JPH05189707A - Sense current control method for magnetic head and magnetic storage device - Google Patents
Sense current control method for magnetic head and magnetic storage deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、磁気抵抗効果素子
(以下、MR素子という)を用いた磁気ヘッドのセンス
電流制御方法およびその方法を用いた磁気記憶装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for controlling a sense current of a magnetic head using a magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as an MR element) and a magnetic memory device using the method.
【0002】[0002]
【従来の技術】金属円盤に磁性膜を形成したハード磁気
ディスクを用いた磁気記憶装置では、一般に、磁気ヘッ
ドに正圧型スライダを用いている。正圧型スライダを用
いた場合、磁気ヘッドはいわゆるCSS(Contact Star
t Stop)動作を行なう。CSS動作は、磁気ディスクが
静止している状態では、スライダはバネ等によってハー
ドディスク表面に接触せしめられており、磁気ディスク
が回転を始めると、スライダとハードディスクの表面間
に生じる空気流によってスライダは磁気ディスクの表面
から浮上せしめられ、定常回転中はその浮力とバネ等に
よる押圧力とが平衡する位置で停止する。ハードディス
クが回転を停止すると、前記押圧力によってスライダは
再び磁気ディスク表面に接触せしめられる、という動作
である。2. Description of the Related Art In a magnetic storage device using a hard magnetic disk having a magnetic film formed on a metal disk, a positive pressure type slider is generally used for a magnetic head. When a positive pressure type slider is used, the magnetic head is a so-called CSS (Contact Star).
t Stop) Perform the operation. In the CSS operation, when the magnetic disk is stationary, the slider is brought into contact with the surface of the hard disk by a spring or the like, and when the magnetic disk starts to rotate, the air flow generated between the slider and the surface of the hard disk causes the slider to become magnetic. It is levitated from the surface of the disk and stops during steady rotation at a position where its buoyancy and the pressing force of a spring or the like are in equilibrium. When the hard disk stops rotating, the pressing force causes the slider to come into contact with the surface of the magnetic disk again.
【0003】磁気ヘッドに負圧型スライダを用いた場
合、磁気ヘッドはスタート時および停止時にも磁気ディ
スク表面に接触しないので、磁気ヘッドは常に浮上した
状態で動作する。When a negative pressure type slider is used as the magnetic head, the magnetic head does not contact the surface of the magnetic disk at the time of starting and stopping, so that the magnetic head always operates in a floating state.
【0004】ハード磁気ディスクは通常スピンドルに固
定されていて、モータによって高速で回転せしめられ
る。そのスピンドルは通常、ノイズおよび静電気を減少
させるために接地される。A hard magnetic disk is usually fixed to a spindle and is rotated at a high speed by a motor. The spindle is usually grounded to reduce noise and static.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、MR素子が
摺動面に露出した磁気ヘッドと、記録層として金属膜を
用いたハード磁気ディスクとを組み合わせて磁気記憶装
置を構成した場合、CSS動作を行なうと、磁気ディス
クが静止している時および磁気ディスクの回転数が低い
時には、磁気ヘッドと磁気ディスクの接触により、MR
素子と金属膜の間で電気的に導通する可能性がある。こ
れは、記録層として金属膜を用いた磁気ディスクは、金
属膜上に保護膜を付着させているが、この保護膜は極め
て薄い(数十nm程度)ため、接触時にMR素子に再生
用のセンス電流が供給されていると、MR素子と金属膜
の間で絶縁破壊が生じること、および、磁気ディスクが
固定されたスピンドルが接地されていることによる。By the way, when a magnetic storage device is constructed by combining a magnetic head whose MR element is exposed on a sliding surface and a hard magnetic disk using a metal film as a recording layer, a CSS operation is performed. Then, when the magnetic disk is stationary and the rotational speed of the magnetic disk is low, contact between the magnetic head and the magnetic disk causes MR
There is a possibility of electrical conduction between the element and the metal film. This is because a magnetic disk using a metal film as a recording layer has a protective film adhered on the metal film, but since this protective film is extremely thin (several tens of nm), the MR element is used for reproduction when contacted. When the sense current is supplied, dielectric breakdown occurs between the MR element and the metal film, and the spindle to which the magnetic disk is fixed is grounded.
【0006】また、磁気ディスクが定常回転中であって
も、磁気ヘッドの浮上量を小さくする(例えば1μm以
下)と、磁気ディスク表面に残存する微細な突起に磁気
ヘッドが衝突したり、外部から加えられる衝撃によって
磁気ヘッドが磁気ディスクに接触したりすることがあ
り、それらの場合にもMR素子と金属膜の間で電気的に
導通する可能性がある。Further, even when the magnetic disk is rotating steadily, if the flying height of the magnetic head is reduced (for example, 1 μm or less), the magnetic head may collide with minute projections remaining on the surface of the magnetic disk or from the outside. The magnetic head may come into contact with the magnetic disk due to the applied shock, and even in those cases, there is a possibility of electrical conduction between the MR element and the metal film.
【0007】磁気ヘッドに負圧型スライダを用いた場合
は、磁気ヘッドは常に磁気ディスク表面から浮上してい
るため、正常な動作状態では磁気ヘッドが磁気ディスク
に接触することはないが、磁気ディスク表面に残存する
突起や外部から加えられる衝撃に起因して磁気ヘッドと
磁気ディスクが接触することがある。したがって、負圧
型スライダの場合にも、MR素子と金属膜の間で電気的
に導通する可能性がある。When a negative pressure type slider is used as the magnetic head, the magnetic head always floats above the surface of the magnetic disk. Therefore, the magnetic head does not come into contact with the magnetic disk in a normal operating state. The magnetic head and the magnetic disk may come into contact with each other due to the protrusions remaining on the disk and the impact applied from the outside. Therefore, even in the case of the negative pressure type slider, there is a possibility that electrical conduction will occur between the MR element and the metal film.
【0008】上述したような原因でMR素子と金属膜が
電気的に導通した時に、MR素子に信号検出用のセンス
電流が供給されていると、MR素子に過大電流が流れ、
その結果、MR素子が断線してしまうという問題が生じ
る。If a sense current for signal detection is supplied to the MR element when the MR element and the metal film are electrically connected to each other due to the above-mentioned causes, an excessive current flows in the MR element,
As a result, there is a problem that the MR element is disconnected.
【0009】そこで、この発明の目的は、センス電流に
起因してMR素子が断線する恐れを少なくすることがで
きる磁気ヘッドのセンス電流制御方法および磁気記憶装
置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magnetic head sense current control method and a magnetic storage device capable of reducing the risk of MR element disconnection due to the sense current.
【0010】[0010]
(1)この発明の第1の磁気ヘッドのセンス電流制御方
法は、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドが、金属膜
よりなる記録層を有する磁気ディスクに対してCSS動
作を行なう場合に、スタート時には、前記磁気ヘッドが
前記磁気ディスクの表面より浮上してから前記磁気抵抗
効果素子にセンス電流の供給を行ない、ストップ時に
は、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクの表面に接触す
る前にセンス電流の供給を停止することを特徴とする。(1) In the first magnetic head sense current control method of the present invention, when the magnetic head having the magnetoresistive effect element performs the CSS operation on the magnetic disk having the recording layer made of a metal film, at the start time. , Supplying a sense current to the magnetoresistive effect element after the magnetic head has floated above the surface of the magnetic disk, and at the time of stop, supplying a sense current before the magnetic head contacts the surface of the magnetic disk. It is characterized by stopping.
【0011】この磁気ヘッドのセンス電流制御方法で
は、前記磁気ヘッドが、前記磁気ディスクの表面から浮
上している間にその磁気ディスクの表面に接触すると、
その接触時にセンス電流の供給を一時的に停止するのが
好ましい。In this magnetic head sense current control method, when the magnetic head contacts the surface of the magnetic disk while levitating from the surface of the magnetic disk,
It is preferable to temporarily stop the supply of the sense current at the time of contact.
【0012】(2)この発明の第2の磁気ヘッドのセン
ス電流制御方法は、磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッ
ドが、金属膜よりなる記録層を有する磁気ディスクの表
面より浮上した状態で情報の記録・再生を行なう場合
に、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクの表面に接触す
ると、その接触時にセンス電流の供給を一時的に停止す
ることを特徴とする。(2) In the second method of controlling the sense current of the magnetic head according to the present invention, information is recorded in a state where the magnetic head having the magnetoresistive effect element floats above the surface of the magnetic disk having the recording layer made of a metal film. When recording / reproducing, when the magnetic head comes into contact with the surface of the magnetic disk, supply of the sense current is temporarily stopped at the time of contact.
【0013】(3)この発明の第1の磁気記憶装置は、
磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドが、金属膜よりな
る記録層を有する磁気ディスクに対してCSS動作を行
なう磁気記憶装置において、前記磁気ヘッドが前記磁気
ディスクの表面より浮上しているか否かを検知する浮上
検知手段と、前記磁気抵抗効果素子に対してセンス電流
の供給を行なうセンス電流供給手段と、前記磁気ヘッド
が浮上している間は前記磁気抵抗効果素子に対してセン
ス電流の供給を行ない、前記磁気ヘッドが浮上していな
い間は前記センス電流の供給を停止するように前記セン
ス電流供給手段を制御するセンス電流制御手段とを備え
てなることを特徴とする。(3) The first magnetic storage device of the present invention is
In a magnetic storage device in which a magnetic head having a magnetoresistive effect element performs a CSS operation on a magnetic disk having a recording layer made of a metal film, it is detected whether or not the magnetic head is above the surface of the magnetic disk. Floating detection means, sense current supply means for supplying a sense current to the magnetoresistive effect element, and sense current supply to the magnetoresistive effect element while the magnetic head is floating. And a sense current control means for controlling the sense current supply means so as to stop the supply of the sense current while the magnetic head is not flying.
【0014】この磁気記憶装置では、前記磁気ヘッドの
前記磁気ディスクの表面に対する接触を検知する接触検
知手段を備えており、その接触検知手段は前記磁気ヘッ
ドが浮上している間に接触を検知すると、その接触時に
センス電流の供給を一時的に停止するように前記センス
電流制御手段を制御するのが好ましい。This magnetic storage device is provided with a contact detecting means for detecting the contact of the magnetic head with the surface of the magnetic disk, and the contact detecting means detects the contact while the magnetic head is floating. It is preferable to control the sense current control means so that the supply of the sense current is temporarily stopped when the contact is made.
