JPH05184031A - Outside semiconductor layer cutter - Google Patents
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- Removal Of Insulation Or Armoring From Wires Or Cables (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶケーブル用の外部
半導電層切削装置に関するものである。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an external semiconductive layer cutting device for CV cables.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＣＶケーブルは、一般に図５に示すよう
な構造を備えている。即ち、図５は単心形のＣＶケーブ
ルを示し、１は導体、２は内部半導電層、３は絶縁層、
４は外部半導電層、５は金属遮蔽層、６はシースであ
る。上記のような構造の単心形のＣＶケーブルにおい
て、内部半導電層２と絶縁層３と外部半導電層４とは、
別工程で製造されることがあるが、通常は３台の押出機
をタンデムに配置し、同時に押し出す、いわゆる三層同
時押出方式により製造される場合が多い。そして、これ
らの３層を同時に形成するために、内部半導電層２及び
外部半導電層４としては、半導電性ポリエチレンが、又
絶縁層３としては架橋剤入ポリエチレンが使用されてい
る。上記のような構造のＣＶケーブル同士を接続するた
めには、先ず、ＣＶケーブルの端末の外部半導電層４を
除去する作業が必要である。そこで、従来では、上記外
部半導電層４の除去作業を次のようにして行なってい
た。即ち、図６に示すように、図５の金属遮蔽層５及び
シース６を除去した状態で、外部半導電層４上に刃物７
を当てがい、ＣＶケーブルの軸方向に沿って移動させ
て、外部半導電層４を切削するようにしていた。尚、外
部半導電層４の切削後は、その表面を平滑に仕上げるよ
うにしている。2. Description of the Related Art A CV cable generally has a structure as shown in FIG. That is, FIG. 5 shows a single-core CV cable, 1 is a conductor, 2 is an internal semiconductive layer, 3 is an insulating layer,
4 is an outer semiconductive layer, 5 is a metal shielding layer, and 6 is a sheath. In the single-core CV cable having the above structure, the inner semiconductive layer 2, the insulating layer 3, and the outer semiconductive layer 4 are
Although it may be produced in a separate step, it is usually produced by a so-called three-layer coextrusion method in which three extruders are arranged in tandem and are extruded at the same time. In order to form these three layers at the same time, semiconductive polyethylene is used for the inner semiconductive layer 2 and the outer semiconductive layer 4, and polyethylene containing a crosslinking agent is used for the insulating layer 3. In order to connect the CV cables having the above-described structure, first, it is necessary to remove the outer semiconductive layer 4 at the end of the CV cable. Therefore, conventionally, the work of removing the outer semiconductive layer 4 has been performed as follows. That is, as shown in FIG. 6, with the metal shielding layer 5 and the sheath 6 of FIG. 5 removed, a knife 7 is placed on the outer semiconductive layer 4.
Was applied and moved along the axial direction of the CV cable to cut the outer semiconductive layer 4. After the outer semiconductive layer 4 is cut, its surface is finished to be smooth.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な外部半導電層４の除去作業は、ＣＶケーブルの使用電
圧が６６ＫＶ級までは、ケーブルサイズが極端に大きく
ないことから、作業者の熟練と多少の時間を要するもの
の実際の作業に当たっては特に問題となることはない。
しかしながら、１５４ＫＶ、あるいは２７５ＫＶ級のＣ
Ｖケーブルの場合には、ケーブルサイズが大きいため、
その切削面積が、例えば８００平方ミリメートルと非常
に大きくなり、除去作業に作業者の熟練した労力と非常
に多くの時間を要してしまう欠点があった。また、切削
した面は、高精度に仕上げることが要求されるので、切
削面積が大きいとこれを手作業で行なうことが非常に困
難であった。即ち、外部半導電層４の下層には絶縁層３
が存在するが、この絶縁層３に刃物７により誤って傷を
付けたりすると、ＣＶケーブルの絶縁特性が低下し、
又、少しでも切削による削り残しがあると、絶縁破壊の
原因となり、いずれも好ましくない。このため、慎重に
切除作業を進めなければならず、作業者に高度な熟練を
要求してしまう。本発明は、上記のような課題を解決す
るためになされたもので、作業者の熟練度を要せず、か
つ、外部半導電層の下層となる絶縁層への損傷の虞れが
なく、切削後の表面も高精度に仕上げることができる外
部半導電層切削装置を提供することを目的とするもので
ある。By the way, in the above-mentioned work of removing the outer semiconductive layer 4, the cable size is not extremely large until the working voltage of the CV cable is up to 66 KV class. Although it takes some time, there is no particular problem in actual work.
However, C of 154KV or 275KV class
In the case of a V cable, the cable size is large, so
The cutting area becomes very large, for example, 800 square millimeters, and there is a drawback that the removing work requires a skilled labor of the operator and a very large amount of time. Further, since the cut surface is required to be finished with high accuracy, it is very difficult to manually perform this if the cutting area is large. That is, the insulating layer 3 is formed below the outer semiconductive layer 4.
However, if the insulating layer 3 is accidentally scratched by the blade 7, the insulation characteristics of the CV cable will deteriorate,
Further, if there is any uncut portion due to cutting, it will cause dielectric breakdown, which is not preferable. Therefore, the excision work must be carefully performed, which requires the operator to have a high degree of skill. The present invention has been made to solve the above problems, does not require the skill of the operator, and there is no risk of damage to the insulating layer that is the lower layer of the external semiconductive layer, It is an object of the present invention to provide an external semiconductive layer cutting device capable of finishing a surface after cutting with high precision.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明の外部半導電層切
削装置は、ＣＶケーブルの外部半導電層を切削するバイ
トと、このバイトを前記外部半導電層の外周に沿って回
転させるバイト回転機構と、前記バイトをＣＶケーブル
の軸方向に移動させるトラバース機構と、切削したＣＶ
ケーブルの切削表面を平滑に仕上げる仕上げ機構とを備
えたことを特徴とするものである。The external semiconductive layer cutting device of the present invention comprises a cutting tool for cutting the external semiconductive layer of a CV cable, and a cutting tool rotation for rotating the cutting tool along the outer periphery of the external semiconductive layer. Mechanism, traverse mechanism for moving the cutting tool in the axial direction of the CV cable, and cut CV
A finishing mechanism for finishing the cutting surface of the cable to be smooth.
【０００５】[0005]
【作用】バイト回転機構はバイトをＣＶケーブルの外部
半導電層の外周を回転させ、該外部半導電層を切削させ
る。トラバース機構は回転しているバイトをＣＶケーブ
ルの軸方向に移動させる。仕上げ機構はバイトにより切
削した後の凹凸面を自動的に後追いして平滑に仕上げ
る。The bite rotating mechanism rotates the outer periphery of the outer semiconductive layer of the CV cable to cut the outer semiconductive layer. The traverse mechanism moves the rotating bite in the axial direction of the CV cable. The finishing mechanism automatically follows the uneven surface after cutting with a cutting tool and finishes it smooth.
【０００６】[0006]
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図を参照して詳
細に説明する。図１は本発明の外部半導電層切削装置の
概要を示す斜視図である。図において、１０は外部半導
電層切削装置の全体を示す。この外部半導電層切削装置
１０は、ＣＶケーブル１１の外部半導電層１２を切削す
るバイト１３と、このバイト１３を前記外部半導電層１
２の外周に沿って回転させるバイト回転機構１４と、前
記バイト１３をＣＶケーブル１１の軸方向に移動させる
トラバース機構１５とを備えている。バイト１３はホル
ダ１６に固定され、このホルダ１６は回転板１７に固定
されている。回転板１７はリング状に形成され、その外
周部には、図２及び図３に示すように平歯車１８が形成
されている。回転板１７は、図３に示した回転筒１９に
同軸的に固定され、両者は後述するように一体となって
ＣＶケーブル１１の周りを所定の速度で回転できる構成
となっている。An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an outline of an external semiconductive layer cutting device of the present invention. In the figure, reference numeral 10 shows the entire external semiconductive layer cutting device. The external semiconductive layer cutting device 10 includes a cutting tool 13 for cutting the external semiconductive layer 12 of the CV cable 11, and the cutting tool 13 for cutting the external semiconductive layer 1.
A bite rotating mechanism 14 for rotating along the outer circumference of 2 and a traverse mechanism 15 for moving the bite 13 in the axial direction of the CV cable 11. The cutting tool 13 is fixed to a holder 16, and the holder 16 is fixed to a rotating plate 17. The rotary plate 17 is formed in a ring shape, and a spur gear 18 is formed on the outer peripheral portion thereof as shown in FIGS. 2 and 3. The rotary plate 17 is coaxially fixed to the rotary cylinder 19 shown in FIG. 3, and the two are integrally configured so that they can rotate around the CV cable 11 at a predetermined speed as described later.
