JPH0514596A - Color image sensor - Google Patents
Color image sensorInfo
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- JPH0514596A JPH0514596A JP19127591A JP19127591A JPH0514596A JP H0514596 A JPH0514596 A JP H0514596A JP 19127591 A JP19127591 A JP 19127591A JP 19127591 A JP19127591 A JP 19127591A JP H0514596 A JPH0514596 A JP H0514596A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、カラー複写機、カラー
ファクシミリ等に用いるカラーイメージセンサに係り、
特に色ずれなく、高解像度で高速に読み取りができるカ
ラーイメージセンサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color image sensor used in a color copying machine, a color facsimile, etc.,
In particular, the present invention relates to a color image sensor capable of high-resolution and high-speed reading without color shift.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のカラーイメージセンサにおいて
は、光源切換え方式、フィルタ配列方式などがある。以
下、この光源切換え方式及びフィルタ配列方式について
説明する。2. Description of the Related Art Conventional color image sensors include a light source switching system and a filter array system. The light source switching system and the filter array system will be described below.
【０００３】光源切換え方式とは、例えば、イメージセ
ンサはモノクロセンサを用い、赤（Ｒ）緑（Ｇ）青
（Ｂ）の光を受光できるよう光源をＲＧＢと順次切換え
て、カラー原稿を読み取らせるものである。また、フィ
ルタ配列方式とは、イメージセンサの受光部上面にＲＧ
Ｂのそれぞれの光を吸収するそれぞれのフィルタを配列
して、一度にＲＧＢの色の画像を読み取るものである。The light source switching method uses, for example, a monochrome sensor as an image sensor, and sequentially switches the light source from RGB to RGB so that red (R) green (G) blue (B) light can be received to read a color original. It is a thing. In addition, the filter arrangement method means that RG is provided on the upper surface of the light receiving portion of the image sensor.
By arranging the filters for absorbing the respective lights of B, the RGB color images are read at once.
【０００４】更に、フィルタ配列方式には、フィルタ直
列方式と、フィルタ並列方式とがある。フィルタ直列方
式は、図４の平面概略図に示すように主走査方向にＲＧ
Ｂのそれぞれのフィルタを直列に配列し、１ラインでＲ
ＧＢを読み取るものである。また、フィルタ並列方式
は、図５の平面概略図に示すように副主査方向にＲＧＢ
に対応するラインセンサを配置し、それぞれのラインセ
ンサ上にＲＧＢのフィルタが並列となるよう配列して、
複数ライン同時にＲＧＢを読み取るものである（特開昭
６０−１１３５７３号公報参照）。Further, the filter array system includes a filter series system and a filter parallel system. As shown in the plan schematic view of FIG. 4, the filter series system is arranged in the RG in the main scanning direction.
Arrange each filter of B in series, and R in 1 line
It reads GB. In addition, the filter parallel system uses RGB in the sub direction as shown in the schematic plan view of FIG.
Line sensors corresponding to are arranged, and RGB filters are arranged in parallel on each line sensor,
RGB is read simultaneously on a plurality of lines (see Japanese Patent Laid-Open No. 60-113573).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のカラーイメージセンサにおいて、特に光源切換え方
式では、イメージセンサにカラーフィルタを使用する必
要がないが、光源を切り換えてＲＧＢ三色分の光を原稿
に照射させて読み取ることになるため、原稿上の１ライ
ンを３回繰り返し読み取ることになり、その際の機械的
位置精度が要求されるし、また、ライン単位にＲＧＢを
読む場合に読み取りの高速化が難しいとの問題点があっ
た。However, in the above-mentioned conventional color image sensor, especially in the light source switching method, it is not necessary to use a color filter in the image sensor, but the light source is switched to supply the light of three RGB colors to the original. Since one line on the original is read three times, the mechanical position accuracy at that time is required, and the reading speed is high when reading RGB in line units. There was a problem that it was difficult to make it.
【０００６】また、フィルタ配列方式におけるフィルタ
直列方式では、センサの画素数が解像度の複数倍必要と
なるため高解像度化が難しく、更にＲＧＢのフィルタが
直列に各受光部上に配列されているため、ＲＧＢの読み
取り場所がわずかに異なって色ずれが生じるとの問題点
があった。In the filter series method in the filter array method, it is difficult to achieve high resolution because the number of pixels of the sensor is required to be a multiple of the resolution, and further RGB filters are arranged in series on each light receiving section. , RGB reading locations are slightly different, and color misregistration occurs.
【０００７】更に、フィルタ配列方式におけるフィルタ
並列方式では、光学的構成がモノクロセンサと同様に簡
易な反面、ＲＧＢのフィルタが形成された各受光部での
読み取り位置が同一箇所でないため、読み取った各画像
信号の出力をメモリ等に蓄えて、出力のタイミングを調
整するなど色ずれの補正が必要となって装置が複雑にな
るとの問題点があった。Further, in the filter parallel method in the filter array method, although the optical configuration is as simple as that of the monochrome sensor, the reading positions of the respective light receiving portions formed with the RGB filters are not the same, so that each reading is performed. There is a problem in that the device becomes complicated because it is necessary to correct the color misregistration such as storing the output of the image signal in a memory and adjusting the output timing.
【０００８】本発明は上記実情に鑑みて為されたもの
で、色ずれの発生をなくし、簡易な装置で読み取り速度
の高速化を図り、更に高解像度化を達成することができ
るカラーイメージセンサを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a color image sensor capable of eliminating the occurrence of color misregistration, increasing the reading speed with a simple device, and achieving higher resolution is provided. The purpose is to provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための本発明は、主走査方向に複数個の受光素子
が配列された受光素子列を副査方向に複数列配列し、前
記受光素子上にカラーフィルタを配置したカラーイメー
ジセンサにおいて、前記受光素子上に、原稿からの反射
光を前記副査方向から前記カラーフィルタを介して前記
受光素子に導く光導波路を設けたことを特徴としてい
る。According to the present invention for solving the above-mentioned problems of the conventional example, a plurality of light receiving element rows in which a plurality of light receiving elements are arranged in the main scanning direction are arranged in the sub-scanning direction, In a color image sensor in which a color filter is arranged on the light receiving element, an optical waveguide is provided on the light receiving element, which guides reflected light from a document from the sub-scanning direction to the light receiving element via the color filter. It has a feature.
【００１０】[0010]
【作用】本発明によれば、副走査方向に形成された受光
素子上に各色のカラーフィルタを配置したイメージセン
サに、副走査方向から原稿の反射光を導く光導波路を設
けているので、原稿の各画素に対応する反射光を光導波
路内を反射させながら各カラーフィルタが設けられた受
光素子に到達させることができ、同一画素部分を各受光
素子で同時に読み取るために色ずれがなく読み取り速度
の高速化が図られ、更に光導波路のピッチを調整するだ
けで高解像度化することができる。According to the present invention, since the image sensor in which the color filters of the respective colors are arranged on the light receiving element formed in the sub-scanning direction is provided with the optical waveguide for guiding the reflected light of the document from the sub-scanning direction, The reflected light corresponding to each pixel can be made to reach the light receiving element provided with each color filter while being reflected in the optical waveguide, and since the same pixel portion is read by each light receiving element simultaneously, there is no color shift and the reading speed The speed can be increased, and the resolution can be increased by simply adjusting the pitch of the optical waveguide.
【００１１】[0011]
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の一実施例に係るカラーイ
メージセンサの概略図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a color image sensor according to an embodiment of the present invention.
【００１２】本実施例のカラーイメージセンサは、絶縁
性の基板１上に複数の受光素子２の列が３列に配列形成
され、それぞれの受光素子２上に赤色の波長の光を吸収
する赤のカラーフィルタ３Ｒ、緑色の波長の光を吸収す
る緑のカラーフィルタ３Ｇ、青色の波長の光を吸収する
青のカラーフィルタ３Ｂが入射光方向から順に配列され
ており、カラーフィルタ３が形成された受光素子２上に
はパシベーション層４を介して光導波路５が形成される
構成となっている。そして、図１に示すように、カラー
イメージセンサの左端部に光源６と原稿７が設けられる
構成となっている。In the color image sensor of this embodiment, a plurality of rows of light receiving elements 2 are arranged and formed on an insulating substrate 1 in three rows, and each of the light receiving elements 2 has a red color absorbing light of a red wavelength. The color filter 3R, the green color filter 3G that absorbs the light of the green wavelength, and the blue color filter 3B that absorbs the light of the blue wavelength are arranged in order from the incident light direction, and the color filter 3 is formed. An optical waveguide 5 is formed on the light receiving element 2 via a passivation layer 4. As shown in FIG. 1, the light source 6 and the original 7 are provided at the left end of the color image sensor.
【００１３】図２は、本実施例のイメージセンサの特に
受光素子近傍の詳細な断面説明図である。図２を使っ
て、本実施例のカラーイメージセンサの受光素子近傍の
構成について具体的に説明する。絶縁性基板１に形成さ
れた受光素子２は、クロム（Ｃｒ）等から成る一定の電
圧が印加される共通電極の下部電極２１と、水素化アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成る光導電層２
２、酸化インジュウム・スズ（ＩＴＯ）から成る個別電
極の上部電極２３とから構成されている。FIG. 2 is a detailed cross-sectional explanatory view of the image sensor of this embodiment, particularly in the vicinity of the light receiving element. The configuration in the vicinity of the light receiving element of the color image sensor of this embodiment will be specifically described with reference to FIG. The light receiving element 2 formed on the insulating substrate 1 includes a lower electrode 21 of a common electrode made of chromium (Cr) or the like to which a constant voltage is applied, and a photoconductive element made of hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H). Layer 2
2. The upper electrode 23 is an individual electrode made of indium tin oxide (ITO).
【００１４】本実施例のカラーイメージセンサの受光素
子２においては、下部電極２１が基板１上に主走査方向
に帯状に形成され、下部電極２１上に光導電層２２が離
散的に形成され、光導電層２２上に上部電極２３が同様
に離散的に形成されて、光導電層２２を下部電極２１と
上部電極２３とで挟んでサンドイッチ型の受光素子とな
っている。そして、下部電極２１に正のバイアス電圧が
印加された状態（逆バイアス状態）で、受光素子２に光
が照射すると、光電流が発生し、照射光に応じた電荷を
出力するようになっている。In the light receiving element 2 of the color image sensor of this embodiment, the lower electrode 21 is formed in a strip shape on the substrate 1 in the main scanning direction, and the photoconductive layer 22 is discretely formed on the lower electrode 21. Similarly, the upper electrode 23 is discretely formed on the photoconductive layer 22, and the photoconductive layer 22 is sandwiched between the lower electrode 21 and the upper electrode 23 to form a sandwich type light receiving element. Then, when light is irradiated to the light receiving element 2 in a state where a positive bias voltage is applied to the lower electrode 21 (reverse bias state), a photocurrent is generated and an electric charge according to the irradiation light is output. There is.
【００１５】そして、各受光素子を覆うようにポリイミ
ドの第１パシベーション層２４が形成され、第１パシベ
ーション層２４上に受光素子に対応するよう赤のカラー
フィルタ３Ｒ、緑のカラーフィルタ３Ｇ及び青のカラー
フィルタ３Ｂが形成され、更に全体を覆うようにポリイ
ミドの第２パシベーション層２５が形成され、その上に
シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）から成る第１絶縁層８と、
オキシナイトライドシリコン（ＳｉＯＮ）膜から成る光
導波路５と、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）から成る第２
絶縁層９と、Ｃｒ等の金属膜から成る遮光層１０とが順
次形成されている。但し、第１絶縁層８は、受光素子２
に光が入射できるように受光素子２の上部をフォトリソ
エッチングにより取り除いている。A first passivation layer 24 of polyimide is formed so as to cover each light receiving element, and a red color filter 3R, a green color filter 3G and a blue color filter 3G are formed on the first passivation layer 24 so as to correspond to the light receiving elements. A color filter 3B is formed, a second passivation layer 25 of polyimide is further formed so as to cover the whole, and a first insulating layer 8 made of a silicon oxide film (SiO 2 ) is formed on the second passivation layer 25.
Optical waveguide 5 made of oxynitride silicon (SiON) film and second optical waveguide made of silicon oxide film (SiO 2 ).
An insulating layer 9 and a light shielding layer 10 made of a metal film such as Cr are sequentially formed. However, the first insulating layer 8 is used as the light receiving element 2
The upper portion of the light receiving element 2 is removed by photolithography etching so that light can be incident on.
【００１６】また、光導波路５は、副走査方向に一列に
形成されたＲ、Ｇ、Ｂ対応の受光素子を１組として主走
査方向に分割して形成され、光導波路５のピッチが画素
ピッチとなっている。このように、光導波路５が主走査
方向に分割形成されることにより、隣接する画素に対応
する反射光までも受光しないで済むため、正確な電荷を
読み取ることができる。Further, the optical waveguide 5 is formed by dividing the light receiving elements corresponding to R, G and B formed in a line in the sub-scanning direction into one set in the main scanning direction, and the pitch of the optical waveguides 5 is the pixel pitch. Has become. Since the optical waveguide 5 is divided and formed in the main scanning direction as described above, it is not necessary to receive even the reflected light corresponding to the adjacent pixel, so that the correct charge can be read.
【００１７】次に、本実施例のカラーイメージセンサに
おける読み取り動作について説明する。図１において、
光源６から原稿７へ光が照射し、原稿７からの反射光が
光導波路５に導かれる。そして、図２に示すように、光
導波路５に入射した光は、上部がＣｒ等の金属膜の遮光
層１０で覆われていて、ＳｉＯ2 の第１絶縁層８と第２
絶縁層９とに挟まれたＳｉＯＮ膜の光導波路５の内部を
反射を繰り返し、当該反射光が第１絶縁層８の形成され
ていない箇所からフィルタ３Ｒ、フィルタ３Ｇ、フィル
タ３Ｂを介して各受光素子２に入射して光電変換作用が
起こり、光電変換作用によって発生した電荷を個別電極
の上部電極２３から読み出されて、画像信号として出力
されるものである。Next, the reading operation of the color image sensor of this embodiment will be described. In FIG.
Light is emitted from the light source 6 to the original 7, and the reflected light from the original 7 is guided to the optical waveguide 5. Then, as shown in FIG. 2, the light incident on the optical waveguide 5 is covered with a light shielding layer 10 of a metal film of Cr or the like on the upper part thereof, and the first insulating layer 8 of SiO 2 and the second
The inside of the optical waveguide 5 of the SiON film sandwiched between the insulating layer 9 and the inside of the optical waveguide 5 is repeatedly reflected, and the reflected light is received from the portion where the first insulating layer 8 is not formed through the filters 3R, 3G, and 3B. The photoelectric conversion action is caused by incidence on the element 2, and the charges generated by the photoelectric conversion action are read from the upper electrode 23 of the individual electrode and output as an image signal.
【００１８】次に、本実施例のカラーイメージセンサの
製造方法について説明する。基板１上に下部電極２１と
なるＣｒ膜をＤＣスパッタ法により１５００オングスト
ローム程度着膜し、続いて光導電層２２となるａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜をプラズマＣＶＤ法により１．３μｍ程度着膜
する。更に上部電極２３となるＩＴＯ膜をＤＣスパッタ
法により６００オングストロ−ム程度着膜する。Next, a method of manufacturing the color image sensor of this embodiment will be described. A Cr film to be the lower electrode 21 is deposited on the substrate 1 by DC sputtering to have a thickness of about 1500 Å, and then an a-S film to be the photoconductive layer 22 is formed.
An i: H film is deposited by plasma CVD to a thickness of about 1.3 μm. Further, an ITO film to be the upper electrode 23 is deposited by DC sputtering to a thickness of about 600 Å.
【００１９】次に、ＩＴＯ膜をフォトリソ工程によりパ
ターニングし、受光素子２の上部電極２３のパターンを
形成する。次にドライエッチングによりａ−Ｓｉ：Ｈ膜
をパターニングし、光導電層２２を形成する。次にＣｒ
膜をフォトリソエッチングして、下部電極２１を形成す
る。更に、受光素子全体を覆うように、第１パシベーシ
ョン層２４となるポリイミドを１．３μｍ程度塗布す
る。Next, the ITO film is patterned by a photolithography process to form a pattern of the upper electrode 23 of the light receiving element 2. Next, the a-Si: H film is patterned by dry etching to form the photoconductive layer 22. Then Cr
The lower electrode 21 is formed by photolithographically etching the film. Further, polyimide to be the first passivation layer 24 is applied to a thickness of about 1.3 μm so as to cover the entire light receiving element.
【００２０】次に、赤色染料が混合したポリイミド層を
１μｍ程度塗布し、フォトリソエッチングして赤のカラ
ーフィルタ３Ｒを受光素子を個別に覆うような形状とな
るように形成する。同様に緑及び青のカラーフィルタ３
Ｇ、３Ｂを形成する。図２において、赤のカラーフィル
タ３Ｒは左側の受光素子の上部を覆うように第１パシベ
ーション層２４を介して形成され、緑のカラーフィルタ
３Ｇは中央の受光素子２の上部に、青のカラーフィルタ
３Ｂは右側の受光素子２上部に第１パシベーション層２
４を介して個別の形状となるように形成される。Next, a polyimide layer mixed with a red dye is applied to a thickness of about 1 μm and photolithographically etched to form a red color filter 3R in such a shape as to individually cover the light receiving elements. Similarly, green and blue color filters 3
G and 3B are formed. In FIG. 2, the red color filter 3R is formed via the first passivation layer 24 so as to cover the upper part of the left light receiving element, and the green color filter 3G is formed on the upper part of the central light receiving element 2 and the blue color filter. 3B is the first passivation layer 2 on the upper side of the light receiving element 2 on the right side.
It is formed so as to have an individual shape via 4.
【００２１】次に、第２パシベーション層２５となるポ
リイミドを１．３μｍ程度塗布する。次に、ＲＦスパッ
タ法により第１絶縁層８となるＳｉＯ2 膜を２０００オ
ングストロ−ム程度着膜し、フォトリソエッチングによ
り第１絶縁層８のパターンを形成する。第１絶縁層８の
パターンは、受光素子２の上面から光が入光できるよう
に受光素子２の上部を開口した形状となっている。Next, a polyimide to be the second passivation layer 25 is applied to a thickness of about 1.3 μm. Then, a SiO 2 film to be the first insulating layer 8 is deposited by RF sputtering to a thickness of about 2000 Å, and a pattern of the first insulating layer 8 is formed by photolithography. The pattern of the first insulating layer 8 has a shape in which the upper portion of the light receiving element 2 is opened so that light can enter from the upper surface of the light receiving element 2.
【００２２】次に、ＲＦスパッタ法によりＳｉＯＮ膜
（オキシナイトライドシリコン）を２０μｍ程度着膜し
てフォトリソエッチングにより光導波路５を形成する。
続いて、ＲＦスパッタ法によりＳｉＯ2 膜を５００オン
グストロ−ム程度着膜して第２絶縁層９を積層形成す
る。次に、全体にクロム（Ｃｒ）膜を３００オングスト
ロ−ム着膜し、遮光層１０を形成する。当該遮光層１０
は光源６から直接光が受光素子２に入射するのを防ぐた
めに設けられたものである。Next, a SiON film (oxynitride silicon) is deposited to a thickness of about 20 μm by the RF sputtering method, and the optical waveguide 5 is formed by photolithography etching.
Subsequently, a second insulating layer 9 is formed by laminating a SiO 2 film by RF sputtering to a thickness of about 500 Å. Next, a chrome (Cr) film is deposited on the entire surface to a thickness of 300 Å to form the light shielding layer 10. The light shielding layer 10
Is provided to prevent light from the light source 6 from directly entering the light receiving element 2.
【００２３】尚、第１絶縁層８及び第２絶縁層９のＳｉ
Ｏ2 の屈折率は１．５であり、光導波路５のＳｉＯＮの
屈折率は１．６であり、また第１パシベーション層２４
及び第２パシベーション層２５のポリイミドの屈折率は
１．６５である。従って、光導波路５の中を進む光は第
１絶縁層８及び第２絶縁層９で反射を繰り返し、フィル
タ３上で露出している第２パシベーション層２５から光
が入射し、フィルタ３と第１パシベーション層２４を介
して受光素子２に到達するものである。The Si of the first insulating layer 8 and the second insulating layer 9
The refractive index of O 2 is 1.5, the refractive index of SiON of the optical waveguide 5 is 1.6, and the first passivation layer 24
The refractive index of the polyimide of the second passivation layer 25 is 1.65. Therefore, the light traveling through the optical waveguide 5 is repeatedly reflected by the first insulating layer 8 and the second insulating layer 9, and the light is incident from the second passivation layer 25 exposed on the filter 3 and the filter 3 and the second passivation layer 25 are exposed. It reaches the light receiving element 2 via the one passivation layer 24.
【００２４】実施例のカラーイメージセンサによれば、
光導波路５により原稿７上の同一箇所（同一画素）から
の反射光を各色のカラーフィルタ３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを介
してそれぞれの受光素子２に同時に導き読み取ることが
できるため、色ずれが生じることがなく読み取る速度も
モノクロセンサと同じ速度となり、読み取り速度の低下
を防止できる効果がある。According to the color image sensor of the embodiment,
Due to the optical waveguide 5, reflected light from the same portion (same pixel) on the original 7 can be simultaneously guided to and read by the respective light receiving elements 2 via the color filters 3R, 3G, 3B of respective colors, so that color misregistration occurs. The reading speed is the same as that of the monochrome sensor, and the reading speed can be prevented from decreasing.
【００２５】また、主走査方向に個別に形成された光導
波路５のピッチに解像度が依存するため、本実施例のカ
ラーイメージセンサを用いれば、例えば、８００ＤＰＩ
の高解像度化を促進することも可能である。従って、光
導波路５のような簡易な装置を設けるだけで高解像度化
を図ることができる。Moreover, since the resolution depends on the pitch of the optical waveguides 5 formed individually in the main scanning direction, if the color image sensor of this embodiment is used, for example, 800 DPI.
It is also possible to promote higher resolution. Therefore, high resolution can be achieved simply by providing a simple device such as the optical waveguide 5.
