続
的に帰還電流を増大または減少している。
Since this invention employs the above-mentioned means, the following effects are brought about. When the object to be detected approaches, the oscillation output by the resonant circuit of the current feedback oscillation circuit decreases. In response to this decrease, the feedback current output from the current mirror circuit also decreases. When the object to be detected gradually approaches and the oscillation output falls below the detection level, a detection signal is output. Further, as the object to be detected approaches, the oscillation output gradually decreases, and finally the oscillation is stopped. The switching element intermittently increases or decreases the feedback current.
このスイツチング素子が動作状態の期間に、帰
還電流が減少する場合について述べる。この動作
状態以外の期間は共振回路への帰還電流の総和は
増大する。したがつて、発振出力が停止されても
断続的に帰還電流が共振回路へ流れこみ、共振回
路は発振の立ち上がりを生起する。この際に、検
出対象物が依然として近接していて共振回路の発
振が停止した状態であると、発振は速やかに減衰
する。また検出対象物が離間しつつある場合に
は、この発振の立ち上がりを受けて共振回路の発
振速度が速まり、発振開始所要時間は短縮され
る。 A case will be described in which the feedback current decreases while the switching element is in the operating state. During periods other than this operating state, the total feedback current to the resonant circuit increases. Therefore, even if the oscillation output is stopped, the feedback current intermittently flows into the resonant circuit, causing the resonant circuit to start oscillating. At this time, if the object to be detected is still close and the oscillation of the resonant circuit has stopped, the oscillation will quickly attenuate. Furthermore, when the object to be detected is moving away, the oscillation speed of the resonant circuit increases in response to the rise of this oscillation, and the time required to start oscillation is shortened.
次に、スイツチング素子が動作状態の期間に帰
還電流が増大する場合について述べる。上記と反
対に、この動作状態以外の期間は共振回路への帰
還電流の総和は減少する。したがつて、検出対象
物が近接して来て共振回路の発振が停止しつつあ
る状態であると、発振は速やかに減衰する。 Next, a case will be described in which the feedback current increases while the switching element is in the operating state. Contrary to the above, the total feedback current to the resonant circuit decreases during periods other than this operating state. Therefore, if the object to be detected approaches and the resonant circuit is about to stop oscillating, the oscillation will quickly attenuate.
この発明を、以下１実施例に基づいて詳細に説
明する。第１図に示すように、この実施例に係る
近接スイツチの発振回路は定電流源１に直流電源
２を介して、コイルＬとコンデンサＣからなる共
振回路３が接続されている。また、定電流源１に
はトランジスタTr1のベースも接続されている。
このトランジスタTr1のエミツタは、コレクタ電
流を定める抵抗Reを介して接地されるとともに、
検出信号を伝達するOUT端子に接続されている。
またコレクタは、トランジスタTr2，Tr3，Tr4か
らなる電流ミラー回路４に接続されている。トラ
ンジスタTr3，Tr4のコレクタ間にはダイオード
Ｄが接続され、トランジスタTr4のコレクタには
スイツチング素子であるトランジスタTr5のコレ
クタが接続されている。このトランジスタTr5の
エミツタは接地され、ベースは端子５に接続され
ている。
This invention will be explained in detail below based on one embodiment. As shown in FIG. 1, in the oscillation circuit of the proximity switch according to this embodiment, a resonant circuit 3 consisting of a coil L and a capacitor C is connected to a constant current source 1 via a DC power source 2. Further, the base of the transistor Tr 1 is also connected to the constant current source 1 .
The emitter of this transistor Tr 1 is grounded via a resistor R e that determines the collector current, and
Connected to the OUT terminal that transmits the detection signal.
The collector is also connected to a current mirror circuit 4 made up of transistors Tr 2 , Tr 3 , and Tr 4 . A diode D is connected between the collectors of the transistors Tr 3 and Tr 4 , and the collector of the transistor Tr 5 , which is a switching element, is connected to the collector of the transistor Tr 4 . The emitter of this transistor Tr 5 is grounded, and the base is connected to the terminal 5.