【0015】(4)この発明の第2の磁気記憶装置は、
磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドが、金属膜よりな
る記録層を有する磁気ディスクの表面より浮上した状態
で情報の記録・再生を行なう磁気記憶装置において、前
記磁気抵抗効果素子に対してセンス電流の供給を行なう
センス電流供給手段と、前記磁気ヘッドの前記磁気ディ
スクの表面に対する接触を検知する接触検知手段と、前
記接触検知手段が接触を検知すると、その接触時にセン
ス電流の供給を一時的に停止するように前記センス電流
供給手段を制御するセンス電流制御手段とを備えてなる
ことを特徴とする。(4) A second magnetic memory device according to the present invention is
In a magnetic memory device for recording / reproducing information in a state where a magnetic head having a magnetoresistive effect element floats above the surface of a magnetic disk having a recording layer made of a metal film, a sense current When the contact is detected by the contact detecting means for detecting the contact of the sense current supplying means for supplying the magnetic head with the surface of the magnetic disk, the supply of the sense current is temporarily stopped when the contact is made. And a sense current control means for controlling the sense current supply means.
【0016】(5)上記第1および第2の磁気記憶装置
では、前記磁気抵抗効果型素子が前記磁気ヘッドの摺動
面に露出しているのが好ましい。(5) In the first and second magnetic memory devices, it is preferable that the magnetoresistive effect element is exposed on the sliding surface of the magnetic head.
【0017】[0017]
【作用】この発明の第1の磁気ヘッドのセンス電流制御
方法および磁気記憶装置では、CSS動作を行なう磁気
ヘッドが磁気ディスクの表面より浮上している間にセン
ス電流を供給する。このため、磁気ヘッドと磁気ディス
クの接触により、MR素子と金属膜の間に過大電流が流
れてMR素子が断線する可能性はほとんどなくなる。In the first magnetic head sense current control method and magnetic storage device of the present invention, the sense current is supplied while the magnetic head performing the CSS operation is floating above the surface of the magnetic disk. Therefore, there is almost no possibility that the MR element will be disconnected due to an excessive current flowing between the MR element and the metal film due to the contact between the magnetic head and the magnetic disk.
【0018】この発明の第2の磁気ヘッドのセンス電流
制御方法および磁気記憶装置では、浮上状態で情報の記
録・再生を行なう磁気ヘッドが磁気ディスクに接触する
と、その接触時にセンス電流の供給を一時的に停止す
る。このため、浮上状態での接触によってMR素子が断
線する可能性がなくなる。In the second method of controlling the sense current of the magnetic head and the magnetic storage device of the present invention, when the magnetic head for recording / reproducing information in the floating state contacts the magnetic disk, the sense current is temporarily supplied at the time of contact. Stop. Therefore, there is no possibility that the MR element will be disconnected due to the contact in the floating state.
【0019】[0019]
【実施例】以下、添付図面に基づいてこの発明の実施例
を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【0020】[第1実施例]図1は、この発明の磁気記
憶装置の第1実施例の構成を示すブロック図である。こ
の発明の磁気記憶装置1は、MR素子を組み込んだ磁気
ヘッド10と、金属膜の記録層を有するハード磁気ディ
スク20と、磁気ディスク20を回転駆動する回転駆動
装置30と、磁気ヘッド10に供給するセンス電流を制
御するセンス電流制御装置40とを備えている。この磁
気ヘッド10は、磁気ディスク20に対してCSS動作
を行なう。[First Embodiment] FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a first embodiment of a magnetic memory device of the present invention. The magnetic storage device 1 of the present invention supplies a magnetic head 10 incorporating an MR element, a hard magnetic disk 20 having a metal film recording layer, a rotary drive device 30 for rotationally driving the magnetic disk 20, and a magnetic head 10. And a sense current control device 40 for controlling the sense current. The magnetic head 10 performs a CSS operation on the magnetic disk 20.
【0021】磁気ヘッド10の感磁部は、図2に示すよ
うに、厚さ15nmのパーマロイ膜からなるMR素子1
1と、シャント膜12との積層膜で構成され、その感磁
部の両側には絶縁層を介して一対のシ−ルド膜13、1
4が形成されている。MR素子11、シャント膜12、
一対のシ−ルド膜13、14は、スライダ15に組み込
まれている。MR素子11の高さは2μmであり、その
先端はスライダ15の摺動面16に露出している。この
磁気ヘッド10の最終的な摺動面研磨は、0.1μmの
粒径を持つダイヤモンド・ペ−ストを用いて錫定盤上で
行なっているため、研磨後のMR素子11の先端と摺動
面16との段差は5nm以下と極めて小さくなってい
る。The magnetic sensing portion of the magnetic head 10 is, as shown in FIG. 2, an MR element 1 made of a permalloy film having a thickness of 15 nm.
1 and a shunt film 12 are laminated, and a pair of shield films 13 and 1 are provided on both sides of the magnetic sensitive portion with an insulating layer interposed therebetween.
4 are formed. MR element 11, shunt film 12,
The pair of shield films 13 and 14 are incorporated in the slider 15. The MR element 11 has a height of 2 μm, and its tip is exposed on the sliding surface 16 of the slider 15. Since the final polishing of the sliding surface of the magnetic head 10 is performed on a tin surface plate using a diamond paste having a grain size of 0.1 μm, it is slid on the tip of the MR element 11 after polishing. The level difference with the moving surface 16 is 5 nm or less, which is extremely small.
【0022】磁気ディスク20は、直径3.5インチの
円盤状であり、図3に示すように、NiP基板21上に
Crの下地層22を介して、厚さ30nmのCoCrT
aの記録層23が形成されている。記録層23の上に
は、厚さ10nmのカ−ボンの保護層24が形成されて
いる。この磁気ディスク20は、アルミニウムの固定具
33を介してスピンドル31に固定されている。スピン
ドル31はモータ32によって回転駆動される。また、
スピンドル31は導線34を介してア−スされていて、
常にゼロ電位となるようにしている。The magnetic disk 20 has a disk shape with a diameter of 3.5 inches. As shown in FIG. 3, a CoCrT film having a thickness of 30 nm is formed on a NiP substrate 21 via a Cr underlayer 22.
The recording layer 23 of a is formed. A carbon protective layer 24 having a thickness of 10 nm is formed on the recording layer 23. The magnetic disk 20 is fixed to the spindle 31 via an aluminum fixture 33. The spindle 31 is rotationally driven by a motor 32. Also,
The spindle 31 is grounded via a conductor 34,
The potential is always zero.
【0023】回転駆動手段30は、モータ32によって
構成されている。モータ32はスピンドル31を回転さ
せ、それによって磁気ディスク20が回転する。The rotation driving means 30 is composed of a motor 32. The motor 32 rotates the spindle 31, which causes the magnetic disk 20 to rotate.
【0024】センス電流制御装置40は、モータ32の
回転数を検出する回転数検出回路41と、MR素子11
に対するセンス電流の供給・停止を制御するセンス電流
制御回路42と、センス電流をMR素子11に供給する
センス電流供給回路43とを備えている。The sense current control device 40 includes a rotation speed detection circuit 41 for detecting the rotation speed of the motor 32, and the MR element 11.
A sense current control circuit 42 that controls the supply / stop of the sense current to the MR element 11 and a sense current supply circuit 43 that supplies the sense current to the MR element 11.
【0025】回転数検出回路41はモ−タ32の回転数
をモニタし、その回転数が予め定めた設定値を越えてい
れば、センス電流制御回路42にその旨の信号を送り続
ける。その回転数が予め定めた設定値を越えていなけれ
ば、センス電流制御回路42には信号を送らない。The rotation speed detection circuit 41 monitors the rotation speed of the motor 32, and if the rotation speed exceeds a preset value, continues to send a signal to that effect to the sense current control circuit 42. If the number of revolutions does not exceed the preset value, no signal is sent to the sense current control circuit 42.
【0026】センス電流制御回路42は、回転数検出回
路41から前記信号を受けると、磁気ヘッド10にセン
ス電流を供給するようにセンス電流供給回路43に制御
信号を送る。回転数検出回路41から前記信号が送られ
て来ない場合は、制御信号を送らない。When the sense current control circuit 42 receives the signal from the rotation speed detection circuit 41, the sense current control circuit 42 sends a control signal to the sense current supply circuit 43 so as to supply the sense current to the magnetic head 10. When the signal is not sent from the rotation speed detection circuit 41, the control signal is not sent.
【0027】センス電流供給回路43は、センス電流制
御回路42からの制御信号に応じて磁気ヘッド10のM
R素子11にセンス電流を供給する。センス電流制御回
路42から制御信号が送られて来ない場合は、センス電
流を供給しない。The sense current supply circuit 43 responds to the control signal from the sense current control circuit 42 by the M of the magnetic head 10.
A sense current is supplied to the R element 11. When the control signal is not sent from the sense current control circuit 42, the sense current is not supplied.
【0028】この第1実施例では、回転数検出回路41
が浮上検知手段を構成し、センス電流制御回路42がセ
ンス電流制御手段を構成し、センス電流供給回路43が
センス電流供給手段を構成する。In this first embodiment, the rotation speed detection circuit 41
Represents the flying height detection means, the sense current control circuit 42 constitutes the sense current control means, and the sense current supply circuit 43 constitutes the sense current supply means.
【0029】以上の構成を持つ磁気記憶装置1では、モ
ータ32が予め設定された回転数に達するまで、すなわ
ち磁気ヘッド10が完全に浮上するまでは、回転数検出
回路41はセンス電流制御回路42に入力信号を送らな
い。したがって、センス電流供給回路43から磁気ヘッ
ド10にセンス電流が供給されないため、磁気ヘッド1
0が磁気ディスク20と接触してもMR素子11と記録
層23とが絶縁破壊を起こすことがなくなる。In the magnetic storage device 1 having the above-described structure, the rotation speed detection circuit 41 operates as the sense current control circuit 42 until the motor 32 reaches the preset rotation speed, that is, until the magnetic head 10 completely floats. Do not send input signal to. Therefore, since the sense current is not supplied from the sense current supply circuit 43 to the magnetic head 10, the magnetic head 1
Even when 0 comes into contact with the magnetic disk 20, the MR element 11 and the recording layer 23 do not cause dielectric breakdown.
【0030】モータ32が予め設定された回転数に達す
ると、回転数検出回路41はセンス電流制御回路42に
信号を送り始めるため、その信号を受けたセンス電流制
御回路42は、センス電流供給回路43にセンス電流を
供給する旨の制御信号を送る。センス電流供給回路43
は、その制御信号に応じて磁気ヘッド10のMR素子1
1にセンス電流を供給する。こうして、磁気ディスク2
0に記憶された情報の再生を行なう。When the motor 32 reaches a preset rotation speed, the rotation speed detection circuit 41 starts to send a signal to the sense current control circuit 42. Therefore, the sense current control circuit 42 receiving the signal changes the sense current supply circuit 42. A control signal for supplying the sense current is sent to 43. Sense current supply circuit 43
Is the MR element 1 of the magnetic head 10 according to the control signal.
Supply a sense current to 1. Thus, the magnetic disk 2
The information stored in 0 is reproduced.
【0031】定常動作後に停止する際には、動作開始時
と同様に、モータ32の回転数が前記設定値まで低下す
るとセンス電流の供給が停止される。したがって、その
際にもMR素子11と記録層23とが絶縁破壊を起こす
ことがない。When the operation is stopped after the steady operation, the supply of the sense current is stopped when the number of rotations of the motor 32 is reduced to the set value as in the case of starting the operation. Therefore, also in that case, the MR element 11 and the recording layer 23 do not cause dielectric breakdown.
【0032】このように、磁気記憶装置1では、金属製
の記録膜23とMR素子11を用いいてCSS動作を繰
り返しても、過大電流がMR素子11に流れてMR素子
11が断線することがないという効果が得られる。As described above, in the magnetic storage device 1, even if the CSS operation is repeated using the metal recording film 23 and the MR element 11, an excessive current flows into the MR element 11 and the MR element 11 is disconnected. There is no effect.
【0033】回転数検出回路41が信号を送り始めるモ
ータ32の回転数は、その回転数に達すると磁気ヘッド
10が磁気ディスク20から完全に浮上するような値に
任意に設定すればよい。The rotation speed of the motor 32 at which the rotation speed detection circuit 41 starts to send a signal may be arbitrarily set to a value such that the magnetic head 10 completely floats above the magnetic disk 20 when the rotation speed is reached.
【0034】この実施例では、浮上検知手段として回転
数検出回路41を用いているが、磁気ヘッド10の浮上
を検知できるものであれば他の構成でもよい。In this embodiment, the rotation speed detection circuit 41 is used as the flying height detection means, but any other structure may be used as long as it can detect the flying height of the magnetic head 10.
【0035】[確認試験]以上の構成を持つ磁気記憶装
置1を製作し、試験を行なってこの発明の効果を確認し
た。試験条件は次の通りである。[Confirmation Test] The magnetic storage device 1 having the above-described structure was manufactured and tested to confirm the effects of the present invention. The test conditions are as follows.
【0036】スピンドル31すなわち磁気ディスク20
の定常回転数は、3600rpmに設定した。また、ス
ピンドル31の回転数が3000rpmに達すると、回
転数検出回路41がセンス電流制御回路42に信号を送
り始め、それを受けてセンス電流制御回路42が直ちに
センス電流検出回路43にセンス電流を供給する旨の制
御信号を送るように設定した。したがって、スタート時
およびストップ時のいずれにおいても、スピンドル31
の回転数が3000rpm以上であれば、センス電流供
給回路43から磁気ヘッド10のMR素子11にセンス
電流が供給され、スピンドル31の回転数が3000r
pm未満の時には、センス電流は供給されない。スピン
ドル31が3600rpmで回転している時の磁気ヘッ
ド10の浮上量は0.06μm、MR素子11に供給さ
れるセンス電流は12mAに設定した。Spindle 31 or magnetic disk 20
The constant rotation speed of was set to 3600 rpm. When the rotation speed of the spindle 31 reaches 3000 rpm, the rotation speed detection circuit 41 starts to send a signal to the sense current control circuit 42, and in response to this, the sense current control circuit 42 immediately sends a sense current to the sense current detection circuit 43. It was set to send a control signal to supply. Therefore, at both the start and stop, the spindle 31
If the rotation speed of the spindle 31 is 3000 rpm or more, the sense current is supplied from the sense current supply circuit 43 to the MR element 11 of the magnetic head 10, and the rotation speed of the spindle 31 is 3000 r.
When it is less than pm, the sense current is not supplied. The flying height of the magnetic head 10 was set to 0.06 μm and the sense current supplied to the MR element 11 was set to 12 mA when the spindle 31 was rotating at 3600 rpm.
【0037】このような試験条件でCSS動作を繰り返
し、MR素子11の断線の有無を調べた。The CSS operation was repeated under the above test conditions to check whether or not the MR element 11 was broken.
【0038】また、比較例として、センス電流制御回路
42を持たない以外は上記磁気記憶装置1と同じ構成を
持つ磁気記憶装置を製作した。そして、スタート時およ
びストップ時を含めてMR素子にセンス電流を供給し続
けながら、実施例と同様のCSS動作を繰り返し、MR
素子の断線の有無を調べた。As a comparative example, a magnetic memory device having the same structure as the magnetic memory device 1 except that the sense current control circuit 42 is not provided was manufactured. Then, while continuously supplying the sense current to the MR element including the start time and the stop time, the CSS operation similar to the embodiment is repeated to
The presence or absence of disconnection of the element was examined.
【0039】その結果を以下に示す。なお、実施例およ
び比較例のいずれも、50個の磁気ヘッドのサンプルに
ついて行なった。The results are shown below. It should be noted that both the examples and the comparative examples were carried out on samples of 50 magnetic heads.
【0040】 断線した磁気ヘッド数(個) CSS回数(回) 実施例1 比較例 5 1 10 0 5 20 1 6 30 1 8 40 3 12 50 3 12 図4は、上記結果に基づいて作成したグラフである。図
4において、aは実施例1のデータ、bは比較例のデー
タである。この結果から、CSS回数が50回では、比
較例では24%のMR素子が断線したが、実施例1では
6%であり、したがって、この発明によってMR素子の
断線発生率を24%から6%まで減少できることが分か
る。Number of Magnetic Heads Broken (Number) CSS Number (Times) Example 1 Comparative Example 5 1 10 0 5 20 20 6 6 30 1 8 40 3 12 50 3 12 Figure 4 is a graph created based on the above results Is. In FIG. 4, a is data of Example 1 and b is data of Comparative Example. From this result, when the number of times of CSS is 50, 24% of MR elements were disconnected in the comparative example, but 6% in Example 1. Therefore, according to the present invention, the occurrence rate of disconnection of the MR element is 24% to 6%. You can see that
【0041】[第2実施例]図5は、この発明の磁気記
憶装置の第2実施例を示す。この第2実施例は、第1実
施例をさらに改良したものである。[Second Embodiment] FIG. 5 shows a second embodiment of the magnetic memory device of the present invention. The second embodiment is a further improvement of the first embodiment.
【0042】上述のように、第1実施例の磁気記憶装置
1では、MR素子11の断線を減らすことはできるが、
なくすことはできない。これは、0.06μmというわ
ずかな浮上量で磁気ヘッド10を動作させているため、
浮上動作中にMR素子11が磁気ディスク20表面の微
細な突起に接触し、その時にMR素子11に過大電流が
流れることに起因すると考えられる。また、シーク時の
浮上動作が不安定である場合や、浮上状態で加えられた
衝撃によりMR素子11が磁気ディスク20表面に接触
する場合も考えられる。As described above, in the magnetic memory device 1 of the first embodiment, the breakage of the MR element 11 can be reduced, but
It cannot be lost. This is because the magnetic head 10 is operated with a small flying height of 0.06 μm.
It is considered that this is because the MR element 11 comes into contact with the fine protrusions on the surface of the magnetic disk 20 during the floating operation, and an excessive current flows through the MR element 11 at that time. It is also possible that the levitation operation during seek is unstable, and that the MR element 11 contacts the surface of the magnetic disk 20 due to the shock applied in the levitation state.
【0043】この第2実施例は、図5に示すように、上
記第1実施例に、浮上動作中に磁気ヘッド10と磁気デ
ィスク20間の接触を検知する手段を付加した構成を有
する。第2実施例でも、磁気ヘッド10は磁気ディスク
20に対してCSS動作を行なう。図5において、第1
実施例と同じ構成要素には同じ符号を付している。As shown in FIG. 5, the second embodiment has a structure in which a means for detecting the contact between the magnetic head 10 and the magnetic disk 20 during the floating operation is added to the first embodiment. Also in the second embodiment, the magnetic head 10 performs the CSS operation on the magnetic disk 20. In FIG. 5, the first
The same components as those in the embodiment are designated by the same reference numerals.
【0044】第2実施例の磁気記憶装置1aは、磁気ヘ
ッド10のスライダ15の一部にピエゾ素子44を接触
させ、ピエゾ素子44の出力信号をピエゾ出力増幅器4
5で増幅した後、センス電流制御回路42にフィ−ドバ
ックさせている。浮上動作中に磁気ヘッド10が磁気デ
ィスク20に接触すると、接触した瞬間だけピエゾ素子
44に加わる圧力が増加し、それに応じてピエゾ素子4
4の出力電圧が一時的に増加する。その出力電圧は、ピ
エゾ出力増幅器45で増幅された後、接触検知回路46
に入力される。接触検知回路46は、その信号によって
磁気ヘッド10と磁気ディスク20の接触を検知し、セ
ンス電流制御回路42にセンス電流の供給を一時的に停
止する旨の制御信号を送る。In the magnetic storage device 1a of the second embodiment, the piezoelectric element 44 is brought into contact with a part of the slider 15 of the magnetic head 10, and the output signal of the piezoelectric element 44 is output to the piezoelectric output amplifier 4.
After being amplified at 5, the sense current control circuit 42 is fed back. When the magnetic head 10 comes into contact with the magnetic disk 20 during the levitation operation, the pressure applied to the piezo element 44 increases only at the moment when the magnetic head 10 comes into contact with the piezo element 4 accordingly.
