JPH05174660A - リードスイッチの製造方法 - Google Patents
リードスイッチの製造方法Info
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- JPH05174660A JPH05174660A JP33538991A JP33538991A JPH05174660A JP H05174660 A JPH05174660 A JP H05174660A JP 33538991 A JP33538991 A JP 33538991A JP 33538991 A JP33538991 A JP 33538991A JP H05174660 A JPH05174660 A JP H05174660A
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- ruthenium
- reed switch
- reed
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リード片封入型リードスイッチの製造方法に
関し、接点領域がルテニウム層またはルテニウムを主成
分とする合金層で被覆されているリード片を使用したリ
ードスイッチにおける該接点領域での接触性を安定化さ
せることで特性向上を図ることを目的とする。 【構成】 一端がルテニウムまたはルテニウムを主成分
とする合金からなるメッキ層で被覆された接点に形成さ
れている２個のリード片をそれぞれの接点を対面させた
状態でそれぞれの中間部が不活性ガスで満たされたガラ
ス管の両端で封止固定してなるリードスイッチの製造方
法であって、前記ガラス管内に注入する不活性ガスを、
還元性ガスを含む混合ガスで構成する。
関し、接点領域がルテニウム層またはルテニウムを主成
分とする合金層で被覆されているリード片を使用したリ
ードスイッチにおける該接点領域での接触性を安定化さ
せることで特性向上を図ることを目的とする。 【構成】 一端がルテニウムまたはルテニウムを主成分
とする合金からなるメッキ層で被覆された接点に形成さ
れている２個のリード片をそれぞれの接点を対面させた
状態でそれぞれの中間部が不活性ガスで満たされたガラ
ス管の両端で封止固定してなるリードスイッチの製造方
法であって、前記ガラス管内に注入する不活性ガスを、
還元性ガスを含む混合ガスで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリード片封入型リードス
イッチの製造方法に係り、特に接点領域がルテニウム(R
u)層またはルテニウム(Ru)を主成分とする合金層で被覆
されているリード片を使用したリードスイッチにおける
該接点領域での接触性を安定化させることで特性向上を
図ったリードスイッチの製造方法に関する。
イッチの製造方法に係り、特に接点領域がルテニウム(R
u)層またはルテニウム(Ru)を主成分とする合金層で被覆
されているリード片を使用したリードスイッチにおける
該接点領域での接触性を安定化させることで特性向上を
図ったリードスイッチの製造方法に関する。
【０００２】最近の電子技術の進展に伴って各種電子部
品もその特性の向上と低価格化が強く要求されるように
なってきているが、リードスイッチの分野でも特性的に
優れたリードスイッチを如何に安く提供するかが大きな
課題となっている。
品もその特性の向上と低価格化が強く要求されるように
なってきているが、リードスイッチの分野でも特性的に
優れたリードスイッチを如何に安く提供するかが大きな
課題となっている。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来のリードスイッチの製造工程
の一例を説明する図であり、また図４は低価格化したリ
ードスイッチの構成を示す図である。
の一例を説明する図であり、また図４は低価格化したリ
ードスイッチの構成を示す図である。
【０００４】図３で、リードスイッチ１は一端が例えば
偏平化された接点2a,3a に形成されて所要厚さのロジウ
ム(Rh)メッキ処理が施されている２個のリード片２，３
を不活性ガスとしての窒素(N2)を封入した状態でそれぞ
れの接点2a,3a が所定の接点ギャップδを保って対面す
るようにガラス管４の両端部で封止して構成されている
ものである。
偏平化された接点2a,3a に形成されて所要厚さのロジウ
ム(Rh)メッキ処理が施されている２個のリード片２，３
を不活性ガスとしての窒素(N2)を封入した状態でそれぞ
