JPH05132774A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPH05132774A JPH05132774A JP29534891A JP29534891A JPH05132774A JP H05132774 A JPH05132774 A JP H05132774A JP 29534891 A JP29534891 A JP 29534891A JP 29534891 A JP29534891 A JP 29534891A JP H05132774 A JPH05132774 A JP H05132774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- backing plate
- magnet
- target
- sputtering
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ装置に関し，バッキングプレートを
薄型化して磁場強度を上げて膜質制御を可能にし, バッ
キングプレートの軽量化と, 磁石の防錆とをはかること
を目的とする。 【構成】 １）表面にスパッタ材料であるターゲットを
保持し且つ裏面に水冷用のジャケットを彫り込んだバッ
キングプレート本体に，裏面より蓋をして該ジャケット
内に冷却水を通水できるようにしたバッキングプレート
を有する， ２）表面にターゲットを保持し且つ裏面にマグネトロン
スパッタ用の磁石を保持する磁石室を有し，該磁石室が
気密で排気できる構造であるように構成する。
薄型化して磁場強度を上げて膜質制御を可能にし, バッ
キングプレートの軽量化と, 磁石の防錆とをはかること
を目的とする。 【構成】 １）表面にスパッタ材料であるターゲットを
保持し且つ裏面に水冷用のジャケットを彫り込んだバッ
キングプレート本体に，裏面より蓋をして該ジャケット
内に冷却水を通水できるようにしたバッキングプレート
を有する， ２）表面にターゲットを保持し且つ裏面にマグネトロン
スパッタ用の磁石を保持する磁石室を有し，該磁石室が
気密で排気できる構造であるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ装置に係り，特
にスパッタガンのバッキングプレートおよび磁石室の構
造に関する。
にスパッタガンのバッキングプレートおよび磁石室の構
造に関する。
【０００２】スパッタ装置は半導体装置やLCD 装置の製
造プロセスにおいて，種々の膜の成膜に広く用いられて
いる。スパッタガンのバッキングプレートはスパッタ材
料（ターゲット）をセットするプレートである。
造プロセスにおいて，種々の膜の成膜に広く用いられて
いる。スパッタガンのバッキングプレートはスパッタ材
料（ターゲット）をセットするプレートである。
【０００３】近年，スパッタによる成膜工程では，被成
膜サブストレートの大型化に伴いターゲットが大口径化
し，バッキングプレートの重量も重くなり取り扱いが困
難になっていた。また，膜質を制御するためにマグネト
ロンスパッタの磁場強度を上げるようになってきた。さ
らに，微粒子による汚染の影響を低減する必要が生じて
きた。
膜サブストレートの大型化に伴いターゲットが大口径化
し，バッキングプレートの重量も重くなり取り扱いが困
難になっていた。また，膜質を制御するためにマグネト
ロンスパッタの磁場強度を上げるようになってきた。さ
らに，微粒子による汚染の影響を低減する必要が生じて
きた。
【０００４】
【従来の技術】従来のスパッタガンはプレーナ型とすり
鉢型があったが，プレーナ型に微粒子低減に効果のある
全面エロージョン型（マグネトロンスパッタ方式）が導
入されて，プレーナ型が主流となってきた。
鉢型があったが，プレーナ型に微粒子低減に効果のある
全面エロージョン型（マグネトロンスパッタ方式）が導
入されて，プレーナ型が主流となってきた。
【０００５】図３は従来例によるプレーナ型マグネトロ
ンスパッタの断面図である。図において，１はスパッタ
室，２はガス導入口，３は排気口，４はバッキングプレ
ート，５は永久磁石，７はモータ，８は冷却水出入口，
９はターゲット，10は被処理サブストレートである。
ンスパッタの断面図である。図において，１はスパッタ
室，２はガス導入口，３は排気口，４はバッキングプレ
ート，５は永久磁石，７はモータ，８は冷却水出入口，
９はターゲット，10は被処理サブストレートである。
【０００６】プレーナ型で，全面エロージョン化する方
法として，殆どが永久磁石５を回転させる構造がとられ
ている。この場合のスパッタガンはバッキングプレート
４をハット型にして，その中に回転磁石をセットし，ま
た冷却水を通水する構造をとっている。
法として，殆どが永久磁石５を回転させる構造がとられ
ている。この場合のスパッタガンはバッキングプレート
４をハット型にして，その中に回転磁石をセットし，ま
た冷却水を通水する構造をとっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例のハット型バッ
キングプレートを用いている場合, バッキングプレート
内に冷却水を流しているため，バッキングプレートには
大気圧と水圧の和がかかるため，大型化したときにこれ
らの圧力に耐えられるようにバッキングプレートの厚さ
を増加させなければならない。これは, 膜質を制御する
ために磁場強度を上げようとすることを妨げる結果とな
る。
キングプレートを用いている場合, バッキングプレート
内に冷却水を流しているため，バッキングプレートには
大気圧と水圧の和がかかるため，大型化したときにこれ
らの圧力に耐えられるようにバッキングプレートの厚さ
を増加させなければならない。これは, 膜質を制御する
ために磁場強度を上げようとすることを妨げる結果とな
る。
【０００８】本発明はバッキングプレートを薄型化して
磁場強度を上げて膜質制御を可能にし, バッキングプレ
ートの軽量化と, 磁石の防錆とをはかることを目的とす
る。
磁場強度を上げて膜質制御を可能にし, バッキングプレ
ートの軽量化と, 磁石の防錆とをはかることを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）表面にスパッタ材料であるターゲットを保持し且つ
裏面に水冷用のジャケットを彫り込んだバッキングプレ
ート本体に，裏面より蓋をして該ジャケット内に冷却水
を通水できる構造のバッキングプレートを有するスパッ
タ装置，あるいは ２）表面にターゲットを保持し且つ裏面にマグネトロン
スパッタ用の磁石を保持する磁石室を有し，該磁石室が
気密で排気できる構造であることを特徴とするスパッタ
装置により達成される。
裏面に水冷用のジャケットを彫り込んだバッキングプレ
ート本体に，裏面より蓋をして該ジャケット内に冷却水
を通水できる構造のバッキングプレートを有するスパッ
タ装置，あるいは ２）表面にターゲットを保持し且つ裏面にマグネトロン
スパッタ用の磁石を保持する磁石室を有し，該磁石室が
気密で排気できる構造であることを特徴とするスパッタ
装置により達成される。
【００１０】
【作用】本発明では，バッキングプレート内に水冷用の
ジャケットを彫り込み, 銀ろう付けにより蓋をして冷却
水を通水しているので, バッキングプレートを変形させ
る力のうち水圧分が除去されて大気圧分のみとしてい
る。さらに, バッキングプレートを薄くするために, 回
転する磁石を磁石室に入れ, 磁石室をスパッタ室と同様
に減圧してバッキングプレートに大気圧がかからないよ
うにしている。
ジャケットを彫り込み, 銀ろう付けにより蓋をして冷却
水を通水しているので, バッキングプレートを変形させ
る力のうち水圧分が除去されて大気圧分のみとしてい
る。さらに, バッキングプレートを薄くするために, 回
転する磁石を磁石室に入れ, 磁石室をスパッタ室と同様
に減圧してバッキングプレートに大気圧がかからないよ
うにしている。
【００１１】バッキングプレートが薄くなることによ
り，マグネトロンスパッタの作用をするターゲット表面
での磁場強度が強くなり，永久磁石回転型でも水平成分
（ターゲット表面に平行な成分）で 700ガウス以上の強
度を容易に達成でき，磁力による膜質の制御が可能にな
る。
り，マグネトロンスパッタの作用をするターゲット表面
での磁場強度が強くなり，永久磁石回転型でも水平成分
（ターゲット表面に平行な成分）で 700ガウス以上の強
度を容易に達成でき，磁力による膜質の制御が可能にな
る。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例によるプレーナ型マグ
ネトロンスパッタ装置の断面図である。
ネトロンスパッタ装置の断面図である。
【００１３】図において，１はスパッタ室，２はガス導
入口，３は排気口，４はバッキングプレート本体，4Aは
バッキングプレート本体に彫り込まれた水冷用のジャケ
ット, 4Bは銀ろう付けされた蓋, 4Cは冷却水の出入口,
５は永久磁石，６は磁石室，７はモータ，９はターゲッ
ト，10はサブストレートである。
入口，３は排気口，４はバッキングプレート本体，4Aは
バッキングプレート本体に彫り込まれた水冷用のジャケ
ット, 4Bは銀ろう付けされた蓋, 4Cは冷却水の出入口,
５は永久磁石，６は磁石室，７はモータ，９はターゲッ
ト，10はサブストレートである。
【００１４】実施例では，磁石室６をスパッタ室１と同
様に排気することにより，バッキングプレートに大気圧
がかからないため，バッキングプレートは薄型化されて
いる。
様に排気することにより，バッキングプレートに大気圧
がかからないため，バッキングプレートは薄型化されて
いる。
【００１５】さらにバッキングプレートは図３に示され
る構造を有するため，冷却水がバッキングプレート内を
流れ，冷却効率がよい。図２は実施例のバッキングプレ
ートの平面図である。
る構造を有するため，冷却水がバッキングプレート内を
流れ，冷却効率がよい。図２は実施例のバッキングプレ
ートの平面図である。
【００１６】図において，点線で示されるウオータジャ
ケット4Aは, 蓋4Bでバッキングプレート本体４に銀ろう
付けされて形成され,冷却水の出入口4Cにより外部に導
出されている。
ケット4Aは, 蓋4Bでバッキングプレート本体４に銀ろう
付けされて形成され,冷却水の出入口4Cにより外部に導
出されている。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば，バッキングプレートが
薄型化されるため磁場強度を上げて膜質制御を可能に
し, 且つバッキングプレートが軽量化さて取り扱いが容
易になる。また，磁石が直接冷却水に触れないため磁石
の防錆をかることができ，長寿命が期待できる。また，
ターゲットの冷却効率が非常に高くなる。さらに磁石と
バッキングプレート間の距離を任意に変えても冷却効果
には影響を及ぼさない。
薄型化されるため磁場強度を上げて膜質制御を可能に
し, 且つバッキングプレートが軽量化さて取り扱いが容
易になる。また，磁石が直接冷却水に触れないため磁石
の防錆をかることができ，長寿命が期待できる。また，
ターゲットの冷却効率が非常に高くなる。さらに磁石と
バッキングプレート間の距離を任意に変えても冷却効果
には影響を及ぼさない。
【図１】 本発明の実施例によるプレーナ型マグネトロ
ンスパッタ装置の断面図
ンスパッタ装置の断面図
【図２】 実施例のバッキングプレートの平面図
【図３】 従来例によるプレーナ型マグネトロンスパッ
タ装置の断面図
タ装置の断面図
１はスパッタ室 ２ ガス導入口 ３ スパッタ室の排気口 ４ バッキングプレート本体 4A バッキングプレート本体に彫り込まれた水冷用のジ
ャケット 4B 銀ろう付けされた蓋 4C 冷却水の出入口 ５ 永久磁石 ６ 磁石室 6A 磁石室の排気口 ７ モータ ８ 冷却水出入口 ９ ターゲット 10 サブストレート
ャケット 4B 銀ろう付けされた蓋 4C 冷却水の出入口 ５ 永久磁石 ６ 磁石室 6A 磁石室の排気口 ７ モータ ８ 冷却水出入口 ９ ターゲット 10 サブストレート
Claims (2)
- 【請求項１】 表面にスパッタ材料であるターゲット
を保持し且つ裏面に水冷用のジャケットを彫り込んだバ
ッキングプレート本体に，裏面より蓋をして該ジャケッ
ト内に冷却水を通水できるようにしたバッキングプレー
トを有することを特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 表面にターゲットを保持し且つ裏面にマ
グネトロンスパッタ用の磁石を保持する磁石室を有し，
該磁石室が気密で排気できる構造であることを特徴とす
るスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29534891A JPH05132774A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29534891A JPH05132774A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132774A true JPH05132774A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17819449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29534891A Withdrawn JPH05132774A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05132774A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876573A (en) * | 1995-07-10 | 1999-03-02 | Cvc, Inc. | High magnetic flux cathode apparatus and method for high productivity physical-vapor deposition |
| US6221217B1 (en) | 1995-07-10 | 2001-04-24 | Cvc, Inc. | Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate |
| JP2001279434A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Showa Shinku:Kk | エクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置 |
| DE10216671A1 (de) * | 2002-04-15 | 2003-12-18 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Beschichtungsanlage |
| US7959776B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-06-14 | Applied Films Gmbh & Co. | Cooled backing plate for a sputtering target, and sputtering target comprising a plurality of backing plates |
| JP2014051746A (ja) * | 2002-10-24 | 2014-03-20 | Honeywell Internatl Inc | 冷却能を向上させると共に撓みおよび変形を減少させるターゲットの設計およびその関連方法 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP29534891A patent/JPH05132774A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5876573A (en) * | 1995-07-10 | 1999-03-02 | Cvc, Inc. | High magnetic flux cathode apparatus and method for high productivity physical-vapor deposition |
| US6221217B1 (en) | 1995-07-10 | 2001-04-24 | Cvc, Inc. | Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate |
| JP2001279434A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Showa Shinku:Kk | エクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置 |
| JP4521607B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-08-11 | 株式会社昭和真空 | エクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置 |
| DE10216671A1 (de) * | 2002-04-15 | 2003-12-18 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Beschichtungsanlage |
| JP2014051746A (ja) * | 2002-10-24 | 2014-03-20 | Honeywell Internatl Inc | 冷却能を向上させると共に撓みおよび変形を減少させるターゲットの設計およびその関連方法 |
| US7959776B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-06-14 | Applied Films Gmbh & Co. | Cooled backing plate for a sputtering target, and sputtering target comprising a plurality of backing plates |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |