JPH05140747A - 膜形成装置およびこの装置を用いた膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 膜形成材料を収納するための試料溜１０１
と、膜形成を行うための反応室１１９と、試料溜１０１
から反応室１１９に膜形成材料を導くための試料導入管
１０３と、反応室１１９内に設ける試料台１０５と、反
応室１１９内を減圧にするための真空手段１０９と、エ
ネルギー発生源１１３とを備える膜形成装置およびこの
膜形成装置を用いた膜形成方法。 【効果】 表面平坦化形状を容易に形成することが可能
となり、さらにパーティクルの発生がなくなり、半導体
装置の信頼性が向上し、半導体装置の製造歩留りが向上
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置
（以下ＩＣと記載する）の層間膜形成を行うための膜形
成装置、およびこの装置を用いた膜形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣの高集積化にともない、素子間を配
線するための配線膜を多層に形成する多層配線技術が、
一般的な技術として定着してきた。多層配線の信頼性を
得るための一手段として、上層配線と下層配線との間を
絶縁する層間膜表面の平坦化技術がある。この層間膜の
平坦化手段としては、各種の方法が試みられている。

【０００３】従来の化学気相成長（以下ＣＶＤと記載す
る）法によって形成した層間膜を、用いた多層配線構造
の断面形状を、図９と図１０とを用いて説明する。

【０００４】アルミ配線１１を形成後、従来のＣＶＤ法
により形成した層間膜１３は、図９に示すように、アル
ミ配線１１の上面部と側面部とで層間膜１３の膜厚が大
きく異なる。このために、層間膜１３の表面段差がさら
に大きくなるばかりでなく、層間膜１３の断面形状は、
オーバーハング形状を示す。

【０００５】図９に示すように層間膜１３がオーバーハ
ング形状になるのは、従来のＣＶＤ法による膜形成で
は、気体状態にした膜形成材料を熱，プラズマ，光等の
エネルギー源により、気体状態で活性化するためであ
る。活性化された膜形成材料は、被膜形成基板に吸着し
て膜形成を行う。

【０００６】膜形成の際、活性化した膜形成材料のうち
膜形成に関与するもの（以下活性種と記載する）は、図
９に示すように、表面エネルギーの高いアルミ配線１１
の角部分１９に数多く吸着する。このために、活性種が
多量に吸着する角部分１９は他の部分に比べ、より厚い
膜が形成される。よって、層間膜１３の断面形状は、オ
ーバーハング形状になる。

【０００７】またさらに、図１０に示すように、アルミ
配線１１が非常に狭い間隔で隣接して形成した場合、こ
のアルミ配線１１の上部に層間膜１３を介して上層アル
ミ配線１５を形成すると、層間膜１３のオーバーハング
形状になった領域で、この上層アルミ配線１５に断線１
７が発生する。この上層アルミ配線１５における断線１
７の発生は、ＩＣの信頼性や、製造歩留りの低下を招い
ている。

【０００８】したがって、アルミ配線１１上に形成する
層間膜１３は、隣接するアルミ配線１１パターン間の溝
を埋め込み、かつ層間膜１３の表面は、平坦な形状であ
る必要がある。

【０００９】隣接するアルミ配線１１パターン間の溝部
分に絶縁膜を埋め込み、層間膜１３の表面平坦化を実現
するための従来方法を、図４から図８の断面図を用いて
説明する。

【００１０】まず図４に示すように、パターニングした
アルミ配線１１上にＣＶＤ法で、層間膜１３を形成す
る。

【００１１】次に図５に示すように、このＣＶＤ法で形
成した層間膜１３では、充分な段差被覆性が得られず、
層間膜１３の表面平坦性が悪い。このため、層間膜１３
の凹部を埋め込み、この層間膜１３の表面を平坦化する
ために、塗布絶縁膜であるスピンオングラス（以下ＳＯ
Ｇと記載する）膜２３を、塗布法により形成する。この
ＳＯＧ膜２３は、塗布法により形成後、４００℃前後の
温度でガラス化を目的とする加熱処理を行う。

【００１２】次に図６に示すように、ＳＯＧ膜２３と層
間膜１３とのエッチング速度を同じにして、ＳＯＧ膜２
３と層間膜１３とを反応性イオンエッチング装置を用い
てドライエッチングする、いわゆるエッチングバックを
行う。このエッチングバックにより層間膜１３の凹部に
ＳＯＧ膜２３を埋め込み、表面が平坦な形状を有する層
間膜を得る。

【００１３】さらにその後、図７に示すように、層間膜
としての信頼性を向上させるため、ＣＶＤ法で上層層間
膜２１を形成し、表面平坦化工程は完了する。

【００１４】次に平坦化表面を有する上層層間膜２１の
上部に上層アルミ配線１５を形成する。この結果、図１
０に示すような断線１７は、上層アルミ配線１５には発
生しない。

【００１５】上記のように、従来の製造方法では、層間
膜の表面平坦化構造を実現させようとすると、ＩＣ製造
工程が複雑になる。このＩＣ製造工程の複雑化は、ＩＣ
の歩留り低下の原因になる。

【００１６】またさらに、ＣＶＤ法では、膜形成材料の
活性化を気体状態で行っている。このために、活性化し
た膜形成材料が気相中で衝突を起こし、粒子状の生成物
（以下パーティクルと記載する）となり、ＣＶＤ装置の
内部や、被膜形成基板である半導体基板上に付着する。

【００１７】半導体基板に付着したパーティクルは、Ｉ
Ｃの信頼性を損ね、さらに歩留りの低下の原因となって
いる。

【００１８】さらにＣＶＤ装置の内部に付着したパーテ
ィクルは、膜形成装置の本来の性能にも悪影響を及ぼ
す。このため従来のＣＶＤ装置では、装置性能を回復さ
せるために、定期的にパーティクル除去を行う、保守点
検をしている。しかしながら、ＣＶＤ装置の構造が複雑
化しており、簡単にパーティクル除去はできず、パーテ
ィクル除去のために、膨大な時間が掛かっている。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】前述のように、層間膜
の段差被覆性の向上と表面平坦化とは、多層配線技術を
用いたＩＣの信頼性の向上と、特性を維持するためには
重要不可欠な技術的課題である。

【００２０】さらに、層間膜の表面平坦化を実現するた
めに、図４から図８を用いて説明したように、複数の製
造工程を通過させなければならない現状では、半導体製
造工程における不安定要素が増加することになる。

【００２１】またさらに、ＣＶＤ法により層間膜を形成
するときに、多量に発生するパーティクルは、ＩＣの信
頼性や歩留りを低下させるだけではなく、膜形成装置の
信頼性をも低下させることにつながる。

【００２２】本発明の目的は、上記課題を解決して、被
膜表面の平坦化形状を容易に形成することが可能で、さ
らにパーティクルの発生が無い膜形成装置と、この膜形
成装置を用いた膜形成方法とを提供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、下記記載の構成と方法とを採用す
る。

【００２４】本発明における膜形成装置は、膜形成材料
を収納する試料溜と、膜形成を行う反応室と、膜形成材
料を試料溜から反応室に導入するための試料導入管と、
試料溜と試料導入管と反応室との温度調整を行う温度コ
ントローラと、反応室内に設ける試料台と、この試料台
を加熱あるいは冷却するための温度調整手段と、反応室
内を減圧にするための真空手段と、エネルギー発生源と
を備えることを特徴とする。

【００２５】本発明における膜形成方法は、試料溜に収
納した膜形成材料を加熱し気体状態にして試料導入管を
介して反応室に導入し、温度調整した試料台上に配置し
た被膜形成基板に気体状態の膜形成材料を吸着させ、そ
の後エネルギー発生源によって被膜形成基板にエネルギ
ーを与え膜形成を行うことを特徴とする。

【００２６】

【作用】従来のＣＶＤ法における膜形成方法の問題点
は、膜形成に関与する活性種が気相中で反応しており、
この活性種が気相中で反応することによって、パーティ
クルが発生する。

【００２７】またさらに、活性種は、被膜形成基板に到
達すると化学反応により吸着するために、一度吸着した
活性種の脱離が起こりにくい。

【００２８】このため、活性種は、被膜形成基板の表面
を充分に自由に動ける距離（以下平均自由行程と記載す
る）が充分に得られない。このため、アルミ配線の比較
的表面エネルギーの高い、図９に示す、角部分１９に、
選択的な活性種の吸着が起こり、層間膜の断面形状はオ
ーバーハング形状を示すようになる。

