JPH05150199A - Waveguide type optical device and modulating method thereof - Google Patents
Waveguide type optical device and modulating method thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は導波路構造を用いた光変
調器などの導波路形光デバイスに関し、特に導波路形光
デバイス及びそれを利用する変調方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type optical device such as an optical modulator using a waveguide structure, and more particularly to a waveguide type optical device and a modulation method using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】導波路形光デバイスは、強誘電体や半導
体材料からなる基板中に、光を閉じ込めて導波させるた
めの導波路として屈折率の高い部分が形成されており、
この導波路の上部または近傍に電圧を印加するための電
極が形成されている。この電極に外部から電位差を与え
ることによって基板中の導波路の屈折率を変化させ、光
の位相や強度を変調したり、あるいは光路を切換えたり
する。2. Description of the Related Art In a waveguide type optical device, a portion having a high refractive index is formed as a waveguide for confining and guiding light in a substrate made of a ferroelectric material or a semiconductor material.
An electrode for applying a voltage is formed on or near the waveguide. By applying a potential difference from the outside to this electrode, the refractive index of the waveguide in the substrate is changed to modulate the phase or intensity of light or switch the optical path.
【０００３】こうした導波路形光デバイスの一例として
強誘電体材料の中で比較的高い電気光学効果をもつニオ
ブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）基板を用いた光デバイス
がある。これは、基板にチタン（Ｔｉ）膜を成膜し所望
の導波路パターンにパターンニングした後、１０００℃
前後の高温で数時間熱拡散して導波路を形成し、これに
二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）バッファ層を成膜し、その
上面に金属膜により電極を形成してデバイスとなる素子
が作製される。As an example of such a waveguide type optical device, there is an optical device using a lithium niobate (LiNbO 3 ) substrate having a relatively high electro-optical effect among ferroelectric materials. This is performed by forming a titanium (Ti) film on the substrate and patterning it into a desired waveguide pattern, and then 1000 ° C.
A device is fabricated by forming a waveguide by heat diffusion at a high temperature before and after for several hours, forming a silicon dioxide (SiO 2 ) buffer layer on this, and forming an electrode by a metal film on the upper surface thereof. ..
【０００４】この導波路形光デバイスは基板上に光を変
調したり、光路切換えを行うスイッチング機能を集積化
することが可能である。また、光を高速に変調すること
が出来るので、大容量光通信用の外部変調器やＯＴＤＲ
における光路切換え用スイッチとして開発が進められて
いる。This waveguide type optical device is capable of modulating light on a substrate and integrating a switching function for switching an optical path. Moreover, since light can be modulated at high speed, it is possible to use an external modulator or OTDR for large-capacity optical communication.
Is being developed as a switch for changing the optical path.
【０００５】図３は従来から広く研究・開発，実用化の
ため検討が進められているマッハツェンダ形（ＭＺ形）
光変調器であり、本図を用いて簡単に構造と動作原理を
説明する。図３において、ＬｉＮｂＯ3 導波路基板２上
に形成された導波路１は分岐部１ａを２箇所有し、中央
で２本の平行な導波路１ｂとなっている。この２本の平
行な部分の導波路１の上部には導波路基板２の表面全体
に成膜されたＳｉＯ2 バッファ層１０（図４を参照）を
介して、クロム・金からなる金属層の電極３と電極４が
形成されている。この導波路１及び電極３と電極４を有
する導波路基板２の両端面にはそれぞれ入力側光ファイ
バ５と出力側光ファイバ６が光学的に結合されている。
さらに、電極３には電圧を印加し信号を入力するための
駆動回路７の出力端が接続されている。FIG. 3 shows a Mach-Zehnder type (MZ type) which has been widely studied for research, development and practical use.
This is an optical modulator, and its structure and operation principle will be briefly described with reference to this drawing. In FIG. 3, the waveguide 1 formed on the LiNbO 3 waveguide substrate 2 has two branch portions 1a, and two parallel waveguides 1b are formed at the center. A metal layer made of chromium and gold is formed on the upper part of the waveguide 1 in these two parallel portions via a SiO 2 buffer layer 10 (see FIG. 4) formed on the entire surface of the waveguide substrate 2. Electrodes 3 and 4 are formed. An input side optical fiber 5 and an output side optical fiber 6 are optically coupled to both end surfaces of the waveguide 1 and the waveguide substrate 2 having the electrodes 3 and 4, respectively.
Further, an output end of a drive circuit 7 for applying a voltage and inputting a signal is connected to the electrode 3.
【０００６】ここで電極４を接地し、電極３に外部の駆
動回路７から電圧を印加すると、図４に示すように基板
２中に形成された導波路１に縦方向の電界１１（矢印で
表示）が発生して、ＬｉＮｂＯ3 のもつ電気光学効果に
より導波路１の屈折率が変化する。この印加した電圧つ
まり変調電圧と光出力の関係を図５に示す。電圧を印加
しない状態では一旦分岐され、再び合流した光は位相差
が無いため伝搬損や分岐損を除き再び光が出力される
が、印加電圧を増加させると光に位相差が生じ、丁度２
つの光の位相が反転するように電圧を印加すると光は出
力されなくなる。以上説明した原理をもとに印加電圧を
ＯＮ，ＯＦＦする駆動方法によって光を変調するのがＭ
Ｚ形光変調器である。When the electrode 4 is grounded and a voltage is applied to the electrode 3 from an external drive circuit 7, an electric field 11 (indicated by an arrow) in the vertical direction is applied to the waveguide 1 formed in the substrate 2 as shown in FIG. (Display) occurs, and the refractive index of the waveguide 1 changes due to the electro-optic effect of LiNbO 3 . The relationship between the applied voltage, that is, the modulation voltage and the light output is shown in FIG. When no voltage is applied, the light is split once and merged again, so there is no phase difference, so the light is output again except for the propagation loss and branching loss. However, when the applied voltage is increased, a phase difference occurs in the light, and exactly 2
When voltage is applied so that the phases of two lights are inverted, the lights are not output. Based on the principle explained above, it is M to modulate the light by the driving method of turning the applied voltage on and off.
It is a Z-shaped optical modulator.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来から、ＭＺ形光変
調器は１０Ｇｂ／ｓまたはそれ以上の高速変調に使用さ
れている。高速変調に対応するためには変調電圧Ｖが出
来る限り低いことが望ましく、そのため、後述するよう
に入射光としてＴＭモードが使用されている。しかし、
変調度を低く（〜３０％程度）設定し、変調をかける場
合には必ずしもＴＭモードによる変調を利用する必要は
なく、逆に、変調電圧の許容変動量（変動トレランス）
が小さくなり、変調電圧の制御が厳しくなるという欠点
がある。さらに、ＴＭモードの採用はＴＥモードの採用
と比較すると挿入損失の低減，導波路構成の簡略化の点
で問題がある。Conventionally, the MZ type optical modulator has been used for high speed modulation of 10 Gb / s or more. It is desirable that the modulation voltage V is as low as possible in order to support high-speed modulation, and therefore the TM mode is used as incident light as described later. But,
When the modulation degree is set low (about 30%) and the modulation is applied, it is not always necessary to use the TM mode modulation, and conversely, the allowable fluctuation amount of the modulation voltage (variation tolerance).
Is small and the control of the modulation voltage becomes strict. Further, the adoption of the TM mode has problems in that the insertion loss is reduced and the waveguide structure is simplified as compared with the adoption of the TE mode.
【０００８】本発明は以上の点に鑑み、上記のような課
題を解決するためになされたもので、その目的は、変調
度の小さい光変調を得るための、導波路形光デバイス及
びそれを利用した変調方法を提供することにある。In view of the above points, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a waveguide type optical device for obtaining an optical modulation with a small modulation degree and a waveguide type optical device. It is to provide a modulation method used.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の導波路形光デバイスは、電気光学効果を有す
るＺカットＬｉＮｂＯ3 などの基板上に形成されたマッ
ハツェンダー形または方向性結合形の導波路と、この導
波路の上部近傍に形成された少なくとも一対の電極と、
この一対の電極に電圧を印加する電気回路からなり、Ｔ
Ｅモードだけを入力光とすることを特徴とする。また、
本発明の変調方法は、上記の導波路形光デバイスにおい
て導波路中を伝搬する光にＴＥモードを使用し、その導
波光を、一対の電極に印加する変調電圧により制御する
ことを特徴とするものである。To achieve the above object, a waveguide type optical device according to the present invention comprises a Mach-Zehnder type or directional coupling formed on a substrate such as Z-cut LiNbO 3 having an electro-optical effect. -Shaped waveguide and at least a pair of electrodes formed near the upper portion of the waveguide,
An electric circuit for applying a voltage to the pair of electrodes,
The feature is that only the E mode is used as the input light. Also,
The modulation method of the present invention is characterized in that a TE mode is used for light propagating in the waveguide in the above-mentioned waveguide type optical device, and the guided light is controlled by a modulation voltage applied to a pair of electrodes. It is a thing.
【００１０】[0010]
【作用】したがって本発明によれば、導波路に入射する
光の偏光をＴＥモードとすることにより、変調電圧の許
容変動量（変動トレランス）を拡大でき、かつ挿入損失
を低減できる。しかも導波路素子の構成を簡単化でき
る。Therefore, according to the present invention, by allowing the polarization of the light incident on the waveguide to be in the TE mode, it is possible to increase the allowable variation amount (variation tolerance) of the modulation voltage and reduce the insertion loss. Moreover, the structure of the waveguide element can be simplified.
【００１１】[0011]
【実施例】次に本発明の実施例を説明する前に、本発明
の概要を説明するため上述した変調電圧の許容変動量、
挿入損失、導波路構成の簡単化について説明する。 (1)入射光の偏光状態と変調電圧Ｖπおよび許容変動量 ＭＺ形光変調器は、上述のように電圧を印加しないＶ＝
０の状態とＶπ（図５参照）の間で電圧変調が行われ
る。この変調電圧Ｖπは一般的に次式で求められる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Before describing the embodiments of the present invention, the allowable fluctuation amount of the modulation voltage described above for explaining the outline of the present invention,
Insertion loss and simplification of the waveguide structure will be described. (1) Polarization state of incident light and modulation voltage Vπ and permissible fluctuation amount As described above, the MZ type optical modulator does not apply a voltage V =
Voltage modulation is performed between the state of 0 and Vπ (see FIG. 5). This modulation voltage Vπ is generally obtained by the following equation.
【００１２】Ｖπ＝λＧ／２ｎ3ｒΓＬ ・・・ ここに、λ：光の波長 Ｇ：電極間ギャップ ｎ：導波路の屈折率 ｒ：電気光学定数 Γ：電界と光のオーバーラップ部分 Ｌ：電極長Vπ = λG / 2n 3 r ΓL ... where λ: wavelength of light G: gap between electrodes n: refractive index of waveguide r: electro-optic constant Γ: overlap between electric field and light L: electrode Long
【００１３】通常、ＭＺ形光変調器による光の変調は、
光の出力の最大と最小（この差を消光比という）を得る
ため、変調電圧は０とＶπが印加され、光出力をＯＮ／
ＯＦＦする。また、式よりＶπを低くするためには、
構造に伴うパラメータ（λ，Ｇ，Γ，Ｌ）以外にｎとｒ
についても考慮しなければならない。Ｖπの低減のた
め、一般的にはｒを大きくとれるように、導波路基板に
Ｚカット−ＬｉＮｂＯ3基板を採用することが多い。あ
る条件下で導波路構造を決定する（すなわちλ，Ｇ，
Γ，Ｌ，ε固定）した場合、Ｖπは入射光の偏光（ＴＥ
／ＴＭ）により決定され、各々のＶπは式，のよう
になる。Usually, the modulation of light by the MZ type optical modulator is
In order to obtain the maximum and minimum of the light output (this difference is called extinction ratio), 0 and Vπ are applied as the modulation voltage, and the light output is turned on / off.
Turn off. Further, in order to lower Vπ from the formula,
In addition to the parameters (λ, G, Γ, L) associated with the structure, n and r
Must also be considered. In order to reduce Vπ, in general, a Z-cut-LiNbO 3 substrate is often used as the waveguide substrate so that r can be set large. Determine the waveguide structure under certain conditions (ie λ, G,
When Γ, L, ε are fixed), Vπ is the polarization of the incident light (TE
/ TM), and each Vπ is given by the equation.
【００１４】 Ｖπ（TE）＝λＧ／２ｎo 3ｒ13ΓＬ ・・・ Ｖπ（TM）＝λＧ／２ｎe 3ｒ33ΓＬ ・・・Vπ (TE) = λG / 2n o 3 r 13 ΓL ... Vπ (TM) = λG / 2n e 3 r 33 ΓL ...
【００１５】ここで、Ｚカット−ＬｉＮｂＯ3基板を使
用した場合、 ３ｎo 3ｒ13＝ｎe 3ｒ33 なる関係が設立するため、光変調器に入射する光の偏光
はＴＭモードが使用される。ＴＥモード，ＴＭモードに
より変調をかけた場合の電圧変動と光出力変動との関係
を図６に示す。よって、図６から変調度を下げて使用す
る場合には変調電圧の許容変動量の広いＴＥモードを利
用するほうが望ましいなお、図６において横軸は変調電
圧、縦軸は消光比がそれぞれとってあり、特性２１はＴ
Ｅモードの場合を示し、特性２２はＴＭモードの場合を
示す。またΔＶTEはＴＥモードによる許容変動量を、Δ
ＶTMはＴＭモードによる許容変動量を示し、これらはΔ
ＶTM＜ΔＶTEの関係にある。Here, when the Z-cut-LiNbO 3 substrate is used, the relationship of 3n o 3 r 13 = n e 3 r 33 is established, so that the TM mode is used for the polarization of the light incident on the optical modulator. It FIG. 6 shows the relationship between the voltage variation and the optical output variation when modulation is performed in the TE mode and the TM mode. Therefore, when the modulation degree is lowered from FIG. 6, it is preferable to use the TE mode having a wide allowable fluctuation amount of the modulation voltage. In FIG. 6, the horizontal axis represents the modulation voltage and the vertical axis represents the extinction ratio. Yes, characteristic 21 is T
The case of E mode is shown, and the characteristic 22 shows the case of TM mode. ΔV TE is the allowable fluctuation amount in TE mode
V TM indicates the allowable variation amount in the TM mode, and these are Δ
There is a relationship of V TM <ΔV TE .
【００１６】(2)入射光の偏光状態と挿入損失 損失に関しＴＥモードとＴＭモードとを比較すると（図
７参照）、ＴＭモード伝搬ではＹ分岐交差部での損失が
大きいことや導波路上部の電極での吸収があるため、Ｍ
Ｚ形の光変調器については以下のことが言える。 ＴＥモード伝搬：挿入損失小、Ｖπ大（変調周波数低
い） ＴＭモード伝搬：挿入損失大、Ｖπ小（変調周波数高
い） ただし、図７(a)及び(b)にそれぞれＴＭモード，ＴＥモ
ードをモデル化して示した。同図中１２はＴＭモードの
偏光方向（電界成分）を示し、同じく１３はＴＥモード
の偏光方向（電界成分）を示している。(2) Polarization state of incident light and insertion loss Comparing the TE mode and the TM mode with respect to the loss (see FIG. 7), the loss at the Y-branch intersection is large in the TM mode propagation and the loss at the upper part of the waveguide is large. Since there is absorption at the electrodes, M
The following can be said about the Z-shaped optical modulator. TE mode propagation: small insertion loss, large Vπ (modulation frequency is low) TM mode propagation: large insertion loss, small Vπ (modulation frequency is high) However, TM mode and TE mode are modeled in FIGS. 7 (a) and (b), respectively. It was shown as In the figure, 12 indicates the TM-mode polarization direction (electric field component), and 13 indicates the TE-mode polarization direction (electric field component).
【００１７】(3)入射光の偏光状態と導波路構成 ＭＺ形光変調器は主に高速変調用として考えられている
ため、ＴＭモードを入射し、使用される。従って、導波
路構成もＴＭモードの伝搬ロスが発生しないように、図
７(a) のように、Ｔｉ拡散された導波路１とその上部に
設けられた電極３の間にＳｉＯ2 バッファ層１０を設
け、ＴＭモードが電極３に吸収されることによりロス増
加が起きないように工夫する必要がある。(3) Polarization State of Incident Light and Waveguide Structure Since the MZ type optical modulator is mainly considered for high speed modulation, the TM mode is incident and used. Therefore, as shown in FIG. 7 (a), the SiO 2 buffer layer 10 is provided between the Ti-diffused waveguide 1 and the electrode 3 provided on the waveguide 1 so that the TM mode propagation loss does not occur in the waveguide structure. Therefore, it is necessary to devise such that the loss increase does not occur due to the TM mode being absorbed by the electrode 3.
【００１８】しかし、ＴＥモードの伝搬は図７(b) のよ
うに、Ｔｉ導波路１上の金属電極３とは無関係であるか
ら、図１(b)のように、ＳｉＯ2バッファ層が不要にな
る。従って、ＴＥモードによる光変調を採用した場合に
は導波路素子の構成がＴＭモードのそれと比較して簡単
化が図れる。以上のことから、光変調器をその変調度を
下げて使用する場合、ＴＥモードを利用することで、以
下の改善、及びメリットがある。 (1)変調電圧の許容変動量が広がる。 (2)挿入損失がＴＭモードに比べ低くなる。 (3)導波路構成の簡素化が図れる。However, the propagation of the TE mode is independent of the metal electrode 3 on the Ti waveguide 1 as shown in FIG. 7 (b), so that the SiO 2 buffer layer is unnecessary as shown in FIG. 1 (b). become. Therefore, when the optical modulation by the TE mode is adopted, the structure of the waveguide element can be simplified as compared with that of the TM mode. From the above, when the optical modulator is used with a reduced degree of modulation, the use of the TE mode has the following improvements and merits. (1) The allowable fluctuation amount of the modulation voltage is widened. (2) Insertion loss is lower than in TM mode. (3) The waveguide structure can be simplified.
【００１９】実施例１ 図１は本発明によるＭＺ形光変調器の一実施例を示す基
本構成図であり、図２はその変調方法を示す説明図であ
る。ここで、導波路基板２と導波路１に光学的に接続さ
れた入力側光ファイバ５と出力側ファイバ６及び電極３
に接続される駆動回路７は図３に示した従来例と同じで
あるが、本実施例では、導波路基板を図１のような構成
としている。すなわち、入力側光ファイバ５と光源９の
間に偏波コントローラ８を接続し、この偏波コントロー
ラ８を調整して導波路１に入射光ＩINとしてＴＥモード
を入射させることにより、出力光ＩOUTとして変調光を
取り出すようにしたものである。Embodiment 1 FIG. 1 is a basic configuration diagram showing an embodiment of an MZ type optical modulator according to the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing a modulation method thereof. Here, the input side optical fiber 5, the output side fiber 6 and the electrode 3 which are optically connected to the waveguide substrate 2 and the waveguide 1.
The drive circuit 7 connected to is the same as that of the conventional example shown in FIG. 3, but in this embodiment, the waveguide substrate has a structure as shown in FIG. That is, the polarization controller 8 is connected between the input-side optical fiber 5 and the light source 9, and the polarization controller 8 is adjusted so that the TE mode is incident on the waveguide 1 as the incident light I IN. The modulated light is taken out as OUT .
【００２０】ただし図２は、本発明によるＴＥモードに
より変調をかけた場合（実線の特性）とＴＭモードによ
り変調をかけた場合（破線の特性）の変調電圧と光出力
変動との関係を対比して示したもので、横軸は変調電圧
が、縦軸は消光比がそれぞれとってある。However, FIG. 2 compares the relationship between the modulation voltage and the optical output fluctuation when the TE mode modulation (solid line characteristic) and the TM mode modulation (broken line characteristic) according to the present invention are performed. The modulation voltage is plotted on the horizontal axis and the extinction ratio is plotted on the vertical axis.
【００２１】本実施例によるときは損入損失は２．０ｄ
Ｂであり、従来から使用されているＴＭモードを利用し
たＭＺ形光変調器の挿入損失２．８ｄＢと比較して０．
８ｄＢ改善できた。また、変調度を１０±１％と設定し
た場合の変調電圧の許容変動量はＴＭモードが±０．３
Ｖであったのみ対し、ＴＥモードでは±０．９Ｖとな
り、３倍に拡大できた。さらに、導波路構成においても
ＳｉＯ2 バッファ層の工程が不要となり、製造日数の短
縮，製造コストの低減が図れた。According to this embodiment, the loss loss is 2.0d.
B, which is 0.8 compared with the insertion loss of 2.8 dB of the MZ type optical modulator using the TM mode which has been conventionally used.
It was improved by 8 dB. In addition, the allowable fluctuation amount of the modulation voltage when the modulation degree is set to 10 ± 1% is ± 0.3 in the TM mode.
In contrast to V, it was ± 0.9 V in the TE mode, and could be tripled. Further, the step of forming the SiO 2 buffer layer is not necessary even in the waveguide structure, and the number of manufacturing days and the manufacturing cost can be reduced.
【００２２】なお、上記実施例では光変調器の導波路と
して、導波光を２つに分岐するＭＺ形のものを用いた場
合について示したが、本発明はこれに限らず、方向性結
合器を用いたり、あるいは導波路基板もＺカットＬｉＮ
ｂＯ3 基板の他に電気光学効果を持つものであればよ
く、多くの変形が考えられる。In the above embodiment, the MZ type which branches the guided light into two is used as the waveguide of the optical modulator, but the present invention is not limited to this, and the directional coupler is used. Or using a Z-cut LiN waveguide substrate
In addition to the bO 3 substrate, any material can be used as long as it has an electro-optical effect, and many variations are possible.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように本発明の導波路形光
デバイス及びその変調方法は、変調度が低い場合に限り
導波路に入射する光の偏光をＴＥモードとすることによ
り、変調電圧の許容変動量を拡大でき、かつ挿入損失を
低減できる。さらに導波路素子の構成を簡単化でき、製
造日数およびコスト低減が図れるという効果がある。As described above, in the waveguide type optical device and the modulation method thereof according to the present invention, the polarization of the light incident on the waveguide is set to the TE mode only when the modulation degree is low, so that the modulation voltage The permissible fluctuation amount can be expanded and the insertion loss can be reduced. Further, there is an effect that the structure of the waveguide element can be simplified and the number of manufacturing days and cost can be reduced.
【図１】本発明の一実施例による光変調器の原理説明図
で、(a)はその構成図、(b)はその一部構造断面図であ
る。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of an optical modulator according to an embodiment of the present invention, in which (a) is a configuration diagram thereof and (b) is a partial structural sectional view thereof.
【図２】本発明の動作説明に供するスイッチング曲線の
一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a switching curve used for explaining the operation of the present invention.
【図３】通常のＭＺ形光変調器の概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram of a normal MZ type optical modulator.
【図４】図３の導波路基板中の電界分布を示す図であ
る。4 is a diagram showing an electric field distribution in the waveguide substrate of FIG.
【図５】通常のＭＺ形光変調器のスイッチング曲線の一
例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of a switching curve of a normal MZ type optical modulator.
【図６】本発明の説明に供するＭＺ形光変調器における
変調電圧と消光比の関係を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a modulation voltage and an extinction ratio in the MZ type optical modulator provided for explaining the present invention.
【図７】通常の導波路中の光の伝搬をモデル化して示す
説明図で、(a)はＴＭモードの場合、(b)はＴＥモードの
場合である。FIG. 7 is an explanatory view showing a model of light propagation in a normal waveguide, (a) is a case of TM mode, and (b) is a case of TE mode.
１ 導波路 ２ 導波路基板 ３，４ 電極 ５ 入力側光ファイバ ６ 出力側光ファイバ ７ 駆動回路 ８ 偏波コントローラ ９ 光源 1 Waveguide 2 Waveguide Substrate 3, 4 Electrodes 5 Input-side Optical Fiber 6 Output-side Optical Fiber 7 Drive Circuit 8 Polarization Controller 9 Light Source
Claims (3)
Ｏ3 などの基板上に形成されたマッハツェンダー形また
は方向性結合形の導波路と、該導波路の上部近傍に形成
された少なくとも一対の電極と、該一対の電極に電圧を
印加する電気回路からなり、ＴＥモードだけを入力光と
する導波路形光デバイス。1. A Z-cut LiNb having an electro-optical effect.
Mach-Zehnder type or directional coupling type waveguide formed on a substrate such as O 3 , at least a pair of electrodes formed near the upper portion of the waveguide, and an electric circuit for applying a voltage to the pair of electrodes A waveguide type optical device that consists of and uses only TE mode as input light.
導波路中を伝搬する光にＴＥモードを使用し、その導波
光を、一対の電極に印加する変調電圧により制御するこ
とを特徴とする導波路形光デバイスの変調方法。2. The waveguide type optical device according to claim 1, wherein a TE mode is used for light propagating in the waveguide, and the guided light is controlled by a modulation voltage applied to a pair of electrodes. Modulation method for waveguide type optical device.
３０％程度以下であることを特徴とする導波路形デバイ
スの変調方法。3. The modulation method according to claim 2, wherein the modulation degree is about 30% or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33559591A JPH05150199A (en) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Waveguide type optical device and modulating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33559591A JPH05150199A (en) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Waveguide type optical device and modulating method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05150199A true JPH05150199A (en) | 1993-06-18 |
Family
ID=18290347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33559591A Pending JPH05150199A (en) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | Waveguide type optical device and modulating method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05150199A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0980365A (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Nec Corp | Waveguide type optical device |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP33559591A patent/JPH05150199A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0980365A (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Nec Corp | Waveguide type optical device |
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