JPH05156455A - Film forming device - Google Patents
Film forming deviceInfo
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- JPH05156455A JPH05156455A JP34172991A JP34172991A JPH05156455A JP H05156455 A JPH05156455 A JP H05156455A JP 34172991 A JP34172991 A JP 34172991A JP 34172991 A JP34172991 A JP 34172991A JP H05156455 A JPH05156455 A JP H05156455A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、真空雰囲気空間中，あ
るいは大気と遮断された空間中で気相または化学反応に
よって被成膜部材に薄膜を形成する成膜装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus for forming a thin film on a member to be film-formed by a gas phase or a chemical reaction in a vacuum atmosphere space or a space isolated from the atmosphere.
【０００２】[0002]
【従来の技術】絶縁体基板や半導体基板などの被成膜部
材（以下、基板という）の表面に所要の薄膜を形成する
この種の成膜装置としては、ＣＶＤ装置，プラズマＣＶ
Ｄ装置あるいは真空スパッタ装置等の蒸着装置が知られ
ている。近年、半導体素子，あるいは液晶表示素子の製
造における薄膜形成工程においては、プラズマＣＶＤ処
理が多用されている。2. Description of the Related Art As a film forming apparatus of this kind for forming a required thin film on the surface of a film forming member (hereinafter referred to as a substrate) such as an insulating substrate or a semiconductor substrate, a CVD apparatus and a plasma CV
A vapor deposition device such as a D device or a vacuum sputtering device is known. 2. Description of the Related Art In recent years, plasma CVD processing has been frequently used in a thin film forming process in manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device.
【０００３】特に、プラズマＣＶＤは非平衡プラズマ中
で気体状の物質（処理ガス）を反応させて基板上に新し
い固体種を析出させる方法であり、真空処理室である成
膜チャンバー中で処理ガス（例えばシランガス）を高周
波（以下、ＲＦという）電力あるいは直流電力エネルギ
ーの印加で活性化（ラジカル化）し、基板上に薄膜（例
えばアモルファスシリコン膜）を生成堆積させるもので
ある。Particularly, plasma CVD is a method of reacting a gaseous substance (processing gas) in non-equilibrium plasma to deposit new solid species on a substrate, and processing gas is used in a film forming chamber which is a vacuum processing chamber. (For example, silane gas) is activated (radicalized) by applying high frequency (hereinafter referred to as RF) power or DC power energy, and a thin film (for example, an amorphous silicon film) is generated and deposited on the substrate.
【０００４】図４は従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構
造を説明する断面図であって、０１は成膜チャンバー、
０２はＲＦ電極、０３は基板電極（アノード電極）、０
４は基板、０５はヒータ、０７は反応ガスの導入孔、０
８はガス排出孔である。同図において、被成膜部材とし
てのガラス板あるいは半導体ウエハである基板０４は、
基板電極０３上に載置され、真空雰囲気にある成膜チャ
ンバー０１にガス導入孔０７から矢印Ａのごとく反応ガ
スを導入し、この反応ガスを図示しないＲＦ電源からＲ
Ｆ電極０２に印加されるＲＦ電力エネルギーにより活性
化（ラジカル化）して基板０７の表面に化学反応を生起
させることによって基板０４上に所要の薄膜を生成させ
る。成膜に関与後のガスは排出孔０８から矢印Ｂのごと
く成膜チャンバー０１外に排出される。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the schematic structure of a conventional plasma CVD apparatus, in which 01 is a film forming chamber,
02 is an RF electrode, 03 is a substrate electrode (anode electrode), 0
4 is a substrate, 05 is a heater, 07 is a reaction gas introduction hole, 0
Reference numeral 8 is a gas discharge hole. In the figure, a substrate 04 which is a glass plate or a semiconductor wafer as a film forming member is
A reaction gas is introduced from the gas introduction hole 07 into the film forming chamber 01 placed on the substrate electrode 03 in a vacuum atmosphere as shown by an arrow A, and the reaction gas is supplied from an RF power source (not shown) to R.
The required thin film is formed on the substrate 04 by activating (radicalizing) the RF power energy applied to the F electrode 02 to cause a chemical reaction on the surface of the substrate 07. The gas that has been involved in the film formation is discharged from the discharge hole 08 to the outside of the film formation chamber 01 as shown by arrow B.
【０００５】なお、ヒータ０５は基板０４を所要の成膜
条件に加熱するためのもので、基板電極０３の背面に設
置されている。この成膜チャンバー０１における反応ガ
スは、ＲＦ電極０２内部から基板側に噴出される構成と
なっているが、ＲＦ電極０２と基板電極０３の対向空間
よりもその周辺の空間のボリウムが大きいために、矢印
Ｃに示したように基板０４に達する以前にガス排出孔方
向に流れる傾向にある。また、ＲＦ電極０２と基板電極
０３間に形成される電界Ｅが上記周辺の空間内に広が
り、基板面における等電位面が一様なものとはならなく
なる。そのため、基板０４に形成される薄膜の厚さが基
板周辺ブロツク部で薄くなり、基板の全面にわたって均
一な膜厚の形成されなくなる。The heater 05 is for heating the substrate 04 under the required film forming conditions, and is installed on the back surface of the substrate electrode 03. The reaction gas in the film forming chamber 01 is ejected from the inside of the RF electrode 02 to the substrate side, but since the volume of the space around the RF electrode 02 and the substrate electrode 03 is larger than the facing space, the volume is larger. , As shown by arrow C, there is a tendency to flow in the direction of the gas discharge hole before reaching the substrate 04. Further, the electric field E formed between the RF electrode 02 and the substrate electrode 03 spreads in the space around the above, and the equipotential surface on the substrate surface is not uniform. Therefore, the thickness of the thin film formed on the substrate 04 becomes thin at the block portion around the substrate, and a uniform film thickness cannot be formed over the entire surface of the substrate.
【０００６】図５は成膜チャンバーにおける反応ガスの
流路および電界と成膜される膜厚の関係を説明する模式
図であって、図４と同一符号は同一部分を表す。同図に
示したように、ＲＦ電極０２から噴出される反応ガスは
基板０４の中央部から成膜チャンバー０１の四隅に設け
られたガス排出孔０８に向かって、矢印Ｃ1,Ｃ2 で示し
たようになると共に、基板面での等電位面が一様でなく
なる。FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the relationship between the reaction gas flow path and electric field in the film forming chamber and the film thickness to be formed, and the same reference numerals as those in FIG. 4 represent the same parts. As shown in the figure, the reactive gas ejected from the RF electrode 02 is indicated by arrows C 1 and C 2 from the central portion of the substrate 04 toward the gas discharge holes 08 provided at the four corners of the film forming chamber 01. As a result, the equipotential surface on the substrate surface becomes uneven.
【０００７】そのため、基板０４に形成される薄膜が均
一に成膜される領域Ｒは図示したような基板中央部から
基板面の各辺長さ方向で約７０％の範囲に留まる。な
お、同図におけるＤＤx ，ＤＤy はＲＦ電極０２の辺の
長さ寸法を示す。したがって、従来においては、基板の
全面に均一な成膜を行うためには、基板の寸法に対し
て、上記７０％の均一成膜領域をカバーするためにＲＦ
電極の寸法を基板寸法に対して確保する必要があった。Therefore, the region R in which the thin film formed on the substrate 04 is uniformly deposited remains in the range of about 70% from the central portion of the substrate as shown in the direction of each side of the substrate surface. It should be noted that DD x and DD y in the same figure indicate the length dimensions of the sides of the RF electrode 02. Therefore, in the past, in order to form a uniform film on the entire surface of the substrate, the RF was used to cover the 70% uniform film forming area with respect to the size of the substrate.
It was necessary to secure the dimensions of the electrodes with respect to the dimensions of the substrate.
【０００８】なお、このような成膜室を用いて基板の表
面に所要の膜を形成する従来技術を開示したものとして
は、特開昭５９−１０２２４号公報を挙げることができ
る。As a conventional technique for forming a desired film on the surface of a substrate using such a film forming chamber, there is Japanese Patent Laid-Open No. 59-10224.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の技術においては、成膜チャンバー内の反応ガスの流れ
が基板面に対して一様なものでなく、またＲＦ電極と基
板電極との間の等電位面も一様でないために、基板上に
成膜される薄膜を該基板の全面にわたって均一とするこ
とが難しく、また、ＲＦ電極と基板との間の寸法関係を
最適値に設定することに関しては何ら考慮されていな
い。As described above, in the conventional technique, the flow of the reaction gas in the film forming chamber is not uniform with respect to the substrate surface, and the RF electrode and the substrate electrode are not separated from each other. Since the equipotential surfaces between the substrates are not uniform, it is difficult to make the thin film formed on the substrate uniform over the entire surface of the substrate, and the dimensional relationship between the RF electrode and the substrate is set to an optimum value. No consideration is given to what to do.