れの接点2a,3a が所定の接点ギャップδを保って対面す
るようにガラス管４の両端部で封止して構成されている
ものである。
【０００５】以下図によって製造工程を簡単に説明す
る。先ず(1) に示す如く片側のリード片２の接点2aに対
する他端の自由端側を図示されない移動機構部に係合す
る第１のチャック11で把持した後、ストッカ等に位置す
る他方のリード片３の自由端側を図示されない機構部に
繋がる第２のチャック12で把持して移動させてその接点
3aを上記リード片２の接点2aと適当な間隔αを保って対
面させて(2) に示す状態とする。
る。先ず(1) に示す如く片側のリード片２の接点2aに対
する他端の自由端側を図示されない移動機構部に係合す
る第１のチャック11で把持した後、ストッカ等に位置す
る他方のリード片３の自由端側を図示されない機構部に
繋がる第２のチャック12で把持して移動させてその接点
3aを上記リード片２の接点2aと適当な間隔αを保って対
面させて(2) に示す状態とする。
【０００６】そこで、例えばコイル13等で発生する磁力
を双方のリード片２，３にかけると該リード片２，３が
それぞれの接点領域で吸着して棒状に一体化し(3) に示
すようになるが、この状態は該磁力が各リード片２，３
にかかっている間中持続するので上記第２のチャック12
をリード片３から取り外しても一体化した状態が持続さ
れる。
を双方のリード片２，３にかけると該リード片２，３が
それぞれの接点領域で吸着して棒状に一体化し(3) に示
すようになるが、この状態は該磁力が各リード片２，３
にかかっている間中持続するので上記第２のチャック12
をリード片３から取り外しても一体化した状態が持続さ
れる。
【０００７】その後、図示されない機構部に繋がる第３
のチャック14で把持されているガラス管４をリード片３
側から所定位置まで挿入して(4) に示す状態とした後、
(5)のように該ガラス管４のリード片３側の端部を赤外
線ヒータやトーチ15等で加熱封止して(6) の状態とする
が、この時点では第３のチャック14で把持されているガ
ラス管４にリード片３が封止固定されているので上述し
たコイル13による磁力付加をなくして接点間の吸着力を
解除しても接触した状態を維持する。
のチャック14で把持されているガラス管４をリード片３
側から所定位置まで挿入して(4) に示す状態とした後、
(5)のように該ガラス管４のリード片３側の端部を赤外
線ヒータやトーチ15等で加熱封止して(6) の状態とする
が、この時点では第３のチャック14で把持されているガ
ラス管４にリード片３が封止固定されているので上述し
たコイル13による磁力付加をなくして接点間の吸着力を
解除しても接触した状態を維持する。
【０００８】そこでリード片２を把持している上述した
第１のチャック11を(7) の矢印Ａのように該リード片２
の接点2aがリード片３の接点3aから離れる方向に少しず
つ移動せしめ該接点間のギャップが所定値δになった時
点で該ガラス管４の開口側から窒素（N2) の如き不活性
ガスをノズル16で注入しながら(8) のようにリード片２
側のガラス管端部を赤外線ヒータやトーチ15等で加熱封
止して所要のリードスイッチ１を構成するようにしてい
る。
第１のチャック11を(7) の矢印Ａのように該リード片２
の接点2aがリード片３の接点3aから離れる方向に少しず
つ移動せしめ該接点間のギャップが所定値δになった時
点で該ガラス管４の開口側から窒素（N2) の如き不活性
ガスをノズル16で注入しながら(8) のようにリード片２
側のガラス管端部を赤外線ヒータやトーチ15等で加熱封
止して所要のリードスイッチ１を構成するようにしてい
る。
【０００９】一方最近ではロジウム(Rh)が価格的に高く
且つ入手が困難になってきている。従って該接点2a,3a
の領域を相互間の接点接触性を低下させることなくロジ
ウムより安価で且つ入手が容易な材料が検討され、結果
的にロジウムメッキ層をルテニウム(Ru)またはルテニウ
ム(Ru)を主成分とする合金のメッキ層に置き換える手段
が実用化されるようになってきている。
且つ入手が困難になってきている。従って該接点2a,3a
の領域を相互間の接点接触性を低下させることなくロジ
ウムより安価で且つ入手が容易な材料が検討され、結果
的にロジウムメッキ層をルテニウム(Ru)またはルテニウ
ム(Ru)を主成分とする合金のメッキ層に置き換える手段
が実用化されるようになってきている。
【００１０】図４はかかるリードスイッチの構成を示し
たもので、リードスイッチ21は一端が偏平化された接点
22a,23a に形成された後に厚さ５μm 程度のルテニウム
メッキ処理が施されている２個のリード片22,23 を不活
性ガスとしての窒素(N2)を封入した状態でそれぞれの接
点22a,23a が所定の接点ギャップδを保って対面するよ
うにガラス管４の両端部で封止して構成されている。
たもので、リードスイッチ21は一端が偏平化された接点
22a,23a に形成された後に厚さ５μm 程度のルテニウム
メッキ処理が施されている２個のリード片22,23 を不活
性ガスとしての窒素(N2)を封入した状態でそれぞれの接
点22a,23a が所定の接点ギャップδを保って対面するよ
うにガラス管４の両端部で封止して構成されている。
【００１１】なお該リードスイッチ21は図３で説明した
製造工程を経ることで容易に構成することができるが、
特にこの場合のリード片22,23 はルテニウムが従来のロ
ジウムと同じ白金族元素であるため従来のロジウムの場
合とほぼ同様のメッキ工程を経ることで形成できると共
にほぼ同等の接触性を確保することができる。
製造工程を経ることで容易に構成することができるが、
特にこの場合のリード片22,23 はルテニウムが従来のロ
ジウムと同じ白金族元素であるため従来のロジウムの場
合とほぼ同様のメッキ工程を経ることで形成できると共
にほぼ同等の接触性を確保することができる。
【００１２】従って、従来のリードスイッチ１と同等の
接触性を確保した上で該スイッチ１より低価格なリード
スイッチ21を構成することができる。
接触性を確保した上で該スイッチ１より低価格なリード
スイッチ21を構成することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしルテニウムはロ
ジウムより酸化し易い欠点があり、図４におけるリード
片12,13 が形成された直後に接点領域のルテニウムメッ
キ層表面が酸化して該表面にルテニウム酸化物(RuO2)膜
が形成される。
ジウムより酸化し易い欠点があり、図４におけるリード
片12,13 が形成された直後に接点領域のルテニウムメッ
キ層表面が酸化して該表面にルテニウム酸化物(RuO2)膜
が形成される。
【００１４】なおこの場合の該ルテニウム酸化物膜は導
電性を有するので該膜の形成によって対面する接点領域
間の接触不良等の致命的障害が発生することはないが、
該ルテニウム酸化物膜の形成による接点接触性換言すれ
ば接触抵抗値の不安定化を避けることができないデメリ
ットがある。
電性を有するので該膜の形成によって対面する接点領域
間の接触不良等の致命的障害が発生することはないが、
該ルテニウム酸化物膜の形成による接点接触性換言すれ
ば接触抵抗値の不安定化を避けることができないデメリ
ットがある。
【００１５】またこの接触抵抗値の不安定化は、該メッ
キ層がルテニウム単体の場合でもまた例えばルテニウム
・ロジウム合金の如くルテニウムを主成分とする合金で
ある場合でも同様であることが実験的に確認されてい
る。
キ層がルテニウム単体の場合でもまた例えばルテニウム
・ロジウム合金の如くルテニウムを主成分とする合金で
ある場合でも同様であることが実験的に確認されてい
る。
【００１６】従って接点領域がルテニウムまたはルテニ
ウムを主成分とする合金で形成されているリード端子を
持つリードスイッチでは、接点領域がロジウムまたはロ
ジウムを主成分とする合金で形成されているリード端子
を持つリードスイッチよりも接点接触性ひいては接触抵
抗値が不安定になることがあると言う問題があった。
ウムを主成分とする合金で形成されているリード端子を
持つリードスイッチでは、接点領域がロジウムまたはロ
ジウムを主成分とする合金で形成されているリード端子
を持つリードスイッチよりも接点接触性ひいては接触抵
抗値が不安定になることがあると言う問題があった。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、一端がルテ
ニウムまたはルテニウムを主成分とする合金からなるメ
ッキ層で被覆された接点に形成されている２個のリード
片をそれぞれの接点を対面させた状態でそれぞれの中間
部が不活性ガスで満たされたガラス管の両端で封止固定
してなるリードスイッチの製造方法であって、前記ガラ
ス管内に注入する不活性ガスを、還元性ガスを含む混合
ガスで構成するリードスイッチの製造方法によって達成
される。
ニウムまたはルテニウムを主成分とする合金からなるメ
ッキ層で被覆された接点に形成されている２個のリード
片をそれぞれの接点を対面させた状態でそれぞれの中間
部が不活性ガスで満たされたガラス管の両端で封止固定
してなるリードスイッチの製造方法であって、前記ガラ
ス管内に注入する不活性ガスを、還元性ガスを含む混合
ガスで構成するリードスイッチの製造方法によって達成
される。
【００１８】
【作用】表面にルテニウム酸化物膜が形成されている物
体を還元性ガス中に放置すると該ガスによる還元反応で
ルテニウム酸化物膜を除去することができる。
体を還元性ガス中に放置すると該ガスによる還元反応で
ルテニウム酸化物膜を除去することができる。
【００１９】そこで本発明では、リード片のガラス管封
入時に該ガラス管内に注入する不活性ガスの一部を還元
性ガスとしての水素ガスに置き換えてリードスイッチを
構成するようにしている。
入時に該ガラス管内に注入する不活性ガスの一部を還元
性ガスとしての水素ガスに置き換えてリードスイッチを
構成するようにしている。
【００２０】このことは該ガラス管内に位置するリード
片の接点領域が還元させられることを意味する。従って
該接点領域におけるルテニウム酸化物膜を除去すること
ができて該酸化膜のない換言すれば接触抵抗値が安定し
たリードスイッチを従来のリードスイッチよりも安く構
成することができて生産性の向上を期待することができ
る。
片の接点領域が還元させられることを意味する。従って
該接点領域におけるルテニウム酸化物膜を除去すること
ができて該酸化膜のない換言すれば接触抵抗値が安定し
たリードスイッチを従来のリードスイッチよりも安く構
成することができて生産性の向上を期待することができ
る。
【００２１】
【実施例】図１は本発明になるリードスイッチの製造方
法を説明する図であり、また図２は一実験例を示す図で
ある。
法を説明する図であり、また図２は一実験例を示す図で
ある。
【００２２】なお図では図４で説明したリードスイッチ
11を図３と同じ工程で構成する場合を例としているので
図３および図４と同じ対象部材には同一の記号を付して
表わすと共に、図３と重複する工程の一部すなわち図３
の(1) 〜(4) を省略しているので図１の（イ）は図３の
(5) と対応する時点を表わしている。
11を図３と同じ工程で構成する場合を例としているので
図３および図４と同じ対象部材には同一の記号を付して
表わすと共に、図３と重複する工程の一部すなわち図３
の(1) 〜(4) を省略しているので図１の（イ）は図３の
(5) と対応する時点を表わしている。
【００２３】図１の（イ）でガラス管４の図４で説明し
たリード片23側の端部をトーチ15で加熱して封じると図
３の(6) で説明した状態すなわち（ロ）の状態とするこ
とができるが、この時点で（イ）のコイル13による磁力
をなくして接点間の吸着力を解除しても接触した状態を
維持することは図３で説明した通りである。
たリード片23側の端部をトーチ15で加熱して封じると図
３の(6) で説明した状態すなわち（ロ）の状態とするこ
とができるが、この時点で（イ）のコイル13による磁力
をなくして接点間の吸着力を解除しても接触した状態を
維持することは図３で説明した通りである。
【００２４】そこで図４で説明したリード片22を把持し
ている第１のチャック11を動かして該リード片22の接点
22a とリード片23の接点23a 間が所定間隔δとなるよう
に開離せしめて（ハ）の状態にする。
ている第１のチャック11を動かして該リード片22の接点
22a とリード片23の接点23a 間が所定間隔δとなるよう
に開離せしめて（ハ）の状態にする。
【００２５】なおこの時点での各リード片22,23 の接点
22a,23a の領域表面には、上述したルテニウム酸化物(R
uO2)膜が形成されている。そこでガラス管４の開口から
（ニ）に示す如く、例えば容量パーセントで１〜３％の
水素ガス(H2)を含む窒素ガス(N2)をノズル16で注入しな
がら（ホ）のようにリード片22側のガラス管端部をトー
チ15で加熱封止することで所要のリードスイッチ21を構
成することができる。
22a,23a の領域表面には、上述したルテニウム酸化物(R
uO2)膜が形成されている。そこでガラス管４の開口から
（ニ）に示す如く、例えば容量パーセントで１〜３％の
水素ガス(H2)を含む窒素ガス(N2)をノズル16で注入しな
がら（ホ）のようにリード片22側のガラス管端部をトー
チ15で加熱封止することで所要のリードスイッチ21を構
成することができる。
【００２６】特にこの場合の該リードスイッチ21は、接
点22a,23a の領域表面に形成されているルテニウム酸化
物膜が上記１〜３％の水素ガスで還元させられて除去さ
れるので該酸化物膜のない接点22a,23a 領域が形成され
ることになり、接触性ひいては接触抵抗値の安定したリ
ードスイッチを実現することができる。
点22a,23a の領域表面に形成されているルテニウム酸化
物膜が上記１〜３％の水素ガスで還元させられて除去さ
れるので該酸化物膜のない接点22a,23a 領域が形成され
ることになり、接触性ひいては接触抵抗値の安定したリ
ードスイッチを実現することができる。
【００２７】一実験例を正規確率紙で示す図２は横軸に
リード片間の接触抵抗値をミリオーム単位でとったもの
であり、グラフは封入ガスを不活性ガス(N2) 100％と
したときの接触抵抗値分布を表わし、グラフは封入ガ
スを容量比で不活性ガス(N2)99 ％と還元性ガス(H2)１
％の混合ガスとした場合の接触抵抗値分布を表わし、ま
たグラフは封入ガスを不活性ガス(N2) 97 ％と還元性
ガス(H2)３％の混合ガスとしたときの接触抵抗値分布を
表わしたものである。
リード片間の接触抵抗値をミリオーム単位でとったもの
であり、グラフは封入ガスを不活性ガス(N2) 100％と
したときの接触抵抗値分布を表わし、グラフは封入ガ
スを容量比で不活性ガス(N2)99 ％と還元性ガス(H2)１
％の混合ガスとした場合の接触抵抗値分布を表わし、ま
たグラフは封入ガスを不活性ガス(N2) 97 ％と還元性
ガス(H2)３％の混合ガスとしたときの接触抵抗値分布を
表わしたものである。
【００２８】なおいずれもリード片は、52アロイ合金(5
2 ％ニッケル・鉄合金) の表面に金(Au)下地メッキと厚
さ３μm のルテニウムメッキ層を形成して構成したもの
である。
2 ％ニッケル・鉄合金) の表面に金(Au)下地メッキと厚
さ３μm のルテニウムメッキ層を形成して構成したもの
である。
【００２９】図のグラフ〜から理解し得る如く、ガ
ラス管へ封入する不活性ガスとしての窒素ガス(N2)に容
量比で少なくとも１〜３％の還元性ガス(H2)を混合させ
ることで接触性ひいては接触抵抗値の低下安定化を図る
ことができる。
ラス管へ封入する不活性ガスとしての窒素ガス(N2)に容
量比で少なくとも１〜３％の還元性ガス(H2)を混合させ
ることで接触性ひいては接触抵抗値の低下安定化を図る
ことができる。
【００３０】
【発明の効果】上述の如く本発明により、接点領域がル
テニウム層またはルテニウムを主成分とする合金層で被
覆されているリードスイッチにおける該接点領域での接
触性を安定化させることで特性向上を図ったリードスイ
ッチの製造方法を提供することができる。
テニウム層またはルテニウムを主成分とする合金層で被
覆されているリードスイッチにおける該接点領域での接
触性を安定化させることで特性向上を図ったリードスイ
ッチの製造方法を提供することができる。
【００３１】なお本発明の説明では不活性ガスが窒素ガ
ス(N2)である場合を例としているが、アルゴンガス(Ar)
等他の不活性ガスでも同等の効果を得ることができる。
ス(N2)である場合を例としているが、アルゴンガス(Ar)
等他の不活性ガスでも同等の効果を得ることができる。
【図１】 本発明になるリードスイッチの製造方法を説
明する図。
明する図。
【図２】 一実験例を示す図。
【図３】 従来のリードスイッチの製造工程の一例を説
明する図。
明する図。
【図４】 低価格化したリードスイッチの構成を示す
図。
図。
４ ガラス管 11 第１のチャック 13 コイル 14 第３のチャック 15 トーチ 16 ノズル 21 リードスイッチ 22,23 リード片 22a,23a 接
点
点
Claims (2)
- 【請求項１】 一端がルテニウムまたはルテニウムを主
成分とする合金からなるメッキ層で被覆された接点に形
成されている２個のリード片をそれぞれの接点を対面さ
せた状態でそれぞれの中間部が不活性ガスで満たされた
ガラス管の両端で封止固定してなるリードスイッチの製
造方法であって、 前記ガラス管内に注入する不活性ガスを、還元性ガスを
含めた混合ガスで構成することを特徴としたリードスイ
ッチの製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の還元性ガスが、不活性ガス
に対する容量比で１〜３％の量の水素ガスであることを
