JPH05158053A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH05158053A JPH05158053A JP32207291A JP32207291A JPH05158053A JP H05158053 A JPH05158053 A JP H05158053A JP 32207291 A JP32207291 A JP 32207291A JP 32207291 A JP32207291 A JP 32207291A JP H05158053 A JPH05158053 A JP H05158053A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】少なくとも一方の基板３０に樹脂によるスペー
サ３５または樹脂で固定されたスペーサを形成した後
に、真空蒸着重合法によって配向膜３２を形成すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 【効果】均一なセル厚が得られ、スペーサの突部の周辺
にも均一な配向膜を形成することができた。
サ３５または樹脂で固定されたスペーサを形成した後
に、真空蒸着重合法によって配向膜３２を形成すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 【効果】均一なセル厚が得られ、スペーサの突部の周辺
にも均一な配向膜を形成することができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の一例を図４に示し
て構成を説明する。ガラス基板５１ａ上に透明電極５２
ａ，絶縁膜５３ａ，配向膜５４ａの順に各層が形成され
たものが、基板５９である。ここで、透明電極５２ａは
複数本の透明電極が互いに平行となるようにストライプ
状に配列して形成され、配向膜５４ａには一軸配向処理
がほどこされた構造になっている。
て構成を説明する。ガラス基板５１ａ上に透明電極５２
ａ，絶縁膜５３ａ，配向膜５４ａの順に各層が形成され
たものが、基板５９である。ここで、透明電極５２ａは
複数本の透明電極が互いに平行となるようにストライプ
状に配列して形成され、配向膜５４ａには一軸配向処理
がほどこされた構造になっている。
【０００３】一方、もう片側のガラス基板５１ｂ上にも
同様の条件で透明電極５２ｂ，絶縁膜５３ｂ，配向膜５
４ｂの順に各層が形成されたものが、基板６０である。
透明電極５２ｂ，配向膜５４ｂは基板５９と同様、透明
電極５２ｂは複数本の透明電極が互いに平行となるよう
にストライプ状に配列して形成され、配向膜５４ｂには
一軸配向処理がほどこされた構造になっている。
同様の条件で透明電極５２ｂ，絶縁膜５３ｂ，配向膜５
４ｂの順に各層が形成されたものが、基板６０である。
透明電極５２ｂ，配向膜５４ｂは基板５９と同様、透明
電極５２ｂは複数本の透明電極が互いに平行となるよう
にストライプ状に配列して形成され、配向膜５４ｂには
一軸配向処理がほどこされた構造になっている。
【０００４】ついで、この基板５９と基板６０は、互い
に配向膜５４ａ，５４ｂが対向しあい、基板５９と６０
で液晶組成物のねじれ角が所望の値となるようにｄ／ｐ
0 （＝セル厚／自然ピッチ）とチルト角の発生する方向
とを合わせてある。セル厚ｄは２〜８μｎの間隔を隔て
てシール部材５６で貼り合わせる。これらの基板５９，
６０間には液晶組成物５７を介在させて液晶セル６１が
作成される。
に配向膜５４ａ，５４ｂが対向しあい、基板５９と６０
で液晶組成物のねじれ角が所望の値となるようにｄ／ｐ
0 （＝セル厚／自然ピッチ）とチルト角の発生する方向
とを合わせてある。セル厚ｄは２〜８μｎの間隔を隔て
てシール部材５６で貼り合わせる。これらの基板５９，
６０間には液晶組成物５７を介在させて液晶セル６１が
作成される。
【０００５】ここで、液晶組成物５７が充填されるの
は、上下の２つの配向膜の間であり、その厚さ（ｄ）は
液晶表示装置の設計、構成によって決まるが、１．０〜
２０．０μｍ程度、好ましくは５．０〜８．０μｍであ
る。しかし、かかる広い間隔はＴＮ（ツイステイック・
ネマツテイック）型液晶においては必要があるが、カイ
ラル・スメクテイックスＣ相を用いる強誘電性液晶（以
下ＦＬＣという）を使用するならば、３μｍ以下、一般
には２±０．５μｍが求められている。
は、上下の２つの配向膜の間であり、その厚さ（ｄ）は
液晶表示装置の設計、構成によって決まるが、１．０〜
２０．０μｍ程度、好ましくは５．０〜８．０μｍであ
る。しかし、かかる広い間隔はＴＮ（ツイステイック・
ネマツテイック）型液晶においては必要があるが、カイ
ラル・スメクテイックスＣ相を用いる強誘電性液晶（以
下ＦＬＣという）を使用するならば、３μｍ以下、一般
には２±０．５μｍが求められている。
【０００６】従来、この１０μｍの間隔に表面弾力を用
いて公知のＴＮ液晶を充填する場合、この間隔を制御す
るスペーサが考えだされた。すなわち、スペーサは一般
に有機樹脂の球形を有する粒子であって、例えばミクロ
パールＳＰ−２１０（平均粒径１０．０±０．５μｍ）
を用いている。このミクロパールはジビニルベンゼン系
架橋重合であり、透明な真球数粒子である。
いて公知のＴＮ液晶を充填する場合、この間隔を制御す
るスペーサが考えだされた。すなわち、スペーサは一般
に有機樹脂の球形を有する粒子であって、例えばミクロ
パールＳＰ−２１０（平均粒径１０．０±０．５μｍ）
を用いている。このミクロパールはジビニルベンゼン系
架橋重合であり、透明な真球数粒子である。
【０００７】しかし、表示部即ち液晶（５７）が充填さ
れた領域において、外部より透明基板の機械的なストレ
スが加った場合、または基板の平坦性のなさにより２つ
の透明電極が互いにショートまたは近接しやすい。その
結果、液晶が透光性でなくなったり、一部が黒化して不
良が発生してしまいやすかった。このため、液晶部に対
しても他のミクロパールスペーサを散在させて、それぞ
れの電極がショートしないよう一定の距離に保たせてい
た。
れた領域において、外部より透明基板の機械的なストレ
スが加った場合、または基板の平坦性のなさにより２つ
の透明電極が互いにショートまたは近接しやすい。その
結果、液晶が透光性でなくなったり、一部が黒化して不
良が発生してしまいやすかった。このため、液晶部に対
しても他のミクロパールスペーサを散在させて、それぞ
れの電極がショートしないよう一定の距離に保たせてい
た。
【０００８】しかし、このスペーサは単に配向膜に散在
させたのみであり、それぞれと点接触となり、この接触
部は局部荷重が大きく加わってしまった。そしてこの接
触部にもしアクテイブ素子があると、この素子を破壊し
てしまうこともありうる。そこで、点接触となり、応力
集中を防ぐための電極間の絶縁領域にのみ線状の”貝
柱”のスペーサを形成したものが工夫されてきた。
させたのみであり、それぞれと点接触となり、この接触
部は局部荷重が大きく加わってしまった。そしてこの接
触部にもしアクテイブ素子があると、この素子を破壊し
てしまうこともありうる。そこで、点接触となり、応力
集中を防ぐための電極間の絶縁領域にのみ線状の”貝
柱”のスペーサを形成したものが工夫されてきた。
【０００９】一方、従来の配向膜を形成する方法として
は印刷法とスピンコートの２つがあった。ただし、これ
までは、配向膜を形成した後、スペーサを散布していた
ために、これらの方法を用いて配向膜を形成した場合で
あっても、特に問題となることはなく、良好な配向が得
られていた。しかし、高い精度でセルギャップを確保す
るためには、スペーサを散布する方法と比較し、スペー
サを形成する方が高い精度が得られるため、この方法が
確立されている。
は印刷法とスピンコートの２つがあった。ただし、これ
までは、配向膜を形成した後、スペーサを散布していた
ために、これらの方法を用いて配向膜を形成した場合で
あっても、特に問題となることはなく、良好な配向が得
られていた。しかし、高い精度でセルギャップを確保す
るためには、スペーサを散布する方法と比較し、スペー
サを形成する方が高い精度が得られるため、この方法が
確立されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術のうち印刷
法では、先にスペーサが形成された基板に対して配向膜
を形成する場合、基板上に形成したスペーサの凸部によ
り、その周辺に配向膜が形成されないという欠点があっ
た。また、スピンコートの方法では、遠心力によるもの
なので、基板上に形成したスペーサの凸部により、配向
膜の塗りむらが起きるという欠点があった。
法では、先にスペーサが形成された基板に対して配向膜
を形成する場合、基板上に形成したスペーサの凸部によ
り、その周辺に配向膜が形成されないという欠点があっ
た。また、スピンコートの方法では、遠心力によるもの
なので、基板上に形成したスペーサの凸部により、配向
膜の塗りむらが起きるという欠点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、一対の透光
性基板に、その各対向し合う表面に透明電極とそれを被
覆する配向膜が形成され、その少なくとも一方の基板に
樹脂によるスペーサまたは樹脂で固定されたスペーサを
設け、液晶を挟持した液晶表示装置の製造において、予
め、少なくとも一方の基板に樹脂によるスペーサまたは
樹脂で固定されたスペーサを形成した後に、真空蒸着重
合法によって配向膜を形成することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法に関する。
性基板に、その各対向し合う表面に透明電極とそれを被
覆する配向膜が形成され、その少なくとも一方の基板に
樹脂によるスペーサまたは樹脂で固定されたスペーサを
設け、液晶を挟持した液晶表示装置の製造において、予
め、少なくとも一方の基板に樹脂によるスペーサまたは
樹脂で固定されたスペーサを形成した後に、真空蒸着重
合法によって配向膜を形成することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法に関する。
【００１２】上記の真空蒸着重合法に使用される縮合重
合の昇華し易いジアミン成分としては、１、４−フェニ
レンジアミン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノ
ジフェニルメチレン等があげられる。このうち、ジアミ
ノジフェニルエーテルとジアミノジフェニルメチレンが
好ましい。
合の昇華し易いジアミン成分としては、１、４−フェニ
レンジアミン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノ
ジフェニルメチレン等があげられる。このうち、ジアミ
ノジフェニルエーテルとジアミノジフェニルメチレンが
好ましい。
【００１３】また、昇華し易いテトラカルボン酸成分と
しては、無水ピロメリット酸、１，２，３，４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸類、１，２，３，４−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸類、２，３，５−トリカルボキ
シシクロペンチル酸類、３，５，６−トリカルボキシ−
ノルボルナン−２−酢酸類、５−（２，５−ジオキソテ
トラヒドロフリル）−３−メチル−シクロヘキセンジカ
ルボン酸類、ビシクロ−（２，２，２）−オクト−７−
エン−テトラカルボン酸、１，２，３，４−フランテト
ラカルボン酸類、３，３’，４，４’−パーフルオロイ
ソプピリデンテトラカルボン酸類などがある。このう
ち、無水ピロメリット酸が好ましい。
しては、無水ピロメリット酸、１，２，３，４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸類、１，２，３，４−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸類、２，３，５−トリカルボキ
シシクロペンチル酸類、３，５，６−トリカルボキシ−
ノルボルナン−２−酢酸類、５−（２，５−ジオキソテ
トラヒドロフリル）−３−メチル−シクロヘキセンジカ
ルボン酸類、ビシクロ−（２，２，２）−オクト−７−
エン−テトラカルボン酸、１，２，３，４−フランテト
ラカルボン酸類、３，３’，４，４’−パーフルオロイ
ソプピリデンテトラカルボン酸類などがある。このう
ち、無水ピロメリット酸が好ましい。
【００１４】またモノマーの種類を選択することにより
ポリアミド、ポリユレア、ポリウレタンといった配向膜
を形成することが可能であるが、配向の安定性の点でポ
リイミドが最も優れている。上記重合反応を実施する装
置は公知のもの、例えば特開昭61-78463のものが利用で
きる。
ポリアミド、ポリユレア、ポリウレタンといった配向膜
を形成することが可能であるが、配向の安定性の点でポ
リイミドが最も優れている。上記重合反応を実施する装
置は公知のもの、例えば特開昭61-78463のものが利用で
きる。
【００１５】この装置では真空中でポリイミドの原料モ
ノマーを蒸発させて電極基板の電極側表面にポリアミッ
クの皮膜を形成し、そのポリアミックをポリイミドに重
合することができる。ここでポリイミドの原料モノマー
の蒸発を真空中で行うのは、蒸発したモノマーが互い
に、あるいは重合装置内壁に衝突するのを防ぎ、モノマ
ー蒸気を直接電極基板上に付着させて、均一なポリアミ
ックの皮膜を形成するためで、一般に１×１０-6Ｔｏｒ
ｒ程度の真空度に設定する。
ノマーを蒸発させて電極基板の電極側表面にポリアミッ
クの皮膜を形成し、そのポリアミックをポリイミドに重
合することができる。ここでポリイミドの原料モノマー
の蒸発を真空中で行うのは、蒸発したモノマーが互い
に、あるいは重合装置内壁に衝突するのを防ぎ、モノマ
ー蒸気を直接電極基板上に付着させて、均一なポリアミ
ックの皮膜を形成するためで、一般に１×１０-6Ｔｏｒ
ｒ程度の真空度に設定する。
【００１６】また、グロー放電を併用する方法によって
重合されたポリイミドは液晶配向性を示す。これはグロ
ー放電中に発生するイオンや電子等が電場によってポリ
アミックの皮膜表面に水平に近い角度で入射し、これに
よりラビング処理と同じ効果を生じ、その状態でポリイ
ミドに重合されるためであると考えられる。さらに重合
反応するモノマーを加熱する必要があるときは、予め保
温したモノマーを使用したり、室温で基板上に堆積させ
た後その基板を加熱するような方法が適用されている。
重合されたポリイミドは液晶配向性を示す。これはグロ
ー放電中に発生するイオンや電子等が電場によってポリ
アミックの皮膜表面に水平に近い角度で入射し、これに
よりラビング処理と同じ効果を生じ、その状態でポリイ
ミドに重合されるためであると考えられる。さらに重合
反応するモノマーを加熱する必要があるときは、予め保
温したモノマーを使用したり、室温で基板上に堆積させ
た後その基板を加熱するような方法が適用されている。
【００１７】即ち、真空中への昇華を促進するため、基
板加熱用熱源によりテトラカルボン酸モノマー側を１６
０℃程度に加熱、ジアミンモノマーを１４０℃程度に加
熱することが好適である。さらにポリアミック反応を促
進するため、電極基板を４０℃以上に加熱することが好
適である。既成の真空蒸着重合装置としては、日本真空
技術株式会社製真空蒸着重合装置ＶＥＰ−100 Ａ型など
が利用できる。
板加熱用熱源によりテトラカルボン酸モノマー側を１６
０℃程度に加熱、ジアミンモノマーを１４０℃程度に加
熱することが好適である。さらにポリアミック反応を促
進するため、電極基板を４０℃以上に加熱することが好
適である。既成の真空蒸着重合装置としては、日本真空
技術株式会社製真空蒸着重合装置ＶＥＰ−100 Ａ型など
が利用できる。
【００１８】スペーサに使用する樹脂組成物はポリスチ
レン、シリカ、アクリル、塩化ビニリデン、ナイロン等
が挙げられる。このうち、ポリスチレン、シリカが好適
に利用される。スペーサ形状は基板に固定されないとき
は、できるだけ応力集中が小さい形状が適当であり、
球、円柱や楕円体の形状がよい。基板に固定されて利用
されるときは球、楕円体形状が適当である。
レン、シリカ、アクリル、塩化ビニリデン、ナイロン等
が挙げられる。このうち、ポリスチレン、シリカが好適
に利用される。スペーサ形状は基板に固定されないとき
は、できるだけ応力集中が小さい形状が適当であり、
球、円柱や楕円体の形状がよい。基板に固定されて利用
されるときは球、楕円体形状が適当である。
【００１９】スペーサの大きさは１〜３０μｍが適用さ
れるが、４〜１５μｍが好適である。
れるが、４〜１５μｍが好適である。
【００２０】
【作用】本発明では、基板上に形成したスペーサの凸部
の周辺にも均一な配向の膜を形成することができた。
の周辺にも均一な配向の膜を形成することができた。
【００２１】
【実施例】本発明の詳細を実施例で説明するが、この実
施例に限定されない。
施例に限定されない。
【００２２】実施例１ ここで、この発明のスペーサ設置近傍に限定して、詳細
に説明する。図１に薄膜トランジスタ近傍の断面図を示
した。ここで１はゲート電極２はゲート絶縁膜、３はア
モルファスシリコン半導体膜、４はn+−アモルファスシ
リコン膜、５はソース電極、６はドレイン電極、７は絵
素電極、８は保護膜、９は透明電極、１０は絶縁膜、１
１は配向膜、１２は有色樹脂による遮光膜、１３は液
晶、１４は基板を示す。まずガラス、石英などでできた
基板上にアルミニウム、タンタル、チタン、銅などを用
いてゲート電極（この実施例ではタンタル）を形成し、
窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いてゲート絶縁膜
（この実施例では窒化シリコン）を形成した。続いてＣ
ＶＤを用いてアモルファスシリコン半導体膜、さらにｎ
+−アモルファスシリコン膜を形成した後、アルミニウ
ム、タンタル、チタン、銅などを用いてソース電極及び
ドレイン電極（この実施例ではチタン）を形成した。こ
のようにして薄膜トランジスタを形成した後、ＩＴＯを
用いて絵素電極を形成した。その上に窒化シリコン、酸
化シリコンなどを用いて保護膜（この実施例では酸化シ
リコン）を形成した。この保護膜は特に必要のあるもの
ではないが、有色樹脂膜の絶縁性が余り高くないか、有
色樹脂膜の膜中にイオン性の不純物が含まれている場合
には特性劣化を防止する効果がある。ここで有色樹脂に
よる遮光膜を形成する。この有色樹脂としては商品とし
てはカラーモザイクＣＫ（商品名：富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー株式会社製）があるが他にポリイ
ミド、ポリアミド、ポリアミド酸、アクリルなどにカー
ボン、染料、顔料などで着色したものを用いることが可
能である（この実施例ではカラーモザイクＣＫ）。カラ
ーモザイクＣＫを用いた場合はスピンコート1400rpm、1
0秒で約１μｍの膜厚を塗布することができ、この場合
の可視光透過率は550nmで約1.7％である。ここではこの
遮光膜をスペーサとして用いるため膜厚を５μｍとし
た。
に説明する。図１に薄膜トランジスタ近傍の断面図を示
した。ここで１はゲート電極２はゲート絶縁膜、３はア
モルファスシリコン半導体膜、４はn+−アモルファスシ
リコン膜、５はソース電極、６はドレイン電極、７は絵
素電極、８は保護膜、９は透明電極、１０は絶縁膜、１
１は配向膜、１２は有色樹脂による遮光膜、１３は液
晶、１４は基板を示す。まずガラス、石英などでできた
基板上にアルミニウム、タンタル、チタン、銅などを用
いてゲート電極（この実施例ではタンタル）を形成し、
窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いてゲート絶縁膜
（この実施例では窒化シリコン）を形成した。続いてＣ
ＶＤを用いてアモルファスシリコン半導体膜、さらにｎ
+−アモルファスシリコン膜を形成した後、アルミニウ
ム、タンタル、チタン、銅などを用いてソース電極及び
ドレイン電極（この実施例ではチタン）を形成した。こ
のようにして薄膜トランジスタを形成した後、ＩＴＯを
用いて絵素電極を形成した。その上に窒化シリコン、酸
化シリコンなどを用いて保護膜（この実施例では酸化シ
リコン）を形成した。この保護膜は特に必要のあるもの
ではないが、有色樹脂膜の絶縁性が余り高くないか、有
色樹脂膜の膜中にイオン性の不純物が含まれている場合
には特性劣化を防止する効果がある。ここで有色樹脂に
よる遮光膜を形成する。この有色樹脂としては商品とし
てはカラーモザイクＣＫ（商品名：富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー株式会社製）があるが他にポリイ
ミド、ポリアミド、ポリアミド酸、アクリルなどにカー
ボン、染料、顔料などで着色したものを用いることが可
能である（この実施例ではカラーモザイクＣＫ）。カラ
ーモザイクＣＫを用いた場合はスピンコート1400rpm、1
0秒で約１μｍの膜厚を塗布することができ、この場合
の可視光透過率は550nmで約1.7％である。ここではこの
遮光膜をスペーサとして用いるため膜厚を５μｍとし
た。
【００２３】実施例２ 図２に本発明の液晶分子配向膜を形成するための装置の
該略図を示した。ここで１５はモノマー用るつぼＡ、１
６はモノマー用るつぼＢ、１７はモノマーＡ、１８はモ
ノマーＢ、１９はモノマー加熱用熱源Ａ、２０はモノマ
ー加熱用熱源Ｂ、２１はシャッターＡ、２２はシャッタ
ーＢ、２３は基板用マスク、２４は基板、２５は形成さ
れた液晶分子配向膜、２６は基板加熱用源、２７はベル
ジャー、２８はモノマー回収トラップ、２９は真空ポン
プを示す。
該略図を示した。ここで１５はモノマー用るつぼＡ、１
６はモノマー用るつぼＢ、１７はモノマーＡ、１８はモ
ノマーＢ、１９はモノマー加熱用熱源Ａ、２０はモノマ
ー加熱用熱源Ｂ、２１はシャッターＡ、２２はシャッタ
ーＢ、２３は基板用マスク、２４は基板、２５は形成さ
れた液晶分子配向膜、２６は基板加熱用源、２７はベル
ジャー、２８はモノマー回収トラップ、２９は真空ポン
プを示す。
【００２４】まずベルジャー内の所定の位置にもモノマ
ーＡ、Ｂ及び基板をセットし、ベルジャー内を１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下の真空にした後、モノマー加熱用熱源Ａ、Ｂ
及び基板加熱用源を作動させそれぞれのモノマーを昇華
させる。基板が４０°Cに達し、モノマーの温度が所定
の値（無水ピロメリット酸とジアミノジフェニルエーテ
ルなら１６０°Cと１４０°C）に達したらシャッターを
開け、基板上に高分子による液晶分子配向膜を蒸着し重
合させる。高分子膜が膜厚（８００Å）に達したらシャ
ッターを閉じ、熱源を切り、ベルジャー内を常圧に戻し
た後基板を取り出すことにより基板上に液晶分子配向膜
が形成される。ここでポリイミドを配向膜とするとモノ
マーＡとしては無水ピロメリット酸が用いられ、モノマ
ーＢとしてはジアミノジフェニルエーテルを用い、化学
量論化となるような割合で昇華させれば良い。膜厚とし
ては600〜1000Å程度が（この実施例では８００Å）で
ある。ただし、ポリイミドの場合は蒸着重合した段階で
はポリアミック酸であるので、例えばピロメリットイミ
ドを得る場合であれば200°C程度の温度で３０分以上加
熱してイミド化反応を行いポリイミドとする必要があ
る。
ーＡ、Ｂ及び基板をセットし、ベルジャー内を１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下の真空にした後、モノマー加熱用熱源Ａ、Ｂ
及び基板加熱用源を作動させそれぞれのモノマーを昇華
させる。基板が４０°Cに達し、モノマーの温度が所定
の値（無水ピロメリット酸とジアミノジフェニルエーテ
ルなら１６０°Cと１４０°C）に達したらシャッターを
開け、基板上に高分子による液晶分子配向膜を蒸着し重
合させる。高分子膜が膜厚（８００Å）に達したらシャ
ッターを閉じ、熱源を切り、ベルジャー内を常圧に戻し
た後基板を取り出すことにより基板上に液晶分子配向膜
が形成される。ここでポリイミドを配向膜とするとモノ
マーＡとしては無水ピロメリット酸が用いられ、モノマ
ーＢとしてはジアミノジフェニルエーテルを用い、化学
量論化となるような割合で昇華させれば良い。膜厚とし
ては600〜1000Å程度が（この実施例では８００Å）で
ある。ただし、ポリイミドの場合は蒸着重合した段階で
はポリアミック酸であるので、例えばピロメリットイミ
ドを得る場合であれば200°C程度の温度で３０分以上加
熱してイミド化反応を行いポリイミドとする必要があ
る。
【００２５】実施例３〜４ 図３に本発明で作成した液晶デバイスの構造を示す。こ
こで３０はガラス基板、３１は透明導電膜、３２は本発
明の方法によって形成した配向膜、３３はシール、３４
は液晶、３５は遮光膜スペーサを示す。上記の方法で形
成された基板と透明導電膜上に配向膜の形成された基板
ラビング法によって配向処理を行った後、一方の基板上
にシールを形成し、２枚の基板を貼り合わせ、液晶を注
入した後注入口を封止することにより液晶デバイスを得
た。
こで３０はガラス基板、３１は透明導電膜、３２は本発
明の方法によって形成した配向膜、３３はシール、３４
は液晶、３５は遮光膜スペーサを示す。上記の方法で形
成された基板と透明導電膜上に配向膜の形成された基板
ラビング法によって配向処理を行った後、一方の基板上
にシールを形成し、２枚の基板を貼り合わせ、液晶を注
入した後注入口を封止することにより液晶デバイスを得
た。
【００２６】ここで適用される液晶としてはＺＬＩ−１
５６５，ＺＬＩ−４２１７，ＺＬＩ−４３５３などがあ
げられる。（実施例３ではＺＬＩ−１５６５、実施例４
ではＺＬＩ−１５６５）
５６５，ＺＬＩ−４２１７，ＺＬＩ−４３５３などがあ
げられる。（実施例３ではＺＬＩ−１５６５、実施例４
ではＺＬＩ−１５６５）
【００２７】また図４に実施例４を示した。ここで３６
はガラス基板、３７は透明導電膜、３８は本発明の方法
によって形成した配向膜、３９はシール、４０は液晶、
４１はスペーサ、４２は遮光膜を示す。ここでは、請求
項１における遮光膜を形成する時に樹脂中に３ｗｔ％の
スペーサ（直径５μｍ）を混入して形成することによ
り、スペーサの固定された遮光膜を行った。この時の遮
光膜の厚さはスペーサを固定でき、かつ十分な遮光性が
必要であるため２〜３μｍが適当である。
はガラス基板、３７は透明導電膜、３８は本発明の方法
によって形成した配向膜、３９はシール、４０は液晶、
４１はスペーサ、４２は遮光膜を示す。ここでは、請求
項１における遮光膜を形成する時に樹脂中に３ｗｔ％の
スペーサ（直径５μｍ）を混入して形成することによ
り、スペーサの固定された遮光膜を行った。この時の遮
光膜の厚さはスペーサを固定でき、かつ十分な遮光性が
必要であるため２〜３μｍが適当である。
【００２８】ここで実施例３および４における作製方法
と従来法である印刷法およびスピンコータ法とでセル厚
を比較した結果を表１に表した。
と従来法である印刷法およびスピンコータ法とでセル厚
を比較した結果を表１に表した。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１より分かるように本発明の方法は、従
来法のいずれの方法よりも厚みのばらつきが小さく、均
一なセル厚が得られていることが分かる。以上の方法で
液晶表示装置を作成した場合、いずれも均一なセル厚が
得られ、なお、完壁な配向が得られた。
来法のいずれの方法よりも厚みのばらつきが小さく、均
一なセル厚が得られていることが分かる。以上の方法で
液晶表示装置を作成した場合、いずれも均一なセル厚が
得られ、なお、完壁な配向が得られた。
【００３１】
【発明の効果】本発明によって作られた液晶表示装置
は、均一なセル厚が得られ、なお、完壁な配向が得られ
るため、直視用ディスプレイ、高精細プロジェクターな
どにも良好な表示品位が得られる。
は、均一なセル厚が得られ、なお、完壁な配向が得られ
るため、直視用ディスプレイ、高精細プロジェクターな
どにも良好な表示品位が得られる。
【図１】図１は本発明の請求項１の一実施例における薄
膜トランジスタ近傍の断面概略図を示した。
膜トランジスタ近傍の断面概略図を示した。
【図２】図２は本発明の液晶分子配向膜を形成するため
の装置の概略図を示した。
の装置の概略図を示した。
【図３】図３は本発明で作成した液晶デバイスの概略構
造を示した。
造を示した。
【図４】図４は本発明で作成した液晶デバイスの他の概
略図である。
略図である。
【図５】図５は従来の液晶装置の概略図である。
１ ゲート電極 ２ ゲート絶縁膜 ３ アモルファスシリコン半導体膜 ４ ｎ+-アモルファスシリコン膜 ５ ソース電極 ６ ドレイン電極 ７ 絵素電極 ８ 保護膜 ９ 透明電極 １０ 絶縁膜 １１ 配向膜 １２ 有色樹脂による遮光膜 １３ 液晶 １４ 基板 １５ モノマーるつぼＡ １６ モノマーるつぼＢ １７ モノマーＡ １８ モノマーＢ １９ モノマー加熱用熱源Ａ ２０ モノマー加熱用熱源Ｂ ２１ シャッターＡ ２２ シャッターＢ ２３ 基板用マスク ２４ 基板 ２５ 形成された液晶分子配向膜 ２６ 基板加熱用熱源 ２７ ベルジャー ２８ モノマー回収トラップ ２９ 真空ポンプ ３０ ガラス基板 ３１ 透明導電膜 ３２ 本発明の方法によって形成した配向膜 ３３ シール ３４ 液晶 ３５ スペーサ ３６ ガラス基板 ３７ 透明導電膜 ３８ 本発明の方法によって形成した配向膜 ３９ シール ４０ 液晶 ４１ スペーサ ４２ 遮光膜 ５１ａ，５１ｂ ガラス基板 ５２ａ，５２ｂ 透明電極 ５３ａ，５３ｂ 絶縁膜 ５４ａ，５４ｂ 配向膜 ５６ シール部材 ５７ 強誘電性液晶組成物 ５９，６０ 基板 ６１ 液晶セル ６２ａ，６２ｂ 偏光板
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の透光性基板に、その各対向し合う
表面に透明電極とそれを被覆する配向膜が形成され、そ
の少なくとも一方の基板に樹脂によるスペーサまたは樹
脂で固定されたスペーサを設け、液晶を挟持した液晶表
示装置の製造において、 予め、少なくとも一方の基板に樹脂によるスペーサまた
は樹脂で固定されたスペーサを形成した後に、真空蒸着
重合法によって配向膜を形成することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 スペーサを構成する樹脂またはスペーサ
を固定する樹脂が着色されている請求項１項に記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32207291A JPH05158053A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32207291A JPH05158053A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158053A true JPH05158053A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18139606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32207291A Pending JPH05158053A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05158053A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266121B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method of manufacturing same |
| KR100669099B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-01-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널 및 그 제조방법 |
| JP2010049288A (ja) * | 2009-12-02 | 2010-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| WO2010103953A1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法 |
| JP2011186453A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2013050737A (ja) * | 1999-07-06 | 2013-03-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP32207291A patent/JPH05158053A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266121B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method of manufacturing same |
| JP2013050737A (ja) * | 1999-07-06 | 2013-03-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| US9052551B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9069215B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9395584B2 (en) | 1999-07-06 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| KR100669099B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-01-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널 및 그 제조방법 |
| WO2010103953A1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法 |
| JP2010049288A (ja) * | 2009-12-02 | 2010-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2011186453A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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