【００１０】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消し、基板面に均一な成膜を行うことのできる構成を備
えた成膜装置を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above problems of the prior art and to provide a film forming apparatus having a structure capable of uniformly forming a film on a substrate surface.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、図１（ａ）（ｂ）に示したような基本構
成を採用したものである。すなわち、図１は本発明によ
る成膜装置の基本構成を説明する（ａ）断面模式図、
（ｂ）寸法関係説明図であり、同図に示したように、真
空雰囲気空間を保持する底面が矩形の成膜チャンバー１
と、前記成膜チャンバー内に設置された高周波電極２お
よび基板電極３とを有し、前記成膜チャンバーの底部四
隅にそれぞれガス排出孔８を備えた成膜装置において、
前記高周波電極２の辺の長さ寸法をＤＤ，前記基板の辺
の長さ寸法をＧＤ，前記高周波電極２と前記基板４との
間隔をｄとしたとき、ＧＤ＜ＤＤ≦ＧＤ＋２ｄとしたこ
とを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention adopts a basic configuration as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). That is, FIG. 1 is a schematic sectional view (a) illustrating the basic configuration of the film forming apparatus according to the present invention,
(B) It is an explanatory view of dimensions, and as shown in the drawing, the film forming chamber 1 having a rectangular bottom surface for holding a vacuum atmosphere space.
And a high-frequency electrode 2 and a substrate electrode 3 installed in the film forming chamber, and a gas discharge hole 8 at each of four bottom corners of the film forming chamber.
When the length of the side of the high-frequency electrode 2 is DD, the length of the side of the substrate is GD, and the distance between the high-frequency electrode 2 and the substrate 4 is d, GD <DD ≦ GD + 2d Characterize.
【００１２】また、本発明は、真空雰囲気空間を保持す
る底面が矩形の成膜チャンバー１と、前記成膜チャンバ
ー内に設置された高周波電極２および基板電極３とを有
し、前記成膜チャンバーの底部四隅にそれぞれガス排出
孔８を備えた成膜装置において、前記成膜チャンバー１
の内部にガス流を均一にするためのガス流均一板６を設
置することを特徴とする。ここで、前記高周波電極２の
辺の長さ寸法をＤＤ，前記基板４の辺の長さ寸法をＧ
Ｄ，前記高周波電極２と前記基板４との間隔をｄとした
とき、ＧＤ＜ＤＤ≦ＧＤ＋２ｄとしたことを特徴とす
る。上記寸法ＤＤ，ＧＤは、同図（ｂ）に示したよう
に、ＲＦ電極２の横辺の寸法ＤＤx ，縦辺の寸法Ｄ
Ｄy 、基板４の横辺の寸法ＧＤx ，縦辺の寸法ＧＤy を
意味する。Further, according to the present invention, there is provided a film forming chamber 1 having a rectangular bottom surface for holding a vacuum atmosphere space, a high frequency electrode 2 and a substrate electrode 3 installed in the film forming chamber, and the film forming chamber. In the film forming apparatus having the gas discharge holes 8 at the four corners of the bottom of the film forming chamber 1,
It is characterized in that a gas flow uniformizing plate 6 is installed inside the chamber to make the gas flow uniform. Here, the length of the side of the high-frequency electrode 2 is DD, and the length of the side of the substrate 4 is G.
D, where GD <DD ≦ GD + 2d, where d is the distance between the high-frequency electrode 2 and the substrate 4. The dimensions DD and GD are, as shown in FIG. 7B, the dimensions DD x of the horizontal side and the dimension D of the vertical side of the RF electrode 2.
It means D y , the lateral dimension GD x of the substrate 4, and the vertical dimension GD y .
【００１３】なお、図１における７は反応ガスのを成膜
チャンバー１内に導入するためのガス導入孔で、このガ
ス導入孔７はＲＦ電極内に接続されて、反応ガスがＲＦ
電極の基板側面に設けた多数のガス噴出孔から基板方向
に噴出されるように構成される。なお、反応ガスの成膜
チャンバー１内への導入は上記構成によるものに限るも
のではなく、他の適宜の手段で導入してもよい。Reference numeral 7 in FIG. 1 is a gas introduction hole for introducing a reaction gas into the film forming chamber 1. The gas introduction hole 7 is connected to the RF electrode so that the reaction gas is RF.
It is configured to be ejected toward the substrate from a large number of gas ejection holes provided on the side surface of the electrode of the substrate. The introduction of the reaction gas into the film forming chamber 1 is not limited to the one having the above configuration, and it may be introduced by other appropriate means.
【００１４】また、図１はプラズマＣＶＤ方式の成膜装
置の概略構成図として本発明の構成を示しているが、本
発明はこのようなものに限るものではなく、常圧ＣＶ
Ｄ，減圧ＣＶＤ方式、あるいは真空スパッタ装置，その
他の蒸着装置全般に適用できるものである。FIG. 1 shows the configuration of the present invention as a schematic configuration diagram of a plasma CVD type film forming apparatus, but the present invention is not limited to such a configuration, and a normal pressure CV is used.
The present invention can be applied to D, low pressure CVD method, vacuum sputtering apparatus and other vapor deposition apparatuses in general.
【００１５】[0015]
【作用】本発明は、上記のように構成したことにより、
ＲＦ電極２と基板電極３間に形成される等電位面が基板
に対して一様な分布となると共に、反応ガスが基板面に
均一に作用するようなガス流路が形成される。したがっ
て、基板に成膜される薄膜はその全面にわたって均一な
厚さを有するものとなる。The present invention, which is configured as described above, provides
The equipotential surface formed between the RF electrode 2 and the substrate electrode 3 has a uniform distribution with respect to the substrate, and a gas flow path is formed so that the reaction gas uniformly acts on the substrate surface. Therefore, the thin film formed on the substrate has a uniform thickness over the entire surface.
【００１６】さらに、成膜チャンバー１内に設置したガ
ス流均一板６は、反応ガスが基板面に対してより均一に
流れるように作用し、基板面に成膜される薄膜をより均
一なものとする。Further, the gas flow uniform plate 6 installed in the film forming chamber 1 acts so that the reaction gas flows more uniformly with respect to the substrate surface, so that the thin film formed on the substrate surface is more uniform. And
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図２は本発明による成膜装置における成膜
装置の１実施例を説明する縦断面図であって、１は成膜
チャンバー、２はＲＦ電極、３は基板電極、４は基板、
５はヒータ、６１，６２はガス流均一板、７はガス導入
孔、８はガス排出孔、ｄはＲＦ電極２と基板４との間の
間隔である。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. 2 is a vertical cross-sectional view for explaining one embodiment of the film forming apparatus in the film forming apparatus according to the present invention, in which 1 is a film forming chamber, 2 is an RF electrode, 3 is a substrate electrode, 4 is a substrate,
Reference numeral 5 is a heater, 61 and 62 are gas flow uniform plates, 7 is a gas introduction hole, 8 is a gas discharge hole, and d is a distance between the RF electrode 2 and the substrate 4.
【００１８】同図において、成膜チャンバー１は真空雰
囲気に保持され、ガス導入孔７から導入された反応ガス
がＲＦ電極２から基板電極３上に載置された基板４の表
面方向に噴射される。ＲＦ電極２と基板電極３との間に
はＲＦ電界エネルギーによる高電界が形成され、この高
電界によって活性化された反応ガスのプラズマ種が基板
４の表面において化学反応を生起し、該基板上に所要の
薄膜を生成する。反応ガスはガス排出孔８から成膜チャ
ンバー１の外部に排出される。なお、ヒータ５は基板４
を所定の成膜処理条件に加熱するために基板電極３の背
面に設置されている。In the figure, the film forming chamber 1 is kept in a vacuum atmosphere, and the reaction gas introduced from the gas introduction hole 7 is jetted from the RF electrode 2 toward the surface of the substrate 4 placed on the substrate electrode 3. It A high electric field due to the RF electric field energy is formed between the RF electrode 2 and the substrate electrode 3, and the plasma species of the reaction gas activated by this high electric field cause a chemical reaction on the surface of the substrate 4, and the plasma reaction is performed on the substrate. To produce the required thin film. The reaction gas is discharged from the gas discharge hole 8 to the outside of the film forming chamber 1. The heater 5 is the substrate 4
Is installed on the back surface of the substrate electrode 3 in order to heat the film to a predetermined film forming condition.
