JPH05224395A - Resist coating device - Google Patents
Resist coating deviceInfo
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- JPH05224395A JPH05224395A JP2875792A JP2875792A JPH05224395A JP H05224395 A JPH05224395 A JP H05224395A JP 2875792 A JP2875792 A JP 2875792A JP 2875792 A JP2875792 A JP 2875792A JP H05224395 A JPH05224395 A JP H05224395A
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- Japan
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- reticle
- resist
- coating
- exposed
- coating device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はレジスト塗布装置に係
り，特に位相シフトレチクル等裏面露光を必要とする場
合に対するレジスト塗布装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating apparatus, and more particularly to a resist coating apparatus for the case where back exposure such as a phase shift reticle is required.
【０００２】近年半導体装置の高集積化に伴い，レチク
ル（またはマスク）は微細化が要求され，そのため位相
シフタが形成されたレチクルが用いられるようになっ
た。位相シフトレチクルの製造工程においては，レチク
ルの遮光膜パターンが形成された面にレジストを塗布
後，裏面から露光する工程が必要となってきた。In recent years, with the high integration of semiconductor devices, miniaturization of a reticle (or mask) is required, and therefore, a reticle having a phase shifter has been used. In the manufacturing process of the phase shift reticle, it is necessary to apply a resist to the surface of the reticle on which the light-shielding film pattern is formed, and then expose it from the back surface.
【０００３】[0003]
【従来の技術】従来のレジスト塗布装置は塗布後のレジ
スト内のスカムを除去するためレチクル表面から紫外線
(UV光) を照射する機能を持っている。2. Description of the Related Art A conventional resist coating apparatus uses ultraviolet rays from the reticle surface to remove scum in the resist after coating.
It has the function of irradiating (UV light).
【０００４】図４は従来例によるレチクル塗布装置の説
明図である。図において，１は透明基板，２は遮光膜パ
ターンでクロム(Cr)パターン, ３はレチクルを載置する
ステージ，４はレチクル表面を照射するUVランプであ
る。FIG. 4 is an illustration of a conventional reticle coating apparatus. In the figure, 1 is a transparent substrate, 2 is a light-shielding film pattern and is a chromium (Cr) pattern, 3 is a stage on which a reticle is placed, and 4 is a UV lamp that illuminates the surface of the reticle.
【０００５】回転塗布によりレジストをレチクル表面に
塗布後，装置内でレチクルはステージ上に載せられ，UV
光で照射される。図５は従来例による裏面露光の説明図
である。After the resist is coated on the surface of the reticle by spin coating, the reticle is placed on the stage in the apparatus and UV
It is illuminated with light. FIG. 5 is an explanatory diagram of backside exposure according to a conventional example.
【０００６】図において，５はコンタクトプリンタのマ
スタマスク側支持板，６はコンタクトプリンタのコピー
マスク側支持板である。従来例の装置では，位相シフト
レチクル等レチクル裏面から露光する必要がある場合
は，レジスト塗布後，レチクルを別の装置に移動して裏
返して装置にセットしなければならず，そのためレチク
ル表面に傷が付かないようにコンタクトプリンタのマス
タマスク側支持板５に保持して，レチクル裏面からの露
光を行っていた。In the figure, 5 is a master mask side support plate of the contact printer, and 6 is a copy mask side support plate of the contact printer. In the conventional apparatus, when it is necessary to expose from the back surface of the reticle such as a phase shift reticle, after applying the resist, the reticle must be moved to another apparatus and turned over and set in the apparatus. The contact mask was held on the master mask side support plate 5 of the contact printer so that it would not be attached, and the exposure was performed from the back surface of the reticle.
【０００７】例えば，セルフアラインプロセスを利用し
た位相シフトレチクルを製造にするはCrパターンを形成
した石英基板上にレジストを塗布し, 石英基板の裏面よ
り露光し現像すると, Crパターン上にこれと同じ大きさ
のレジストパターンが形成される。For example, when manufacturing a phase shift reticle using the self-alignment process, a resist is coated on a quartz substrate on which a Cr pattern is formed, exposed from the back surface of the quartz substrate, and developed. A resist pattern having a size is formed.
【０００８】次いで，レジストパターンをマスクにして
石英基板をエッチングして段差をつける。その後レジス
トパターンを剥離して, 再度石英基板表面にレジストを
塗布し，再度裏面露光（オーバ露光）して現像すると，
オーバ露光によりCrパターン上にこれより小さい即ちCr
パターンの周縁部が除去されたレジストパターンが形成
される。Then, using the resist pattern as a mask, the quartz substrate is etched to form steps. After that, the resist pattern is peeled off, the resist is coated on the surface of the quartz substrate again, and the back surface is exposed again (overexposure) and developed.
Due to overexposure, smaller than Cr on Cr pattern, namely Cr
A resist pattern is formed by removing the peripheral portion of the pattern.
【０００９】次いで，このレジストパターンをマスクに
してCrパターンの周縁部をエッチング除去し，レジスト
パターンを剥離すると，Crパターンの周縁部にシフタ
（石英基板の厚い部分）が形成される。Next, the peripheral portion of the Cr pattern is etched away using this resist pattern as a mask, and the resist pattern is peeled off, whereby a shifter (thick portion of the quartz substrate) is formed on the peripheral portion of the Cr pattern.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】従来例の装置で位相シ
フトレチクル等レチクル裏面から露光する場合，レジス
ト塗布後別の装置にレチクルを移動して露光するため，
レチクル面に塵がつきやすくしたがってレチクルの製造
歩留が低下し，またスループットも低くなるといった欠
点があった。When exposing from the back surface of a reticle such as a phase shift reticle in the conventional apparatus, since the reticle is moved to another apparatus after the resist coating and exposed,
The reticle surface was prone to dust, which reduced the manufacturing yield of the reticle and the throughput.
【００１１】本発明は位相シフトレチクル等レチクル裏
面から紫外線を照射する場合のレジスト塗布装置の高ス
ループット化，高歩留化をはかることを目的とする。An object of the present invention is to achieve high throughput and high yield of a resist coating apparatus when ultraviolet rays are irradiated from the back surface of a reticle such as a phase shift reticle.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，レチ
クル表面にレジストを塗布する塗布装置と，該レチクル
に裏面から紫外線を照射する裏面照射装置と，該塗布装
置と該裏面照射装置とを接続する搬送系とを有するレジ
スト塗布装置により達成される。Means for Solving the Problems To solve the above problems, a coating device for coating a resist on the surface of a reticle, a backside irradiation device for irradiating the reticle with ultraviolet rays from the backside, a coating device and the backside irradiation device are provided. This is achieved by a resist coating apparatus having a connecting transport system.
【００１３】[0013]
【作用】図１は本発明の原理説明図である。図はレジス
ト塗布装置を説明するブロック図である。FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. The figure is a block diagram illustrating a resist coating apparatus.
【００１４】図で一点鎖線で囲まれた従来装置におい
て, 11はプロセッサで塗布装置, 12はレチクル表面から
のUV光照射装置, 13はローダ, 14はアンローダである。
点線で囲まれた本発明による追加部分において, 15はレ
チクル裏面からのUV光照射装置である。また，矢印はレ
チクルの搬送経路およびUV照射の実行を示している。In the conventional apparatus surrounded by the one-dot chain line in the figure, 11 is a processor, a coating apparatus, 12 is a UV light irradiation apparatus from the reticle surface, 13 is a loader, and 14 is an unloader.
In the additional portion according to the present invention surrounded by a dotted line, 15 is a UV light irradiation device from the back surface of the reticle. The arrows indicate the reticle transport path and the execution of UV irradiation.
【００１５】本発明ではレジスト塗布後, レチクルを別
の装置に移すことなく同一装置内でレチクル塗布装置に
搬送系に接続されたレチクル裏面からのUV光照射装置15
により露光することにより，レチクル面に付着する塵,
およびスループットの低下を抑制するようにしたもので
ある。According to the present invention, after the resist coating, the UV light irradiating device 15 from the back surface of the reticle is connected to the reticle coating device in the same device without transferring the reticle to another device and is connected to the transport system.
Dust that adheres to the reticle surface when exposed by
Also, the reduction in throughput is suppressed.
【００１６】[0016]
【実施例】図２は本発明の実施例を説明する断面図であ
る。図において，15はレチクル裏面からのUV光照射装置
で, 15A のUVランプ, 15Bのミラー, 15C の光学レンズ
系, 15D のミラー, 15E のスリット, 16F のシャッタ
（フィルタ）を有する。また，16は搬送レール, 17はレ
チクルチャック, 18はレチクル，19はカバーである。FIG. 2 is a sectional view for explaining an embodiment of the present invention. In the figure, 15 is a UV light irradiation device from the back side of the reticle, which has a 15A UV lamp, a 15B mirror, a 15C optical lens system, a 15D mirror, a 15E slit, and a 16F shutter (filter). Further, 16 is a transport rail, 17 is a reticle chuck, 18 is a reticle, and 19 is a cover.
【００１７】図１のプロセッサの処理（レジスト塗布）
を終了したレチクル18は搬送ロボットによりIN側に待機
しているレチクルチャック17に受け渡される。次いでレ
チクル18を受け取ったチャック17を, 所定スピードで搬
送レール16上をOUT 側に移動させる。Processing of the processor of FIG. 1 (resist coating)
The reticle 18 that has completed the procedure is transferred to the reticle chuck 17 waiting on the IN side by the transfer robot. Next, the chuck 17 that has received the reticle 18 is moved to the OUT side on the transport rail 16 at a predetermined speed.
【００１８】この間に, レチクル18はUV光照射装置15の
スリット15E を透過した紫外線により裏面から露光され
る。露光が終わりOUT 側に移動されたレチクルは再び搬
送ロボットに渡される。During this time, the reticle 18 is exposed from the back surface by the ultraviolet rays that have passed through the slit 15E of the UV light irradiation device 15. The reticle that has been exposed and moved to the OUT side is passed to the transfer robot again.
【００１９】UV照射部を図のように構成することによ
り, 従来例のコンタクトプリンタを利用する場合より,
レジスト寸法のシフト量が大きく, 位相シフトレチクル
のシフタが形成が容易になる。By configuring the UV irradiator as shown in the figure, compared to the case of using the conventional contact printer,
The shift amount of the resist dimension is large, and the shifter of the phase shift reticle can be easily formed.
【００２０】実施例では, 光源と光学系の最適像面位置
に合わせた円弧状のスリットによる照明方式のため，照
度むらがない。従って，レチクルを走査させたときの露
光量の面内分布がよい。これに対して従来例のコンタク
トプリンタを利用する場合は照度むらのため露光量の面
内ばらつきが大きい。従ってオーバ露光してレジスト寸
法をシフトさせる際のばらつきも大きくなり，シフタの
形成が難しくなる。In the embodiment, there is no unevenness in illuminance because of the illumination system using the arc-shaped slits that match the optimum image plane position of the light source and the optical system. Therefore, the in-plane distribution of the exposure amount when the reticle is scanned is good. On the other hand, when the conventional contact printer is used, the in-plane variation of the exposure amount is large due to the uneven illuminance. Therefore, when the resist dimension is shifted by overexposure, the variation becomes large, and it becomes difficult to form the shifter.
【００２１】図３は本発明の実施例を説明する平面図で
ある。図は搬送レール上をレチクルチャックが移動し
て，この間にレチクルはスリットから出る紫外線により
裏面から露光される。FIG. 3 is a plan view illustrating an embodiment of the present invention. In the figure, the reticle chuck moves on the transport rail, and during this time the reticle is exposed from the back surface by the ultraviolet rays emitted from the slit.
【００２２】レチクルチャックは機械的にあるいは吸引
によりレチクルを保持している。レチクルの移動部はカ
バーが設けられ，塵等の浸入を防いでいる。また，カバ
ーの内側は反射防止加工を行って，紫外線のレチクル表
面への反射を防止している。The reticle chuck holds the reticle mechanically or by suction. The moving part of the reticle is provided with a cover to prevent dust from entering. The inside of the cover is anti-reflection processed to prevent the reflection of ultraviolet rays on the reticle surface.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明によれば，裏面UV光照射装置付き
レチクル塗布装置が得られ，位相シフトレチクル等レチ
クル裏面から紫外線を照射する場合のレジスト塗布装置
の高スループット化，レチクル製造の高歩留化が達成で
きた。この結果，半導体装置の高集積化，高歩留化に寄
与することができた。According to the present invention, a reticle coating device with a backside UV light irradiating device can be obtained, and the throughput of the resist coating device for irradiating ultraviolet rays from the backside of a reticle such as a phase shift reticle can be increased and the reticle manufacturing process can be improved. Distillation was achieved. As a result, we were able to contribute to higher integration and higher yield of semiconductor devices.
【図１】 本発明の原理説明図FIG. 1 is an explanatory view of the principle of the present invention.
【図２】 本発明の実施例を説明する断面図FIG. 2 is a sectional view illustrating an embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の実施例を説明する平面図FIG. 3 is a plan view illustrating an embodiment of the present invention.
【図４】 従来例によるレチクル塗布装置の説明図FIG. 4 is an explanatory view of a conventional reticle coating device.
【図５】 従来例による裏面露光の説明図FIG. 5 is an explanatory diagram of backside exposure according to a conventional example.
１ レチクルの透明基板 ２ レチクルの遮光膜パターンでCrパターン ３ レチクルを載置するステージ ４ レチクル表面を照射するUVランプ 11 プロセッサで塗布装置 12 レチクル表面からのUV光照射装置 13 ローダ 14 アンローダ 15 レチクル裏面からのUV光照射装置 15A UVランプ 15B,15D ミラー 15C 光学レンズ系 15E スリット 16F シャッタ（フィルタ） 16 搬送レール 17 レチクルチャック 18 レチクル 19 カバー 1 Transparent substrate of reticle 2 Cr pattern with light-shielding film pattern of reticle 3 Stage on which reticle is mounted 4 UV lamp that illuminates reticle surface 11 Coating device with processor 12 UV light irradiation device from reticle surface 13 Loader 14 Unloader 15 Reticle back surface UV irradiation device from 15A UV lamp 15B, 15D Mirror 15C Optical lens system 15E Slit 16F Shutter (filter) 16 Transport rail 17 Reticle chuck 18 Reticle 19 Cover
Claims (1)
装置と，該レチクルに裏面から紫外線を照射する裏面照
射装置と，該塗布装置と該裏面照射装置とを接続する搬
送系とを有することを特徴とするレジスト塗布装置。1. A coating system for coating a resist on the surface of a reticle, a backside irradiation device for irradiating the reticle with ultraviolet rays from the backside, and a transport system for connecting the coating device and the backside irradiation device. Resist coating equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2875792A JPH05224395A (en) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Resist coating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2875792A JPH05224395A (en) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Resist coating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224395A true JPH05224395A (en) | 1993-09-03 |
Family
ID=12257285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2875792A Withdrawn JPH05224395A (en) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | Resist coating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224395A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016515960A (en) * | 2013-03-15 | 2016-06-02 | エムアンドアール プリンティング エクイップメント，インコーポレイティド | Method and apparatus for producing screen for screen printing |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP2875792A patent/JPH05224395A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016515960A (en) * | 2013-03-15 | 2016-06-02 | エムアンドアール プリンティング エクイップメント，インコーポレイティド | Method and apparatus for producing screen for screen printing |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |