JPH05205260A

JPH05205260A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH05205260A
Application number: JP27181492A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiro Umebayashi; 信弘梅林; Minoru Fujita; 稔藤田
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1991-10-23
Filing date: 1992-10-09
Publication date: 1993-08-13

Abstract

(57)【要約】【目的】トラツキングサーボが適正に行える信頼性の
高い磁気記録媒体を提供することにある。【構成】発光素子から出射された光を磁気ヘツドトラ
ツキング用光学凹部１２ならびにデータトラツク１４の
表面に照射して、それの反射光によつてデータトラツク
１４に対する磁気ヘツドのトラツキング制御を行う磁気
記録媒体において、前記データトラツク１４の磁性層
１０ａの厚さが、０．３１〜０．４５μｍ、０．５５〜
０．６７μｍ、０．８１〜０．９７μｍのいずれかの範
囲に規制されていることを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばフレキシブル磁
気デイスクなどの磁気記録媒体に係り、特に光学的に磁
気ヘツドのトラツキングができる磁気ヘツドトラツキン
グ用光学凹部を設けた磁気記録媒体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】フレキシブル磁気デイスクにおいて、そ
れのドーナツ状記録帯域の最内周にリフアレンストラツ
クを形成し、そのリフアレンストラツクから半径方向外
側に向けて所定の間隔離れ、かつ前記リフアレンストラ
ツクと同心円状の磁気ヘツドトラツキング用光学凹部を
リング状に多数形成し、各リング状磁気ヘツドトラツキ
ング用光学凹部の間をデータトラツクとしたものが知ら
れている（例えば特開平２−１８７９６９号公報参
照）。

【０００３】図１２ならびに図１３は、この種磁気デイ
スクを説明するための拡大断面図ならびに平面図であ
る。

【０００４】これらの図に示すように、ベースフイルム
１００の表面には磁性層１０１が設けられており、この
磁性層１０１にはトラツキングサーボ用の溝１０２が磁
気デイスクの回転方向に延びるように、例えばレーザ加
工などの手段によつて形成されている。この溝１０２と
溝１０２との間がデータトラツク１０３となる（図１３
参照）。

【０００５】一方、磁気記録再生装置の方には、前記磁
気デイスクの表面にトラツキングサーボ用の光線１０４
を出射する発光素子（図示せず）と、磁気デイスク表面
からの反射光１０５を受光する受光素子１０６ａ，１０
６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ（図１３参照）とを備えてい
る。

【０００６】そして前記発光素子から出射された光線１
０４を磁気デイスク表面に当てて、それからの反射光１
０５を受光素子１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６
ｄで受光する。

【０００７】前述のように磁性層１０１にはトラツキン
グサーボ用の溝１０２が形成されているため、データト
ラツク１０３上で反射する光強度と溝１０２上で反射す
る光強度は異なる。図１３に示す例では受光素子１０６
ａと１０６ｂの合計出力値と、受光素子１０６ｃと１０
６ｄの合計出力値とを常に比較して、両者の出力値が等
しくなるように磁気ヘツド（図示せず）のトラツキング
サーボが行なわれる。

【０００８】従来の磁気デイスクは磁性層１０１の厚み
が１〜３μｍあり、そのめた磁気デイスク表面からの反
射光１０５を受光する受光素子１０６ａ，１０６ｂ，１
０６ｃ，１０６ｄで良好に受光することができた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気デイスク
のオーバライト特性を改善するために磁性層の厚さを１
μｍ未満に薄くすると、データトラツク上での反射強度
がばらつきやすくなり、適正なトラツキングサーボが行
なわれ難いという問題が出てきた。

【００１０】本発明者らはこの点について種々検討した
結果、磁性層の厚さとデータトラツク上での反射強度の
ばらつきとの間に相関関係があることを見出した。

【００１１】本発明の目的は、このような問題点を解消
し、トラツキングサーボが適正に行える信頼性の高い磁
気記録媒体を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、非磁性体からなる基体と、その基体の上
に形成された磁性層を有し、その磁性層の表面に所定の
間隔をおいて多数の磁気ヘツドトラツキング用光学凹部
が設けられ、その磁気ヘツドトラツキング用光学凹部と
隣の磁気ヘツドトラツキング用光学凹部との間に、所望
の情報を記録するデータトラツクが形成された磁気記録
媒体において、前記データトラツクの磁性層の厚さが、
０．３１〜０．４５μｍ、０．５５〜０．６７μｍ、
０．８１〜０．９７μｍのいずれかの範囲に規制されて
いることを特徴とするものである。

【００１３】

【作用】本発明は前述のように、磁性層の厚さを特定の
範囲に規定することにより、データトラツク上での反射
強度を高め、トラツキング用光学凹部による磁気ヘツド
のトラツキングサーボが適正に行なわれる磁気記録媒体
を提供することができる。

【００１４】

【実施例】次に本発明の実施例を図とともに説明する。
図１は実施例に係る磁気デイスクカートリツジの一部を
分解した斜視図、図２は磁気シートの拡大断面図、図３
は磁気デイスクの平面図である。

【００１５】図１に示すように磁気デイスクカートリツ
ジは、カートリツジケース１と、その中に回転自在に収
納されたフレキシブルな磁気デイスク２と、カートリツ
ジケース１にスライド可能に取り付けられたシヤツタ３
と、カートリツジケース１の内面に溶着されたクリーニ
ングシート（図示せず）とから主に構成されている。

【００１６】前記カートリツジケース１は、上ケース１
ａと下ケース１ｂとから構成され、これらは例えばＡＢ
Ｓ樹脂などの硬質合成樹脂で射出成形されている。

【００１７】下ケース１ｂの略中央部には回転駆動軸挿
入用の開口４が形成され、その近くに長方形のヘツド挿
入口５が形成されている。図示していないが、上ケース
１ａにも同様にヘツド挿入口５が形成されている。上ケ
ース１ａと下ケース１ｂの前面付近には、前記シヤツタ
３のスライド範囲を規制するために少し低くなつた凹部
６が形成され、この凹部６の中間位置に前記ヘツド挿入
口５が開口している。

【００１８】前記磁気デイスク２は図３に示すように、
ドーナツ状のフレキシブルな磁気シート７と、その磁気
シート７の中央孔に挿入されて接着された金属製あるい
は合成樹脂製のセンターハブ８とから構成されている。

【００１９】前記磁気シート７は、ベースフイルム９
と、そのベースフイルム９の両面に塗着、形成された磁
性層１０ａ、１０ｂとから構成されている。

【００２０】前記ベースフイルム９は、例えばポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ）あるいはポリイミドなどの合成樹脂フイ
ルムから構成されている。

【００２１】前記磁性層１０ａ、１０ｂは、強磁性粉、
バインダ、研磨粉ならびに潤滑剤などの混合物から構成
されている。

【００２２】前記強磁性粉としては、例えばバリウムフ
エライト、ストロンチウムフエライト、α−Ｆｅ、Ｃｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐ、γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ
含有γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₃Ｏ₄、ＣｒＯ
₂、Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉなどの微粉末が使用される。

【００２３】前記バインダとしては、例えば塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコール共重合体、ウレタン樹脂、ポリイソシアネ
ート化合物、放射線硬化性樹脂などが使用される。

【００２４】前記研磨粉としては、例えば酸化アルミニ
ウム、酸化クロム、炭化ケイ素、窒化ケイ素などが用い
られる。この研磨粉の添加率は、磁性粉に対して約０．
１〜２５重量％が適当である。

