JPH05235550A - 低誘電率ガラスセラミック多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
低誘電率ガラスセラミック多層配線基板およびその製造方法Info
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- JPH05235550A JPH05235550A JP3354792A JP3354792A JPH05235550A JP H05235550 A JPH05235550 A JP H05235550A JP 3354792 A JP3354792 A JP 3354792A JP 3354792 A JP3354792 A JP 3354792A JP H05235550 A JPH05235550 A JP H05235550A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低誘電率ガラスセラミック多層配線基板の表
面にメッキを施したり、Ｉ／Ｏピンをろう付けする際に
発生していたクラックを防止し、しかも信号伝搬特性を
損ねることなく信頼性の高いガラスセラミック多層配線
基板を得る。 【構成】 ドクターブレード法で得た比誘電率の異なる
２種のグリーンシートにスクリーン印刷法でメタライズ
した後、低誘電率のセラミック層を内層部に、また機械
的強度の比較的高い高誘電率のセラミック層を基板の表
裏両外層部に積層して焼成したサンドイッチ構造となっ
ている。
面にメッキを施したり、Ｉ／Ｏピンをろう付けする際に
発生していたクラックを防止し、しかも信号伝搬特性を
損ねることなく信頼性の高いガラスセラミック多層配線
基板を得る。 【構成】 ドクターブレード法で得た比誘電率の異なる
２種のグリーンシートにスクリーン印刷法でメタライズ
した後、低誘電率のセラミック層を内層部に、また機械
的強度の比較的高い高誘電率のセラミック層を基板の表
裏両外層部に積層して焼成したサンドイッチ構造となっ
ている。
Description
【０００１】
【従来の技術】従来、この種の低誘電率ガラスセラミッ
ク多層配線基板は、図２に示すような断面構造を有して
おり、低誘電率材料より成るセラミック層１１と、低抵
抗かつ低融点金属（例えば、金、銀、銀パラジウム、銅
等）によるヴィアホール部１２、および配線パターン１
３より構成されていた。
ク多層配線基板は、図２に示すような断面構造を有して
おり、低誘電率材料より成るセラミック層１１と、低抵
抗かつ低融点金属（例えば、金、銀、銀パラジウム、銅
等）によるヴィアホール部１２、および配線パターン１
３より構成されていた。
【０００２】このような低誘電率ガラスセラミック多層
配線基板の製造方法は、まず、ホウケイ酸系ガラスを５
０〜７０ｗｔ％，コーディエライト系を１５〜３０ｗｔ
％，石英ガラスを１０〜２０ｗｔ％混合した粉末を、ブ
チラール系バインダー及び有機溶剤と共に混合攪拌して
スラリー状にし、これをキャリアフィルム上に、ドクタ
ーブレード法により所定の膜厚となるようキャスティン
グし、乾燥させてグリーンシートとなし、こうして得ら
れたグリーンシートに、パンチとダイスを使って、所定
のピッチにスルーホールを作孔して、ヴィアホール部１
２を形成し、次に、前記ヴィアホール部１２に、低融点
金属からなる導体ペーストをスクリーン印刷法により埋
め込み、また、このとき同様にして、配線パターン１３
を厚膜印刷し、以上のようにして、グリーンシート上に
メタライズを施した後、これらのシートを予め定められ
た順序に従って、所定の枚数を精度良く積層して熱圧着
後、約９００℃で焼成することにより低誘電率ガラスセ
ラミック多層配線基板を得た。
配線基板の製造方法は、まず、ホウケイ酸系ガラスを５
０〜７０ｗｔ％，コーディエライト系を１５〜３０ｗｔ
％，石英ガラスを１０〜２０ｗｔ％混合した粉末を、ブ
チラール系バインダー及び有機溶剤と共に混合攪拌して
スラリー状にし、これをキャリアフィルム上に、ドクタ
ーブレード法により所定の膜厚となるようキャスティン
グし、乾燥させてグリーンシートとなし、こうして得ら
れたグリーンシートに、パンチとダイスを使って、所定
のピッチにスルーホールを作孔して、ヴィアホール部１
２を形成し、次に、前記ヴィアホール部１２に、低融点
金属からなる導体ペーストをスクリーン印刷法により埋
め込み、また、このとき同様にして、配線パターン１３
を厚膜印刷し、以上のようにして、グリーンシート上に
メタライズを施した後、これらのシートを予め定められ
た順序に従って、所定の枚数を精度良く積層して熱圧着
後、約９００℃で焼成することにより低誘電率ガラスセ
ラミック多層配線基板を得た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の低誘電
率ガラスセラミック多層配線基板においては、半導体素
子を実装するための基板の材料としてのガラスセラミッ
クの誘電率が、信号の高速化に対して重要なパラメータ
となり、信号の伝搬速度νと材料の比誘電率εrとの間
に成り立つ次の関係 ν＝ｃ／（εr）1/2 （ここでｃは光速をあ
らわす）によって、比誘電率εr が小なるほど信号の伝
搬速度νが大となって有利であるが、他方基板の機械的
強度は図４に示すように、ガラスセラミック基板の比誘
電率が小なる程その機械的強度が低下して、アルミナを
主成分とした基板に対して２０〜７０％の強度を有する
に過ぎない。そのため、後工程で基板表面に高密度の微
細配線を形成したときに、メッキ応力によってクラック
が発生したり、基板裏面にろう付けするＩ／Ｏピンの接
着部の強度の劣下を招いて、基板の信頼性が低いという
欠点がある。
率ガラスセラミック多層配線基板においては、半導体素
子を実装するための基板の材料としてのガラスセラミッ
クの誘電率が、信号の高速化に対して重要なパラメータ
となり、信号の伝搬速度νと材料の比誘電率εrとの間
に成り立つ次の関係 ν＝ｃ／（εr）1/2 （ここでｃは光速をあ
らわす）によって、比誘電率εr が小なるほど信号の伝
搬速度νが大となって有利であるが、他方基板の機械的
強度は図４に示すように、ガラスセラミック基板の比誘
電率が小なる程その機械的強度が低下して、アルミナを
主成分とした基板に対して２０〜７０％の強度を有する
に過ぎない。そのため、後工程で基板表面に高密度の微
細配線を形成したときに、メッキ応力によってクラック
が発生したり、基板裏面にろう付けするＩ／Ｏピンの接
着部の強度の劣下を招いて、基板の信頼性が低いという
欠点がある。
【０００４】本発明の目的は、機械的強度がアルミナを
主成分としたセラミック多層配線基板と同等の強度を有
し、かつアルミナを主成分とする基板より比誘電率の低
い新規な低誘電率ガラスセラミック多層配線基板および
その製造方法を提供することにある。
主成分としたセラミック多層配線基板と同等の強度を有
し、かつアルミナを主成分とする基板より比誘電率の低
い新規な低誘電率ガラスセラミック多層配線基板および
その製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の低誘電率ガラス
セラミック多層配線基板は、少なくとも２種類以上の誘
電率の異なるセラミックグリーンシートからなるガラス
セラミック層を含むことを特徴とし、外層部に高誘電率
ガラスセラミック層を有し、内層部に複数の低誘電率ガ
ラスセラミック層が積層されてサンドイッチ構造をなす
ことが好ましい。
セラミック多層配線基板は、少なくとも２種類以上の誘
電率の異なるセラミックグリーンシートからなるガラス
セラミック層を含むことを特徴とし、外層部に高誘電率
ガラスセラミック層を有し、内層部に複数の低誘電率ガ
ラスセラミック層が積層されてサンドイッチ構造をなす
ことが好ましい。
【０００６】本発明の低誘電率ガラスセラミック多層配
線基板の製造方法は、アルミナ５５ｗｔ％，ホウケイ酸
系ガラス４５％ｗｔ％の混合粉末に、ブチラール系バイ
ンダーおよび有機溶剤を混合攪拌して得られるスラリー
を、キャスティングして所定の膜厚の高誘電率ガラスセ
ラミックグリーンシートとし、ホウケイ酸系ガラス５０
〜７０ｗｔ％，コーディエライト系１５〜３０ｗｔ％，
石英ガラス１５〜２０ｗｔ％の混合粉末に、ブチラール
系バインダーおよび有機溶剤を混合攪拌して得られるス
ラリーを、キャスティングして所定の膜厚の低誘電率ガ
ラスセラミックグリーンシートとし、前記高誘電率およ
び低誘電率ガラスセラミックグリーンシートに所定のピ
ッチでスルーホールを形成し、該スルーホールに銀粉８
５ｗｔ％，パラジウム粉１５ｗｔ％から成る導体ペース
トを充填し、かつ低誘電率ガラスセラミックグリーンシ
ートには、配線パターンを形成するため前記導体ペース
トを厚膜印刷し、これら誘電率の異なる各ガラスセラミ
ックグリーンシートからなるガラスセラミック層を、あ
らかじめ定められた順序および枚数で積層して多層化
し、該多層化されたガラスセラミック層を約１１０℃で
熱圧着し、さらに約５００℃の非還元性雰囲気中で約１
０時間保持し、約９００℃で１時間大気中で焼成してガ
ラスセラミック多層配線基板とし、該ガラスセラミック
多層配線基板の外形を所定の大きさに切断し、表裏両面
を研削加工して得られ、のぞましい態様としては、外層
部に高誘電率ガラスセラミック層を積層し、内層部に複
数の低誘電率ガラスセラミック層を積層してサンドイッ
チ構造とする。
線基板の製造方法は、アルミナ５５ｗｔ％，ホウケイ酸
系ガラス４５％ｗｔ％の混合粉末に、ブチラール系バイ
ンダーおよび有機溶剤を混合攪拌して得られるスラリー
を、キャスティングして所定の膜厚の高誘電率ガラスセ
ラミックグリーンシートとし、ホウケイ酸系ガラス５０
〜７０ｗｔ％，コーディエライト系１５〜３０ｗｔ％，
石英ガラス１５〜２０ｗｔ％の混合粉末に、ブチラール
系バインダーおよび有機溶剤を混合攪拌して得られるス
ラリーを、キャスティングして所定の膜厚の低誘電率ガ
ラスセラミックグリーンシートとし、前記高誘電率およ
び低誘電率ガラスセラミックグリーンシートに所定のピ
ッチでスルーホールを形成し、該スルーホールに銀粉８
５ｗｔ％，パラジウム粉１５ｗｔ％から成る導体ペース
トを充填し、かつ低誘電率ガラスセラミックグリーンシ
ートには、配線パターンを形成するため前記導体ペース
トを厚膜印刷し、これら誘電率の異なる各ガラスセラミ
ックグリーンシートからなるガラスセラミック層を、あ
らかじめ定められた順序および枚数で積層して多層化
し、該多層化されたガラスセラミック層を約１１０℃で
熱圧着し、さらに約５００℃の非還元性雰囲気中で約１
０時間保持し、約９００℃で１時間大気中で焼成してガ
ラスセラミック多層配線基板とし、該ガラスセラミック
多層配線基板の外形を所定の大きさに切断し、表裏両面
を研削加工して得られ、のぞましい態様としては、外層
部に高誘電率ガラスセラミック層を積層し、内層部に複
数の低誘電率ガラスセラミック層を積層してサンドイッ
チ構造とする。
【０００７】
【作用】内層部に複数の低誘電率ガラスセラミック層を
積層し、その外層部に機械的強度の高いアルミナを主成
分とする高誘電率ガラスセラミック層を積層してサンド
イッチ構造としたため、内層部の低誘電率ガラスセラミ
ック層に設けられた回路の配線パターンが、信号の伝搬
速度を損われることなく、しかも機械的強度の勝れた外
層部によって、基板表面に形成された微細配線のメッキ
応力で発生するクラックや、基板表面にろう付けされる
Ｉ／Ｏピンの接着部の強度の劣下が防止される。
積層し、その外層部に機械的強度の高いアルミナを主成
分とする高誘電率ガラスセラミック層を積層してサンド
イッチ構造としたため、内層部の低誘電率ガラスセラミ
ック層に設けられた回路の配線パターンが、信号の伝搬
速度を損われることなく、しかも機械的強度の勝れた外
層部によって、基板表面に形成された微細配線のメッキ
応力で発生するクラックや、基板表面にろう付けされる
Ｉ／Ｏピンの接着部の強度の劣下が防止される。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明のガラスセラミック多層配線
基板の一実施例の縦断面図である。このガラスセラミッ
ク多層配線基板は、内層部Ｂに３層よりなる低誘電率の
セラミック層１と、低融点かつ低抵抗の導体金属（例え
ば、金、銀、銀パラジウム、銅など）によるヴィアホー
ル部２および配線パターン部３により構成されている。
また、基板の外層部Ａは、機械的強度に優れた高誘電率
材料のセラミック層４、および内層部Ｂに使用したのと
同様の導体金属より成るヴィアホール部２から構成され
ている。ヴィアホール部２は各層に作孔されたスルーホ
ールで形成される。
基板の一実施例の縦断面図である。このガラスセラミッ
ク多層配線基板は、内層部Ｂに３層よりなる低誘電率の
セラミック層１と、低融点かつ低抵抗の導体金属（例え
ば、金、銀、銀パラジウム、銅など）によるヴィアホー
ル部２および配線パターン部３により構成されている。
また、基板の外層部Ａは、機械的強度に優れた高誘電率
材料のセラミック層４、および内層部Ｂに使用したのと
同様の導体金属より成るヴィアホール部２から構成され
ている。ヴィアホール部２は各層に作孔されたスルーホ
ールで形成される。
【００１０】次に、製造方法を詳細に説明する。図３
は、本発明のガラスセラミック多層配線基板の製造工程
を示す工程図である。このガラスセラミック多層配線基
板の製造工程は、グリーンシート成膜工程Ｐｌａ・Ｐｌ
ｂ，スルーホール形成工程Ｐ２，ヴィアホール及び配線
パターン印刷工程Ｐ３，積層工程Ｐ４，熱圧着工程Ｐ
５，焼成工程Ｐ６，外形切断工程Ｐ７，研削工程Ｐ８か
ら成っている。３層よりなる内層部の低誘電率のセラミ
ック材料には、従来の技術による基板と同様に、ホウケ
イ酸系ガラスを５０〜７０ｗｔ％，コーディエライト系
を１５〜３０ｗｔ％，石英ガラスを１５〜２０ｗｔ％混
合した粉末を使用する。これにブチラール系バインダー
および有機溶剤を混合攪拌してスラリー状にした後、こ
れをドクターブレード法によりキャスティングし、所定
の膜厚のグリーンシートを得る。
は、本発明のガラスセラミック多層配線基板の製造工程
を示す工程図である。このガラスセラミック多層配線基
板の製造工程は、グリーンシート成膜工程Ｐｌａ・Ｐｌ
ｂ，スルーホール形成工程Ｐ２，ヴィアホール及び配線
パターン印刷工程Ｐ３，積層工程Ｐ４，熱圧着工程Ｐ
５，焼成工程Ｐ６，外形切断工程Ｐ７，研削工程Ｐ８か
ら成っている。３層よりなる内層部の低誘電率のセラミ
ック材料には、従来の技術による基板と同様に、ホウケ
イ酸系ガラスを５０〜７０ｗｔ％，コーディエライト系
を１５〜３０ｗｔ％，石英ガラスを１５〜２０ｗｔ％混
合した粉末を使用する。これにブチラール系バインダー
および有機溶剤を混合攪拌してスラリー状にした後、こ
れをドクターブレード法によりキャスティングし、所定
の膜厚のグリーンシートを得る。
【００１１】また別に、機械的強度の勝れた高誘電率の
セラミック材料としては、アルミナが５５ｗｔ％，ホウ
ケイ酸系ガラスを４５ｗｔ％の混合無機粉末を使用す
る。これにブチラール系バインダーおよび有機溶剤を混
合攪拌しスラリーを得る。これを低誘電率セラミック材
料の場合と同様に、ドクターブレード法によりキャステ
ィングして所定膜厚のグリーンシートを得る。
セラミック材料としては、アルミナが５５ｗｔ％，ホウ
ケイ酸系ガラスを４５ｗｔ％の混合無機粉末を使用す
る。これにブチラール系バインダーおよび有機溶剤を混
合攪拌しスラリーを得る。これを低誘電率セラミック材
料の場合と同様に、ドクターブレード法によりキャステ
ィングして所定膜厚のグリーンシートを得る。
【００１２】こうして得られた誘電率の異なる２種のグ
リーンシートに、それぞれパンチとダイスを使って、所
定のピッチに直径約３００μｍのスルーホールを形成す
る。次に、スクリーン印刷法により、前記スルーホール
に導体ペーストを充填する。また、同様のスクリーン印
刷法により、信号伝搬速度の勝れた低誘電率のグリーン
シートに、配線パターンを厚膜印刷し、低誘電率セラミ
ック層１をつくる。なお、導体ペーストには、銀粉８５
ｗｔ％およびパラジウム粉１５ｗｔ％の組成の銀パラジ
ウムペーストを使用する。
リーンシートに、それぞれパンチとダイスを使って、所
定のピッチに直径約３００μｍのスルーホールを形成す
る。次に、スクリーン印刷法により、前記スルーホール
に導体ペーストを充填する。また、同様のスクリーン印
刷法により、信号伝搬速度の勝れた低誘電率のグリーン
シートに、配線パターンを厚膜印刷し、低誘電率セラミ
ック層１をつくる。なお、導体ペーストには、銀粉８５
ｗｔ％およびパラジウム粉１５ｗｔ％の組成の銀パラジ
ウムペーストを使用する。
【００１３】以上のようにメタライズされたグリーンシ
ートを所定の金型内に位置合わせをして積層し、多層化
する。このとき、低誘電率セラミック層１を内層部Ｂ
に、また高誘電率セラミック層４を基板外層部Ａに配置
したサンドイッチ構造をなすように、積層順序および積
層枚数をあらかじめ決めておき、さらに、後述する研削
工程に必要なとりしろを、外層部の高誘電率セラミック
層４に与えるように積層の全厚みを考慮しておく。
ートを所定の金型内に位置合わせをして積層し、多層化
する。このとき、低誘電率セラミック層１を内層部Ｂ
に、また高誘電率セラミック層４を基板外層部Ａに配置
したサンドイッチ構造をなすように、積層順序および積
層枚数をあらかじめ決めておき、さらに、後述する研削
工程に必要なとりしろを、外層部の高誘電率セラミック
層４に与えるように積層の全厚みを考慮しておく。
【００１４】次に、これを約１１０℃で熱圧着する。そ
の後、約５００℃の非還元性雰囲気中で約１０時間保持
し、バインダーを十分に飛散させ、約９００℃で１時
間、大気中で焼成してガラスセラミック多層配線基板を
得る。
の後、約５００℃の非還元性雰囲気中で約１０時間保持
し、バインダーを十分に飛散させ、約９００℃で１時
間、大気中で焼成してガラスセラミック多層配線基板を
得る。
【００１５】その後、所定の大きさに外形を切断し、ま
た、焼成により発生する反りを除去する為に、基板表裏
両面に研削加工を施して平坦にする。
た、焼成により発生する反りを除去する為に、基板表裏
両面に研削加工を施して平坦にする。
【００１６】以上の工程を経て、基板外層部Ａには機械
的強度の比較的高い比誘電率７〜８のガラスセラミック
層４が、また、内層部Ｂには信号伝搬速度が勝れた比誘
電率４〜５のガラスセラミック層１が積層されたガラス
セラミック多層配線基板が得られる。
的強度の比較的高い比誘電率７〜８のガラスセラミック
層４が、また、内層部Ｂには信号伝搬速度が勝れた比誘
電率４〜５のガラスセラミック層１が積層されたガラス
セラミック多層配線基板が得られる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、信号伝搬
速度を高速にするための低誘電率のガラスセラミック層
を基板の内層部に、また、基板の機械的強度を向上させ
るために比較的高誘電率のガラスセラミック層を基板の
外層部に配置させることにより、後工程で高密度微細配
線を形成する際のメッキ応力によって発生するクラック
等の欠陥を防ぎ、また基板裏面にろう付けするＩ／Ｏピ
ンの接着部の割れを防止し、信号伝搬特性を低下させる
こと無く、信頼性の高い低誘電率のガラスセラミック多
層配線基板が得られるという効果がある。
速度を高速にするための低誘電率のガラスセラミック層
を基板の内層部に、また、基板の機械的強度を向上させ
るために比較的高誘電率のガラスセラミック層を基板の
外層部に配置させることにより、後工程で高密度微細配
線を形成する際のメッキ応力によって発生するクラック
等の欠陥を防ぎ、また基板裏面にろう付けするＩ／Ｏピ
ンの接着部の割れを防止し、信号伝搬特性を低下させる
こと無く、信頼性の高い低誘電率のガラスセラミック多
層配線基板が得られるという効果がある。
【図１】本発明による低誘電率ガラスセラミック多層配
線基板の一実施例の縦断面図である。
線基板の一実施例の縦断面図である。
【図２】従来の低誘電率ガラスセラミック多層配線基板
の縦断面図である。
の縦断面図である。
【図３】本発明のガラスセラミック多層配線基板製造工
程図である。
程図である。
【図４】比誘電率と強度の関係を示す図である。
１，１１ 低誘電率のセラミック層 ２，１２ ヴィアホール部 ３，１３ 配線パターン部 ４ 高誘電率のセラミック層 Ａ 外層部 Ｂ 内層部 Ｐ１ａ 低誘電率グリーンシート成膜工程 Ｐ１ｂ 高誘電率グリーンシート成膜工程 Ｐ２ スルーホール形成工程 Ｐ３ 印刷工程 Ｐ４ 積層工程 Ｐ５ 熱圧着工程 Ｐ６ 焼成工程 Ｐ７ 外形切断工程 Ｐ８ 研削工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/03 Ｂ 7011−4Ｅ 3/46 Ｔ 6921−4Ｅ
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラスセラミック多層配線基板におい
て、少なくとも２種類以上の誘電率の異なるセラミック
グリーンシートからなるガラスセラミック層を含むこと
を特徴とする低誘電率ガラスセラミック多層配線基板。 - 【請求項２】 前記低誘電率ガラスセラミック多層配線
基板が、外層部に高誘電率ガラスセラミック層を有し、
内層部に複数の低誘電率ガラスセラミック層を有する請
求項１に記載の低誘電率ガラスセラミック多層配線基
板。 - 【請求項３】 前記低誘電率ガラスセラミック多層配線
基板の製造方法であって、 アルミナ５５ｗｔ％，ホウケイ酸系ガラス４５％ｗｔ％
の混合粉末に、ブチラール系バインダーおよび有機溶剤
を混合攪拌して得られるスラリーを、キャスティングし
て所定の膜厚の高誘電率ガラスセラミックグリーンシー
トとし、 ホウケイ酸系ガラス５０〜７０ｗｔ％，コーディエライ
ト系１５〜３０ｗｔ％，石英ガラス１５〜２０ｗｔ％の
混合粉末に、ブチラール系バインダーおよび有機溶剤を
混合攪拌して得られるスラリーを、キャスティングして
所定の膜厚の低誘電率ガラスセラミックグリーンシート
とし、 前記高誘電率および低誘電率ガラスセラミックグリーン
シートに所定のピッチでスルーホールを形成し、 該スルーホールに銀粉８５ｗｔ％，パラジウム粉１５ｗ
ｔ％から成る導体ペーストを充填し、 かつ低誘電率ガラスセラミックグリーンシートには、配
線パターンを形成するため前記導体ペーストを厚膜印刷
し、 これら誘電率の異なる各ガラスセラミックグリーンシー
トからなるガラスセラミック層を、あらかじめ定められ
た順序および枚数で積層して多層化し、 該多層化されたガラスセラミック層を約１１０℃で熱圧
着し、 さらに約５００℃の非還元性雰囲気中で約１０時間保持
し、 約９００℃で１２時間大気中で焼成してガラスセラミッ
ク多層配線基板とし、 該ガラスセラミック多層配線基板の外形を所定の大きさ
に切断し、表裏両面を研削加工して得られる低誘電率ガ
ラスセラミック多層配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記低誘電率ガラスセラミック多層配線
基板の製造方法が、外層部に高誘電率ガラスセラミック
層を積層し、内層部に複数の低誘電率ガラスセラミック
層を積層した請求項３に記載の低誘電率ガラスセラミッ
ク多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354792A JPH05235550A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 低誘電率ガラスセラミック多層配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354792A JPH05235550A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 低誘電率ガラスセラミック多層配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235550A true JPH05235550A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12389594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3354792A Pending JPH05235550A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | 低誘電率ガラスセラミック多層配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235550A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148832A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Canon Inc | 多層プリント基板 |
| US6602616B2 (en) | 2000-12-19 | 2003-08-05 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Composite multilayer ceramic electronic parts and method of manufacturing the same |
| US6699605B2 (en) | 2001-08-21 | 2004-03-02 | Nippon Electric Glass Co., Ltd | Glass ceramic laminate becoming relatively high in bending strength after fired |
| JP2011075313A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Three M Innovative Properties Co | Ｉｃデバイス検査用ソケット |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP3354792A patent/JPH05235550A/ja active Pending
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