【００２９】つまり、従来技術における諸問題は、膜形
成材料を気体状態で活性化するために起こる。

【００３０】そこで、これらの問題点を解決するため
に、本発明においては、膜形成反応に各種膜形成材料の
基板表面において発生する表面反応を積極的に利用する
膜形成装置と、この膜形成装置を用いた膜形成方法とを
提案する。

【００３１】気体状態になった膜形成材料を、あらかじ
め膜形成材料の融点温度近傍、もしくは融点温度以下の
温度制御しておいた被膜形成基板に接触させる。このこ
とにより被膜形成基板表面に、気体状態の膜形成材料を
単分子層または複数分子層吸着させることができる。

【００３２】気体状態の膜形成材料を被膜形成基板に吸
着させることにより、被膜形成基板の表面で化学反応な
どを自発的に起こすような、反応性に富んだ膜形成材料
の場合は、充分な膜形成が可能である。

【００３３】しかし比較的安定で反応性に乏しい膜形成
材料を用いた場合、被膜形成基板に吸着した膜形成材料
を、様々なエネルギー源で成膜化反応を起こさせる。

【００３４】さらにこの膜の上に膜形成材料の流動性を
失うことなく膜形成材料の吸着を続けて、目的膜厚まで
成長させる。

【００３５】本装置を用いて膜形成した膜は、段差被覆
性に優れ、良好な表面平坦性を備えている。これは、本
発明においては、膜形成材料の吸着は、物理的な吸着が
支配的であるため、減圧雰囲気の反応室内では、被膜形
成基板上で吸着と脱離が繰り返される。

【００３６】前述の理由により、気体状態の膜形成材料
は、被膜形成基板上での充分な平均自由行程が得られ、
段差被覆性が良好で、表面平坦性に優れた層間膜を形成
することができる。

【００３７】この膜をさらに物理的もしくは化学的手法
により、半導体集積装置に適用可能な被膜として充分な
性質を持った膜にする。

【００３８】またさらに、膜形成反応に用いる反応室の
内部を高温、もしくは膜形成材料の融点以下に保つ。こ
のために、反応室の壁面に到達した膜形成材料は、膜形
成反応、もしくは液化反応および固化反応を起こし、気
相での反応が発生しない。このためパーティクルの発生
は、抑えられる。

【００３９】また、反応室の内壁は、取り外し可能なカ
バーで覆われている。このため反応に関与しなかった膜
形成材料は、このカバーの表面で膜形成が行われるか、
もしくは反応室の内壁に配置するカバーに付着する。本
発明の膜形成装置の保守点検は、このカバーを交換する
ことで容易に行うことができる。

【００４０】本装置により作成した膜は、膜形成材料の
表面の流動性と充分な平均自由行程とが得られることに
より、被膜形成基板の表面形状によらず段差被覆性が良
く、膜表面の平坦化形状が得られる。

【００４１】さらにそのうえ、被膜形成基板に対して高
いエネルギーを持った膜形成材料の活性種が、直接、被
膜形成基板を攻撃しないために、損傷が発生せず低ダメ
ージである。したがって、被膜形成基板の損傷に起因す
る、半導体集積回路装置の特性劣化は発生しない。

【００４２】一方、膜形成材料の供給量を輸送ガス等に
より調節したり、膜形成時の圧力を調節することによ
り、被膜形成基板上に形成する膜の膜厚を、分子層単位
でコントロールすることができる。

【００４３】また、物理的気相成長法と化学的気相成長
法とが、目的に応じて自由に選択できる。反応室内での
パーティクルの発生がほとんどゼロに抑えられ、保守点
検の回数が少なくなり、手間が掛からない。

【００４４】

【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。まずはじめに本発明の膜形成装置、および膜形成方
法を膜形成装置の概略構成を示す図１を用いて説明す
る。図１は本発明の膜形成装置を示す断面図である。

【００４５】試料溜１０１に溜められた膜形成材料を、
温度調節手段１２１、たとえばヒーターを用いて、膜形
成材料の沸点近傍の温度まで加熱し、膜形成材料を気化
させる。

【００４６】気化した膜形成材料は、あらかじめ真空手
段１０９により減圧状態になっている反応室１１９に、
試料導入管１０３を介して、圧力差により導入される。
このとき、膜形成材料の温度が低下して、気体状態の膜
形成材料が液化または固化しないように、試料導入管１
０３は、膜形成材料の沸点近傍、または沸点以上の温度
に保つようにすることが必要である。

【００４７】気体状態になった膜形成材料の濃度管理
は、化学的に安定なガスを希釈ガス、もしくは輸送用ガ
スとして用いることによって行う。

【００４８】反応室１１９内に配置する試料台１０５
は、温度調整手段１０８として、加熱するための加熱手
段１０７、または冷却するための冷却手段１１１により
膜形成材料の沸点近傍もしくは沸点以下の温度に保つ。
この試料台１０５に、被膜形成基板（図示せず）を配置
する。

【００４９】反応室１１９内に導入した気体状態の膜形
成材料は、被膜形成基板の近傍、もしくは被膜形成基板
に接触することで、気体と液体の中間的な状態になり粘
性が生じる。

【００５０】一方、被膜形成基板の表面において膜形成
材料は、反応室１１９内が減圧雰囲気になっていること
により、吸着と脱離とを繰り返し、充分な平均自由行程
が得られる。したがって、被膜形成基板表面における流
動性と、吸着と離脱とを繰り返すことと、充分な平均自
由行程が得られることとにより、膜形成材料成分の濃度
によって単分子層もしくは複数分子層の段差被覆性の優
れ、表面平坦性が良好でしかも均一な膜が形成できる。

【００５１】しかし、この状態での膜は、被膜形成基板
表面に物理的に吸着したにすぎず、化学的に不安定であ
る。

【００５２】この膜と被膜形成基板との密着性を向上さ
せ膜質を安定にするために、この膜に対しエネルギーを
加えなければならない。このエネルギーはエネルギー発
生源１１３によって与える。

【００５３】このエネルギー発生源１１３としては、膜
の緻密性の向上と、膜形成材料と被膜形成基板との間で
の反応を起こさせるに充分な能力を持っていることが必
要となる。エネルギー発生源１１３としては、たとえ
ば、マイクロ波、紫外光、ハロゲンランプなどを用い
る。そしてこのエネルギー発生源１１３を用いて、膜の
急速加熱を行う。

【００５４】エネルギー発生源１１３は、膜質や製造工
程により自由に選択すことが可能である。たとえば、低
温処理が必要な場合には、マイクロ波、紫外光などを選
択するとよい。

【００５５】このように、本発明においては、膜厚を分
子層レベルの厚さで制御することができる。

【００５６】また、厚い膜厚を必要とする場合は、膜形
成材料の供給をさらに続ける。このとき、被膜形成基板
上のアルミ配線段差に対して、充分な膜厚まで膜形成材
料の吸着を続けると、被膜形成基板上の段差が埋め込ま
れて、表面平坦化構造を実現することができる。

【００５７】しかし、この膜も大変不安定であることか
ら、エネルギー発生源１１３を用いて、膜にエネルギー
を加えて、膜の安定化を行ない、被膜形成基板との密着
性の向上と、膜の緻密化とを行う。

【００５８】膜厚がある程度厚い場合は、形成した膜と
被膜形成基板との密着性を向上させるために、ある一定
の膜厚に達したら膜形成を中断して、膜形成途中でエネ
ルギー発生源１１３によりエネルギーを加えるとよい。

【００５９】ただし、エネルギー発生源１１３のエネル
ギーを加えている間は、気化した膜形成材料の気相反応
を避けるために、膜形成材料の供給は中止する。

【００６０】一方、反応に関与しなかった膜形成材料
は、真空手段１０９によって、反応室１１９の外部に排
気される。

【００６１】しかし、気相反応が起きるとパーティクル
が発生してしまう。したがって、反応室１１９内部の温
度コントロールをする必要性が生じる。そこで、本発明
の膜形成装置では、反応室１１９内部を温度制御するた
めの温度コントローラ１１５を設ける。

【００６２】反応室１１９内の温度を膜形成材料の沸点
温度の近傍、もしくは沸点以上の高温に保った場合、膜
形成材料は気体状態で排気されるため、気相中でのパー
ティクルの発生は起こらない。

【００６３】また、反応室１１９の内壁近傍に到達した
膜形成材料は、反応室１１９を温度コントローラ１１５
で加熱しているため、熱による膜形成反応により、パー
ティクルの発生はほとんど抑えられる。

【００６４】反応室１１９内壁周辺での膜形成反応は、
あらかじ反応室１１９内壁に配置したカバー１１７表面
で起こる。このため、膜形成装置の保守点検は、このカ
バー１１７を交換するだけで行うことができる。

【００６５】カバー１１７の材質は、膜形成する際の膜
形成材料や、膜形成時の温度などによって選択する必要
がある。このカバー１１７は、反応室１１９を構成する
内壁の材料と同じ材料、もしくは同等かそれ以上に化学
的に安定な材質のものを選択するとよい。

【００６６】また、反応室１１９周辺の温度を、被膜形
成基板を配置する試料台１０５に比べて高くなるように
温度設定する。このことにより、試料台１０５周辺と反
応室１１９周辺とにおいて、気化した膜形成材料に気体
密度の勾配を生じさせて、試料台１０５近傍での膜形成
材料の密度を高め、効率良く膜形成を行うことができる
効果を有する。

【００６７】次に、膜形成の具体例に関して説明する。
たとえばＴＭＣＴＳ（ＴｅｔｒａＭｅｔｈｙｌ Ｃｙｃ
ｏｌｏ Ｔｅｔｒａ Ｓｉｌａｘａｎｅ）を膜形成材料
として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂ ）を膜形成した場合
に関して、その具体的な実施例を説明する。

【００６８】このＴＭＣＴＳは、常温では液体であり、
沸点は１３５℃，蒸気圧は７４℃，２０ｍＨｇである。

【００６９】図２は本発明において膜形成を行った装置
の概略構成を示す断面図である。この図２を用いて、具
体的実施例を説明する。

【００７０】試料溜２０１にＴＭＣＴＳを適量溜める。
試料溜２０１を１３０〜１５０℃の温度に保ち、液体の
ＴＭＣＴＳを蒸気にする。同時に、試料導入管２０３、
および反応室２０５内も、温度１３０〜１５０℃に保
つ。

【００７１】反応室２０５内を、真空手段２０７として
ロータリーポンプを初めとする真空ポンプを用いて、真
空度０．０４Ｔｏｒｒ以下の状態にしておく。

【００７２】気体状態になったＴＭＣＴＳを流量５０〜
２００ｃｍ³ ／ｍｉｎと、オゾンの流量１００〜３００
ｃｍ³ ／ｍｉｎとを混合し、バルブ２０９を開放して、
このＴＭＣＴＳとオゾンとの混合気体を反応室２０５内
に導く。

【００７３】反応室２０５内の試料台２１１の温度は、
温度調節手段２１７を用いて、温度１３５℃以下に温度
コントロールを行う。

【００７４】反応室２０５内に導入した気体状態のＴＭ
ＣＴＳとオゾンとの混合気体は、試料台２１１近傍に到
達すると、反応室２０５内より低い温度に設定してある
試料台２１１の冷却効果により、この混合気体に粘性を
生じて、試料台２１１上に配置した被膜形成基板に気体
が吸着する。吸着したＴＭＣＴＳは被膜形成基板表面で
流動性を生じ、被膜形成基板に均一な状態で吸着する。

【００７５】しかし、この膜はＴＭＣＴＳが物理的に吸
着したに過ぎず、シリコン酸化膜としての膜質的には充
分といえない。

【００７６】そこで、バルブ２０９を閉じ、ＴＭＣＴＳ
とオゾンとの供給を止めて、さらにガス導入口２１９か
ら窒素ガスを導入して、反応室２０５内のＴＭＣＴＳと
オゾンとの混合ガスを排除する。その後、エネルギー発
生源２１３として、低圧水銀ランプにより紫外光（波長
１８５ｎｍ，２５４ｎｍ光）を被膜形成基板に照射し
て、シリコン酸化膜の膜質を向上させる。

【００７７】また、シリコン酸化膜にマイクロ波発生源
２１５からのマイクロ波を照射するすると、紫外光照射
時に反応生成物として発生した水を蒸発させると同時
に、シリコン酸化膜の緻密化が行われる。

【００７８】本発明の膜形成装置を用い、さらに本発明
の膜形成方法により、アルミ配線の段差部の埋め込み
を、ＴＭＣＴＳで形成したシリコン酸化膜で行なった実
施例の断面を図３に示す。

【００７９】本装置により形成したシリコン酸化膜３０
１は、アルミ配線３０３の段差を充分に被覆しており、
本発明の膜形成装置のみで、表面平坦化構造が得られる
ことがわかる。

【００８０】本発明によって形成したシリコン酸化膜の
膜質は、マイクロ波照射後の屈折率が１．４６０であ
り、シリコンを熱酸化して形成したシリコン酸化膜と同
等の膜質が得られている。

【００８１】またさらに、反応室内の圧力、原料ガスの
分圧、ガスの供給時間等を調節することで、図３に示す
よりも薄いシリコン酸化膜でも、段差被覆性よく表面平
坦性に優れた層間膜形成を行うことが可能である。

【００８２】

【発明の効果】以上の説明のように、本発明により単分
子層から薄膜領域にいたる広い膜厚範囲において、希望
する膜の膜厚を容易に制御することが可能となる。その
うえ、吸着作用により被膜形成を行っており、被膜形成
基板に対し低ダメージで膜形成できる。また、膜厚を厚
くすると段差の大きい被膜形成基板に対し、良好な段差
被覆性と表面平坦化とを実現できる。表面平坦化を目的
とする場合、膜形成材料としてシリコン系の液体材料を
用いると有効である。

【００８３】またさらに、気相反応を抑えることや、表
面反応を積極的に利用することで粒子状の生成物である
パーティクルの発生を抑えることができる。さらに、反
応室内部に設けたカバーにより装置の保守点検が容易に
なる。その結果、半導体装置の信頼性が向上し、そのう
え半導体装置の製造歩留りも向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の膜形成装置の基本構成を示す断面図で
ある。

【図２】本発明の膜形成装置とこの膜形成装置を用いた
膜形成方法とを説明するための断面図である。

【図３】本発明の実施例を用いて膜形成した状態を示す
断面図である。

【図４】従来の層間膜の平坦化方法を示す断面図であ
る。

【図５】従来の層間膜の平坦化方法を示す断面図であ
る。

【図６】従来の層間膜の平坦化方法を示す断面図であ
る。

【図７】従来の層間膜の平坦化方法を示す断面図であ
る。

【図８】従来の層間膜の平坦化方法を示す断面図であ
る。

【図９】従来の化学気相成長法によって形成した層間膜
を示す断面図である。

【図１０】従来の化学気相成長法によって形成した層間
膜上に上層アルミ配線を形成した状態を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１０１ 試料溜 １０３ 試料導入管 １０５ 試料台 １０７ 温度調節手段 １０９ 真空手段 １１３ エネルギー発生源 １１５ 温度コントローラ １１７ カバー １１９ 反応室 ３０１ シリコン酸化膜 ３０３ アルミ配線

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 膜形成材料を収納する試料溜と、膜形成
   を行う反応室と、この膜形成材料を該試料溜から該反応
   室に導入するための試料導入管と、前記試料溜と試料導
   入管と反応室との温度調整を行う温度調整手段および温
   度コントローラと、前記反応室内に設ける試料台と、該
   試料台を加熱あるいは冷却するための温度調整手段と、
   前記反応室内を減圧にするための真空手段と、エネルギ
   ー発生源とを備えることを特徴とする膜形成装置。
2. 【請求項２】 反応室内にカバーを設けることを特徴と
   する請求項１に記載の膜形成装置。
3. 【請求項３】 試料溜に収納した膜形成材料を加熱し気
   体状態にして試料導入管を介して反応室に導入し、温度
   調整した試料台上に配置した被膜形成基板に気体状態の
   膜形成材料を吸着させ、その後エネルギー発生源によっ
   て該被膜形成基板にエネルギーを与え膜形成を行うこと
   を特徴とする膜形成方法。