JPH0520711A - 光ピツクアツプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メインビ−ム検出用の光検出器にサブビ−ム
の信号が入らないようにして、適正な情報の記録再生を
する。 【構成】 非照射物体からの反射光を回折させ±１次回
折光を光検出器に導くホログラム光学素子(6) に、メイ
ンビ−ムが通過する第１の領域(8a)と２本のサブビ−ム
のみがそれぞれ通過する第２、第３の領域(8b 、8c) の
３つの領域に分離されているとともに、第１の領域(8a)
に対して第２、第３の領域(8b 、8c) は異なるレンズ作
用を有するように干渉縞を形成する。 【効果】 メインビ−ム検出用の光検出器にサブビ−ム
のビ−ムスポットが入らないようになり、情報信号のノ
イズが少なくなりまたフォ−カスエラ−信号にオフセッ
トが生じないようになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク等の光学式
情報記録媒体に対して情報の記録および／または再生を
行う情報記録再生装置に用いる光ピックアップに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光ピックアップは、光ディスク等に適正
に情報の記録、再生を行うためには照射するビ−ムスポ
ットの焦点検出をしながら光ディスク等に合焦状態のビ
−ムスポットを照射することが要求される。このための
焦点検出装置として、光源と収束光学系との間にホログ
ラム素子を配置し、光源からの出射光をホログラム素子
に入射させてその０次光を収束光学系を経て被照射物体
に投射し、その反射光を収束光学系を経て再びホログラ
ム素子に入射させて、その＋１次回折光、あるいは±１
次回折光を光検出器で受光し、その出力に基づいて収束
光学系の被照射物体に対する焦点状態を検出するように
したものがある。

【０００３】しかし、上記のような焦点検出装置を設け
た光ピックアップでは、小型化を図るために光源と光検
出器とを接近させると、ホログラム素子での回折角が小
さいために、往路（光源から被照射物体に至る光路）で
発生する＋１次回折光または−１次回折光が被照射物体
で反射（以下の光路は復路となる）して迷光として光検
出器に入射する。これがため光検出器において、焦点状
態を高精度で検出できないという問題がある。一方、こ
の問題を解決するために、ホログラム素子に開口制限
（絞り）を設けると、絞りという新たな部品が必要にな
ると共に、ホログラムパタ−ンと絞りとを精度よく位置
合わせする組立作業の必要が生じ、コストアップを招く
という問題がある。

【０００４】そこで、本出願人は特願平3-21492 号にお
いて、図８および図９に示すような光ピックアップを提
案している。この光ピックアップは、半導体基板50にマ
ウントされたレ−ザダイオ−ド51からの出射光の光路を
境とする両側に光検出部52、53を形成し、レ−ザダイオ
−ド51から基板50面に対して平行な方向に出射される光
を、立ち上げミラ−54で反射させる。その後、一方面に
グレ−ティングを形成し他方面に光検出用ホログラムパ
タ−ン領域とホログラムより成る絞り領域を形成したホ
ログラム素子55および対物レンズ56を経て、被照射物体
である記録媒体57に光ビ−ムを投射するようにしてあ
る。次に、記録媒体57での反射光は、再び対物レンズ56
を経てホログラム素子55に入射させ、ここで互いに逆方
向のパワ−を生じる±１次回折光を発生させて、これら
±１次回折光を光検出部52、53で受光するようにしてあ
る。このようにして、コストアップを招くことなく、被
照射物体に対するビ−ムスポットの焦点状態を常に高精
度で検出できるようにした。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本出願
人が提案した上記従来例は、ホログラム素子55によって
生じる±１次光が互いに異なるパワ−が生じるようにな
っている。そこで、例えば＋１次光には負のパワ−（凹
レンズの作用）が、−１次光には正のパワ−（凸レンズ
の作用）が生じているとした時、被照射物体から光検出
部52、53への結像倍率は、＋１次光では大きくなり、−
１次光では小さくなる。ところで、光検出部52は３ビ−
ムの各＋１次回折光を受光するように３つの光検出器52
a 、52b 、52c を有し、中央のメインビ−ムを受光する
光検出器52b はホログラム素子55での回折方向に分割線
を有する３分割した受光領域52d 、52e、52f を有して
いる。光検出部53についても同様である。

【０００６】したがって、光検出部52、53に光ビ−ムが
照射され、それぞれの光検出器で受光する場合、＋１次
光の光検出器上のメインビ−ムのスポット58a とサブビ
−ムのスポット58b 、58c の間隔に比較し、−１次光の
光検出器上のメインビ−ムのスポット59a とサブビ−ム
のスポット59b 、59c の間隔は狭くなってしまう。この
ように−１次光の光検出器上のビ−ムスポット間の間隔
が狭くなっていると、サブビ−ムのスポット59b 、59c
がメインビ−ム検出用の光検出器53d 、53e 、53f に入
ってしまい、サブビ−ムの信号がノイズとなって情報信
号（ＲＦ信号）に入ってしまうという不具合がある。ま
た、フォ−カスエラ−信号（FoE 信号) はメインビ−ム
のみを用いて検出するが、ここにもサブビ−ムの信号が
入ってしまいFoE 信号オフセットが生じてしまうという
不具合がある。

【０００７】こうした不具合を解決する方法としては、
収束光学系の結像倍率を上げるか、メインビ−ムとサブ
ビ−ムの光軸の傾きを大きくする（つまり記録媒体上の
スポット間隔を広げる）ことによって、光検出器上のメ
インビ−ムとサブビ−ムとのスポット間隔を広げるとい
う方法が考えられる。しかし、収束光学系の結像倍率を
上げるという方法は、物像点間距離が長くなり光学系の
大型化ひいては光ピックアップの大型化を招いてしまう
とともに、光源側のＮＡが小さくなりカップリング効率
の低下を招いてしまうという問題がある。一方、記録媒
体上のスポット間隔を広げるという方法は、光ピックア
ップ組み立て上の取りつけ精度が厳しくなってしまうと
いう問題がある。

【０００８】本発明は、上記不具合を解決すべく提案さ
れるもので、光検出器で３ビ−ムを受光してＲＦ信号等
を検出する際に、メインビ−ム検出用の光検出器にサブ
ビ−ムの信号が入ってしまうことがないようにして、Ｒ
Ｆ信号のノイズを少なくし、また、FoE 信号にオフセッ
トが生じないようにして適正な情報の記録再生ができる
光ピックアップを提供することを目的としたものであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、光源からの出射光を被照射物体へ投射する
収束光学系と、収束光学系と光源との間の光路中に配設
され、光源からの出射光を情報読み取り用メインビ−ム
と２つのトラッキングエラ−検出用サブビ−ムとに分離
するグレ−ティングと、グレ−ティングと収束光学系と
の間の光路中に配設され、被照射物体からの反射光を回
折させ±１次回折光を光検出器に導くホログラム光学素
子と、メインビ−ムとサブビ−ムをそれぞれ受光する光
検出器とを具え、ホログラム光学素子に少なくともメイ
ンビ−ムが通過する領域を包含する第１の領域と、一方
のサブビ−ムのみが通過する第２の領域と、他方のサブ
ビ−ムのみが通過する領域を包含する第３の領域との少
なくとも３つの領域に分離されているとともに、第１の
領域に対して第２の領域、第３の領域は異なるレンズ作
用を有するように干渉縞を形成した光ピックアップとし
た。また、上記の光ピックアップにおいて、ホログラム
素子の第１の領域は所定のレンズパワ−を有する干渉縞
とし、第２の領域、第３の領域は０に近いレンズパワ−
を有する干渉縞とした。

【００１０】

【作用】このようにホログラムパタ−ン領域が、メイン
ビ−ムが通過する領域と、サブビ−ムのみが通過する領
域に分離しているとともに、メインビ−ムが通過する領
域のレンズ作用に対してサブビ−ムのみが通過する領域
のレンズ作用を異なるよに構成して、メインビ−ム検出
用の光検出器にサブビ−ムのビ−ムスポットが入らない
ようにしている。したがって、情報信号のノイズが少な
くなり、またフォ−カスエラ−信号にオフセットが生じ
なくなる。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明していく。図１〜図４は本発明の第１実施例を示し
たもので、図１は光ピックアップの概要図で、図２はレ
−ザダイオ−ドと光検出部の配置状態を示した平面図
で、図３はホログラム素子のグレ−ティング面とホログ
ラム面を示したもので、図４はホログラム素子と光検出
部の関係を示す斜視図である。半導体基板１に、レ−ザ
−ダイオ−ド２と、レ−ザダイオ−ド２からの出射光の
光路を境とする両側に設けられた光検出部３、４を配設
している（図１、図２）。半導体基板１のレ−ザダイオ
−ド２の近傍には、立ち上げミラ−５を設け、レ−ザダ
イオ−ド２から半導体基板１面に対して平行な方向に出
射した光を、半導体基板１面に対して垂直方向に設けら
れているホログラム素子６に入射させるようにしている
（図４）。

【００１２】ホログラム素子６の半導体基板１に対向す
る面には、グレ−ティング面6aを形成し、該グレ−ティ
ング面6aの反対側面にはホログラム面6bを形成してい
る。また、ホログラム素子６のグレ−ティング面6aに
は、そのほぼ中央位置に３ビ−ム形成用のグレ−ティン
グ７が形成されている（図３Ａ）。そこで、グレ−ティ
ング面6aに入射した光は、グレ−ティング７により１つ
のメインビ−ムと２つのサブビ−ムの３ビ−ムに分けら
れる。なお、本実施例ではグレ−ティング面6aとホログ
ラム面6bとを一つのホログラム素子６に一体に形成して
いるが、独立して設けた構成であってもよい。ホログラ
ム面6bには、そのほぼ中央位置に回折光を発生できるよ
うに３分割されたホログラムパタ−ン領域8a、8b、8cが
形成されており( 図３Ｂ）、グレ−ティング７（図３
Ａ）で３ビ−ムに分けられた光は、ホログラムパタ−ン
領域8a、8b、8cを０次光で透過するようになっている。
ホログラム素子６を透過した透過光は、透過光の進行方
向に設けてある対物レンズ９に入射し、光ディスク等の
被照射物体10に収束して投射するようになっている（図
１）。

【００１３】被照射物体10で反射した反射光は、再び対
物レンズ９を経た後、ホログラム素子６に入射する。ホ
ログラム素子６では、互いに逆方向のパワ−を生じる±
１次回折光を発生させて、これら±１次回折光を半導体
基板１に設けられている光検出部３、４で受光するよう
になっている（図１）。図２、図３、図４にしたがい、
被照射物体10からの反射光がホログラム素子６を経て光
検出部３、４で受光される状態を詳細に説明する。先
ず、記録媒体10からの反射光のうちメインビ−ムは、ホ
ログラム面6bに入射してメインビ−ム通過領域11を通過
することにより、ホログラムパタ−ン領域8aで回折され
る（図１、図３Ｂ）。

【００１４】図２に示すごとく、光検出部４は３ビ−ム
の各＋１次回折光を受光するように３つの光検出器4a、
4b、4cをもって構成すると共に、中央のメインビ−ムを
受光する光検出器4bは、ホログラム素子６での回折方向
に分割線を有する３分割した受光領域4d、4e、4fをもっ
て構成する。同様に、光検出部３は３ビ−ムの各−１次
回折光を受光するように３つの光検出器3a、3b、3cをも
って構成すると共に、中央のメインビ−ムを受光する光
検出器3bは、ホログラム素子６での回折方向に分割線を
有する３分割した受光領域3d、3e、3fをもって構成す
る。上記のようにしてホログラムパタ−ン領域8a（図３
Ｂ）で回折された＋１次回折光は光検出部４の光検出器
4d、4e、4fへ導かれて受光され、また−１次回折光は光
検出部３の光検出器3d、3e、3fへ導かれて受光される
（図２）。ホログラムパタ−ン領域8aは、＋１次回折光
に負のパワ−、−１次回折光に正のパワ−を与えるよう
に構成されている。

【００１５】ここで、フォ−カスエラ−信号(FoE信号)
を検出する方法について説明する。メインビ−ムの＋１
次回折光を受光する光検出部４における光検出器4bの受
光領域4d、4e、4fの出力をB1、B2、B3とし、−１次回折
光を受光する光検出部３における光検出器3bの受光領域
3d、3e、3fの出力をB4、B5、B6としたとき、 ＦｏＥ＝（Ｂ１＋Ｂ３＋Ｂ５）−（Ｂ２＋Ｂ４＋Ｂ６） により検出される。

【００１６】次に、サブビ−ムでホログラムパタ−ン領
域8a（図３Ｂ）に入射したものは、メインビ−ムと同様
にサブビ−ム通過領域12、13を通過することにより、ホ
ログラムパタ−ン領域8aで回折され、＋１次回折光は光
検出部４の光検出器4a、4cへ導かれ、−１次回折光は光
検出部３の光検出器3a、3cへ導かれる（図２）。この場
合、前記のようにホログラムパタ−ン領域8aは、＋１次
回折光に負のパワ−、−１次回折光に正のパワ−を与え
るように構成されているので、被照射物体10から光検出
器4a〜4b、3a〜3bへの結像倍率は＋１次回折光では大き
くなり、−１次回折光では小さくなる。したがって、サ
ブビ−ムの光検出部３、４上でのビ−ムスポットは、図
２に示すように＋１次回折光側のビ−ムスポット14a 、
14b は、メインビ−ムのビ−ムスポット14c から離れ
る。また、−１次回折光側のビ−ムスポット15a 、15b
は、メインビ−ムのビ−ムスポット15c に近ずく。

【００１７】なお、前記のごとくホログラムパタ−ン領
域8aは、＋１次回折光に負のパワ−（凹レンズの作
用）、−１次回折光に正のパワ−（凸レンズの作用）を
与えるように構成されているので、光検出器4a、4cで受
光されるビ−ムスポット14a 、14b に対して、光検出器
3a、3cで受光されるビ−ムスポット15a 、15b は、反転
した状態となる（図４）。この斜視図においては、メイ
ンビ−ムのビ−ムスポット14c 、15c と一部サブビ−ム
のビ−ムスポット14a のみが照射されている状態を示
し、他のサブビ−ムのビ−ムスポットについては図示を
省略している。したがって、光検出器3b上でのメインビ
−ムのビ−ムスポット15c に近ずく光検出器3a、3c上で
のサブビ−ムのビ−ムスポット15a 、15b は、反転して
欠落した部分だけ離れた状態になり、光検出器3bに入り
込むことがない（図２）。

【００１８】次に、サブビ−ムでホログラムパタ−ン領
域8b、8c（図３Ｂ）に入射したものは、サブビ−ム通過
領域12、13を通過することにより、ホログラムパタ−ン
領域8b、8cで回折され、＋１次回折光は光検出部４の光
検出器4a、4cへ導かれ、−１次回折光は光検出部３の光
検出器3a、3cへ導かれる（図２）。ホログラムパタ−ン
領域8b、8cは、メインビ−ムが通過するホログラムパタ
−ン領域8aより回折角が小さくパワ−を持たない回折格
子として構成されている。つまり、メインビ−ム用のホ
ログラムパタ−ン領域8aは所定のレンズパワ−を有する
ように形成し、サブビ−ム用のホログラムパタ−ン領域
8b、8cはレンズパワ−を持たない。したがって、ホログ
ラムパタ−ン領域8b、8cに入射した＋１次回折光、−１
次回折光とともに同じ結像倍率で光検出器3a，3c，4a，
4c上で結像する。そこでホログラムパタ−ン領域8bに入
射した光ビ−ムの±１次回折光は、光検出器4a、3a上で
ビ−ムスポット14d 、15d となる。また、ホログラムパ
タ−ン領域8cに入射した光ビ−ムの±１次回折光は、光
検出器4c、3c上でビ−ムスポット14e 、15eとなる（図
２）。なお、ビームスポット14d ，15d ，14e ，15eは
ほぼ光検出器4a、3a、4c、3c上で結像するので点状のビ
ームスポットとなる。

【００１９】ここで、トラッキングエラ−信号(TrE信
号) を検出する方法について説明する。２本のサブビ−
ムの＋１次光を受光する光検出部４における光検出器4
a、4cは、ビ−ムスポット14a 、14d 、14b 、14e を受
光し、−１次回折光を受光する光検出部３における光検
出器3a、3cは、ビ−ムスポット15a 、15d 、15b 、15e
を受光する。光検出器4a、4c、3a、3cの出力をそれぞれ
C1、C2、C3、C4とすると、TrE は３ビ−ム法により ＴｒＥ＝（Ｃ１＋Ｃ３）−（Ｃ２＋Ｃ４） により検出する。

【００２０】図５〜図７は本発明の第２実施例を示した
もので、第１実施例と対応する部分には同一符号を付し
た。半導体基板１に、レ−ザ−ダイオ−ド２と、レ−ザ
ダイオ−ド２からの出射光の光路を境とする両側に設け
られた光検出部３、４を配設している（図５、図６）。
半導体基板１のレ−ザダイオ−ド２の近傍には、立ち上
げミラ−５を設け、レ−ザダイオ−ド２から半導体基板
１面に対して平行な方向に出射した光を、半導体基板１
面に対して垂直方向に設けられているホログラム素子６
に入射させるようにしている（図５）。

【００２１】ホログラム素子６の半導体基板１に対向す
る面には、グレ−ティング面6aを形成し、該グレ−ティ
ング面6aの反対側面にはホログラム面6bを形成してい
る。また、ホログラム素子６のグレ−ティング面6aに
は、そのほぼ中央位置に３ビ−ム形成用のグレ−ティン
グ７が形成されている（図７Ａ）。そこで、グレ−ティ
ング面6aに入射した光は、グレ−ティング７により１つ
のメインビ−ムと２つのサブビ−ムの３ビ−ムに分けら
れる。ホログラム面6bには、そのほぼ中央位置に回折光
を発生できるように３分割されたホログラムパタ−ン領
域8a、8b、8cが形成されており( 図７Ｂ）、グレ−ティ
ング７（図７Ａ）で３ビ−ムに分けられた光は、ホログ
ラムパタ−ン領域8a、8b、8cを０次光で透過するように
なっている。ホログラム素子６を透過した透過光は、透
過光の進行方向に設けてある対物レンズ９に入射し、光
ディスク等の被照射物体10に収束して投射するようにな
っている（図５）。

【００２２】被照射物体10で反射した反射光は、再び対
物レンズ９を経た後、ホログラム素子６に入射する。ホ
ログラム素子６では、互いに逆方向のパワ−を生じる±
１次回折光を発生させて、これら±１次回折光を半導体
基板１に設けられている光検出部３、４で受光するよう
になっている（図５）。上記のようにしてホログラムパ
タ−ン領域8a（図７Ｂ）で回折された＋１次回折光は光
検出部４の光検出器4d、4e、4fへ導かれて受光され、ま
た−１次回折光は光検出部３の光検出器3d、3e、3fへ導
かれて受光される（図６）。ホログラムパタ−ン領域8a
は、＋１次回折光に負のパワ−、−１次回折光に正のパ
ワ−を与えるように構成されている。ここで、フォ−カ
スエラ−信号(FoE信号) を検出する方法について説明す
る。メインビ−ムの＋１次回折光を受光する光検出部４
における光検出器4bの受光領域4d、4e、4fの出力をD1、
D2、D3とし、−１次回折光を受光する光検出部３におけ
る光検出器3bの受光領域3d、3e、3fの出力をD4、D5、D6
としたとき、 ＦｏＥ＝（Ｄ１＋Ｄ３＋Ｄ５）−（Ｄ２＋Ｄ４＋Ｄ６） により検出される。

【００２３】次に、サブビ−ムでホログラムパタ−ン領
域8a（図７Ｂ）に入射したものは、メインビ−ムと同様
にサブビ−ム通過領域12、13を通過することにより、ホ
ログラムパタ−ン領域8aで回折され、＋１次回折光は光
検出部４の光検出器4a、4cへ導かれ、−１次回折光は光
検出部３の光検出器3a、3cへ導かれる（図６）。この場
合、前記のようにホログラムパタ−ン領域8aは、＋１次
回折光に負のパワ−、−１次回折光に正のパワ−を与え
るように構成されているので、被照射物体10から光検出
器4a〜4b、3a〜3bへの結像倍率は＋１次回折光では大き
くなり、−１次回折光では小さくなる。したがって、サ
ブビ−ムの光検出部３、４上でのビ−ムスポットは、図
６に示すように＋１次回折光側のビ−ムスポット14a 、
14b は、メインビ−ムのビ−ムスポット14c から離れ
る。また、−１次回折光側のビ−ムスポット15a 、15b
は、メインビ−ムのビ−ムスポット15c に近ずく。次
に、サブビ−ムでホログラムパタ−ン領域8b、8c（図７
Ｂ）に入射したものは、サブビ−ム通過領域12、13を通
過することにより、ホログラムパタ−ン領域8b、8cで回
折され、＋１次回折光は光検出部４の光検出器4a、4cへ
導かれ、−１次回折光は光検出部３の光検出器3a、3cへ
導かれる（図６）。

【００２４】この時、ホログラムパターン8b，8cは、ホ
ログラムパターン8aより回折角が大きくパワーが小さい
（＋１次が正、−１次が負のパワー）回折格子になって
いるので、＋１次回折光、−１次回折光の結像倍率（収
束光学系の結像倍率）の差がほとんどない。したがっ
て、メインビームとサブビームのビームスポットの間隔
は、±１次回折光でほとんど変わらない。よって、ホロ
グラム8bの領域に入射した光の±１次回折光は光検出器
4a，3a上でビームスポット14d ，15d となり、ホログラ
ム8cの領域に入射した光の±１次回折光は光検出器4c，
3c上でスポット14e ，15e となる。ここで、トラッキン
グエラ−信号(TrE信号) を検出する方法について説明す
る。２本のサブビ−ムの＋１次光を受光する光検出部４
における光検出器4a、4cは、ビ−ムスポット14a 、14d
、14b 、14e を受光し、−１次回折光を受光する光検
出部３における光検出器3a、3cは、ビ−ムスポット15a
、15d 、15b 、15e を受光する。光検出器4a、4c、3
a、3cの出力をそれぞれE1、E2、E3、E4とすると、TrE
は３ビ−ム法により ＴｒＥ＝（Ｅ１＋Ｅ３）−（Ｅ２＋Ｅ４） により検出する。

【００２５】本発明は、以上の実施例に限定されるもの
ではなく、幾多の変更、変形が可能である。例えば、以
上の実施例ではビ−ムサイズ法により各種の信号検出を
行う場合を示しているが、非点収差法による信号検出を
行う場合にも本実施例を適用できる。つまり、本実施例
ではメインビ−ム用のホログラムパタ−ン領域8a（図
３）を＋１次回折光、−１次回折光を生じるように構成
しているが、非点収差法による場合はメインビ−ム用の
ホログラムパタ−ン領域8aのレンズ作用を光検出器の分
割線と直交する方向にレンズパワ−を持たせるように構
成して信号検出を行わせるようにすればよい。なお、Fo
E 信号等各種信号の検出方法は、ビ−ムサイズ法とほぼ
同様である。

【発明の効果】このように本発明によれば、被照射物体
からの反射光が通過するホログラムパタ−ン領域が、メ
インビ−ムが通過する領域と、サブビ−ムのみが通過す
る領域に分離しているとともに、メインビ−ムが通過す
る領域は±１次回折光は互いに逆方向のパワ−を有し、
サブビ−ムのみが通過する領域はパワ−を有しない構成
となっているので、−１次回折光としてのサブビ−ムの
ビ−ムスポットはメインビ−ムのビ−ムスポットを受光
する光検出器から離れるようになり、メインビ−ム検出
用の光検出器にサブビ−ムのビ−ムスポットが入らない
ようになる。したがって、情報信号のノイズが少なくな
り、またフォ−カスエラ−信号にオフセットが生じなく
なり、適正な情報の記録再生ができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る光ピックアップの概
要図である。

【図２】図１のレ−ザダイオ−ドおよび光検出器の平面
図である。

【図３】図１のホログラム素子の構成を示す平面図、底
面図である。

【図４】ホログラム素子と光検出部の関係を示す斜視図
である。

【図５】本発明の第２実施例に係る光ピックアップの概
要図である。

【図６】図５のレーザダイオードおよび光検出器の平面
図である。

【図７】図５のホログラム素子の構成を示す平面図、底
面図である。

【図８】従来例に係る光ピックアップの概要図である。

【図９】図８のレ−ザダイオ−ドおよび光検出器の配置
を示す平面図、断面図である。

【符号の説明】

1 半導体基板 2 レーザダイオード 3 光検出部 4 光検出部 5 立ち上げミラー 6 ホログラム素子 6a グレ−ティング面 6b ホログラム面 8a ホログラムパタ−ン領域 8b ホログラムパタ−ン領域（サブビ−ム用） 8c ホログラムパタ−ン領域（サブビ−ム用） 11 メインビ−ム通過領域 12 サブビ−ム通過領域 13 サブビ−ム通過領域 14a ビームスポット（サブビ−ム） 14c ビームスポット（サブビ−ム） 15c ビームスポット（メインビーム）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源からの出射光を被照射物体へ投射す
   る収束光学系と、収束光学系と光源との間の光路中に配
   設され、光源からの出射光を情報読み取り用メインビ−
   ムと２つのトラッキングエラ−検出用サブビ−ムとに分
   離するグレ−ティングと、グレ−ティングと収束光学系
   との間の光路中に配設され、被照射物体からの反射光を
   回折させ±１次回折光を光検出器に導くホログラム光学
   素子と、メインビ−ムとサブビ−ムをそれぞれ受光する
   光検出器とを具え、ホログラム光学素子に少なくともメ
   インビ−ムが通過する領域を包含する第１の領域と、一
   方のサブビ−ムのみが通過する第２の領域と、他方のサ
   ブビ−ムのみが通過する領域を包含する第３の領域との
   少なくとも３つの領域に分離されているとともに、第１
   の領域に対して第２の領域、第３の領域は異なるレンズ
   作用を有するように干渉縞を形成したことを特徴とする
   光ピックアップ。
2. 【請求項２】 ホログラム素子の第１の領域は所定のレ
   ンズパワ−を有する干渉縞とし、第２の領域、第３の領
   域は０に近いレンズパワ−を有する干渉縞としたことを
   特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。