この発振回路の動作について説明する。定電流
源１から直流電源２を経由して共振回路３に電流
が供給される。共振回路３によつて得られる電流
値がトランジスタTr1により電流増幅され、トラ
ンジスタTr1のコレクタ電流I0と各々の電流値の
総和が同一である帰還電流I1，I2が、電流ミラー
回路４によりトランジスタTr3，Tr4を経由して
共振回路３に電流帰還される。したがつて電流正
帰還がかけられるため、共振回路３の共振周波数
によつて発振が開始される。 The operation of this oscillation circuit will be explained. Current is supplied from a constant current source 1 to a resonant circuit 3 via a DC power supply 2. The current value obtained by the resonant circuit 3 is current-amplified by the transistor Tr 1 , and the feedback currents I 1 and I 2 whose sum of each current value is the same as the collector current I 0 of the transistor Tr 1 are formed in a current mirror circuit. 4, the current is fed back to the resonant circuit 3 via the transistors Tr 3 and Tr 4 . Therefore, since positive current feedback is applied, oscillation is started at the resonant frequency of the resonant circuit 3.
なお、抵抗Reは検出距離を設定するために設
けられ、小さな抵抗値に設定するとコレクタ電流
I0、すなわち帰還電流の総和（I1＋I2）が大きく
なる。それゆえ発振振幅が大きくなり、検出対象
物がより近接していないと検出不可能となる。当
然、抵抗Reの抵抗値を大きな値に設定すると検
出距離は長くなる。帰還電流I1，I2の電流値の比
は、トランジスタTr3，Tr4の面積比によつて所
望の値に設定し得る。トランジスタTr5がオン状
態であると帰還電流はI1のみとなり、オフ状態で
あると帰還電流はI1＋I2となる。 Note that the resistor R e is provided to set the detection distance, and if it is set to a small resistance value, the collector current will decrease.
I 0 , that is, the sum of feedback currents (I 1 +I 2 ) increases. Therefore, the oscillation amplitude increases, and detection becomes impossible unless the object to be detected is closer. Naturally, if the resistance value of the resistor R e is set to a large value, the detection distance will become longer. The ratio of the current values of the feedback currents I 1 and I 2 can be set to a desired value by the area ratio of the transistors Tr 3 and Tr 4 . When the transistor Tr 5 is on, the feedback current is only I 1 , and when it is off, the feedback current is I 1 +I 2 .
この発振回路において、端子５を介してトラン
ジスタTr5のベースに、第２図ａに示すように、
デユーテイ比の小さな負のパルスｐを付与する
と、トランジスタTr5はこの付与期間だけオフ状
態に移行する。するとオン状態の時にはI1のみで
あつた帰還電流が、I1＋I2となり共振回路３の発
振振幅は増大する。このように、周期的に共振回
路３の発振振幅は増大される。同図ｂに示すよう
に、共振回路３の発振が飽和している場合Ａに
は、周期的に発振振幅が増大されても何の影響も
生じない。発振停止の状態Ｂでは、パルスｐによ
り周期的に発振が立ち上がろうとした後速やかに
減衰する。この立ち上がりによる出力信号は、
OUT端子に接続された積分回路（図示省略）に
おいて積分され、その影響が除去されるので何等
検出動作に影響しない。 In this oscillator circuit, the terminal 5 is connected to the base of the transistor Tr 5 as shown in FIG. 2a.
When a negative pulse p with a small duty ratio is applied, the transistor Tr 5 is turned off for only this application period. Then, the feedback current, which was only I 1 in the on state, becomes I 1 +I 2 and the oscillation amplitude of the resonant circuit 3 increases. In this way, the oscillation amplitude of the resonant circuit 3 is increased periodically. As shown in FIG. 5B, in case A when the oscillation of the resonant circuit 3 is saturated, no effect occurs even if the oscillation amplitude is increased periodically. In state B where oscillation is stopped, oscillation attempts to rise periodically due to pulse p and then quickly attenuates. The output signal due to this rise is
It is integrated in an integrating circuit (not shown) connected to the OUT terminal, and its influence is removed, so it does not affect the detection operation in any way.
しかし検出対象物が離間しつつあり、共振回路
３が発振を開始しようとしている場合Ｃ（第２図
ｂ参照）には、トランジスタTr5のオフ状態の期
間中、発振振幅の増大化の傾斜ｓが急峻になる。
したがつて、発振開始から発振飽和に至る時間
（発振開始所要時間）が極めて短縮される。反対
に検出対象物が近接しつつあり、共振回路３が発
振を停止しようとしている場合Ｄ（同図ｂ参照）
には、トランジスタTr5のオフ状態の期間中、発
振の停止を妨害する作用をする。したがつて、発
振飽和から発振停止に至る時間（発振停止所要時
間）は僅かに延長されるが、上記発振開始所要時
間の短縮時間の方がこの発振停止所要時間の延長
時間より遥かに長いので、総体的にこの実施例に
係る発振回路を用いた近接スイツチの応答速度は
速くなる。 However, when the object to be detected is moving away and the resonant circuit 3 is about to start oscillating (see FIG. 2b), the slope s of increase in the oscillation amplitude during the off-state of the transistor Tr 5 . becomes steep.
Therefore, the time from the start of oscillation to oscillation saturation (the time required to start oscillation) is extremely shortened. On the other hand, when the object to be detected is approaching and the resonant circuit 3 is about to stop oscillating, D (see b in the same figure).
During the off-state period of the transistor Tr5 , it acts to prevent the oscillation from stopping. Therefore, the time from oscillation saturation to oscillation stop (oscillation stop time) is slightly extended, but the above-mentioned reduction in the oscillation start time is much longer than the extension of the oscillation stop time. Overall, the response speed of the proximity switch using the oscillation circuit according to this embodiment is faster.
この実施例においては、電流ミラー回路４の帰
還電流の大きさを周期的に変化させることにより
近接スイツチの応答速度を速めたが、次のように
しても良い。第３図に示すように、電流ミラー回
路４ａをトランジスタTr2，Tr3で構成するとと
もに、検出距離を設定するための抵抗Reを抵抗
Re1および抵抗Re2とに分割し、抵抗Re2の両端に
並列にスイツチング素子であるトランジスタTr5
を接続する。このような構成にすると、トランジ
スタTr5がオン状態になると抵抗Reの抵抗値が小
さくなり、前述のように共振回路３の発振振幅は
大きくなる。逆にオフ状態になると発振振幅は小
さくなる。したがつて上記実施例と同様な作用が
もたらされる。 In this embodiment, the response speed of the proximity switch is increased by periodically changing the magnitude of the feedback current of the current mirror circuit 4, but the following method may also be used. As shown in Fig. 3, the current mirror circuit 4a is composed of transistors Tr 2 and Tr 3 , and the resistor R e for setting the detection distance is a resistor.
A transistor Tr5 , which is a switching element, is connected in parallel to both ends of the resistor R e2 .
Connect. With this configuration, when the transistor Tr 5 is turned on, the resistance value of the resistor Re decreases, and the oscillation amplitude of the resonant circuit 3 increases as described above. Conversely, when it is in the off state, the oscillation amplitude becomes smaller. Therefore, the same effect as in the above embodiment is achieved.
また他の実施例として、第４図に示すように、
スイツチング素子であるトランジスタTr5のエミ
ツタを＋Vcc端子に接続し、コレクタを抵抗R1を
介して共振回路３に接続する。さすればトランジ
スタTr5がオン状態になると、共振回路３に周期
的に電流衝撃が付与される。すなわち周期的に帰
還電流が増加するので、上記実施例と同様な作用
がもたらされる。 As another example, as shown in FIG.
The emitter of the transistor Tr5 , which is a switching element, is connected to the + Vcc terminal, and the collector is connected to the resonant circuit 3 via the resistor R1 . Then, when the transistor Tr 5 is turned on, a current shock is periodically applied to the resonant circuit 3. That is, since the feedback current increases periodically, the same effect as in the above embodiment is brought about.
これら３つの実施例のスイツチング素子である
トランジスタTr5に接続された端子５に、上記実
施例と反対にデユーテイ比の小さな正のパルスを
付与しても良い。すると電流ミラー回路の帰還電
流を周期的に減少させ、発振停止を速めるような
作用がもたらされる。したがつて、検出対象物が
近接して来て共振回路３の発振が停止しつつある
状態であると発振は速やかに減衰し、検出対象物
の近接に対する応答速度が速くなる。 In contrast to the above embodiments, a positive pulse with a small duty ratio may be applied to the terminal 5 connected to the transistor Tr 5 , which is the switching element in these three embodiments. This brings about the effect of periodically reducing the feedback current of the current mirror circuit and speeding up the stopping of oscillation. Therefore, if the object to be detected approaches and the oscillation of the resonant circuit 3 is about to stop, the oscillation will quickly attenuate and the response speed to the proximity of the object to be detected will become faster.
この実施例と上記３つの実施例を組み合わせた
発振回路を構成すれば、発振飽和の状態ではダン
プし発振停止の状態では励起することにより、よ
り一層近接スイツチの応答速度を速めることが可
能である。なおこのような回路構成にした際に
は、チヤタリング防止のために発振状態の変化期
間中は動作しないようにしておくことが肝要であ
る。 By configuring an oscillation circuit that combines this embodiment and the above three embodiments, it is possible to further speed up the response speed of the proximity switch by dumping when the oscillation is saturated and excitation when the oscillation is stopped. . When adopting such a circuit configuration, it is important to prevent the circuit from operating during the period when the oscillation state is changing in order to prevent chattering.
以上の説明から明らかなように、この発明は、
発振電流の一部を帰還させる電流帰還型発振回路
の出力低下により検出対象物の検知を行う近接ス
イツチにおいて、前記電流帰還型発振回路に、共
振回路と、この共振回路への帰還電流を出力する
電流ミラー回路と、前記帰還電流を断続的に増大
または減少させるスイツチング素子を具備したの
で、検出距離を伸長するために検出コイルを大型
化しても応答速度を速めることができる。近接ス
イツチのIC化の際に高速応答のPNPトランジス
タを用いなくとも良いので、通常のバイポーラ
Ｃ・MOS技術によりIC化ができる。また、温度
特性が良いので温度変化に強い。さらに動作レベ
ルにヒステリシスを付与しているので、ノイズの
影響を受けず動作安定性が良い。
As is clear from the above explanation, this invention
In a proximity switch that detects an object by reducing the output of a current feedback oscillation circuit that feeds back a part of the oscillation current, a resonant circuit and a feedback current to the resonant circuit are output to the current feedback oscillation circuit. Since a current mirror circuit and a switching element that intermittently increases or decreases the feedback current are provided, the response speed can be increased even if the detection coil is enlarged to extend the detection distance. When converting the proximity switch into an IC, there is no need to use a high-speed response PNP transistor, so it can be converted into an IC using normal bipolar C/MOS technology. It also has good temperature characteristics and is resistant to temperature changes. Furthermore, since hysteresis is added to the operating level, it is not affected by noise and has good operating stability.
第１図はこの発明に係る近接スイツチの１実施
例の回路図、第２図はこの実施例の動作説明図、
第３図および第４図は他の実施例の回路図であ
る。
３…共振回路、４，４ａ…電流ミラー回路、Ｌ
…検出コイル、Ｃ…コンデンサ、Re，Re1，Re2
…抵抗、Tr2，Tr3，Tr4…トランジスタ、Tr5…
トランジスタ（スイツチング素子）、I1，I2…帰
還電流。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a proximity switch according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of this embodiment,
3 and 4 are circuit diagrams of other embodiments. 3... Resonant circuit, 4, 4a... Current mirror circuit, L
...detection coil, C...capacitor, R e , R e1 , R e2
…Resistor, Tr 2 , Tr 3 , Tr 4 … Transistor, Tr 5 …
Transistor (switching element), I 1 , I 2 ... feedback current.
Claims (1)
回路の出力低下により検出対象物の検知を行う近
接スイツチにおいて、 前記電流帰還型発振回路が、 共振回路と、 この共振回路への帰還電流を出力する電流ミラ
ー回路と、 前記帰還電流を断続的に増大または減少させる
スイツチング素子とを具備し、 前記スイツチング素子にデイーテイ比の小さな
負のパルスを一定周期毎に付与することを特徴と
する近接スイツチ。[Scope of Claims] 1. In a proximity switch that detects an object by reducing the output of a current feedback oscillation circuit that feeds back a part of the oscillation current, the current feedback oscillation circuit includes a resonant circuit; a current mirror circuit that outputs a feedback current to the feedback current; and a switching element that intermittently increases or decreases the feedback current, and applies a negative pulse with a small duty ratio to the switching element at regular intervals. Features a proximity switch.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166353A JPS6320914A (en) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | Proximity switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166353A JPS6320914A (en) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | Proximity switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320914A JPS6320914A (en) | 1988-01-28 |
| JPH0523649B2 true JPH0523649B2 (en) | 1993-04-05 |
Family
ID=15829807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166353A Granted JPS6320914A (en) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | Proximity switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320914A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157636A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | Proximity switch circuit |
| JPS6135619A (en) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Omron Tateisi Electronics Co | Proximity switch |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP61166353A patent/JPS6320914A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157636A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | Proximity switch circuit |
| JPS6135619A (en) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Omron Tateisi Electronics Co | Proximity switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320914A (en) | 1988-01-28 |
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