【００１９】ＲＦ電極２と基板４は、前記図１で説明し
たように、間隔ｄだけ離れて成膜チャンバー１中に対峙
して配置されると共に、ＲＦ電極の辺方向の寸法が基板
４の対応する寸法に上記間隔ｄの略々２倍の寸法を足し
た値とされている。これによって、ＲＦ電力およびガス
流量に敏感な成膜条件でも基板４の表面に生成される薄
膜の厚さを基板表面の全域にわたって均一なものとする
ことができる。As described with reference to FIG. 1, the RF electrode 2 and the substrate 4 are arranged to face each other in the film forming chamber 1 at a distance d, and the dimension of the RF electrode in the side direction of the substrate 4 is equal to that of the substrate 4. The value is a value obtained by adding a dimension approximately twice the distance d to the corresponding dimension. As a result, the thickness of the thin film formed on the surface of the substrate 4 can be made uniform over the entire surface of the substrate 4 even under film forming conditions sensitive to RF power and gas flow rate.
【００２０】また、成膜条件によっては、ガス流量には
敏感に依存するが、ＲＦパワーには依存性が小なる場合
がある。このような場合は、ＲＦ電極の辺方向の寸法は
基板４の寸法と略ゝ同程度とすることでも均一な膜厚分
布を得られる。図３は図２に示した本発明による成膜装
置における成膜装置の１実施例を説明する図１のＡ−Ａ
で断面した平面図である。Depending on the film forming conditions, the gas flow rate is sensitively dependent, but the RF power may be less dependent. In such a case, a uniform film thickness distribution can be obtained by making the size of the RF electrode in the side direction approximately the same as the size of the substrate 4. FIG. 3 illustrates one embodiment of the film forming apparatus in the film forming apparatus according to the present invention shown in FIG.
FIG.
【００２１】同図に示したように、成膜チャンバー１の
底部の四隅にはそれぞれガス排出孔８が設けられてい
る。また、図１に断面で示したガス流均一板６２が成膜
チャンバー１の底面に設置されており、前記成膜チャン
バー１の上部に設置されたガス流均一板６１と共に、Ｒ
Ｆ電極２と基板電極３の対峙空間の周辺における空間ボ
リウムを小さくすることで、反応ガスの均一な流動を保
証して基板４に成膜される薄膜の厚さをさらに均一なも
のとすることができる。As shown in the figure, gas discharge holes 8 are provided at the four corners of the bottom of the film forming chamber 1, respectively. Further, a gas flow uniform plate 62 shown in cross section in FIG. 1 is installed on the bottom surface of the film forming chamber 1, and together with the gas flow uniform plate 61 installed on the upper part of the film forming chamber 1, R
By reducing the space volume around the confronting space between the F electrode 2 and the substrate electrode 3, a uniform flow of the reaction gas is ensured and the thickness of the thin film formed on the substrate 4 is made more uniform. You can
【００２２】なお、上記ガス流均一板６１およびガス流
均一板６２は石英，その他の絶縁板で構成するのを可と
し、さらにこれらを着脱可能としておくことにより、所
謂防着板としての効果を持たせることができる。The gas flow uniform plate 61 and the gas flow uniform plate 62 may be made of quartz or another insulating plate, and by making them detachable, the so-called anti-adhesion plate is obtained. You can have it.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成膜チャンバーに設置するＲＦ電極の寸法を、成膜対象
である基板の寸法および両者の間隔に関連したものとし
たことによって、基板に作用するプラズマ種を基板に対
して一様に分布させ、成膜される薄膜を当該基板の全面
にわたって均一なものとすることができる。As described above, according to the present invention,
By making the size of the RF electrode installed in the film forming chamber related to the size of the substrate to be film-formed and the distance between the two, the plasma species acting on the substrate can be evenly distributed with respect to the substrate. The thin film to be formed can be uniform over the entire surface of the substrate.
【図１】本発明による成膜装置の基本構成を説明する模
式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a basic configuration of a film forming apparatus according to the present invention.
【図２】本発明による成膜装置における成膜室の１実施
例を説明する縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view illustrating one example of a film forming chamber in the film forming apparatus according to the present invention.
【図３】本発明による成膜装置における成膜室の１実施
例を説明する図１のＡ−Ａで断面した平面図である。FIG. 3 is a plan view taken along the line AA of FIG. 1 for explaining an example of a film forming chamber in the film forming apparatus according to the present invention.
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構造を説明す
る断面図である。FIG. 4 is a sectional view illustrating a schematic structure of a conventional plasma CVD apparatus.
【図５】成膜チャンバーにおける反応ガスの流路および
電界と成膜される膜厚の関係を説明する模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a relationship between a flow path of a reaction gas and an electric field in a film forming chamber and a film thickness to be formed.
１ 成膜チャンバー ２ ＲＦ電極 ３ 基板電極 ４ 基板 ６ ガス流均一板 ７ ガス導入孔 ８ ガス排出孔 ｄ ＲＦ電極と基板間の距離 ＤＤx ，ＤＤy ＲＦ電極の辺寸法 ＧＤx ，ＧＤy 基板の辺寸法。1 deposition chamber 2 RF electrode 3 substrate electrode 4 substrate 6 gas flow uniform plate 7 gas introduction hole 8 gas discharge hole d distance between RF electrode and substrate DD x , DD y side dimension of RF electrode GD x , GD y of substrate Side dimensions.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村松 文雄 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 国 際電気株式会社富山工場内 (72)発明者 竹田 智彦 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 国 際電気株式会社富山工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Fumio Muramatsu 2-1-1 Hoya, Yao-cho, Neguro-gun, Toyama Prefecture Inside the Toyama Plant of Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Tomohiko Takeda 2-1-1 Yanai-cho, Yajo-cho, Toyama Prefecture Address International Electric Co., Ltd. Toyama Factory
Claims (2)
膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置された高
周波電極および基板電極とを有し、前記成膜チャンバー
の底部四隅にそれぞれガス排出孔を備えた成膜装置にお
いて、 前記高周波電極の辺の長さ寸法をＤＤ，前記基板の辺の
長さ寸法をＧＤ，前記高周波電極と前記基板の間隔をｄ
としたとき、ＧＤ＜ＤＤ≦ＧＤ＋２ｄとしたことを特徴
とする成膜装置。1. A film forming chamber having a rectangular bottom surface for holding a vacuum atmosphere space, a high frequency electrode and a substrate electrode installed in the film forming chamber, and gas is exhausted to four corners of the bottom of the film forming chamber. In a film forming apparatus provided with holes, a side length dimension of the high frequency electrode is DD, a side length dimension of the substrate is GD, and a distance between the high frequency electrode and the substrate is d.
In this case, GD <DD ≦ GD + 2d.
膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置された高
周波電極および基板電極とを有し、前記成膜チャンバー
の底部四隅にそれぞれガス排出孔を備えた成膜装置にお
いて、 前記成膜チャンバーの内部にガス流を均一にするための
ガス流均一板を設置すると共に、前記高周波電極の辺の
長さ寸法をＤＤ，前記基板の辺の長さ寸法をＧＤ，前記
高周波電極と前記基板の間隔をｄとしたとき、ＧＤ＜Ｄ
Ｄ≦ＧＤ＋２ｄとしたことを特徴とする成膜装置。2. A film forming chamber having a rectangular bottom surface for holding a vacuum atmosphere space, a high-frequency electrode and a substrate electrode installed in the film forming chamber, and gas is exhausted to four bottom corners of the film forming chamber. In a film forming apparatus provided with holes, a gas flow uniformizing plate for making a gas flow uniform is installed inside the film forming chamber, and the length dimension of the side of the high frequency electrode is DD and the side length of the substrate is When the length dimension is GD and the distance between the high frequency electrode and the substrate is d, GD <D
A film forming apparatus characterized in that D ≦ GD + 2d.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34172991A JPH05156455A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34172991A JPH05156455A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Film forming device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05156455A true JPH05156455A (en) | 1993-06-22 |
Family
ID=18348323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34172991A Pending JPH05156455A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Film forming device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05156455A (en) |
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|---|---|---|---|---|
| US7045745B2 (en) | 2003-12-30 | 2006-05-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heating cooker having a steam generating unit |
| JP2016500920A (en) * | 2012-10-18 | 2016-01-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Shadow frame support |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP34172991A patent/JPH05156455A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045745B2 (en) | 2003-12-30 | 2006-05-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heating cooker having a steam generating unit |
| JP2016500920A (en) * | 2012-10-18 | 2016-01-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Shadow frame support |
| JP2018113461A (en) * | 2012-10-18 | 2018-07-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Shadow frame support |
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