【００２５】前記潤滑剤としては、例えばステアリン
酸、オレイン酸などの高級脂肪酸、これらの高級脂肪酸
エステル、流動パラフイン、スクアラン、フツ素樹脂、
フツ素オイルなどが使用可能である。この潤滑剤の添加
率は、磁性粉に対して約０．１〜２５重量％が適当であ
る。

【００２６】磁性塗料の具体的な組成例を示せば次の通
りである。

【００２７】磁性塗料組成例バリウムフエライト１００重量部（Ｈｃ：５３０〔Ｏｅ〕，飽和磁化量：５７〔ｅｍｕ／ｇ〕，平均粒径：０．０４〔μｍ〕）塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体１１．０重量部ウレタン樹脂６．６重量部三官能性イソシアネート化合物４．４重量部酸化アルミニウム粉末（平均粒径０．４３〔μｍ〕）１５重量部カーボンブラツク２重量部オレイン酸オレイル７重量部シクロヘキサノン１５０重量部トルエン１５０重量部前述の磁性塗料組成例の組成物をボールミル中でよく混
合分散して磁性塗料を調整し、これを６２μｍのポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）のベースフイルムの両
面に、乾燥平均厚みが０．８９μｍとなるように塗布
し、乾燥したのち、カレンダ処理を施して磁性層１０
ａ、１０ｂをそれぞれ形成する。

【００２８】このようにして構成された磁気デイスク２
の磁性層１０ａの表面に、図３に示すようにリフアレン
ストラツク１１と、多数の磁気ヘツドトラツキング用光
学トラツク１２がエンボス加工などによつて形成され
る。これらリフアレンストラツク１１ならびに磁気ヘツ
ドトラツキング用光学トラツク１２は、磁気デイスク２
の回転中心１３を中心にして同心円状に設けられてい
る。

【００２９】１つの磁気ヘツドトラツキング用光学トラ
ツク１２と隣の磁気ヘツドトラツキング用光学トラツク
１２との間に、所望の情報が記録できるデータトラツク
１４が形成される。

【００３０】図３に示すように磁気デイスク２上に設け
られる記録帯域１５の最内周部に前記リフアレンストラ
ツク１１が形成され、それより径方向外側、すなわち磁
気ヘツドの走行方向と直交する方向外側に磁気ヘツドト
ラツキング用光学トラツク１２とデータトラツク１４が
交互に多数形成される。

【００３１】前記リフアレンストラツク１１は図４に示
すように、磁気ヘツドの走行方向Ｘに沿つて延びてお
り、リフアレンストラツク１１の中心線１６上の任意の
点１７を中心として点対称に長方形のリフアレンス凹部
領域１８Ａとリフアレンス凹部領域１８Ｂが一対になつ
て形成されている。このリフアレンス凹部領域１８Ａの
隣（リフアレンス凹部領域１８Ｂの前方）ならびにリフ
アレンス凹部領域１８Ｂの隣（リフアレンス凹部領域１
８Ａの後方）には凹部のない平面部１９Ａと平面部１９
Ｂとがある。

【００３２】これら一組のリフアレンス凹部領域１８
Ａ、１８Ｂ、平面部１９Ａ、１９Ｂが、磁気ヘツドの走
行方向Ｘに沿つて間欠的または連続的に多数形成される
ことにより、リフアレンストラツク１１を構成してい
る。

【００３３】この実施例において前記リフアレンス凹部
領域１８Ａ、１８Ｂの磁気ヘツド走行方向の長さＬ１は
２．４ｍｍ、幅方向の長さＬ２は１８μｍである。

【００３４】このリフアレンストラツク１１上に所定の
信号が予め記録されており、磁気ヘツドでこのリフアレ
ンストラツク１１上を走査し、そのときの出力波形に基
づいて磁気ヘツド（磁気ギヤツプ）の中心位置をリフア
レンストラツク１１の中心線１６上に導くことができ
る。

【００３５】このようにして磁気ヘツド（磁気ギヤツ
プ）をリフアレンストラツク１１の中心線１６上、すな
わち基準位置に合わせると同時に、その磁気ヘツドに連
結されている発光素子と受光素子群からなる光デイテク
タ（後述する）で磁気ヘツドトラツキング用光学トラツ
ク１２間の光デイテクタの現在位置を検知する。そして
この光学トラツク１２に対する光デイテクタの位置的な
ずれ量を演算し、そのずれ量に基づいて以下述べるよう
に磁気ヘツドのトラツキングサーボを行なう。

【００３６】その後、磁気ヘツドキヤリツジを移送する
モータを回転して、磁気ヘツドの中心位置を最内周にあ
るデータトラツクの中心線２４近くまで移動させる（図
５参照）。

【００３７】そして磁気ヘツドのトラツキングサーボ
は、磁気ヘツドトラツキング用光学トラツク１２を利用
して各トラツク毎に行なわれる。

【００３８】図５ないし図９は、磁気デイスク２のトラ
ツキングサーボを説明するための図である。図５に示す
ように、磁気ヘツドトラツキング用光学トラツク１２に
もトラツキング用凹部２３が、磁気ヘツドの走行方向Ｘ
に沿つて間欠的または連続的に形成されている。

【００３９】この実施例の場合、トラツキング用凹部２
３は間欠的に形成され、トラツキング用凹部２３の幅Ｌ
３は５μｍ、データトラツク１４の幅Ｌ４は１５μｍで
ある。

【００４０】前記リフアレンス凹部領域１８Ａ、１８Ｂ
ならびにトラツキング用凹部２３は、図６に示すように
同時にプレス加工によつて形成される。

【００４１】同図に示すようにセンターハブ８を取り付
けた磁気デイスク２が、基台２５上にセツトされる。こ
の基台２５にはセンターハブ８の中央孔２６（図３参
照）に挿入されるセンターピン２７が突設されており、
センターハブ８の中央孔２６にこのセンターピン２７を
通して磁気デイスク２を基台２５上に位置決めする。

【００４２】基台２５の上方には、それと平行にスタン
パ２８が上下動可能に配置され、スタンパ２８は前記セ
ンターピン２７によつて上下動がガイドされるようにな
つている。スタンパ２８の下面には前記リフアレンス凹
部領域１８Ａ、１８Ｂならびにトラツキング用凹部２３
を形成するための微細な突部２９が多数形成されてい
る。図６の状態からスタンパ２８を下げて、磁気デイス
ク２を基台２５とスタンパ２８との間において所定の圧
力で挟持する。これによつてスタンパ２８に形成されて
いる突部２９が磁性層１０ａの表面に食い込み、圧縮に
より断面形状がほぼ台形のリフアレンス凹部領域１８
Ａ、１８Ｂならびにトラツキング用凹部２３が形成され
る。

【００４３】記録再生時には、図７に示すように磁気デ
イスク２は磁気ヘツド３０ａ、３０ｂの間で挟持された
状態で回転する。前記磁気ヘツド３０ａの方には、トラ
ツキングサーボ用の光を出力する例えばＬＥＤなどから
なる発光素子３１と、磁性層１０ａからの反射光を受光
する受光素子群３２とが一体に取り付けられている。

【００４４】そしてこの磁気ヘツド３０ａの発光素子３
１ならびに受光素子群３２が取り付けられている部分
は、磁気デイスク２側に向けて開口している。

【００４５】受光素子群３２は図８に示すように４つの
受光素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄから構成され
ており、データトラツク１４ならびにトラツキング用凹
部２３上で反射する光をこの受光素子３２ａ、３２ｂ、
３２ｃ、３２ｄで受光して、各受光素子３２ａ、３２
ｂ、３２ｃ、３２ｄの出力は図９に示すようにサーボ信
号演算部３３に入力される。そしてこのサーボ信号演算
部３３で求められた位置修正信号がヘツド駆動制御部３
４に入力され、それからの制御信号に基づいて磁気ヘツ
ド３０のトラツキング制御が成される。

【００４６】前にも述べたように、磁性層１０の厚さは
オーバライト特性を改善して、ノイズを少なくするため
には１μｍ未満にする必要があるが、そうするとデータ
トラツク１４上での反射強度がばらつきやすくなり、適
正なトラツキングサーボが行なわれ難いという新たな問
題がある。

【００４７】本発明者らは、磁性層１０の厚さとデータ
トラツク１４上での反射強度ならびにオーバライト特性
との関係について諸種の実験を行なつた。

【００４８】次の表１は、発光素子３１（赤外発光ダイ
オード使用）から出射される光の中心波長（λ）を８８
０ｎｍ、その光の入射角（θ）を２０度にして、磁性層
１０の厚さを種々変えた場合の磁性層表面での反射率
と、各磁性層厚におけるオーバライト特性を測定してま
とめた表である。

【００４９】なお、オーバライト特性は、最初に１５０
Ｈｚの信号をデータトラツク上に書込み、次いでその１
５０Ｈｚの信号が書き込まれたデータトラツク上に６０
０Ｈｚの信号を重ね書きして、残存する１５０Ｈｚの信
号の再生出力を測定したものである。

【００５０】表１磁性層の厚さ（μｍ）反射率（％）オーバライト特性（ｄＢ）０．２４６．２ −４２．２０．３１１０．５ −４０．５０．３５１１．０ −４０．３０．３７１１．３ −４０．００．４３１１．０ −３９．５０．４５１０．０ −３９．００．５０６．４ −３８．００．５５１０．２ −３６．２０．５９１１．０ −３６．００．６２１１．３ −３５．７０．６６１１．０ −３３．５０．６７１０．５ −３３．３０．７０８．１ −３３．００．７４６．５ −３２．８０．８１１０．８ −３２．６０．８５１１．０ −３１．２０．８９１１．２ −３０．３０．９４１１．０ −３０．００．９７１０．４ −２９．８１．１５１０．８ −２６．５１．４０１１．２ −２５．２１．６５１０．７ −２３．１この表１の結果から明らかなように、磁性層１０の厚さ
によつて反射率ならびにオーバライト特性が大きく異な
り、磁性層１０の厚さが０．２４μｍ、０．５０μｍ、
０．７０μｍ、０．７４μｍならびに０．９９μｍ付近
では反射率が低い。一方、磁性層１０の厚さが１．１５
μｍ以上になると反射率は常に高いがオーバライト特性
が悪い。

【００５１】これに対して磁性層１０の厚さを０．３１
〜０．４５μｍ、０．５５〜０．６７μｍ、０．８１〜
０．９７μｍのいずれかの範囲に規制すれば、高い反射
率（１０％以上）と良好なオーバライト特性（−３０ｄ
Ｂ以下）を得ることができ、特に磁性層１０の厚さを
０．３５〜０．４３μｍ、０．５９〜０．６６μｍ、
０．８５〜０．９４μｍのいずれかの範囲に規制する
と、さらに高い反射率と良好なオーバライト特性が得ら
れる。

【００５２】次に磁性層１０の厚さを０．８９μｍにし
て、発光素子３１から出射される光の中心波長（λ）と
その光の入射角（θ）を種々変えたときの反射率を測定
して、中心波長（λ）と入射角（θ）と反射率とが互い
に密接な関係にあることを見出し、その結果をまとめて
図１０に示した。

【００５３】この図は縦軸に発光素子３１から出射され
る光の中心波長（λ）を、横軸に光の入射角（θ）をと
った中心波長とその光の入射角との相関図であり、図中
の●印は反射率が１１％以上、○印は反射率が１０％以
上で１１％未満、△印は反射率が８％以上で１０％未
満、×印は反射率が８％未満のものを示す。

【００５４】この図から明らかなように、中心波長
（λ）が７４０ｎｍから９４０ｎｍで、光の入射角
（θ）が７０度以下のものが使用でき、磁性層１０の膜
厚が同じでも発光素子３１から出射される光の中心波長
（λ）とその光の入射角（θ）とを適正に組み合わせる
ことにより、安定した高い反射率を得ることができる。

【００５５】すなわち、中心波長（λ）とその光の入射角（θ）との相関図において、図中の直線Ｌ₁は、 λ₁＝−２．２θ＋８６０〔ｎｍ〕式１直線Ｌ₂は、 λ₂＝−２．２θ＋８９０〔ｎｍ〕式２直線Ｌ₃は、 λ₃＝−２．２θ＋９５０〔ｎｍ〕式３直線Ｌ₄は、 λ₄＝−２．２θ＋９９０〔ｎｍ〕式４で表せられる。従って、光の中心波長（λ）とその光の
入射角（θ）とが、前記直線Ｌ₁（式１）と直線Ｌ
₄（式４）とよつて囲まれた範囲内にあると、反射率は
確実に１０％以上確保でき、また前記直線Ｌ₂（式２）
と直線Ｌ₃（式３）とよつて囲まれた範囲内にあると、
反射率は確実に１１％以上確保できる。

【００５６】次の表２は、発光素子３１（赤外発光ダイ
オード使用）から出射される光の中心波長を８３０ｎ
ｍ、その光の入射角を４０度にして、磁性層１０の厚さ
を種々変えた場合の磁性層表面での反射率を測定してま
とめた表である。

【００５７】表２磁性層の厚さ（μｍ）反射率（％）０．２４６．１０．３１１０．７０．３５１１．００．３７１１．５０．４３１１．００．４５１０．３０．５０６．２０．５５１０．３０．５９１１．１０．６２１１．３０．６６１１．００．６７１０．５０．７０７．５０．７４６．００．８１１０．６０．８５１１．１０．８９１１．２０．９４１１．００．９７１０．２１．１５１０．５１．４０１１．５１．６５１０．３次の表３は、発光素子３１（半導体レーザ使用）から出
射される光の中心波長を７８０ｎｍ、その光の入射角を
６０度にして、磁性層１０の厚さを種々変えた場合の磁
性層表面での反射率を測定してまとめた表である。

【００５８】表３磁性層の厚さ（μｍ）反射率（％）０．２４６．５０．３１１０．３０．３５１１．５０．３７１１．３０．４３１１．１０．４５１０．２０．５０６．００．５５１０．２０．５９１１．００．６２１１．５０．６６１１．１０．６７１０．５０．７０７．８０．７４６．６０．８１１０．７０．８５１１．００．８９１１．２０．９４１０．９０．９７１０．４１．１５１０．５１．４０１１．０１．６５１０．６この表２ならびに表３の結果からも明らかなように、磁
性層１０の厚さを０．３１〜０．４５μｍ、０．５５〜
０．６７μｍ、０．８１〜０．９７μｍのいずれかの範
囲に規制すれば、高い反射率（１０％以上）と良好なオ
ーバライト特性（−３０ｄＢ以下）を得ることができ、
特に磁性層１０の厚さを０．３５〜０．４３μｍ、０．
５９〜０．６６μｍ、０．８５〜０．９４μｍのいずれ
かの範囲に規制すると、さらに高い反射率と良好なオー
バライト特性が得られることが分かる。

【００５９】このように高い反射率を有するということ
は、前記トラツキング用凹部２３との反射率の差が明確
に現れ、磁気ヘツドのトラツキングサーボが適正に行な
われることを意味する。

【００６０】さらに本発明者らは磁性層の厚さを０．８
９μｍと一定にし、発光素子３１として光の中心波長が
８８０ｎｍの赤外発光ダイオードを使用し、発光素子３
１からの入射角度を２０度として、磁性層中の磁性粉の
平均粒径と反射率のばらつきとの関係について検討し、
その結果を次の表４に示す。

【００６１】表４磁性粉の平均粒径（μｍ）反射率（％）０．０８８．７〜１０．３０．０６１０．５〜１１．３０．０４１０．８〜１１．５この表から明らかなように、磁性粉の平均粒径が０．０
６μｍ以下のものは反射率のばらつきが少なく品質的に
一定していることが分かる。

【００６２】この磁性粉として、特にバリウムフエライ
トあるいはストロンチウムフエライト等の板状フエライ
トが好適である。前記バリウムフエライトはＢａＯ・６
Ｆｅ₂Ｏ₃を主成分とし、ストロンチウムフエライトは
ＳｒＯ・６Ｆｅ₂Ｏ₃を主成分とし、ともにマグネツト
プランバイト型の六方晶の結晶構造を有している。

【００６３】また本発明者らは磁性層の厚さを０．８９
μｍと一定にし、発光素子３１として光の平均波長が８
８０ｎｍの赤外発光ダイオードを使用し、発光素子３１
からの入射角度を２０度とし、磁性粉の平均粒径が０．
０４μｍのバリウムフエライトを用いて、磁性層の表面
粗さ（Ｒａ）と反射率のばらつきとの関係について検討
し、その結果を次の表５に示す。

【００６４】表５磁性層の表面粗さ（Ｒａ）反射率（％）０．０２０７．０〜９．５０．０１５１０．５〜１１．３０．００６１１．２〜１２．２この表から明らかなように、磁性層の表面粗さ（Ｒａ）
が０．０１５μｍ以下のものは反射率のばらつきが少な
く品質的に一定していることが分かる。なお、この磁性
層の表面粗さ（Ｒａ）は例えばカレンダーの処理条件を
コントロールすることにより所望の値に調整することが
できる。

【００６５】図１１は、本発明の他の実施例を示す拡大
断面図である。この実施例の場合、ベースフイルム９の
上に例えばアルミニウム、錫、ニツケル、銅などの金属
あるいは酸化チタン、酸化アルミニウムなどの金属酸化
物を主成分とする反射膜４０が形成され、その上にトラ
ツキング凹部２３を有する磁性層１０ａが設けられてい
る。

【００６６】この実施例においても前述のように磁性層
１０ａの膜厚、磁性粉の平均粉径ならびに磁性層１０ａ
の表面粗さなどが前述のような範囲で規制されている。

【００６７】この実施例のように、ベースフイルム９と
磁性層１０ａとの間に例えばアルミニウム、錫、ニツケ
ル、銅などの金属あるいは酸化チタン、酸化アルミニウ
ムなどの金属酸化物またはポリカーボネート、ポリフエ
ニレンサルフアイド、ポリイミドなどのベースフイルム
９よりも硬質の合成樹脂からなる中間層（この実施例で
は反射膜４０）を予め設けておけば、トラツキング用凹
部２３をスタンピングする際に（図６参照）きれいなト
ラツキング用凹部２３が形成される。

【００６８】前記実施例ではデイスク状の磁気記録媒体
について説明したが、本発明は例えば磁気カードなど他
の形態の磁気記録媒体にも適用が可能である。

【００６９】

【発明の効果】本発明は前述のように、磁性層の厚さと
を特定の範囲に限定することにより、データトラツク上
での反射強度を高め、トラツキング用光学凹部による磁
気ヘツドのトラツキングサーボが適正に行なわれる磁気
記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る磁気デイスクカートリツ
ジの一部を分解した斜視図である。

【図２】磁気シートの拡大断面図である。

【図３】磁気デイスクの平面図である。

【図４】リフアレンストラツクの一部拡大平面図であ
る。

【図５】リフアレンストラツクならびに磁気ヘツドトラ
ツキング用光学トラツクを説明するための図である。

【図６】リフアレンストラツクならびに磁気ヘツドトラ
ツキング用光学トラツクを形成する装置を示す断面図で
ある。

【図７】磁気ヘツドのトラツキングサーボを説明するた
めの断面図である。

【図８】受光素子の配置状態を示す説明図である。

【図９】磁気ヘツドのトラツキング制御を説明するため
の断面図である。

【図１０】発光素子から出射される光の中心波長と入射
角との関係を示す相関図である。

【図１１】磁気記録媒体の他の実施例を示す拡大断面図
である。

【図１２】従来の磁気記録媒体の拡大断面図である。

【図１３】従来の磁気記録媒体上での受光素子の配置状
態を示す説明図図である。

【符号の説明】

２磁気デイスク７磁気シート９ベースフイルム１０ａ．１０ｂ磁性層１１リフアレンストラツク１２磁気ヘツドトラツキング用光学トラツク１４データトラツク１５記録帯域２３トラツキング用凹部３０磁気ヘツド３１発光素子３２受光素子群３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ受光素子３３サーボ信号演算部３４ヘツド駆動制御部４０反射膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性体からなる基体と、その基体の上
に形成された磁性層を有し、その磁性層の表面に所定の間隔をおいて多数の磁気ヘツ
ドトラツキング用光学凹部が設けられ、その磁気ヘツドトラツキング用光学凹部と隣の磁気ヘツ
ドトラツキング用光学凹部との間に、所望の情報を記録
するデータトラツクが形成された磁気記録媒体におい
て、前記データトラツクの磁性層の厚さが、０．３１〜０．
４５μｍ、０．５５〜０．６７μｍ、０．８１〜０．９
７μｍのいずれかの範囲に規制されていることを特徴と
する磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１記載において、前記データトラ
ツクの磁性層の厚さが、０．３５〜０．４３μｍ、０．
５９〜０．６６μｍ、０．８５〜０．９４μｍのいずれ
かの範囲に規制されていることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項３】請求項１または請求項２記載において、
前記膜厚を有する磁気記録媒体が、磁気ヘツドトラツキ
ング用発光素子から前記磁性層に対して照射される光の
中心波長（λ）が７４０〜９４０ｎｍの範囲内で、その
光の入射角（θ）が７０度以下に設定された磁気記録再
生装置に使用される磁気記録媒体であることを特徴とす
る磁気記録媒体。
【請求項４】請求項３記載において、前記磁気ヘツド
トラツキング用発光素子から照射される光の中心波長
（λ）とその光の入射角（θ）とが、その光の中心波長
（λ）と入射角（θ）との相関図において下記の２つの
式によつて区画された範囲内にあることを特徴とする磁
気記録媒体。 λ₁＝−２．２θ＋８６０〔ｎｍ〕 λ₄＝−２．２θ＋９９０〔ｎｍ〕
【請求項５】請求項３記載において、前記磁気ヘツド
トラツキング用発光素子から照射される光の中心波長
（λ）とその光の入射角（θ）とが、その光の中心波長
（λ）と入射角（θ）との相関図において下記の２つの
式によつて区画された範囲内にあることを特徴とする磁
気記録媒体。 λ₂＝−２．２θ＋８９０〔ｎｍ〕 λ₃＝−２．２θ＋９５０〔ｎｍ〕
【請求項６】請求項１または請求項２記載において、
前記磁性層に含有される磁性粉の平均粒径が０．０６μ
ｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】請求項１または請求項２記載において、
前記磁性粉が板状フエライトであることを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項８】請求項７記載において、前記板状フエラ
イトがバリウムフエライトであることを特徴とする磁気
記録媒体。
【請求項９】請求項１または請求項２記載において、
前記データトラツクの表面粗さ（Ｒａ）が０．０１５μ
ｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】請求項１または請求項２記載におい
て、前記基体と磁性層との間に反射膜が形成されていこ
とを特徴とする磁気記録媒体。