特徴としたリードスイッチの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33538991A JPH05174660A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | リードスイッチの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33538991A JPH05174660A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | リードスイッチの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174660A true JPH05174660A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18287998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33538991A Withdrawn JPH05174660A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | リードスイッチの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05174660A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006231439A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sony Corp | 微小機械素子とその製造方法、半導体装置、ならびに通信装置 |
| US10308506B2 (en) | 2016-01-27 | 2019-06-04 | International Business Machines Corporation | Use of a reactive, or reducing gas as a method to increase contact lifetime in micro contact mems switch devices |
| CN112914359A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-06-08 | 宁波浪木饮水设备科技有限公司 | 一种自动检水热水壶 |
| CN113091775A (zh) * | 2021-02-20 | 2021-07-09 | 昆山瑞以森传感器有限公司 | 一种干簧管传感器及其制造方法 |
-
1991
- 1991-12-19 JP JP33538991A patent/JPH05174660A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006231439A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sony Corp | 微小機械素子とその製造方法、半導体装置、ならびに通信装置 |
| US10308506B2 (en) | 2016-01-27 | 2019-06-04 | International Business Machines Corporation | Use of a reactive, or reducing gas as a method to increase contact lifetime in micro contact mems switch devices |
| US11111136B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-09-07 | International Business Machines Corporation | Use of a reactive, or reducing gas as a method to increase contact lifetime in micro contact MEMS switch devices |
| CN113091775A (zh) * | 2021-02-20 | 2021-07-09 | 昆山瑞以森传感器有限公司 | 一种干簧管传感器及其制造方法 |
| CN112914359A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-06-08 | 宁波浪木饮水设备科技有限公司 | 一种自动检水热水壶 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |