JPH05158068A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
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- JPH05158068A JPH05158068A JP31911891A JP31911891A JPH05158068A JP H05158068 A JPH05158068 A JP H05158068A JP 31911891 A JP31911891 A JP 31911891A JP 31911891 A JP31911891 A JP 31911891A JP H05158068 A JPH05158068 A JP H05158068A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い画素の開口率を可能とする遮光膜を有す
る液晶表示装置とその製造方法に関し、高い開口率を可
能とする遮光膜を有する液晶表示装置とその製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】 画素電極を有する第１の基板と、前記第１の
基板に対向して所定間隔をもって液晶層を挟持するよう
に配置された共通電極を有する第２の基板と、前記第１
の基板の前記第２の基板との対向面上に形成された薄膜
トランジスタ素子と、前記第１の基板の前記薄膜トラン
ジスタ素子の上に前記薄膜トランジスタ素子を覆うよう
に形成した遮光膜とを有することを特徴とする。
る液晶表示装置とその製造方法に関し、高い開口率を可
能とする遮光膜を有する液晶表示装置とその製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】 画素電極を有する第１の基板と、前記第１の
基板に対向して所定間隔をもって液晶層を挟持するよう
に配置された共通電極を有する第２の基板と、前記第１
の基板の前記第２の基板との対向面上に形成された薄膜
トランジスタ素子と、前記第１の基板の前記薄膜トラン
ジスタ素子の上に前記薄膜トランジスタ素子を覆うよう
に形成した遮光膜とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置とその製造
方法に係わり、特に高い画素の開口率を可能とする遮光
膜を有する液晶表示装置とその製造方法に関する。
方法に係わり、特に高い画素の開口率を可能とする遮光
膜を有する液晶表示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来の技術による液晶表示装置の
画素部分における断面構造例を模式的に示して、それを
参照して従来の液晶表示装置を以下に説明する。
画素部分における断面構造例を模式的に示して、それを
参照して従来の液晶表示装置を以下に説明する。
【０００３】一方のガラス基板３０の上に薄膜トランジ
スタ領域３１と画素電極３２が形成されている。他方の
ガラス基板３３上には薄膜トランジスタ領域３１と対向
してそれを覆うような遮光膜兼ブラックマトリックス３
４と、カラーフィルタ３５が形成され、さらにその上に
共通電極層３６が形成されている。
スタ領域３１と画素電極３２が形成されている。他方の
ガラス基板３３上には薄膜トランジスタ領域３１と対向
してそれを覆うような遮光膜兼ブラックマトリックス３
４と、カラーフィルタ３５が形成され、さらにその上に
共通電極層３６が形成されている。
【０００４】図示はしないが、さらに両基板に配向処理
を施し、両基板間に所定間隔を保って液晶セルを組み立
てる。さらに基板間に液晶層３７が配置されて液晶表示
装置が形成されている。
を施し、両基板間に所定間隔を保って液晶セルを組み立
てる。さらに基板間に液晶層３７が配置されて液晶表示
装置が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】基板３３に形成する遮
光膜兼ブラックマトリックス３４は隣接画素を分かつブ
ラックマトリックスとしての役目と薄膜トランジスタ３
１への光の入射を防止する遮光膜としての役目を果す
が、上下２枚の基板３０、３３の位置決め精度のばらつ
き（重合わせずれ）を考慮して薄膜トランジスタ領域３
１よりも少し大きめの面積を覆うようにパターニングさ
れる。
光膜兼ブラックマトリックス３４は隣接画素を分かつブ
ラックマトリックスとしての役目と薄膜トランジスタ３
１への光の入射を防止する遮光膜としての役目を果す
が、上下２枚の基板３０、３３の位置決め精度のばらつ
き（重合わせずれ）を考慮して薄膜トランジスタ領域３
１よりも少し大きめの面積を覆うようにパターニングさ
れる。
【０００６】その為に、遮光面積が必要以上に大きくな
る傾向となり、画素の開口率は減少して画面の明るさを
制限する。本発明の目的は、高い開口率を可能とする遮
光膜を有する液晶表示装置とその製造方法を提供するこ
とにある。
る傾向となり、画素の開口率は減少して画面の明るさを
制限する。本発明の目的は、高い開口率を可能とする遮
光膜を有する液晶表示装置とその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、画素電極を有する第１の基板と、前記第１の基板
に対向して所定間隔をもって液晶層を挟持するように配
置された共通電極を有する第２の基板と、前記第１の基
板の前記第２の基板との対向面上に形成された薄膜トラ
ンジスタ素子と、前記第１の基板の前記薄膜トランジス
タ素子の上に前記薄膜トランジスタ素子を覆うように形
成した遮光膜とを有することを特徴とする。
置は、画素電極を有する第１の基板と、前記第１の基板
に対向して所定間隔をもって液晶層を挟持するように配
置された共通電極を有する第２の基板と、前記第１の基
板の前記第２の基板との対向面上に形成された薄膜トラ
ンジスタ素子と、前記第１の基板の前記薄膜トランジス
タ素子の上に前記薄膜トランジスタ素子を覆うように形
成した遮光膜とを有することを特徴とする。
【０００８】本発明による液晶表示装置の製造方法は、
第１の基板に薄膜トランジスタと画素電極とを形成する
工程と、前記第１の基板の画素電極の領域以外の領域を
遮光膜で覆う工程と、第２の基板に前記遮光膜よりも幅
の狭いブラックマトリックスを形成する工程と、前記第
２の基板にカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第
２の基板の前記ブラックマトリックスと前記カラーフィ
ルタ層との上に共通電極層を形成する工程と、前記第１
の基板と前記第２の基板とを重合わせて液晶をその間に
封入する工程とを含む。
第１の基板に薄膜トランジスタと画素電極とを形成する
工程と、前記第１の基板の画素電極の領域以外の領域を
遮光膜で覆う工程と、第２の基板に前記遮光膜よりも幅
の狭いブラックマトリックスを形成する工程と、前記第
２の基板にカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第
２の基板の前記ブラックマトリックスと前記カラーフィ
ルタ層との上に共通電極層を形成する工程と、前記第１
の基板と前記第２の基板とを重合わせて液晶をその間に
封入する工程とを含む。
【０００９】
【作用】第１の基板の薄膜トランジスタ素子の上に遮光
領域を形成したことにより、遮光膜のパターニングにお
いて第１と第２の基板の位置合わせずれによるマージン
を見込む必要はなく、必要最小限の遮光面積ですむので
開口率が向上する。
領域を形成したことにより、遮光膜のパターニングにお
いて第１と第２の基板の位置合わせずれによるマージン
を見込む必要はなく、必要最小限の遮光面積ですむので
開口率が向上する。
【００１０】
【実施例】以下、図１および図２を参照して、本発明の
実施例による液晶表示装置を説明する。なお、図１は、
本発明の実施例における液晶表示装置の断面構造を示
し、図２は図１に示す構造の平面図を示す。
実施例による液晶表示装置を説明する。なお、図１は、
本発明の実施例における液晶表示装置の断面構造を示
し、図２は図１に示す構造の平面図を示す。
【００１１】図１において、アルカリフリーガラス基板
１０上にＣｒ等のゲート電極１１、ＳｉＯ2 等のゲート
絶縁層１２、チャンネルを形成するａ−Ｓｉ（アモルフ
ァスシリコン）半導体層１３、ＳｉＮx （窒化シリコ
ン）によるエッチングストッパ層１４、ｎ型（より詳し
くはｎ+ 型）Ｓｉのコンタクト層１５、ソース電極１
６、ドレイン電極１７を順次形成して薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）素子を形成する。
１０上にＣｒ等のゲート電極１１、ＳｉＯ2 等のゲート
絶縁層１２、チャンネルを形成するａ−Ｓｉ（アモルフ
ァスシリコン）半導体層１３、ＳｉＮx （窒化シリコ
ン）によるエッチングストッパ層１４、ｎ型（より詳し
くはｎ+ 型）Ｓｉのコンタクト層１５、ソース電極１
６、ドレイン電極１７を順次形成して薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）素子を形成する。
【００１２】これらの作成は従来技術同様であるが、た
とえば層の形成は蒸着、スパッタリングで、ＣＶＤ等弐
よって行なえ、パターニングはホトレジストを用いたホ
トリソグラフィで行なえる。エッチングストッパ層１４
は、ソース電極１６、ドレイン電極１７、コンタクト層
１５のパターニングの際、ａ−Ｓｉ層１３がエッチされ
ないように保護する。
とえば層の形成は蒸着、スパッタリングで、ＣＶＤ等弐
よって行なえ、パターニングはホトレジストを用いたホ
トリソグラフィで行なえる。エッチングストッパ層１４
は、ソース電極１６、ドレイン電極１７、コンタクト層
１５のパターニングの際、ａ−Ｓｉ層１３がエッチされ
ないように保護する。
【００１３】さらにドレイン電極１７に接続されるＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物）による画素電極１８を形成
し、ＴＦＴ上にパッシベーション層１９を形成した後、
遮光層２０を図２の平面図の斜線領域で示すように、Ｔ
ＦＴを完全に覆い、さらに画素電極１８の実質的な画素
領域以外の領域をすべて覆うように形成する。
Ｏ（インジウム錫酸化物）による画素電極１８を形成
し、ＴＦＴ上にパッシベーション層１９を形成した後、
遮光層２０を図２の平面図の斜線領域で示すように、Ｔ
ＦＴを完全に覆い、さらに画素電極１８の実質的な画素
領域以外の領域をすべて覆うように形成する。
【００１４】もちろん、液晶セルの外周部の取り出し電
極（図示せず）部分は遮光層で覆わない。遮光層２０の
材料は、染色ブラックあるいは顔料分散ブラックのよう
な黒色膜を用いるとよい。さらに、その上に配向層２１
が設けられる。
極（図示せず）部分は遮光層で覆わない。遮光層２０の
材料は、染色ブラックあるいは顔料分散ブラックのよう
な黒色膜を用いるとよい。さらに、その上に配向層２１
が設けられる。
【００１５】次に、基板１０に対向配置するためのもう
一つのアルカリフリーガラス基板２２上に、隣接画素間
を分かつブラックマトリックス２３をＣｒ2Ｏ3 （酸化
クロム）或いはＣｒで形成する。このブラックマトリッ
クス２３のパターン幅は、下の基板の遮光層２０の幅よ
りも小さくして開口率を小さくしないようにする。
一つのアルカリフリーガラス基板２２上に、隣接画素間
を分かつブラックマトリックス２３をＣｒ2Ｏ3 （酸化
クロム）或いはＣｒで形成する。このブラックマトリッ
クス２３のパターン幅は、下の基板の遮光層２０の幅よ
りも小さくして開口率を小さくしないようにする。
【００１６】次に、カラーフィルタ２４、２５が染色法
あるいは顔料分散法にて形成され、その上にオーバコー
ト層２６、ＩＴＯによる共通電極層２７、配向層２８が
順次積層して形成される。
あるいは顔料分散法にて形成され、その上にオーバコー
ト層２６、ＩＴＯによる共通電極層２７、配向層２８が
順次積層して形成される。
【００１７】以上の構造に形成した２枚の基板の間にギ
ャップ制御剤を散布して両基板を画素面とカラーフィル
タとが正確に対向一致するように重合わせ、密封シール
した後、液晶２９が注入され、液晶注入口が封止されて
液晶表示装置が構成される。
ャップ制御剤を散布して両基板を画素面とカラーフィル
タとが正確に対向一致するように重合わせ、密封シール
した後、液晶２９が注入され、液晶注入口が封止されて
液晶表示装置が構成される。
【００１８】なお、共通電極を有する基板側にもブラッ
クマトリックスを形成したがカラーフィルタの分離が行
なえればブラックマトリックスは省略してもよい。ＴＦ
Ｔ上に直接遮光膜を形成したため、ＴＦＴに対する遮光
効果は高い。２枚の基板の位置合わせによるマージンを
見込む必要はなくなる。
クマトリックスを形成したがカラーフィルタの分離が行
なえればブラックマトリックスは省略してもよい。ＴＦ
Ｔ上に直接遮光膜を形成したため、ＴＦＴに対する遮光
効果は高い。２枚の基板の位置合わせによるマージンを
見込む必要はなくなる。
【００１９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００２０】
【発明の効果】薄膜トランジスタが形成される基板側に
薄膜トランジスタ領域を覆う遮光領域を形成したことに
より、遮光膜のパターニングにおいて上下二枚の基板の
位置合わせずれによるマージンを見込む必要はなく、必
要最小限の遮光面積ですむので開口率が向上する。
薄膜トランジスタ領域を覆う遮光領域を形成したことに
より、遮光膜のパターニングにおいて上下二枚の基板の
位置合わせずれによるマージンを見込む必要はなく、必
要最小限の遮光面積ですむので開口率が向上する。
【００２１】また、薄膜トランジスタの直上で遮光出来
るので、斜め横からの迷光による光劣化がほとんどな
い。
るので、斜め横からの迷光による光劣化がほとんどな
い。
【図１】本発明による液晶表示装置の実施例の断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の液晶表示装置の平面図である。
【図３】従来の技術による液晶セルの断面構造を説明す
る図である。
る図である。
１０・・・・・・アルカリフリーガラス基板 １１・・・・・・ゲート電極 １２・・・・・・ゲート絶縁層 １３・・・・・・ａ−Ｓｉ半導体層 １４・・・・・・エッチングストッパ層 １５・・・・・・ｎ型（ｎ+ 型）半導体層 １６・・・・・・ソース電極 １７・・・・・・ドレイン電極 １８・・・・・・画素電極 １９・・・・・・パッシベーション層 ２０・・・・・・遮光層 ２１・・・・・・配向層 ２２・・・・・・アルカリフリーガラス基板 ２３・・・・・・ブラックマトリックス２３ ２４，２５・・・カラーフィルタ ２６・・・・・・オーバコート層 ２７・・・・・・共通電極層 ２８・・・・・・配向層 ２９・・・・・・液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (4)
- 【請求項１】画素電極を有する第１の基板と、 前記第１の基板に対向して所定間隔をもって液晶層を挟
持するように配置された共通電極を有する第２の基板
と、 前記第１の基板の前記第２の基板との対向面上に形成さ
れた薄膜トランジスタ素子と、 前記第１の基板の前記薄膜トランジスタ素子の上に前記
薄膜トランジスタ素子を覆うように形成した遮光膜とを
有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記遮光膜は、前記第１の基板上の前記
第２の基板と対向する面の内、前記画素電極以外の部分
をすべて覆うように形成されていることを特徴とする請
求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記遮光膜に染色ブラックと顔料分散ブ
ラックのいずれかを含む絶縁性有機黒色層を含むことを
特徴とする請求項１ないし２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】第１の基板に薄膜トランジスタと画素電極
とを形成する工程と、 前記第１の基板の画素電極の領域以外の領域を遮光膜で
覆う工程と、 第２の基板に前記遮光膜よりも幅の狭いブラックマトリ
ックスを形成する工程と、 前記第２の基板にカラーフィルタ層を形成する工程と、 前記第２の基板の前記ブラックマトリックスと前記カラ
ーフィルタ層との上に共通電極層を形成する工程と、 前記第１の基板と前記第２の基板とを重合わせて液晶を
その間に封入する工程とを含む液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31911891A JPH05158068A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31911891A JPH05158068A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158068A true JPH05158068A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18106667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31911891A Withdrawn JPH05158068A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05158068A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07218902A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
| DE19623069A1 (de) * | 1995-08-29 | 1997-03-06 | Lg Electronics Inc | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| JP2006235057A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Kofu Casio Co Ltd | 液晶表示素子 |
| US7439087B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7692749B2 (en) | 1995-12-20 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| KR101430281B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2014-08-14 | 재팬 디스프레이 웨스트 인코포레이트 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN104317111A (zh) * | 2014-10-14 | 2015-01-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板 |
| JP2018146921A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-20 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP31911891A patent/JPH05158068A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07218902A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
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| DE19623069B4 (de) * | 1995-08-29 | 2004-04-08 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| DE19623069B9 (de) * | 1995-08-29 | 2004-09-09 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben |
| US7692749B2 (en) | 1995-12-20 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US8040450B2 (en) | 1995-12-20 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US8339558B2 (en) | 1995-12-20 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US9182642B2 (en) | 1995-12-20 | 2015-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US7439087B2 (en) | 2002-12-27 | 2008-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8193531B2 (en) | 2002-12-27 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2006235057A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Kofu Casio Co Ltd | 液晶表示素子 |
| KR101430281B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2014-08-14 | 재팬 디스프레이 웨스트 인코포레이트 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN104317111A (zh) * | 2014-10-14 | 2015-01-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板 |
| JP2018146921A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-20 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US11150526B2 (en) | 2017-03-09 | 2021-10-19 | Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising a first light shielding unit having an opening that overlaps a contact hole and is entirely surrouned by the first light shielding unit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |