JPH051991B2 - - Google Patents

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JPH051991B2
JPH051991B2 JP15077287A JP15077287A JPH051991B2 JP H051991 B2 JPH051991 B2 JP H051991B2 JP 15077287 A JP15077287 A JP 15077287A JP 15077287 A JP15077287 A JP 15077287A JP H051991 B2 JPH051991 B2 JP H051991B2
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JP
Japan
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temperature
current
circuit
output
package
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JP15077287A
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JPS63314877A (en
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Toshitsugu Ueda
Yoshiaki Kudo
Eiji Ogita
Yoshihiko Tachikawa
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Yokogawa Electric Corp
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Yokogawa Electric Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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    • H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザ光源部の温度と出力光
量とを安定化する手段に関するものである。 〔従来の技術〕 半導体レーザダイオード（以下単にLDと記す）
の寿命は、温度に影響される。これを第４図を用
いて説明する。第４図はLDの電流−光出力特性
を示している。同図で示したパラメータＴは温度
を表わし、その温度値は、t1＜t2＜t3の関係にあ
る。同図から分るように出力光量P1を得る場合、
温度が高い程大きな電流をLDに加えなければな
らない。その結果、高い温度状態ではLDの寿命
が短くなるのである。そこでLDが設けられたパ
ツケージの温度を調節することが行なわれてい
る。 また、出力されるレーザ波長を或る値に制御す
る場合も、半導体レーザダイオードの温度を管理
する必要があるので、LDの温度を検出・測定す
ることが行われる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 LDが設けられたパツケージの温度を制御する
には、温度を検出する温度センサをパツケージに
取付ける必要がある。 第３図は従来の温度検出手段を示す図である。
同図において、１はLD、３はLD１が組込まれた
パツケージ、２１はパツケージ３が取付けられた
プレート、２２はプレート２１に密着して設けら
れた熱容量体、２３は熱容量体２２に中に埋め込
まれた温度センサである。 温度センサ２３は、一般に或る程度の熱容量を
持つたものでないと正確な温度を測定することが
できないので、第３図に示すように熱容量体２２
に埋め込んだ状態としてパツケージ３部に取付け
る。その結果、温度センサ２３を取付けた従来の
半導体レーザ光源の形状は大きくなり好ましくな
い。 本発明の目的は、特別に外付の温度センサを設
けることなくLDの温度を検出してLDの温度を制
御するとともに、出力光量も制御できる半導体レ
ーザ光源を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点を解決するために 光量モニタ用ホトダイオードを同一パツケージ
内に備えた半導体レーザダイオードと、 前記パツケージを加熱・冷却する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧を
検出し、この開放電圧に基づいて加熱・冷却手段
を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの短絡電流を
検出し、この短絡電流に基づいて半導体レーザダ
イオードに流す電流値を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧の
検出と、短絡電流の検出とを時分割で行うように
制御するタイミング回路と、 を備えるようにしたものである。 〔実施例〕 以下、図面を用いて本発明を詳しく説明する。 第１図は、本発明に係る半導体レーザ光源の一
実施例を示した図である。 同図において、１は半導体レーザダイオード
（LD）、２はLD１と同一のパツケージ３内に設け
られた光量モニタ用ホトダイオード（以下PDと
記す）である。LD１とPD２の一方の端子は共通
に回路アースに接続される。 ４はパツケージ３部に設けられた加熱・冷却器
であり、後述する温度調節器の制御の下にパツケ
ージ３（LD１とも言える）を加熱したり、冷却
したりするものである。 ５はPD２の開放電圧Voを受ける増幅器であ
り、ここでは高い入力インピーダンスの特性を有
するボルテージフオロワ回路で構成している。 ６はＩ・Ｖ変換器であり、スイツチ手段７を介
して導入したPD２の短絡電流Isを電圧値に変換
するものである。 ７はスイツチ手段であり、後述するタイミング
回路から加えられる制御信号S3により制御される
もので、例えばアナログスイツチ等により構成す
ることができる。 ８，９はホールド回路でありホールド回路８は
後述するタイミング回路から加えられる制御信号
S2が“high”の期間において増幅器５を介して導
入したPD２の開放電圧をホールドし、信号Sbを
次段へ出力するものである。なお、制御信号S2が
“low”の期間は増幅器５の出力SBをそのまま出
力する。 また、ホールド回路９は後述するタイミング回
路から加えられる制御信号S1が“high”の期間に
おいてＩ・Ｖ変換器６の出力SAをホールドし、
信号Saを次段へ出力するものである。なお、制
御信号S1が“low”の期間はＩ・Ｖ変換器６の出
力SAをそのまま出力する。 １０は温度調節器であり、ホールド回路８から
導入した信号Sbに基づいて加熱・冷却器４を制
御し、パツケージ３の温度を所望の温度にコント
ロールするものである。なお、この温度調節器１
０は公知なものを使用することができる。 １１は電流調節器であり、ホールド回路９から
導入した信号Saに基づいてLD１へ制御電流を流
し、所望の出力光量が得られるようにコントロー
ルするものである。なお、この電流調節器１１は
公知なものを使用することができる。 １２はタイミング回路であり、スイツチ手段７
とホールド回路８，９の動作タイミングを制御す
るものである。 本発明の特徴点を述べる。市販されている半導
体レーザダイオードにおいては、LD１の出力光
量をモニタするために、通常、同一のパツケージ
の中に光量モニタ用のホトダイオードが設けられ
ている。本発明は、この光量モニタ用ホトダイオ
ードを光量モニタ用と、LD１の温度センサ用と
時分割で使い分けている点に特徴がある。 以下、第１図装置の動作を第２図に示すタイム
チヤートを参照しながら説明する。 市販されている一般的なLD１の外観例を第５
図に示す。第５図において、３はパツケージであ
り、第５図で円筒状を成し、プレート２１とで小
さな空間を形成している。この空間部に部材３ｂ
に取付けられたLD１が設けられている。そして
透明カバー３ａが、パツケージ３の前面に設けら
れ、この透明カバー３ａを通してLD１の出力レ
ーザビームが照射される。また、第５図では、隠
れて見えないが、このパツケージ３とプレート２
１で構成される空間内に、LD１の出力光量をモ
ニタする光量モニタ用ホトダイオードPD2が設け
られている。 第１図において、タイミング回路１２は、第２
図１と３と６に示す位相関係にある制御信号S1，
S2，S3をスイツチ手段７と、ホールド回路８，９
に加えている。 そして制御信号S1が“high”の時、ホールド回
路９は制御信号S1の立上がりエツジが発生した時
のＩ・Ｖ変換器６の出力SA（第２図２参照）を取
込み、これを“high”の期間中、ホールドする
（第２図４参照）。 一方、制御信号S2が“high”の時、ホールド回
路８は制御信号S2の立上がりエツジが発生した時
の増幅器５の出力（開放電圧Voに対応…第２図
５参照）を取込み、これを“high”の期間中、ホ
ールドする。 また、制御信号S3が“high”の期間は、スイツ
チ手段７はオンとなる。 このようなタイミングで制御することにより、
光量モニタ用ホトダイオードPD２を光量モニタ
用と、温度センサ用とに時分割で使用できる。以
下、その動作を説明する。 第２図において時刻t1では、スイツチ手段７は
オン、ホールド回路８はホールド状態、ホールド
回路９はスルーの状態である。スイツチ手段７が
オンであるから、PD２の開放電圧VoはＩ・Ｖ変
換器６を構成する増幅器Ｕの仮想接地電位となり
Ovである（第２図５参照） (A) 時刻t2にて、制御信号S1が立上がると（３参
照）、この立上がりエツジが発生した時のＩ・Ｖ
変換器６の出力SAの値をホールド回路９はホー
ルドする（第２図４参照）。そしてこのホールド
した値Saを電流調節器１１は取込み、この信号
Saに基づいてLD１に流す電流を制御して、出力
光量を制御する。 (B) 時刻t3にてスイツチ手段７はオフとなる。従つ
て、Ｉ・Ｖ変換器６の出力はOvとなる（第２図
２参照）とともにPD２の開放電圧Voは或るレベ
ルの値となるので増幅器５の出力SBは、第２図５
のように変化する。そして時刻t4にて制御信号S2
が“low”となるとホールド回路８の出力Sbは第
２図７のように変化し、時刻t5にて制御信号S2が
立上がると、この立上がりエツジが発生した時t5
の増幅器５の出力SBの値をホールドする。このホ
ールドした値Sbを温度調節器１０は取込み、こ
の信号Sbに基づいて加熱・冷却器４を制御して
パツケージ３の温度を所望の値にする。 以下、時刻t6にてスイツチ手段７が再びオンと
なるので、PD２の短絡電流Isが再びＩ・Ｖ変換
器６に流れ込むとともに（第２図２参照）、開放
電圧VoがOvとなつて（第２図５参照）、時刻t1と
同じ状態に戻る。 このように本発明では、PD２の短絡電流Isを
電圧変換し、ホールド回路出力電圧Saとして電
流調節器１１に導入し、LD１に流す電流を調節
することにより出力光量を制御している。 一方、LD１の温度の測定については、PD２の
開放電圧Voを増幅器５で測定し、ホールド回路
出力電圧Sbとして温度調節器１０に導入し、加
熱・冷却器４を制御することでLD１の温度を所
望の値に制御している。 なお、PD２の短絡電流Isは、ほぼ光量のみの
関数であり、開放電圧Voは光量と温度の関数で
ある。そして本発明では短絡電流Isを検出してフ
イードバツクをかけ、光量を安定化しているの
で、開放電圧Voは温度のみの関数と見なすこと
ができる。この理由を詳しく説明する。 図示していないが、一般にホトダイオードを等
価回路で表わすと、照射された光量に比例した光
電流ILが流れる定電流源Ａと、ダイオードｄの並
列回路で表わすことが知られている。従つて、
PD２の短絡電流Isは光量に応じた値の電流ILで
ある。 また、PD２の開放電圧Voは次式で表わされ
る。 VokT／ｅln（IL／In＋１） ｋ：ボルツマン定数 ｅ：電子の電荷 Ｔ：PD２の絶対温度 IL：入射光による発生電流 In：暗電流（温度の関数） ここで入射光量が一定ならば、 VoCT・Ｔ （CT：温度係数） とすることができる。 なお、 CT＝αVo／αT｜IL＝一定＝−1.4mv／Ｋ（Ｔ＝０ ℃） 〜2.4mv／Ｋ（Ｔ＝40℃） 上式より、開放電圧Voは約−2mv／Ｋの温度
係数を持つており、本発明はこれを利用して温度
を検出している。 〔本発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、次の効果
が得られる。 特別に外付の温度センサを必要としないの
で、半導体レーザ光源を小型化できる。 PD２はLDチツプと同一パツケージ内にある
ので外付センサよりも、よりLDチツプ温度に
近い値を測定でき、適切な温度コントロールを
行うことができる。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to means for stabilizing the temperature and output light amount of a semiconductor laser light source. [Conventional technology] Semiconductor laser diode (hereinafter simply referred to as LD)
The lifespan of is affected by temperature. This will be explained using FIG. 4. FIG. 4 shows the current-light output characteristics of the LD. The parameter T shown in the figure represents temperature, and the temperature values have a relationship of t 1 <t 2 <t 3 . As can be seen from the figure, when obtaining the output light amount P 1 ,
The higher the temperature, the greater the current must be applied to the LD. As a result, the lifetime of the LD is shortened at high temperatures. Therefore, the temperature of the package in which the LD is installed is adjusted. Also, when controlling the output laser wavelength to a certain value, it is necessary to control the temperature of the semiconductor laser diode, so the temperature of the LD is detected and measured. [Problems to be Solved by the Invention] In order to control the temperature of a package provided with an LD, it is necessary to attach a temperature sensor to the package to detect the temperature. FIG. 3 is a diagram showing a conventional temperature detection means.
In the figure, 1 is an LD, 3 is a package in which LD1 is installed, 21 is a plate to which package 3 is attached, 22 is a heat capacity body provided in close contact with the plate 21, and 23 is a heat capacity body embedded in the heat capacity body 22. temperature sensor. Generally, the temperature sensor 23 cannot measure the temperature accurately unless it has a certain amount of heat capacity, so as shown in FIG.
Attach it to part 3 of the package cage while it is embedded in the package. As a result, the shape of the conventional semiconductor laser light source to which the temperature sensor 23 is attached becomes undesirably large. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser light source that can detect the temperature of an LD and control the temperature of the LD without providing a special external temperature sensor, and can also control the amount of output light. [Means for Solving the Problems] In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides: a semiconductor laser diode including a photodiode for monitoring the amount of light in the same package; a means for heating and cooling the package; and a method for controlling the amount of light. means for detecting an open-circuit voltage of a monitoring photodiode and controlling a heating/cooling means based on the open-circuit voltage; and a means for detecting a short-circuit current of the light intensity monitoring photodiode and causing a current to flow through the semiconductor laser diode based on the short-circuit current. and a timing circuit for controlling the detection of the open-circuit voltage of the light amount monitoring photodiode and the detection of the short-circuit current in a time-sharing manner. [Example] Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor laser light source according to the present invention. In the figure, 1 is a semiconductor laser diode (LD), and 2 is a photodiode (hereinafter referred to as PD) for monitoring the amount of light provided in the same package 3 as the LD 1. One terminal of LD1 and PD2 is commonly connected to circuit ground. Reference numeral 4 denotes a heating/cooling device provided in the package 3, which heats and cools the package 3 (also referred to as LD 1) under the control of a temperature controller to be described later. Reference numeral 5 denotes an amplifier that receives the open circuit voltage Vo of PD2, and here it is constituted by a voltage follower circuit having high input impedance characteristics. Reference numeral 6 denotes an I/V converter, which converts the short circuit current Is of the PD 2 introduced via the switch means 7 into a voltage value. Reference numeral 7 denotes a switch means, which is controlled by a control signal S3 applied from a timing circuit, which will be described later, and can be constituted by, for example, an analog switch. 8 and 9 are hold circuits, and hold circuit 8 receives a control signal applied from a timing circuit described later.
During the period when S2 is "high", the open circuit voltage of PD2 introduced via the amplifier 5 is held, and the signal Sb is output to the next stage. Note that during the period when the control signal S 2 is "low", the output S B of the amplifier 5 is output as is. Further, the hold circuit 9 holds the output S A of the I/V converter 6 during a period in which a control signal S 1 applied from a timing circuit to be described later is "high",
It outputs the signal Sa to the next stage. Note that during the period when the control signal S1 is "low", the output SA of the I/V converter 6 is output as is. Reference numeral 10 denotes a temperature regulator, which controls the heating/cooling device 4 based on the signal Sb introduced from the hold circuit 8, and controls the temperature of the package 3 to a desired temperature. In addition, this temperature controller 1
For 0, a known value can be used. Reference numeral 11 denotes a current regulator, which controls a control current to flow through the LD 1 based on the signal Sa introduced from the hold circuit 9 so as to obtain a desired output light amount. Note that a known current regulator 11 can be used. 12 is a timing circuit, and switch means 7
and controls the operation timing of the hold circuits 8 and 9. The features of the present invention will be described. In commercially available semiconductor laser diodes, in order to monitor the output light amount of the LD 1, a photodiode for monitoring the light amount is usually provided in the same package. The present invention is characterized in that the photodiode for monitoring the amount of light is used in a time-sharing manner for monitoring the amount of light and for the temperature sensor of LD1. The operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be explained below with reference to the time chart shown in FIG. The fifth example of the external appearance of a common commercially available LD1 is
As shown in the figure. In FIG. 5, 3 is a package, which has a cylindrical shape in FIG. 5 and forms a small space with the plate 21. In FIG. member 3b in this space.
There is an LD1 attached to the LD1. A transparent cover 3a is provided on the front surface of the package 3, and the output laser beam of the LD1 is irradiated through the transparent cover 3a. Also, in Fig. 5, although it is hidden and cannot be seen, this package 3 and plate 2
A light amount monitoring photodiode PD 2 for monitoring the output light amount of the LD 1 is provided in the space constituted by LD 1 . In FIG. 1, the timing circuit 12 includes a second
Control signals S 1 having the phase relationships shown in FIGS. 1, 3, and 6,
S 2 and S 3 are connected to switching means 7 and hold circuits 8 and 9.
In addition to When the control signal S1 is "high", the hold circuit 9 takes in the output S A (see FIG. 2) of the I/V converter 6 when the rising edge of the control signal S1 occurs, and stores it. It is held during the "high" period (see FIG. 2, 4). On the other hand, when the control signal S2 is "high", the hold circuit 8 takes in the output of the amplifier 5 (corresponding to the open-circuit voltage Vo...see Fig. 2, 5) when the rising edge of the control signal S2 occurs. is held during the “high” period. Further, during the period when the control signal S3 is "high", the switch means 7 is turned on. By controlling at such timing,
The photodiode PD2 for monitoring the amount of light can be used in a time-sharing manner for monitoring the amount of light and as a temperature sensor. The operation will be explained below. In FIG. 2 , at time t1, the switch means 7 is on, the hold circuit 8 is in a hold state, and the hold circuit 9 is in a through state. Since the switch means 7 is on, the open circuit voltage Vo of the PD2 becomes the virtual ground potential of the amplifier U constituting the I/V converter 6.
Ov (see Figure 2, 5) (A) At time t2 , when the control signal S1 rises (see 3), the I・V when this rising edge occurs
A hold circuit 9 holds the value of the output S A of the converter 6 (see FIG. 2, 4). Then, the current regulator 11 takes in this held value Sa , and this signal
The amount of output light is controlled by controlling the current flowing through LD1 based on Sa. (B) At time t3 , the switch means 7 is turned off. Therefore, the output of the I/V converter 6 becomes Ov (see FIG. 2), and the open circuit voltage Vo of PD2 becomes a certain level, so the output S B of the amplifier 5 becomes Ov (see FIG. 2).
It changes like this. Then, at time t 4 , the control signal S 2
becomes "low", the output S b of the hold circuit 8 changes as shown in FIG. 2, and when the control signal S 2 rises at time t 5 , when this rising edge occurs
The value of the output S B of the amplifier 5 is held. The temperature controller 10 takes in this held value Sb , and controls the heating/cooling device 4 based on this signal Sb to bring the temperature of the package 3 to a desired value. Thereafter, the switch means 7 is turned on again at time t6 , so the short-circuit current Is of PD2 flows into the I/V converter 6 again (see Fig. 2), and the open circuit voltage Vo becomes Ov ( (see FIG. 2, 5), and returns to the same state as at time t1 . As described above, in the present invention, the short-circuit current Is of PD2 is voltage-converted and introduced into the current regulator 11 as the hold circuit output voltage Sa , and the amount of output light is controlled by adjusting the current flowing through LD1. On the other hand, regarding the measurement of the temperature of LD1, the open circuit voltage Vo of PD2 is measured by the amplifier 5, which is introduced into the temperature controller 10 as the hold circuit output voltage Sb , and the temperature of LD1 is adjusted by controlling the heating/cooling device 4. Controlled to desired value. Note that the short circuit current Is of PD2 is almost a function only of the amount of light, and the open circuit voltage Vo is a function of the amount of light and temperature. In the present invention, the short-circuit current Is is detected and fed back to stabilize the amount of light, so the open circuit voltage Vo can be regarded as a function only of temperature. The reason for this will be explained in detail. Although not shown, it is generally known that a photodiode can be expressed as an equivalent circuit by a parallel circuit consisting of a constant current source A through which a photocurrent I L proportional to the amount of irradiated light flows and a diode d. Therefore,
The short-circuit current Is of PD2 is a current I L having a value depending on the amount of light. Furthermore, the open circuit voltage Vo of PD2 is expressed by the following equation. VokT/eln (I L /I n +1) k: Boltzmann constant e: Electron charge T: Absolute temperature of PD2 I L : Current generated by incident light I n : Dark current (function of temperature) Here, the amount of incident light is constant Then, it can be set as VoC T ·T (C T : temperature coefficient). Furthermore, C T = αVo / αT | I L = constant = -1.4mv/K (T = 0°C) ~ 2.4mv/K (T = 40°C) From the above formula, the open circuit voltage Vo is approximately -2mv/K. It has a temperature coefficient, and the present invention uses this to detect temperature. [Effects of the present invention] As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. Since no special external temperature sensor is required, the semiconductor laser light source can be downsized. Since PD2 is in the same package as the LD chip, it can measure a value closer to the LD chip temperature than an external sensor, allowing for appropriate temperature control.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明に係る半導体レーザ光源の構成
例を示す図、第２図は第１図装置の各部の信号の
タイムチヤート、第３図は従来手段の構成を示す
図、第４図は半導体レーザダイオードの電流−光
出力の関係を示す図、第５図は市販されている半
導体レーザダイオードの外観例を示す図である。 １……LD、２……PD、３……パツケージ、４
……加熱・冷却器、５……増幅器、６……Ｉ・Ｖ
変換器、７……スイツチ手段、８，９……ホール
ド回路、１０……温度調節器、１１……電流調節
器、１２……タイミング回路。 FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of a semiconductor laser light source according to the present invention, FIG. 2 is a time chart of signals in each part of the device shown in FIG. 1, FIG. 3 is a diagram showing the configuration of conventional means, and FIG. A diagram showing the relationship between current and optical output of a semiconductor laser diode, and FIG. 5 is a diagram showing an example of the appearance of a commercially available semiconductor laser diode. 1...LD, 2...PD, 3...Package, 4
...Heating/cooler, 5...Amplifier, 6...I/V
converter, 7... switch means, 8, 9... hold circuit, 10... temperature regulator, 11... current regulator, 12... timing circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １ 光量モニタ用ホトダイオードを同一パツケー
ジ内に備えた半導体レーザダイオードと、 前記パツケージを加熱・冷却する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧を
検出し、この開放電圧に基づいて加熱・冷却手段
を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの短絡電流を
検出し、この短絡電流に基づいて半導体レーザダ
イオードに流す電流値を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧の
検出と、短絡電流の検出とを時分割で行うように
制御するタイミング回路と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ光源。[Scope of Claims] 1. A semiconductor laser diode including a light intensity monitoring photodiode in the same package, means for heating and cooling the package, and detecting an open circuit voltage of the light intensity monitoring photodiode, and detecting an open circuit voltage of the light intensity monitoring photodiode, and detecting the open circuit voltage of the light intensity monitoring photodiode, and means for controlling a heating/cooling means based on the light intensity monitoring photodiode; means for detecting a short circuit current of the light intensity monitoring photodiode and controlling a current value flowing through the semiconductor laser diode based on the short circuit current; and an open circuit voltage of the light intensity monitoring photodiode. 1. A semiconductor laser light source comprising: a timing circuit that controls detection of short-circuit current and detection of short-circuit current in a time-sharing manner;
JP15077287A 1987-06-17 1987-06-17 Semiconductor laser light source Granted JPS63314877A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15077287A JPS63314877A (en) 1987-06-17 1987-06-17 Semiconductor laser light source

Applications Claiming Priority (1)

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JP15077287A JPS63314877A (en) 1987-06-17 1987-06-17 Semiconductor laser light source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63314877A JPS63314877A (en) 1988-12-22
JPH051991B2 true JPH051991B2 (en) 1993-01-11

Family

ID=15504085

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