The output voltage of 4 temporarily increases. The output voltage is amplified by the piezo output amplifier 45, and then the contact detection circuit 46.
Entered in. The contact detection circuit 46 detects the contact between the magnetic head 10 and the magnetic disk 20 based on the signal, and sends a control signal to the sense current control circuit 42 to temporarily stop the supply of the sense current.
【0045】センス電流制御回路42は、MR素子11
にセンス電流を供給している際に接触検知回路46から
制御信号を受けると、その瞬間だけセンス電流の供給を
停止する。したがって、浮上動作中にMR素子11が磁
気ディスク20に接触しても、過大電流が流れてMR素
子11が断線する恐れがなくなる。The sense current control circuit 42 includes the MR element 11
When the control signal is received from the contact detection circuit 46 while the sense current is being supplied, the supply of the sense current is stopped only at that moment. Therefore, even if the MR element 11 comes into contact with the magnetic disk 20 during the levitation operation, there is no possibility that an excessive current will flow and the MR element 11 will be disconnected.
【0046】第2実施例の磁気記憶装置1aについて、
上記第1実施例と同じ確認試験を行なったところ、50
回のCSS動作を行なっても50個のMR素子11はい
ずれも断線しなかった。したがって、第2実施例によれ
ば再生動作中のMR素子11の断線を防止できることが
分かった。Regarding the magnetic memory device 1a of the second embodiment,
When the same confirmation test as in the first embodiment was performed, it was found to be 50
Even after performing the CSS operation once, the 50 MR elements 11 were not broken. Therefore, according to the second embodiment, it was found that the breakage of the MR element 11 during the reproducing operation can be prevented.
【0047】第2実施例では、ピエゾ素子44、ピエゾ
出力増幅器45および接触検知回路46が接触検知手段
を構成する。しかし、浮上動作中に磁気ヘッド10と磁
気ディスク20との接触を検知できるものであれば他の
構成でもよい。例えば、スライダ15に電極を設けてお
き、磁気ディスク20との接触が生じるとその瞬間に電
流が流れるようにしてもよい。In the second embodiment, the piezo element 44, the piezo output amplifier 45 and the contact detection circuit 46 constitute contact detection means. However, another configuration may be used as long as it can detect the contact between the magnetic head 10 and the magnetic disk 20 during the floating operation. For example, an electrode may be provided on the slider 15 so that when the contact with the magnetic disk 20 occurs, a current flows at that moment.
【0048】なお、以上の両実施例はいずれも、正圧型
スライダを用いてCSS動作を行なうものであるが、負
圧型スライダを用いて常に浮上状態で動作するようにし
てもよい。その場合は、第2実施例において回転数検出
回路41を除き、センス接触検知手段のみを設ければよ
い。In both of the above embodiments, the CSS operation is performed using the positive pressure type slider, but the negative pressure type slider may be used to always operate in the floating state. In that case, in the second embodiment, only the sense contact detecting means may be provided excluding the rotation speed detecting circuit 41.
【0049】[0049]
【発明の効果】以上説明したように、この発明の磁気ヘ
ッドのセンス電流制御方法および磁気記憶装置は、セン
ス電流に起因するMR素子の断線が生じ難くなるという
効果を有する。As described above, the magnetic head sense current control method and the magnetic memory device of the present invention have the effect that disconnection of the MR element due to the sense current is less likely to occur.
【図1】この発明の磁気記憶装置の第1実施例の構成を
示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a first embodiment of a magnetic storage device of the present invention.
【図2】図1の磁気記憶装置に用いた磁気ヘッドのトラ
ック中心位置での要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of essential parts at a track center position of a magnetic head used in the magnetic storage device of FIG.
【図3】図1の磁気記憶装置に用いた磁気ディスクの要
部断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of essential parts of a magnetic disk used in the magnetic storage device of FIG.
【図4】CSS回数と断線した磁気ヘッド数の関係を示
すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the number of CSSs and the number of magnetic heads that have broken.
【図5】この発明の磁気記憶装置の第2実施例の構成を
示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of a second embodiment of the magnetic storage device of the present invention.
1、1a 磁気記憶装置 10 磁気ヘッド 11 MR素子 12 シャント膜 13、14 シールド膜 15 スライダ 16 摺動面 20 磁気ディスク 21 基板 22 下地膜 23 記録層 24 保護膜 30 回転駆動装置 31 スピンドル 32 モータ 33固定具 34 導線 40 センス電流制御装置 41 回転数検出回路 42 センス電流制御回路 43 センス電流供給回路 44 ピエゾ素子 45 ピエゾ出力増幅器 46 接触検知回路 1, 1a Magnetic storage device 10 Magnetic head 11 MR element 12 Shunt film 13, 14 Shield film 15 Slider 16 Sliding surface 20 Magnetic disk 21 Substrate 22 Underlayer film 23 Recording layer 24 Protective film 30 Rotational drive device 31 Spindle 32 Motor 33 Fixed Tool 34 Conductive wire 40 Sense current control device 41 Rotation speed detection circuit 42 Sense current control circuit 43 Sense current supply circuit 44 Piezo element 45 Piezo output amplifier 46 Contact detection circuit
Claims (7)
が、金属膜よりなる記録層を有する磁気ディスクに対し
てCSS動作を行なう場合に、スタート時には、前記磁
気ヘッドが前記磁気ディスクの表面より浮上してから前
記磁気抵抗効果素子にセンス電流の供給を行ない、スト
ップ時には、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクの表面
に接触する前にセンス電流の供給を停止することを特徴
とする磁気ヘッドのセンス電流制御方法。1. When a magnetic head having a magnetoresistive effect element performs a CSS operation on a magnetic disk having a recording layer made of a metal film, at the time of start, the magnetic head floats above the surface of the magnetic disk. Sense current control for the magnetic head, wherein the sense current is supplied to the magnetoresistive effect element after that, and at the time of stop, the sense current supply is stopped before the magnetic head contacts the surface of the magnetic disk. Method.
表面から浮上している間にその磁気ディスクの表面に接
触すると、その接触時にセンス電流の供給を一時的に停
止する請求項1に記載の磁気ヘッドのセンス電流制御方
法。2. When the magnetic head comes into contact with the surface of the magnetic disk while floating above the surface of the magnetic disk, the supply of the sense current is temporarily stopped at the time of contact. Magnetic head sense current control method.
が、金属膜よりなる記録層を有する磁気ディスクの表面
より浮上した状態で情報の記録・再生を行なう場合に、
前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクの表面に接触する
と、その接触時にセンス電流の供給を一時的に停止する
ことを特徴とする磁気ヘッドのセンス電流制御方法。3. When a magnetic head having a magnetoresistive effect element performs recording / reproducing of information in a state of being levitated from the surface of a magnetic disk having a recording layer made of a metal film,
When the magnetic head comes into contact with the surface of the magnetic disk, the supply of the sense current is temporarily stopped when the magnetic head comes into contact with the magnetic disk.
が、金属膜よりなる記録層を有する磁気ディスクに対し
てCSS動作を行なう磁気記憶装置において、 前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクの表面より浮上して
いるか否かを検知する浮上検知手段と、 前記磁気抵抗効果素子に対してセンス電流の供給を行な
うセンス電流供給手段と、 前記磁気ヘッドが浮上している間は前記磁気抵抗効果素
子に対してセンス電流の供給を行ない、前記磁気ヘッド
が浮上していない間は前記センス電流の供給を停止する
ように前記センス電流供給手段を制御するセンス電流制
御手段とを備えてなることを特徴とする磁気記憶装置。4. A magnetic storage device in which a magnetic head having a magnetoresistive effect element performs a CSS operation on a magnetic disk having a recording layer made of a metal film, wherein the magnetic head floats above the surface of the magnetic disk. A floating detection means for detecting whether or not there is a sense current, a sense current supply means for supplying a sense current to the magnetoresistive effect element, and a sense for the magnetoresistive effect element while the magnetic head is floating. A magnetic memory comprising: a current supply means; and a sense current control means for controlling the sense current supply means so as to stop the supply of the sense current while the magnetic head is not floating. apparatus.
面に対する接触を検知する接触検知手段を備えており、
その接触検知手段は前記磁気ヘッドが浮上している間に
接触を検知すると、その接触時にセンス電流の供給を一
時的に停止するように前記センス電流制御手段を制御す
る請求項4に記載の磁気記憶装置。5. A contact detection means for detecting contact of the magnetic head with the surface of the magnetic disk is provided,
5. The magnetic sensor according to claim 4, wherein the contact detection means controls the sense current control means so as to temporarily stop the supply of the sense current when the contact is detected while the magnetic head is flying. Storage device.
が、金属膜よりなる記録層を有する磁気ディスクの表面
より浮上した状態で情報の記録・再生を行なう磁気記憶
装置において、 前記磁気抵抗効果素子に対してセンス電流の供給を行な
うセンス電流供給手段と、 前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクの表面に対する接触
を検知する接触検知手段と、 前記接触検知手段が接触を検知すると、その接触時にセ
ンス電流の供給を一時的に停止するように前記センス電
流供給手段を制御するセンス電流制御手段とを備えてな
ることを特徴とする磁気記憶装置。6. A magnetic storage device for recording / reproducing information while a magnetic head having a magnetoresistive effect element floats above the surface of a magnetic disk having a recording layer made of a metal film, wherein the magnetoresistive effect element is Sense current supply means for supplying sense current to the magnetic disk, contact detection means for detecting contact of the magnetic head with the surface of the magnetic disk, and supply of the sense current at the time of contact when the contact detection means detects contact. And a sense current control means for controlling the sense current supply means so as to temporarily stop the magnetic storage device.
ドの摺動面に露出している請求項4〜6のいずれかに記
載の磁気記憶装置。7. The magnetic storage device according to claim 4, wherein the magnetoresistive effect element is exposed on a sliding surface of the magnetic head.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP396992A JPH05189707A (en) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | Sense current control method for magnetic head and magnetic storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP396992A JPH05189707A (en) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | Sense current control method for magnetic head and magnetic storage device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05189707A true JPH05189707A (en) | 1993-07-30 |
Family
ID=11571907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP396992A Pending JPH05189707A (en) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | Sense current control method for magnetic head and magnetic storage device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05189707A (en) |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP396992A patent/JPH05189707A/en active Pending
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