【００２６】さらに、図３の平面概略説明図に示すよう
に、解像度は受光素子２の主走査方向のサイズに依存す
るものであるが、受光素子２の副走査方向のサイズに依
存するものでないため、副走査方向の長さを長くするこ
とで、受光素子２の面積を大きくでき、従ってセンサの
感度を向上させることができる効果がある。Further, as shown in the schematic plan view of FIG. 3, the resolution depends on the size of the light receiving element 2 in the main scanning direction, but does not depend on the size of the light receiving element 2 in the sub scanning direction. Therefore, by increasing the length in the sub-scanning direction, the area of the light receiving element 2 can be increased, and therefore, the sensitivity of the sensor can be improved.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、副走査方向に形成され
た受光素子上に各色のカラーフィルタを配置したイメー
ジセンサに、副走査方向から原稿の反射光を導く光導波
路を設けているので、原稿の各画素に対応する反射光を
光導波路内を反射させながら各カラーフィルタが設けら
れた受光素子に到達させることができ、同一画素部分を
各受光素子で同時に読み取るために色ずれがなく読み取
り速度の高速化が図られ、更に光導波路のピッチを調整
するだけで高解像度化することができる効果がある。According to the present invention, the image sensor having the color filters of the respective colors arranged on the light receiving elements formed in the sub-scanning direction is provided with the optical waveguide for guiding the reflected light of the original from the sub-scanning direction. , The reflected light corresponding to each pixel of the original can be made to reach the light receiving element provided with each color filter while reflecting inside the optical waveguide, and the same pixel portion is read by each light receiving element at the same time so that there is no color shift. The reading speed can be increased, and the resolution can be increased by simply adjusting the pitch of the optical waveguide.
【図１】 本発明の一実施例に係るカラーイメージセン
サの概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a color image sensor according to an embodiment of the present invention.
【図２】 本実施例のカラーイメージセンサの断面説明
図である。FIG. 2 is a cross-sectional explanatory view of a color image sensor of this embodiment.
【図３】 本発明の別の実施例のカラーイメージセンサ
の平面概略説明図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a color image sensor according to another embodiment of the present invention.
【図４】 Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のカラーフィルタを用いた
フィルタ直列方式の平面概略図である。FIG. 4 is a schematic plan view of a filter series method using three color filters of R, G, and B.
【図５】 Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のカラーフィルタを用いた
フィルタ並列方式の平面概略図である。FIG. 5 is a schematic plan view of a filter parallel system using three color filters of R, G, and B.
１…基板、 ２…受光素子、 ３Ｒ…赤のカラーフィル
タ、 ３Ｇ…緑のカラーフィルタ、 ３Ｂ…青のカラー
フィルタ ４…パシベーション層、 ５…光導波路、
６…光源、 ７…原稿、 ８…第１絶縁層、 ９…第２
絶縁層、 １０…遮光層、 ２１…下部電極、 ２２…
光導電層、 ２３…上部電極、 ２４…第１パシベーシ
ョン層、 ２５…第２パシベーション層DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Light receiving element, 3R ... Red color filter, 3G ... Green color filter, 3B ... Blue color filter 4 ... Passivation layer, 5 ... Optical waveguide,
6 ... Light source, 7 ... Original, 8 ... First insulating layer, 9 ... Second
Insulating layer, 10 ... Shading layer, 21 ... Lower electrode, 22 ...
Photoconductive layer, 23 ... Upper electrode, 24 ... First passivation layer, 25 ... Second passivation layer
Claims (1)
れた受光素子列を副査方向に複数列配列し、前記受光素
子上にカラーフィルタを配置したカラーイメージセンサ
において、前記受光素子上に、原稿からの反射光を前記
副査方向から前記カラーフィルタを介して前記受光素子
に導く光導波路を設けたことを特徴とするカラーイメー
ジセンサ。Claim: What is claimed is: 1. A color image sensor comprising a plurality of light-receiving element rows in which a plurality of light-receiving elements are arranged in the main scanning direction, arranged in the sub-scanning direction, and color filters arranged on the light-receiving elements. 2. The color image sensor according to claim 1, wherein an optical waveguide is provided on the light receiving element to guide the reflected light from the document from the sub-scanning direction to the light receiving element via the color filter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19127591A JPH0514596A (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Color image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19127591A JPH0514596A (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Color image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514596A true JPH0514596A (en) | 1993-01-22 |
Family
ID=16271845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19127591A Pending JPH0514596A (en) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | Color image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514596A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117526A (en) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Canon Inc | External light sensor module |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP19127591A patent/JPH0514596A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117526A (en) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Canon Inc | External light sensor module |
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