【０００７】即ち、回転板１７の外周に設けた平歯車１
８は、図１のバイト回転用動力伝達軸２０上に配設した
後述の小平歯車２１と噛合しており、該動力伝達軸２０
の一端は、駆動モータ２２の軸に連結されている。動力
伝達軸２０は、一対の対向配置の側板２３，２４に回転
可能に挿通され、該側板２３，２４間に設けた移動板２
５を貫通している。側板２３，２４は、該側板２３，２
４の一方の対角線位置に挿通した一対のガイド軸２６，
２６により支持されている。また、該側板２３，２４の
他方の対角線位置には、一対のボールねじ軸２７，２７
の両端が挿通されて回転可能に支持されている。移動板
２５は、これらガイド軸２６、ボールねじ軸２７の４本
の軸が挿通され、移動板２５に固定したボール軸受２８
はボールねじ軸２７の略中央部を螺入させつつ支持して
いる。That is, the spur gear 1 provided on the outer periphery of the rotary plate 17
Reference numeral 8 meshes with a small spur gear 21 which will be described later and which is disposed on the power transmission shaft 20 for rotating the bite in FIG.
One end of is connected to the shaft of the drive motor 22. The power transmission shaft 20 is rotatably inserted through a pair of side plates 23 and 24 facing each other, and a movable plate 2 provided between the side plates 23 and 24.
Penetrates 5 The side plates 23, 24 are the side plates 23, 2
4, a pair of guide shafts 26 inserted in one diagonal position of 4,
It is supported by 26. Further, a pair of ball screw shafts 27, 27 are provided at the other diagonal positions of the side plates 23, 24.
Both ends of the are inserted and rotatably supported. The guide plate 26 and the ball screw shaft 27 are inserted into the moving plate 25.
Supports the ball screw shaft 27 while screwing the substantially central portion thereof.
【０００８】一方、移動板２５の中心部には、図３に示
すように回転筒１９が挿通される透孔２９が設けられ、
この透孔２９の周縁に複数のガイドローラ３０がボルト
３１により回転可能に支持されている。これらのガイド
ローラ３０は、回転筒１９の外周に形成した環状溝３２
に遊嵌されている。回転板１７に固定されたバイト１３
の位置と反対側の位置には、バイト１３によって外部半
導電層１２を切削した表面を平滑に仕上げるための仕上
げ機構４１が設けられいる。即ち、この仕上げ機構４１
は、例えば、ヒータ装置３３と仕上板３４を備え、この
仕上板３４の一端は、ＣＶケーブル１１の外部半導電層
１２の切削表面に押し付けられ、該仕上板３４の他端
は、回転板１７に蝶ねじ３５により固定されている。仕
上板３４は図４に示すように断面略Ｕ字状のばね鋼より
形成されてヒータ装置３３により加熱される。このヒー
タ装置３３への給電は、回転筒１９の端部に設けたスリ
ップリング３６に給電用ブラシ３７が接触し、この給電
用ブラシ３７に外部から所定の電力が供給されることに
より行なわれる。On the other hand, at the center of the moving plate 25, there is provided a through hole 29 through which the rotary cylinder 19 is inserted, as shown in FIG.
A plurality of guide rollers 30 are rotatably supported by bolts 31 on the periphery of the through hole 29. These guide rollers 30 have an annular groove 32 formed on the outer circumference of the rotary cylinder 19.
Is loosely fitted to. Tool 13 fixed to rotating plate 17
A finishing mechanism 41 for finishing the surface of the outer semiconductive layer 12 cut by the cutting tool 13 to be smooth is provided at a position opposite to the position. That is, this finishing mechanism 41
Includes, for example, a heater device 33 and a finishing plate 34. One end of the finishing plate 34 is pressed against the cutting surface of the outer semiconductive layer 12 of the CV cable 11, and the other end of the finishing plate 34 is connected to the rotating plate 17 It is fixed by a thumbscrew 35. As shown in FIG. 4, the finishing plate 34 is made of spring steel having a substantially U-shaped cross section and is heated by the heater device 33. Electric power is supplied to the heater device 33 by contacting a slip ring 36 provided at an end of the rotary cylinder 19 with a power supply brush 37 and supplying a predetermined power from the outside to the power supply brush 37.
