JPH05143938A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPH05143938A JPH05143938A JP30782291A JP30782291A JPH05143938A JP H05143938 A JPH05143938 A JP H05143938A JP 30782291 A JP30782291 A JP 30782291A JP 30782291 A JP30782291 A JP 30782291A JP H05143938 A JPH05143938 A JP H05143938A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果感磁部の電気的、磁気的特性の
向上、安定化をはかる。 【構成】 磁気抵抗効果感磁部の前方端電極４ａと、後
方端電極４ｂを磁気抵抗効果感磁部３の互いに他の面に
配置し、電極４ａを一方の導電性の磁気シールド磁性体
１に接触させてこれを介して電気的に接地する。
向上、安定化をはかる。 【構成】 磁気抵抗効果感磁部の前方端電極４ａと、後
方端電極４ｂを磁気抵抗効果感磁部３の互いに他の面に
配置し、電極４ａを一方の導電性の磁気シールド磁性体
１に接触させてこれを介して電気的に接地する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドいわゆるＭＲ型磁気ヘッドに係わる。
ドいわゆるＭＲ型磁気ヘッドに係わる。
【０００２】
【従来の技術】各種の磁気ヘッド、例えばハードディス
ク・ドライブの磁気記録再生ヘッドの再生磁気ヘッドと
して短波長感度に優れたＭＲ型磁気ヘッドが用いられる
方向にある。
ク・ドライブの磁気記録再生ヘッドの再生磁気ヘッドと
して短波長感度に優れたＭＲ型磁気ヘッドが用いられる
方向にある。
【０００３】この種の磁気ヘッドとしては、例えば図７
にその一部を断面とした斜視図を示すように、ＭＲ型再
生磁気ヘッドと、インダクティブ型記録ヘッドとの複合
型構成の薄膜型磁気ヘッド構成を採り得る。
にその一部を断面とした斜視図を示すように、ＭＲ型再
生磁気ヘッドと、インダクティブ型記録ヘッドとの複合
型構成の薄膜型磁気ヘッド構成を採り得る。
【０００４】この場合、基体１５上に、前方端部間に、
磁気記録媒体との対接ないしは対向面（以下対接面と略
称する）１４に臨んで磁気ギャップｇを形成し、ＭＲ型
ヘッドにおいては磁気シールド体としての機能を持たし
めインダクティブ型ヘッドにおいては、磁路を形成する
磁気コアとするそれぞれ膜状の第１及び第２の磁性体１
及び２が積層され、この磁気ギャップｇ内に、対接面１
４に臨んで少なくとも磁気抵抗効果薄膜（以下ＭＲ薄膜
という）よりなる磁気抵抗効果感磁部（以下ＭＲ感磁部
という）３の前方端或いはその前方端電極４ａが、対接
面１４に臨んで配置される。４ｂはＭＲ感磁部３の後方
端電極で、電極４ａ及び４ｂはそれぞれ導電薄膜によっ
て形成される。１６は、ＭＲ感磁部３上を横切って絶縁
層１７を介して配置されたバイアス導体で、これへの通
電によってＭＲ感磁部３に所要の向きの磁化状態を与え
て、その磁気抵抗特性が優れた直線性と高い感度を示す
特性領域で動作するようになす。また、１８は第１及び
第２の磁性体１及び２の、例えば各後方部の互いの磁気
的結合部を巡るように渦巻状パターンに形成されたヘッ
ド巻線を示し、これらバイアス導体１６及びヘッド巻線
１８は例えば同一導電性薄膜によって同時にパターン化
して形成される。
磁気記録媒体との対接ないしは対向面（以下対接面と略
称する）１４に臨んで磁気ギャップｇを形成し、ＭＲ型
ヘッドにおいては磁気シールド体としての機能を持たし
めインダクティブ型ヘッドにおいては、磁路を形成する
磁気コアとするそれぞれ膜状の第１及び第２の磁性体１
及び２が積層され、この磁気ギャップｇ内に、対接面１
４に臨んで少なくとも磁気抵抗効果薄膜（以下ＭＲ薄膜
という）よりなる磁気抵抗効果感磁部（以下ＭＲ感磁部
という）３の前方端或いはその前方端電極４ａが、対接
面１４に臨んで配置される。４ｂはＭＲ感磁部３の後方
端電極で、電極４ａ及び４ｂはそれぞれ導電薄膜によっ
て形成される。１６は、ＭＲ感磁部３上を横切って絶縁
層１７を介して配置されたバイアス導体で、これへの通
電によってＭＲ感磁部３に所要の向きの磁化状態を与え
て、その磁気抵抗特性が優れた直線性と高い感度を示す
特性領域で動作するようになす。また、１８は第１及び
第２の磁性体１及び２の、例えば各後方部の互いの磁気
的結合部を巡るように渦巻状パターンに形成されたヘッ
ド巻線を示し、これらバイアス導体１６及びヘッド巻線
１８は例えば同一導電性薄膜によって同時にパターン化
して形成される。
【０００５】このようにして、第１及び第２の磁性体１
及び２間に、ＭＲ感磁部３が配置されたいわゆるシール
ド型構成を有するＭＲ型磁気ヘッドが構成されると共
に、第１及び第２の磁性体１及び２を磁気コアとしてこ
れによって磁路上にヘッド巻線１８が巻装されて成るイ
ンダクティブ型磁気ヘッドが構成された複合型構成とさ
れる。
及び２間に、ＭＲ感磁部３が配置されたいわゆるシール
ド型構成を有するＭＲ型磁気ヘッドが構成されると共
に、第１及び第２の磁性体１及び２を磁気コアとしてこ
れによって磁路上にヘッド巻線１８が巻装されて成るイ
ンダクティブ型磁気ヘッドが構成された複合型構成とさ
れる。
【０００６】このＭＲ型磁気ヘッドは、図８にその略線
的回路図を示すように、ＭＲ感磁部３の一端が接地電位
ＶSSとされ、両端間すなわち電極４ａ及び４ｂ間に定電
流源１９からセンス電流ｉｓを通じ、磁気記録媒体上の
記録に基づく信号磁界による抵抗変化を電圧変化として
検出する。
的回路図を示すように、ＭＲ感磁部３の一端が接地電位
ＶSSとされ、両端間すなわち電極４ａ及び４ｂ間に定電
流源１９からセンス電流ｉｓを通じ、磁気記録媒体上の
記録に基づく信号磁界による抵抗変化を電圧変化として
検出する。
【０００７】このような磁気ヘッドを作製する場合、Ｍ
Ｒ感磁部３を作製した後に、導電層を全面的に、スパッ
タ、蒸着等によって被着した後に、フォトリソグラフィ
によるパターンエッチングを行って電極４ａ及び４ｂの
形成を行う。或いは、ＭＲ感磁部３を一端絶縁層によっ
て覆い、この絶縁層にフォトリソグラフィによるエッチ
ングによってＭＲ感磁部３の前方端及び後方端上に窓開
けを行い、その後、上述したと同様の手法によって電極
４ａ及び４ｂをＭＲ感磁部３の前方端及び後方端にコン
タクトさせて形成するという方法が採られる。
Ｒ感磁部３を作製した後に、導電層を全面的に、スパッ
タ、蒸着等によって被着した後に、フォトリソグラフィ
によるパターンエッチングを行って電極４ａ及び４ｂの
形成を行う。或いは、ＭＲ感磁部３を一端絶縁層によっ
て覆い、この絶縁層にフォトリソグラフィによるエッチ
ングによってＭＲ感磁部３の前方端及び後方端上に窓開
けを行い、その後、上述したと同様の手法によって電極
４ａ及び４ｂをＭＲ感磁部３の前方端及び後方端にコン
タクトさせて形成するという方法が採られる。
【０００８】これら電極のパターン化及び絶縁層に対す
る電極のコンタクト窓の形成は、通常異方性エッチング
を行うことのできるイオンエッチングによるいわば物理
的に各材料を削り取るという方法で行われる。
る電極のコンタクト窓の形成は、通常異方性エッチング
を行うことのできるイオンエッチングによるいわば物理
的に各材料を削り取るという方法で行われる。
【０００９】したがってこのイオンエッチングの工程
で、ＭＲ感磁部３までも一部削り取るなどのダメージを
与え感磁部３の特性を劣化させるとか、特性にばらつき
を生じさせるなど信頼性に問題がある。
で、ＭＲ感磁部３までも一部削り取るなどのダメージを
与え感磁部３の特性を劣化させるとか、特性にばらつき
を生じさせるなど信頼性に問題がある。
【００１０】特に、ＭＲ感磁部３には、対接面１４に臨
む前方端から、磁気記録媒体からの信号磁束を導入する
ので、この先端にダメージが与えられて、その透磁率μ
が低められていると信号磁束は、これを挟んで配置され
ている第１及び第２の磁性体１及び２に導入されてしま
って、再生感度を著しく低下させる。
む前方端から、磁気記録媒体からの信号磁束を導入する
ので、この先端にダメージが与えられて、その透磁率μ
が低められていると信号磁束は、これを挟んで配置され
ている第１及び第２の磁性体１及び２に導入されてしま
って、再生感度を著しく低下させる。
【００１１】また、図２に示すように、ＭＲ感磁部３と
しては、バルクハウゼンノイズの低減化をはかる上で、
２層のＭＲ薄膜１ａ及び１ｂを、数１０Å程度に薄いＡ
ｌ2 Ｏ3 等より成る非磁性膜２３を介在させて積層し、
両ＭＲ薄膜１ａ及び１ｂを交換相互作用が殆ど生じるこ
となく静磁結合し、更に電気的には導通するように積層
し、両ＭＲ薄膜１ａ及び１ｂのスピンの相互作用で磁壁
の発生を抑制するようにした構造を採ることが望まし
い。
しては、バルクハウゼンノイズの低減化をはかる上で、
