JPH0514100A - 弾性表面波デバイスの基板およびその製造方法 - Google Patents

弾性表面波デバイスの基板およびその製造方法

Info

Publication number
JPH0514100A
JPH0514100A JP16267691A JP16267691A JPH0514100A JP H0514100 A JPH0514100 A JP H0514100A JP 16267691 A JP16267691 A JP 16267691A JP 16267691 A JP16267691 A JP 16267691A JP H0514100 A JPH0514100 A JP H0514100A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
powder
acoustic wave
surface acoustic
sintered layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16267691A
Other languages
English (en)
Inventor
Rui Namiuchi
類 浪内
Norihiro Tani
紀広 谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP16267691A priority Critical patent/JPH0514100A/ja
Publication of JPH0514100A publication Critical patent/JPH0514100A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 各種電子機器に用いる弾性表面波デバイスの
基板において、基板の表面で反射するバルク波によるス
プリアスの発生を防止し、かつ高信頼性とすることを目
的とする。 【構成】 基板1は入力電極2と出力電極3を配設する
側の通過帯域中心周波数の1波長よりも大きい厚みの圧
電セラミック材料の均質焼結層11と、均質焼結層11
に完全に融合した不均質焼結層12からなる構成および
基板1の製造方法は、同一組成の混合粉を用いた仮焼工
程で、完全に反応させた仮焼粉と不完全に反応させた仮
焼粉を作製し、それぞれを粉砕,造粒したのち表面部は
完全に仮焼した粉末層で裏面部は不完全に仮焼した粉末
層となるように成形したのち焼結する方法により、不均
質焼結層12がバルク波を錯乱させることにより、スプ
リアスの発生を防止し、かつ複雑な加工を要しないので
信頼性を高くできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器の弾性表
面波フィルタや弾性表面波共振子等に用いる弾性表面波
デバイスの基板およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、弾性表面波フィルタや弾性表面波
共振子等に用いられる弾性表面波デバイスは、TV,V
TRをはじめ携帯電話,ポケットベル等の移動通信体に
も用いられ、その需要は年々増えていく傾向にある。
【0003】弾性表面波デバイスはPZT系等の圧電セ
ラミック材料製の基板の表面上に弾性表面波を励振する
入力電極と、受信する出力電極を配設した構成である。
この入力電極から励振された波は基板の表面を伝搬する
弾性表面波となるが、同時に基板の内部を伝搬し基板の
裏面で反射するバルク波も発生し、このバルク波が出力
電極で受信されると周波数特性におけるスプリアスの要
因となっていた。
【0004】このようなスプリアスの発生を防止するた
めに、図4に示すように基板5の表面から通過帯域中心
周波数の約1波長よりも深い部分に多数の気泡8を形成
し、入力電極6で励振されたバルク波を気泡8で拡散
し、出力電極7へは到達しないようにしていた。また図
5に示すように、基板5の裏面に矢印Aで示した表面波
伝搬方向と直交もしくは斜め方向の切り溝9を設けたり
さらに図6に示すように基板5の裏面を荒らしてラップ
面10を形成して基板5の裏面で反射するバルク波を拡
散させて、出力電極7へ到達しないようにしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、気泡8の少ない層と多く存在する層を有
する基板5の形成では、二種類の基板を作成したのち接
合する際に接合不良を生じ基板5の信頼性が低下すると
いう問題点、また、切り溝9やラップ面10を形成する
加工工程が複雑となり、かつ基板5に割れや欠損等の加
工不良を生じ、基板5の強度を低下させるという問題点
を有していた。
【0006】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、スプリアス発生を防止し、かつ、高信頼性の弾性表
面波デバイスの基板およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスの基板およびその製造方
法は、入力電極と出力電極を配設する側の通過帯域中心
周波数の1波長よりも大きな厚みの圧電セラミック材料
の均質焼結層と、この均質焼結層に完全に融合した圧電
セラミック材料の不均質焼結層を備えた構成、および同
一組成の混合粉を用いた仮焼工程で、完全に反応させた
仮焼粉と不完全に反応させた仮焼粉を作製し、それぞれ
を粉砕、造粒したのち、焼成後の厚みが通過帯域中心周
波数の1波長よりも大きくなるだけの量の完全に仮焼し
た造粒物と、所定量の不完全に仮焼した造粒物を金型に
充填し、加工成形した成形体を焼結する方法としたもの
である。
【0008】
【作用】この構成と製造方法により、不均質焼結層がバ
ルク波を錯乱させてスプリアス発生を防止することとな
る。
【0009】
【実施例】(実施例1) 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
【0010】図1に示すように、PZT系圧電セラミッ
ク材料製の基板1は完全に焼結された通過帯域中心周波
数の1波長よりも大きな厚みの均質焼結層11と、これ
に完全に融合した同組成の不完全に焼結された不均質焼
結層12で構成されている。図中の4は不均質焼結層1
2中の欠陥部を示す。
【0011】均質焼結層11の表面に入力電極2と出力
電極3が配設された弾性表面波デバイスは、入力電極2
から励振された波が弾性表面波となり、矢印Aで示した
方向に伝搬され、出力電極3で受信される。
【0012】弾性表面波の約90%のエネルギーは、基
板1の表面からの深さ方向に、通過帯域中心周波数の1
波長の範囲内で伝搬することが知られている。本実施例
では、その深さ範囲内は緻密な均質焼結層11で構成さ
れているため、弾性表面波はエネルギー損失が極めて少
ない状態で伝搬される。同時に基板1の内部を伝搬して
基板1の表面で反射してバルク波となる約10%のエネ
ルギーは、図2に示すように、不均質焼結層12の欠陥
部4で錯乱されて十分に抑圧され、出力電極3で受信さ
れる周波数特性のスプリアスが防止できる。
【0013】(実施例2) 以下本発明の弾性表面波デバイスの基板の製造方法につ
いて説明する。
【0014】図3に示すように、まず原料を所定のPZ
T系圧電セラミック材料の組成となるように秤量し、ボ
ールミルで混合した。混合粉末の一部を最適仮焼温度に
て仮焼し、残りの混合粉末を最適仮焼温度より50〜2
00℃低い温度にて仮焼した後、それぞれの仮焼粉を粉
砕,造粒した。このようにして得られた二種類の造粒粉
のうち、最適仮焼温度で仮焼して得た造粒粉を、焼成後
の厚みが通過帯域中心周波数の1波長よりも大きくなる
だけの量を金型へ充填し、その上に最適仮焼温度より5
0〜200℃低い温度で仮焼して得た造粒粉を充填した
のち加圧成形した。この二層構造の成形体を最適焼成温
度で焼結し、その後分極した。この製造方法により、通
過帯域中心周波数の1波長よりも大きな厚みの圧電セラ
ミック材料の均質焼結層と、この均質焼結層に完全に融
合した同組成の圧電セラミック材料の不均質焼結層から
なる弾性表面波デバイスの基板を得ることができる。
【0015】なお、本発明に係わる弾性表面波デバイス
の基板の製造方法は、実施例2に限定されるものではな
く、本発明主旨の範囲内で変更できるものである。
【0016】
【発明の効果】以上のように本発明は、入力電極と出力
電極を配設する側の通過帯域中心周波数の1波長よりも
大きな厚みの圧電セラミック材料の均質焼結層と、この
均質焼結層に完全に融合した圧電セラミック材料の不均
質焼結層を備えた構成、および同一組成の混合粉を用い
た仮焼工程で、完全に反応させた仮焼粉と不完全に反応
させた仮焼粉を作製し、それぞれを粉砕,造粒したの
ち、焼成後の厚みが通過帯域中心周波数の1波長よりも
大きくなるだけの量の完全に仮焼した造粒粉と、所定量
の不完全に仮焼した造粒物を金型に充填し、加圧成形し
た成形体を焼結する方法により、スプリアスの発生を防
止し、かつ高信頼性の優れた弾性表面波デバイスの基板
およびその製造方法を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における弾性表面波デバ
イスの基板の概念を示した断面略図
【図2】同弾性表面波デバイスの基板におけるバルク波
の錯乱状態の概念を示した断面略図
【図3】本発明の第2の実施例における弾性表面波デバ
イスの基板の製造工程のフローチャートを示す図
【図4】従来の弾性表面波デバイスの基板の概念を示し
た断面略図
【図5】従来の別の弾性表面波デバイスの基板の概念を
示した断面略図
【図6】従来のさらに別の弾性表面波デバイスの基板の
概念を示した断面略図
【符号の説明】
1 基板 2 入力電極 3 出力電極 11 均質焼結層 12 不均質焼結層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面に入力電極と出力電極を配設した弾性
    表面波デバイスの基板であって、前記入力電極と前記出
    力電極を配設する側の通過帯域中心周波数の1波長より
    も大きな厚みの圧電セラミック材料の均質焼結層と、前
    記均質焼結層に完全に融合した圧電セラミック材料の不
    均質焼結層を備えた弾性表面波デバイスの基板。
  2. 【請求項2】同一組成の混合粉を用いた仮焼工程で、完
    全に反応させた仮焼粉と不完全に反応させた仮焼粉を作
    製し、それぞれを粉砕,造粒したのち、焼成後の厚みが
    通過帯域中心周波数の1波長よりも大きくなるだけの量
    の完全に仮焼した造粒物と、所定量の不完全に仮焼した
    造粒粉を金型に充填し、加圧成形した成形体を焼結する
    弾性表面波デバイスの基板の製造方法。
JP16267691A 1991-07-03 1991-07-03 弾性表面波デバイスの基板およびその製造方法 Pending JPH0514100A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16267691A JPH0514100A (ja) 1991-07-03 1991-07-03 弾性表面波デバイスの基板およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16267691A JPH0514100A (ja) 1991-07-03 1991-07-03 弾性表面波デバイスの基板およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0514100A true JPH0514100A (ja) 1993-01-22

Family

ID=15759177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16267691A Pending JPH0514100A (ja) 1991-07-03 1991-07-03 弾性表面波デバイスの基板およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0514100A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7474033B2 (en) 2004-06-09 2009-01-06 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7474033B2 (en) 2004-06-09 2009-01-06 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1659687A1 (en) Surface acoustic wave device and electronic apparatus
CN203851109U (zh) 复合基板
KR101777584B1 (ko) 플레이트 모드를 가지는 표면 탄성파 필터의 디자인 및 제작
CN110417371B (zh) 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器
TWI780312B (zh) 表面聲波元件用複合結構及其製作方法
CN109219896B (zh) 用于表面声波器件的混合结构
WO2023134252A1 (zh) 一种baw滤波器结构及制备方法
US4652784A (en) Trapped-energy mode resonator and method of manufacturing the same
JPH02219313A (ja) フイルタ装置
JPH0514100A (ja) 弾性表面波デバイスの基板およびその製造方法
CN116781033A (zh) 一种高频声波谐振器及其制备方法
JP3419327B2 (ja) 磁器材料及び超音波探触子及び圧電振動子及びそれらの製造方法
JPS5885613A (ja) モノリシツク圧電磁器フイルタ
US6621194B1 (en) Piezoelectric element having thickness shear vibration and mobile communication device using the same
JPH05145363A (ja) 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JPH1131942A (ja) 弾性表面波モジュール素子及びその製造方法
JPH04242313A (ja) 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JPH07250399A (ja) 多孔質圧電セラミックス振動子とその製造方法
US20240258983A1 (en) Acoustic wave device and method for producing same
JP3028250B2 (ja) 圧電セラミクスの製造法
US20240178814A1 (en) Surface acoustic wave device with interdigital transducer electrode positioned at least partially in a piezoelectric layer
JPH06103822B2 (ja) 圧電共振子
JPS6165511A (ja) エネルギー閉じ込め形圧電フィルタ
JPS6294008A (ja) 圧電薄膜共振子
JP3301901B2 (ja) 圧電共振子