【０００９】また、バイト回転用動力伝達軸２０上の小
平歯車２１は、移動板２５に、第３で示す回転筒１９、
この回転筒１９の環状溝３２に遊嵌されている複数のガ
イドローラ３０、及びボルト３１を介して同様に回転可
能に取付けられている。そして、この小平歯車２１は動
力伝達軸２０にキー及びキー溝を介して回転可能に係合
されている。従って、この小平歯車２１は移動板２５の
移動に伴って動力伝達軸２０上を移動すると共に、この
動力伝達軸２０の回転に伴って回転し、回転板１７の平
歯車１８に回転力を付与する。Further, the small spur gear 21 on the power transmission shaft 20 for rotating the cutting tool is attached to the moving plate 25 by the rotating cylinder 19 shown at the third position.
It is also rotatably attached via a plurality of guide rollers 30 loosely fitted in the annular groove 32 of the rotary cylinder 19 and bolts 31. The small spur gear 21 is rotatably engaged with the power transmission shaft 20 via a key and a key groove. Therefore, the small spur gear 21 moves on the power transmission shaft 20 along with the movement of the moving plate 25, and also rotates along with the rotation of the power transmission shaft 20, and imparts a rotational force to the spur gear 18 of the rotating plate 17. To do.
【００１０】再び図１に戻って、その他の構成を説明す
る。端末で露出させたＣＶケーブル１１の中心部の導体
１は、側板２３の中心位置に固定され、他方、シースに
よって被覆されたままのＣＶケーブル１１側は、図示を
省略した位置で他の部材により固定されている。また、
トラバース機構１５を構成するボールねじ軸２７の一端
には、小平歯車３８が設けられ、この小平歯車３８と減
速機３９の軸に取付けた小平歯車４０とが噛合してい
る。減速機３９は、図示を省略した動力伝達機構を介し
て駆動モータ２２に連結されている。従って、駆動モー
タ２２の回転によりバイト回転用動力伝達軸２０の回転
と共に、上記減速機３９を介してボールねじ軸２７が所
定の回転速度で回転することになる。Returning to FIG. 1 again, other configurations will be described. The conductor 1 at the central portion of the CV cable 11 exposed at the terminal is fixed to the central position of the side plate 23, while the CV cable 11 side which is still covered with the sheath is provided by another member at a position not shown. It is fixed. Also,
A small spur gear 38 is provided at one end of the ball screw shaft 27 constituting the traverse mechanism 15, and the small spur gear 38 is meshed with the small spur gear 40 attached to the shaft of the speed reducer 39. The speed reducer 39 is connected to the drive motor 22 via a power transmission mechanism (not shown). Therefore, the rotation of the drive motor 22 causes the ball screw shaft 27 to rotate at a predetermined rotation speed via the speed reducer 39 together with the rotation of the bite rotation power transmission shaft 20.
【００１１】次に、上記した構成の外部半導電層切削装
置１０の動作について説明する。先ず、駆動モータ２２
の回転により、バイト回転用動力伝達軸２０が回転す
る。これにより、この動力伝達軸２０上にキー及びキー
溝を介して取付けられた小平歯車２１と回転板１７の外
周に設けた平歯車１８とが噛合しているので、回転板１
７が所定の速度で回転する。これよりＣＶケーブル１１
の外部半導電層１２の肉厚内に挿入する深さに設定され
たバイト１３が回転板１７と共に所定の速度で外部半導
電層１２の周りを回転し、該外部半導電層１２周面の切
削を開始する。これと同時に減速機３９を介してボール
ねじ軸２７が回転するので、該ボールねじ軸２７にボー
ル軸受２８を介して貫挿した移動板２５が、ボールねじ
軸２７の軸方向に所定速度で移動する。この場合回転板
１７及び小平歯車２１は、上記したようにガイドローラ
３０や回転筒１９等により移動板２５に回転可能に取付
けられ、かつ小平歯車２１はバイト回転用動力伝達軸２
０にキー結合されているので、前記移動板２５の移動に
伴って回転板１７は回転しつつＣＶケーブル１１の長さ
方向に移動する。よって、ＣＶケーブル１１の外部半導
電層１２は、回転板１７と共に回転し、かつ、軸方向に
移動するバイト１３により螺旋状に切削されることにな
る。更に、バイト１３によって切削されたＣＶケーブル
１１の切削表面には、仕上げ機構４１のヒータ装置３３
によって加熱された仕上板３４が押し付けられる。従っ
て、ポリエチレン等の合成樹脂からなる切削表面層が軟
化し、切削による凹凸面が平滑化され、高精度に仕上げ
られる。Next, the operation of the external semiconductive layer cutting device 10 having the above structure will be described. First, the drive motor 22
The rotation of the bite rotating power transmission shaft 20 rotates. As a result, the small spur gear 21 mounted on the power transmission shaft 20 via the key and the key groove is meshed with the spur gear 18 provided on the outer periphery of the rotary plate 17, so that the rotary plate 1
7 rotates at a predetermined speed. From this, CV cable 11
The cutting tool 13 set to a depth to be inserted into the thickness of the outer semiconductive layer 12 rotates with the rotating plate 17 around the outer semiconductive layer 12 at a predetermined speed, Start cutting. At the same time, since the ball screw shaft 27 rotates via the speed reducer 39, the moving plate 25 inserted through the ball screw shaft 27 via the ball bearing 28 moves at a predetermined speed in the axial direction of the ball screw shaft 27. To do. In this case, the rotary plate 17 and the small spur gear 21 are rotatably attached to the moving plate 25 by the guide roller 30, the rotary cylinder 19 and the like as described above, and the small spur gear 21 is the power transmission shaft 2 for rotating the cutting tool.
Since it is keyed to 0, the rotary plate 17 moves in the longitudinal direction of the CV cable 11 while rotating with the movement of the moving plate 25. Therefore, the outer semiconductive layer 12 of the CV cable 11 is spirally cut by the cutting tool 13 that rotates together with the rotating plate 17 and moves in the axial direction. Further, the heater device 33 of the finishing mechanism 41 is provided on the cutting surface of the CV cable 11 cut by the cutting tool 13.
The finishing plate 34 heated by is pressed. Therefore, the cutting surface layer made of synthetic resin such as polyethylene is softened, the uneven surface due to cutting is smoothed, and the finishing is performed with high accuracy.
【００１２】尚、上記の実施例では、バイトの回転速度
及び軸方向移動速度については、特に言及しなかった
が、切削すべきＣＶケーブル１１の外部半導電層１２の
厚さ、切削長さ等種々の条件を考慮して、最適の値が決
定される。また、ヒータ装置３３による仕上板３４の温
度も切削後の凹凸面を平滑に仕上げるために、適当な温
度に設定される。また、バイト回転機構１４及びトラバ
ース機構１５は、上記の実施例のものに限らず、バイト
１３が外部半導電層１２の周囲を回転し、かつ、軸方向
に移動できる機構であれば、その他の種々の機構を採用
することができる。更に、上記の実施例では、仕上げ機
構４１を回転板１７に取り付けたが、必ずしもこのよう
に一体的にする必要はなく、別個の装置により切削表面
の凹凸を平滑化するようにしてもよい。In the above-mentioned embodiment, the rotational speed and the axial moving speed of the cutting tool were not particularly mentioned, but the thickness, the cutting length, etc. of the outer semiconductive layer 12 of the CV cable 11 to be cut, etc. The optimum value is determined in consideration of various conditions. Further, the temperature of the finishing plate 34 by the heater device 33 is also set to an appropriate temperature in order to finish the uneven surface after cutting smooth. Further, the bite rotating mechanism 14 and the traverse mechanism 15 are not limited to those in the above-described embodiment, and any other mechanism can be used as long as the tool 13 can rotate around the outer semiconductive layer 12 and can move in the axial direction. Various mechanisms can be employed. Furthermore, although the finishing mechanism 41 is attached to the rotary plate 17 in the above-described embodiment, it is not always necessary to integrate the finishing mechanism 41 as described above, and the unevenness of the cutting surface may be smoothed by a separate device.
【００１３】[0013]
【発明の効果】以上のように、本発明の外部半導電層切
削装置は、ＣＶケーブルの外部半導電層を切削するバイ
トと、このバイトを外部半導電層の外周に沿って回転さ
せるバイト回転機構と、バイトをＣＶケーブルの軸方向
に移動させるトラバース機構と、切削表面の凹凸を平滑
に仕上げる仕上げ機構とを備えたので、作業者の熟練度
を必要とすることなく、自動的に、かつ、短時間で均一
に外部半導電層を除去することができる。従って、従来
のように、手作業による絶縁層への刃物による損傷等が
確実に防止され、絶縁破壊を生じさせることなく、所期
の絶縁特性を維持することができる。また、仕上げ機構
により切削後の凹凸面を自動的に後追いして平滑に仕上
げるようにしたので、その労力も軽減される等の優れた
効果がある。As described above, the external semiconductive layer cutting device of the present invention includes a cutting tool for cutting the external semiconductive layer of the CV cable, and a turning tool for rotating the cutting tool along the outer circumference of the external semiconductive layer. Since the mechanism, the traverse mechanism for moving the bite in the axial direction of the CV cable, and the finishing mechanism for finishing the unevenness of the cutting surface to be smooth are provided automatically and without requiring the skill of the operator. The outer semiconductive layer can be uniformly removed in a short time. Therefore, unlike the prior art, damage to the insulating layer due to a blade or the like due to manual work can be reliably prevented, and desired insulation characteristics can be maintained without causing dielectric breakdown. Further, since the finishing mechanism automatically follows the uneven surface after cutting to finish the surface smoothly, there is an excellent effect that the labor is reduced.
【図１】本発明の外部半導電層切削装置の概要を示す斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an outline of an external semiconductive layer cutting device of the present invention.
【図２】同外部半導電層切削装置におけるバイト及び仕
上げ機構部分を示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing a cutting tool and a finishing mechanism portion in the external semiconductive layer cutting device.
【図３】同外部半導電層切削装置におけるバイト及び仕
上げ機構部分を示す縦断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view showing a cutting tool and a finishing mechanism portion in the external semiconductive layer cutting device.
【図４】本発明の仕上げ機構における仕上板の形状の一
例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of the shape of a finishing plate in the finishing mechanism of the present invention.
【図５】ＣＶケーブルの構造の一例を示す斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view showing an example of the structure of a CV cable.
【図６】従来の外部半導電層の除去方法を説明するため
の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view for explaining a conventional method of removing an external semiconductive layer.
１０ 外部半導電層切削装置 １１ ＣＶケーブル １２ 外部半導電層 １３ バイト １４ バイト回転機構 １５ トラバース機構 １７ 回転板 １９ 回転筒 ２０ バイト回転用動力伝達軸 ２２ 駆動モータ ２３，２４ 側板 ２５ 移動板 ２６ ガイド軸 ２７ ボールねじ軸 ２８ ボール軸受 ２９ 透孔 ３０ ガイドローラ ３２ 環状溝 ３３ ヒータ装置 ３４ 仕上板 ３９ 減速機 ４１ 仕上げ機構 10 External Semi-Conductive Layer Cutting Device 11 CV Cable 12 External Semi-Conductive Layer 13 Bytes 14 Bytes Rotating Mechanism 15 Traverse Mechanism 17 Rotating Plate 19 Rotating Cylinder 20 Bytes Rotating Power Transmission Shaft 22 Drive Motor 23, 24 Side Plate 25 Moving Plate 26 Guide Shaft 27 Ball Screw Shaft 28 Ball Bearing 29 Through Hole 30 Guide Roller 32 Annular Groove 33 Heater Device 34 Finishing Plate 39 Reduction Gear 41 Finishing Mechanism
Claims (1)
バイトと、このバイトを前記外部半導電層の外周に沿っ
て回転させるバイト回転機構と、前記バイトをＣＶケー
ブルの軸方向に移動させるトラバース機構と、前記バイ
トにより切削したＣＶケーブルの切削表面を平滑に仕上
げる仕上げ機構とを備えたことを特徴とする外部半導電
層切削装置。1. A cutting tool for cutting the outer semiconductive layer of a CV cable, a turning tool mechanism for rotating the cutting tool along the outer circumference of the outer semiconductive layer, and a traverse for moving the cutting tool in the axial direction of the CV cable. An external semiconductive layer cutting device comprising a mechanism and a finishing mechanism for finishing the cutting surface of the CV cable cut by the cutting tool to be smooth.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359487A JPH05184031A (en) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Outside semiconductor layer cutter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359487A JPH05184031A (en) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Outside semiconductor layer cutter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05184031A true JPH05184031A (en) | 1993-07-23 |
Family
ID=18464756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3359487A Pending JPH05184031A (en) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Outside semiconductor layer cutter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05184031A (en) |
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1991
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