２層のＭＲ薄膜１ａ及び１ｂを、数１０Å程度に薄いＡ
ｌ2 Ｏ3 等より成る非磁性膜２３を介在させて積層し、
両ＭＲ薄膜１ａ及び１ｂを交換相互作用が殆ど生じるこ
となく静磁結合し、更に電気的には導通するように積層
し、両ＭＲ薄膜１ａ及び１ｂのスピンの相互作用で磁壁
の発生を抑制するようにした構造を採ることが望まし
い。
【００１２】この場合、上述したイオンエッチングで例
えば上層のＭＲ薄膜１ｂが損傷されてその磁気特性が低
下すると、上述したスピンの相互作用が害われてバルク
ハウゼンノイズの増大化を招くという結果になる。
えば上層のＭＲ薄膜１ｂが損傷されてその磁気特性が低
下すると、上述したスピンの相互作用が害われてバルク
ハウゼンノイズの増大化を招くという結果になる。
【００１３】更にまた、このようなＭＲ型磁気ヘッド
を、例えば磁気記録媒体例えばハードディスクの回転に
よる相対的移行による空気流によって浮上するスライダ
上に設けた浮上型磁気ヘッドとする場合などにおいて
は、特にＭＲ感磁部の放電による破壊が問題となる。
を、例えば磁気記録媒体例えばハードディスクの回転に
よる相対的移行による空気流によって浮上するスライダ
上に設けた浮上型磁気ヘッドとする場合などにおいて
は、特にＭＲ感磁部の放電による破壊が問題となる。
【００１４】即ち、この浮上型磁気ヘッドにおいては、
一般にその動作開始時と、停止時においては磁気記録媒
体と接触状態にあるが、磁気記録媒体の表面には、上述
した空気流等によって静電気が発生蓄積された状態にあ
って、これに上述のＭＲ型磁気ヘッドが近接ないしは接
触したとき、接地状態にあるＭＲ感磁部３の、対接面１
４に臨んでいるＭＲ感磁部即ちＭＲ薄膜の前方端部、或
いはその前方電極４ａとの間に放電が生じ、この放電に
よる大きな電流がＭＲ薄膜に流れる。ところがＭＲ薄膜
は、その感度の問題からその厚さが数百Åという極めて
薄い金属膜によることから、この放電電流によって破壊
してしまうという事故を招来する。
一般にその動作開始時と、停止時においては磁気記録媒
体と接触状態にあるが、磁気記録媒体の表面には、上述
した空気流等によって静電気が発生蓄積された状態にあ
って、これに上述のＭＲ型磁気ヘッドが近接ないしは接
触したとき、接地状態にあるＭＲ感磁部３の、対接面１
４に臨んでいるＭＲ感磁部即ちＭＲ薄膜の前方端部、或
いはその前方電極４ａとの間に放電が生じ、この放電に
よる大きな電流がＭＲ薄膜に流れる。ところがＭＲ薄膜
は、その感度の問題からその厚さが数百Åという極めて
薄い金属膜によることから、この放電電流によって破壊
してしまうという事故を招来する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＭＲ型磁気
ヘッドにおいて、上述したＭＲ感磁部の特に前方端にお
ける電極形成時のダメージに因る特性劣化の問題、バル
クハウゼンノイズの問題、放電電流による破壊の問題等
の解決をはかる。
ヘッドにおいて、上述したＭＲ感磁部の特に前方端にお
ける電極形成時のダメージに因る特性劣化の問題、バル
クハウゼンノイズの問題、放電電流による破壊の問題等
の解決をはかる。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその一
例の一部を断面とした斜視図を示すように、前方端部間
に磁気記録媒体との対接ないしは対向面１４（以下対接
面１４と略称する）に臨んで磁気ギャップｇを形成する
第１及び第２の磁性体１及び２が積層された構成を採
り、磁気ギャップｇ内に対接面１４とほぼ垂直の方向に
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）３を延在させるよう
に設ける。
例の一部を断面とした斜視図を示すように、前方端部間
に磁気記録媒体との対接ないしは対向面１４（以下対接
面１４と略称する）に臨んで磁気ギャップｇを形成する
第１及び第２の磁性体１及び２が積層された構成を採
り、磁気ギャップｇ内に対接面１４とほぼ垂直の方向に
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）３を延在させるよう
に設ける。
【００１７】そして、ＭＲ感磁部３の前方端及び後方端
にそれぞれコンタクトする前方端電極４ａと、後方端電
極４ｂをＭＲ感磁部３を挟んで互いに他の面に配置す
る。
にそれぞれコンタクトする前方端電極４ａと、後方端電
極４ｂをＭＲ感磁部３を挟んで互いに他の面に配置す
る。
【００１８】また本発明による磁気ヘッドの製造方法
は、第１の磁性体１を有する基体１５上にＭＲ感磁部３
の前方端電極４ａを被着形成する工程と、その後前方電
極４ａ上にＭＲ感磁部３を、その前方端を接触させて被
着形成する工程と更にその後ＭＲ感磁部３の後方端に接
触、即ち電気的にコンタクトして後方端電極４ｂを被着
形成する工程と、第２の磁性体２を、その前方端と第１
の磁性体１の前方端との間にＭＲ感磁部３を臨ます磁気
ギャップｇを形成して被着形成する工程とを採って上述
したＭＲ型磁気ヘッドを作製する。
は、第１の磁性体１を有する基体１５上にＭＲ感磁部３
の前方端電極４ａを被着形成する工程と、その後前方電
極４ａ上にＭＲ感磁部３を、その前方端を接触させて被
着形成する工程と更にその後ＭＲ感磁部３の後方端に接
触、即ち電気的にコンタクトして後方端電極４ｂを被着
形成する工程と、第２の磁性体２を、その前方端と第１
の磁性体１の前方端との間にＭＲ感磁部３を臨ます磁気
ギャップｇを形成して被着形成する工程とを採って上述
したＭＲ型磁気ヘッドを作製する。
【００１９】また、他の本発明は第１の磁性体１を導電
性とし、この第１の磁性体１に接してＭＲ感磁部３の前
方端電極４ａを配置し、ＭＲ感磁部３が前端電極４ａ及
び第１の磁性体１を介して電気的に接地する。
性とし、この第１の磁性体１に接してＭＲ感磁部３の前
方端電極４ａを配置し、ＭＲ感磁部３が前端電極４ａ及
び第１の磁性体１を介して電気的に接地する。
【００２０】また、他の本発明は、上述の各構成におい
て、ＭＲ感磁部３を、図２で示すように、非磁性薄膜２
３を介して２層の磁気抵抗効果薄膜（ＭＲ薄膜）１ａ及
び１ｂによって構成する。
て、ＭＲ感磁部３を、図２で示すように、非磁性薄膜２
３を介して２層の磁気抵抗効果薄膜（ＭＲ薄膜）１ａ及
び１ｂによって構成する。
【００２１】更に他の本発明は、第１及び第２の磁性体
１及び２を磁気コアとし、この磁気コアに磁気的に結合
する薄膜ヘッド巻線１８が設けられた複合型ヘッド構成
とする。
１及び２を磁気コアとし、この磁気コアに磁気的に結合
する薄膜ヘッド巻線１８が設けられた複合型ヘッド構成
とする。
【００２２】
【作用】本発明の構成及び製造方法によれば、前方端電
極４ａを形成した後にＭＲ感磁部３を形成するので、Ｍ
Ｒ感磁部の特に前方端電極４ａの形成におけるイオンエ
ッチング等の加工時にＭＲ感磁部に与えるダメージを回
避できる。
極４ａを形成した後にＭＲ感磁部３を形成するので、Ｍ
Ｒ感磁部の特に前方端電極４ａの形成におけるイオンエ
ッチング等の加工時にＭＲ感磁部に与えるダメージを回
避できる。
【００２３】ＭＲ感磁部３においては、実際上その前方
端から即ち対接面１４から数μｍ例えば３μｍ程度の深
さで、これに入って来る信号磁界は減衰してしまうもの
であり、実質的にＭＲ効果として働く有効領域は、その
前方端側の一部であることから、この前方端の特性は、
再生出力、バルクハウゼンノイズに大きな影響を及ぼす
ものである。従って本発明によるＭＲ感磁部３の前方端
のダメージの改善は、これら特性の改善を効果的に行う
ことができるものである。
端から即ち対接面１４から数μｍ例えば３μｍ程度の深
さで、これに入って来る信号磁界は減衰してしまうもの
であり、実質的にＭＲ効果として働く有効領域は、その
前方端側の一部であることから、この前方端の特性は、
再生出力、バルクハウゼンノイズに大きな影響を及ぼす
ものである。従って本発明によるＭＲ感磁部３の前方端
のダメージの改善は、これら特性の改善を効果的に行う
ことができるものである。
【００２４】更に本発明では、ＭＲ感磁部３の前方端を
電極４ａ−第１の磁性体１を介して接地する接地通路を
形成したので、前述した放電が生じた場合においては、
この放電電流は、接地通路を通じて流れてＭＲ感磁部３
を流れることが回避され、ＭＲ感磁部３を焼損等破損さ
せる事故を効果的に回避できる。
電極４ａ−第１の磁性体１を介して接地する接地通路を
形成したので、前述した放電が生じた場合においては、
この放電電流は、接地通路を通じて流れてＭＲ感磁部３
を流れることが回避され、ＭＲ感磁部３を焼損等破損さ
せる事故を効果的に回避できる。
【００２５】
【実施例】本発明のＭＲ型磁気ヘッドによる再生磁気ヘ
ッドと、インダクティブ型記録磁気ヘッドとの複合型構
成による磁気ヘッドの一例を図１を参照して説明する。
ッドと、インダクティブ型記録磁気ヘッドとの複合型構
成による磁気ヘッドの一例を図１を参照して説明する。
【００２６】この場合、図３にその工程図を示すように
例えば浮上型ヘッドにおいては、先ず図３Ａに示すよう
に、そのスライダ自体、或いは、これに取付される基板
等より成る基体１５上に、所要のパターンに、ＦｅＮｉ
等より成る薄膜状の第１の磁性体１を周知のいわゆるフ
レームメッキ等によって形成し、これを埋込むように、
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の非磁性の絶縁層１７をスパッ
タ等によって形成し、その表面を平坦化処理する。そし
て、この第１の磁性体１上に接触して図４にその略線的
平面図を示すように、前方端電極４ａを形成する。この
電極４ａの形成は前述したように導電層例えば金属層の
全面的形成、フォトリソグラフィによるイオンエッチン
グ等によって形成し得る。
例えば浮上型ヘッドにおいては、先ず図３Ａに示すよう
に、そのスライダ自体、或いは、これに取付される基板
等より成る基体１５上に、所要のパターンに、ＦｅＮｉ
等より成る薄膜状の第１の磁性体１を周知のいわゆるフ
レームメッキ等によって形成し、これを埋込むように、
ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の非磁性の絶縁層１７をスパッ
タ等によって形成し、その表面を平坦化処理する。そし
て、この第１の磁性体１上に接触して図４にその略線的
平面図を示すように、前方端電極４ａを形成する。この
電極４ａの形成は前述したように導電層例えば金属層の
全面的形成、フォトリソグラフィによるイオンエッチン
グ等によって形成し得る。
【００２７】そして、図３Ｂに示すように同様の絶縁層
１７の前方端電極４ａの埋込みとその上面を露出する平
面化処理を行う。
１７の前方端電極４ａの埋込みとその上面を露出する平
面化処理を行う。
【００２８】そして、前方端電極４ａ上を横切ってＭＲ
感磁部３を形成する。このＭＲ感磁部３は、これを単層
のＭＲ薄膜構造とすることもできるし、図２で示したＭ
Ｒ薄膜１ａ及び１ｂを極めて薄い非磁性薄膜２３を介し
て積層した２層構造とすることもできる。これらＭＲ薄
膜１ａ，１ｂはＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＦｅＣｏ等の
スパッタ膜等によって形成し、これら間に例えばＡｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等より成る非磁性薄膜２３のスパッタ膜
を介在させ、フォトリソグラフィを用いたイオンエッチ
ング等によって所定のパターンとする。
感磁部３を形成する。このＭＲ感磁部３は、これを単層
のＭＲ薄膜構造とすることもできるし、図２で示したＭ
Ｒ薄膜１ａ及び１ｂを極めて薄い非磁性薄膜２３を介し
て積層した２層構造とすることもできる。これらＭＲ薄
膜１ａ，１ｂはＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ，ＮｉＦｅＣｏ等の
スパッタ膜等によって形成し、これら間に例えばＡｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等より成る非磁性薄膜２３のスパッタ膜
を介在させ、フォトリソグラフィを用いたイオンエッチ
ング等によって所定のパターンとする。
【００２９】その後、このＭＲ感磁部３を覆って同様の
絶縁層１７を被覆し、ＭＲ感磁部３の後方端上に後方電
極コンタクト用の窓１７Ｗをフォトリソグラフィを用い
イオンエッチングによって穿設する。
絶縁層１７を被覆し、ＭＲ感磁部３の後方端上に後方電
極コンタクト用の窓１７Ｗをフォトリソグラフィを用い
イオンエッチングによって穿設する。
【００３０】このとき絶縁層１７の窓あけにイオンエッ
チングを行ってＭＲ感磁部３にダメージを与えてもこれ
がＭＲ感磁部３の後方端側であることから、その特性に
は殆んど影響を及ぼさない。
チングを行ってＭＲ感磁部３にダメージを与えてもこれ
がＭＲ感磁部３の後方端側であることから、その特性に
は殆んど影響を及ぼさない。
【００３１】そして、この窓１７Ｗ内を含んで前方端電
極４ａの場合と同様に全面的に導電層を形成してパター
ン化する。
極４ａの場合と同様に全面的に導電層を形成してパター
ン化する。
【００３２】そして、その後ＭＲ感磁部３上を覆って絶
縁層１７を形成し、ＭＲ感磁部３の上方を横切ってバイ
アス導体１６を形成すると共に、ヘッド巻線１８を同時
に導電層の全面的スパッタ、蒸着、その後のパターン化
によって形成する。
縁層１７を形成し、ＭＲ感磁部３の上方を横切ってバイ
アス導体１６を形成すると共に、ヘッド巻線１８を同時
に導電層の全面的スパッタ、蒸着、その後のパターン化
によって形成する。
【００３３】そして、これの上に更に絶縁層１７を被覆
し、ヘッド巻線１８の例えば中央部に窓あけを行い、こ
の窓を通じて第１の磁性体１に連接するように第２の磁
性体２を、ＦｅＮｉ等の磁性層の全面的スパッタ、蒸
着、これの上にメッキ等によって形成し、必要に応じて
パターン化する。そしてその前方面を全体的に研磨して
対接面１４を形成する。
し、ヘッド巻線１８の例えば中央部に窓あけを行い、こ
の窓を通じて第１の磁性体１に連接するように第２の磁
性体２を、ＦｅＮｉ等の磁性層の全面的スパッタ、蒸
着、これの上にメッキ等によって形成し、必要に応じて
パターン化する。そしてその前方面を全体的に研磨して
対接面１４を形成する。
【００３４】このようにすると、前方端部間に磁気記録
媒体との対接面１４に臨んで磁気ギャップｇを形成する
第１及び第２の磁性体１及び２が積層され、磁気ギャッ
プｇ内に対接面とほぼ垂直の方向にＭＲ感磁部３が延在
するように設けられ、ＭＲ感磁部３の前方端及び後方端
にそれぞれコンタクトする前方端電極４ａと、後方端電
極４ｂがＭＲ感磁部３を挟んで互いに他の面に配されて
成る本発明による磁気抵抗効果型ＭＲ型磁気ヘッドが構
成される。
媒体との対接面１４に臨んで磁気ギャップｇを形成する
第１及び第２の磁性体１及び２が積層され、磁気ギャッ
プｇ内に対接面とほぼ垂直の方向にＭＲ感磁部３が延在
するように設けられ、ＭＲ感磁部３の前方端及び後方端
にそれぞれコンタクトする前方端電極４ａと、後方端電
極４ｂがＭＲ感磁部３を挟んで互いに他の面に配されて
成る本発明による磁気抵抗効果型ＭＲ型磁気ヘッドが構
成される。
【００３５】そして、この場合第１の磁性体１を導電性
とし、かつこれを電気的に接地状態とすることによっ
て、この第１の磁性体１に接してＭＲ感磁部３の前方端
電極４ａが配置されていることから磁気抵抗効果感磁部
ＭＲが前方端電極４ａ及び上記第１の磁性体１を介して
電気的に接地された構成となる。
とし、かつこれを電気的に接地状態とすることによっ
て、この第１の磁性体１に接してＭＲ感磁部３の前方端
電極４ａが配置されていることから磁気抵抗効果感磁部
ＭＲが前方端電極４ａ及び上記第１の磁性体１を介して
電気的に接地された構成となる。
【００３６】また、この場合、ＭＲ感磁部３が非磁性薄
膜２３を介して２層のＭＲ薄膜１ａ及び１ｂが静磁的に
結合して配された３層構造（ＭＲの２層構造）とされて
いるものであり、バルクハウゼンノイズの改善がはから
れた構造とされている。
膜２３を介して２層のＭＲ薄膜１ａ及び１ｂが静磁的に
結合して配された３層構造（ＭＲの２層構造）とされて
いるものであり、バルクハウゼンノイズの改善がはから
れた構造とされている。
【００３７】また、この場合、第１及び第２の磁性体１
及び２は、これを磁気コアとし、これら磁気コアに磁気
的に結合する薄膜のヘッド巻線１８が設けられたインダ
クティブ記録ヘッドが一体に設けられた複合型ヘッド構
成となる。
及び２は、これを磁気コアとし、これら磁気コアに磁気
的に結合する薄膜のヘッド巻線１８が設けられたインダ
クティブ記録ヘッドが一体に設けられた複合型ヘッド構
成となる。
【００３８】尚、図１及び図４の例では、バイアス導体
１６と、後方端電極４ｂとが重なり合わない位置関係と
したことによって両者間の絶縁破壊のおそれがない。
１６と、後方端電極４ｂとが重なり合わない位置関係と
したことによって両者間の絶縁破壊のおそれがない。
【００３９】しかしながら、本発明構成においては、前
方端電極４ａと後方端電極４ｂとを、ＭＲ感磁部３に対
し互いに反対側の面に配置したことから後方端電極４ｂ
を、図５にその概略的断面図を示し、図６に概略的平面
図を示すように、対接面１４に至る位置、若しくはこれ
に近い位置まで差し渡る幅広構成とすることができるこ
とから、これの電気抵抗を充分小さくすることができ
る。尚、図５及び図６において図１と対応する部分には
同一符号を付して詳細説明を省略する。
方端電極４ａと後方端電極４ｂとを、ＭＲ感磁部３に対
し互いに反対側の面に配置したことから後方端電極４ｂ
を、図５にその概略的断面図を示し、図６に概略的平面
図を示すように、対接面１４に至る位置、若しくはこれ
に近い位置まで差し渡る幅広構成とすることができるこ
とから、これの電気抵抗を充分小さくすることができ
る。尚、図５及び図６において図１と対応する部分には
同一符号を付して詳細説明を省略する。
【００４０】
【発明の効果】上述の本発明の構造及び製造方法によれ
ば、前方端電極４ａを形成して後にＭＲ感磁部３を形成
するので、ＭＲ感磁部３の特に前方端電極４ａの形成に
おけるイオンエッチング等の加工時にＭＲ感磁部３に与
えるダメージを回避できる。
ば、前方端電極４ａを形成して後にＭＲ感磁部３を形成
するので、ＭＲ感磁部３の特に前方端電極４ａの形成に
おけるイオンエッチング等の加工時にＭＲ感磁部３に与
えるダメージを回避できる。
【００４１】ＭＲ感磁部３においては、前述したように
実質的にＭＲ効果として働く有効領域はその前方端側の
一部であることから、この前方端の特性は、再生出力、
バルクハウゼンノイズに大きな影響を及ぼすものであ
る。したがって本発明によってＭＲ感磁部３の前方端の
ダメージの改善は、これら特性の改善を効果的に行うこ
とができる。
実質的にＭＲ効果として働く有効領域はその前方端側の
一部であることから、この前方端の特性は、再生出力、
バルクハウゼンノイズに大きな影響を及ぼすものであ
る。したがって本発明によってＭＲ感磁部３の前方端の
ダメージの改善は、これら特性の改善を効果的に行うこ
とができる。
【００４２】更に本発明では、ＭＲ感磁部３の前方端を
電極４ａ−第１の磁性体１を介して接地する接地通路を
形成したので、前述した放電が生じた場合においては、
この放電電流は、接地通路を通じて流れてＭＲ感磁部３
を流れることが回避され、ＭＲ感磁部３を焼損等破損さ
せる事故を効果的に回避できる。
電極４ａ−第１の磁性体１を介して接地する接地通路を
形成したので、前述した放電が生じた場合においては、
この放電電流は、接地通路を通じて流れてＭＲ感磁部３
を流れることが回避され、ＭＲ感磁部３を焼損等破損さ
せる事故を効果的に回避できる。
【図１】本発明による磁気ヘッドの一例の一部を断面と
した斜視図である。
した斜視図である。
【図２】磁気抵抗効果感磁部の一例の断面図である。
【図３】本発明製造方法の一例の工程図である。
【図４】本発明による磁気ヘッドの他の例の平面図であ
る。
る。
【図５】本発明による磁気ヘッドの他の例の断面図であ
る。
る。
【図６】本発明による磁気ヘッドの他の例の平面図であ
る。
る。
【図７】従来のＭＲ型磁気ヘッドの一部を断面とした斜
視図である。
視図である。
【図８】従来のＭＲ型磁気ヘッドの回路図である。
１ 第１の磁性体 ２ 第２の磁性体 ３ 磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部） ４ａ 前方端電極 ４ｂ 後方端電極
Claims (5)
- 【請求項１】 前方端部間に磁気記録媒体との対接ない
しは対向面に臨んで磁気ギャップを形成する第１及び第
２の磁性体が積層され、 上記磁気ギャップ内に上記磁気記録媒体の対接ないしは
対向面とほぼ垂直の方向に磁気抵抗効果感磁部が延在す
るように設けられ、 該磁気抵抗効果感磁部の前方端及び後方端にそれぞれコ
ンタクトする前方端電極と、後方端電極は、上記磁気抵
抗効果感磁部を挟んで互いに他の面に配されて成ること
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 第１の磁性体を有する基体上に磁気抵抗
効果感磁部の前方端電極を被着形成する工程と、 その後該前方電極上に上記磁気抵抗効果感磁部を、その
前方端を接触させて被着形成する工程と、 その後上記磁気抵抗効果感磁部の後方端に接触して後方
端電極を被着形成する工程と、第２の磁性体を、その前
方端と上記第１の磁性体の前方端との間に上記磁気抵抗
効果感磁部を臨ます磁気ギャップを形成して被着形成す
る工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 第１の磁性体が導電性を有し、該第１の
磁性体に接して磁気抵抗効果感磁部の前方端電極が配置
され、上記磁気抵抗効果感磁部が上記前方端電極及び上
記第１の磁性体を介して電気的に接地されて成ることを
特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果感磁部が非磁性薄膜を介し
て２層の磁気抵抗効果薄膜が静磁的に結合して配された
３層構造とされた請求項１に記載された磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１に記載された磁気ヘッドにおい
て、 第１及び第２の磁性体を磁気コアとし該磁気コアに磁気
的に結合する薄膜ヘッド巻線が設けられたインダクティ
ブ型磁気ヘッドが構成された複合型ヘッド構成としたこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30782291A JPH05143938A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30782291A JPH05143938A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05143938A true JPH05143938A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17973627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30782291A Pending JPH05143938A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05143938A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998039770A1 (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-11 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacture |
| US6004437A (en) * | 1996-04-19 | 1999-12-21 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacturing method |
| US6332962B1 (en) | 1997-06-13 | 2001-12-25 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacture using selective imaging |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP30782291A patent/JPH05143938A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6004437A (en) * | 1996-04-19 | 1999-12-21 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacturing method |
| US6354438B1 (en) | 1996-04-19 | 2002-03-12 | Micrion Corporation | Focused ion beam apparatus for forming thin-film magnetic recording heads |
| US6579665B2 (en) | 1996-04-19 | 2003-06-17 | Fei Company | Thin-film magnetic recording head manufacture |
| US7045275B2 (en) | 1996-04-19 | 2006-05-16 | Fei Company | Thin-film magnetic recording head manufacture |
| WO1998039770A1 (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-11 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacture |
| US6332962B1 (en) | 1997-06-13 | 2001-12-25 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacture using selective imaging |
| US6824644B2 (en) | 1997-06-13 | 2004-11-30 | Fei Company | Thin-film magnetic recording head manufacture using selective imaging |
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