JPH05128998A - Ion process device - Google Patents
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- JPH05128998A JPH05128998A JP3318511A JP31851191A JPH05128998A JP H05128998 A JPH05128998 A JP H05128998A JP 3318511 A JP3318511 A JP 3318511A JP 31851191 A JP31851191 A JP 31851191A JP H05128998 A JPH05128998 A JP H05128998A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置のように、真空中で基板にイオンビームを照射してそ
れにイオン注入等の処理を施すイオン処理装置に関し、
より具体的には、その基板の帯電および同基板に対する
コンタミネーションを低減する手段の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion treatment apparatus, such as an ion implantation apparatus, for irradiating a substrate with an ion beam in a vacuum and performing a treatment such as ion implantation on the substrate.
More specifically, it relates to improvement of means for reducing charging of the substrate and contamination of the substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６は、従来のイオン処理装置の一例を
部分的に示す図である。この装置は、基本的には、真空
容器（図示省略）内に収納されたホルダ４に保持された
基板（例えばウェーハ）６にイオンビーム２を照射して
それにイオン注入等の処理を施すよう構成されている。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a diagram partially showing an example of a conventional ion treatment apparatus. This apparatus is basically configured to irradiate a substrate (for example, a wafer) 6 held by a holder 4 housed in a vacuum container (not shown) with an ion beam 2 and perform a process such as ion implantation on the substrate. Has been done.
【０００３】ホルダ４は、バッチ処理用のウェーハディ
スクの場合と、枚葉処理用のプラテンの場合とがあり、
図示のものは前者の場合の例であり、複数枚の基板６を
装着して真空容器内で高速回転および並進させられる。The holder 4 may be a wafer disk for batch processing or a platen for single wafer processing.
The one shown in the figure is an example of the former case, in which a plurality of substrates 6 are mounted and rotated at high speed and translated in a vacuum container.
【０００４】イオンビーム２の経路上には、ファラデー
系を構成するものとし、イオンビーム２がホルダ４や基
板６に当たった際にそれから放出される二次電子１４を
受けてそれのアースへの逃げを防止するファラデーカッ
プ（ファラデーケースとも呼ばれる）１０および放出二
次電子１４の上流側への逃げを防止する負電位のサプレ
ッサ電極８がホルダ４の手前側に、更にこの例ではホル
ダ４が外に並進したときにそれの代わりにイオンビーム
２を受けるキャッチプレート１２がホルダ４の後方側
に、それぞれ設けられている。A Faraday system is formed on the path of the ion beam 2, and when the ion beam 2 hits the holder 4 or the substrate 6, the secondary electron 14 emitted from the ion beam 2 is received and the secondary electron 14 is grounded. A Faraday cup (also called a Faraday case) 10 for preventing escape and a suppressor electrode 8 having a negative potential for preventing escape of the emitted secondary electrons 14 to the upstream side are located on the front side of the holder 4, and in this example, the holder 4 is outside. Catch plates 12 that receive the ion beam 2 instead of the above when they are translated are provided on the rear side of the holder 4, respectively.
【０００５】そして、ホルダ４、ファラデーカップ１０
およびキャッチプレート１２は、互いに電気的に並列接
続されてビーム電流計測器１６に接続されており、それ
によってイオンビーム２のビーム電流の計測を正確に行
えるようにしている。Then, the holder 4 and the Faraday cup 10
The catch plate 12 and the catch plate 12 are electrically connected in parallel to each other and are connected to the beam current measuring device 16, so that the beam current of the ion beam 2 can be accurately measured.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記のようなイオン処
理装置においては、イオンビーム２の照射に伴って基板
６の表面が、特にイオンビーム２が大電流であってしか
も基板６の表面が絶縁物の場合、正に帯電して放電等の
不具合が発生する可能性がある。In the above-described ion processing apparatus, the surface of the substrate 6 is insulated by the irradiation of the ion beam 2, especially the ion beam 2 has a large current and the surface of the substrate 6 is insulated. In the case of a product, it may be positively charged and a problem such as discharge may occur.
【０００７】これの対策の一つに、イオンビーム２の照
射に伴ってホルダ４等から放出された二次電子１４をホ
ルダ４上の基板６に追い返すという考えがあり、そのた
めに従来、図示のように、ホルダ４とファラデーカップ
１０等との間にバイアス電源１８を挿入し、ファラデー
カップ１０に対してホルダ４に正の電位（例えば数Ｖ〜
数十Ｖ程度）を与えて二次電子１４を引き戻すという手
段が提案されている。As one of the measures against this, there is an idea that the secondary electrons 14 emitted from the holder 4 and the like due to the irradiation of the ion beam 2 are driven back to the substrate 6 on the holder 4, and for that reason, as shown in FIG. As described above, the bias power supply 18 is inserted between the holder 4 and the Faraday cup 10 and the like, and a positive potential (for example, several V to the Faraday cup 10) is applied to the holder 4.
A means of applying a voltage of about several tens of V) to pull back the secondary electrons 14 has been proposed.
【０００８】しかしながらこの手段では、ホルダ４の電
位が固定であるため、種々のエネルギーを持った二次電
子１４に対して効果が少ない。また仮にバイアス電源１
８の電圧を変化させてホルダ４の電位を変化させるにし
ても、二次電子１４のエネルギーやその放出量の変化が
非常に速いので（これは、イオンビーム２がホルダ４に
当たる場合と基板６に当たる場合とで二次電子１４の放
出量が異なり、しかもホルダ４が高速回転するからであ
る）、これにホルダ４の電位を追従させることは困難で
あり、ホルダ４の電位は固定と変わらない。従って従来
は、上記のようなホルダ４からの放出二次電子１４を用
いて基板６の帯電を効果的に低減させることはできなか
った。However, this means has little effect on the secondary electrons 14 having various energies because the potential of the holder 4 is fixed. If the bias power supply 1
Even if the potential of the holder 4 is changed by changing the voltage of 8, the change of the energy of the secondary electrons 14 and the emission amount thereof is very fast (this is the case where the ion beam 2 hits the holder 4 and the substrate 6). This is because the emission amount of the secondary electrons 14 is different from that in the case of hitting and the holder 4 rotates at a high speed.) It is difficult to make the potential of the holder 4 follow this, and the potential of the holder 4 is the same as that of fixing. .. Therefore, conventionally, it was not possible to effectively reduce the charging of the substrate 6 by using the secondary electrons 14 emitted from the holder 4 as described above.
【０００９】一方、上記のような装置では、イオンビー
ム２がホルダ４や基板６に当たることによってホルダ４
や基板６からスパッタ粒子が飛び出し、これによる堆積
膜がファラデーカップ１０の内壁に付着し、それが多量
になると壁から剥がれ落ちてパーティクル（ごみ）が基
板６の表面に付着し、コンタミネーションが増加すると
いう問題もあった。On the other hand, in the apparatus as described above, the ion beam 2 hits the holder 4 and the substrate 6 so that the holder 4
The sputtered particles jump out from the substrate 6 and the deposited film adheres to the inner wall of the Faraday cup 10, and when it becomes large, it peels off from the wall and particles (dust) adhere to the surface of the substrate 6, increasing the contamination. There was also the problem of doing.
【００１０】そこでこの発明は、イオンビームがホルダ
等に当たることによって放出される二次電子を効果的に
利用して、イオンビーム照射に伴う基板の帯電現象を低
減させることができると共に、ファラデーカップ内部で
のパーティクルの発生を抑えて基板に対するコンタミネ
ーションを低減させることができるようにしたイオン処
理装置を提供することを主たる目的とする。Therefore, the present invention can effectively utilize the secondary electrons emitted by the ion beam hitting the holder or the like to reduce the charging phenomenon of the substrate due to the irradiation of the ion beam, and at the same time, inside the Faraday cup. The main object of the present invention is to provide an ion treatment apparatus capable of suppressing the generation of particles in the substrate and reducing contamination on the substrate.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン処理装置は、前述したようなファ
ラデーカップの内壁に、同内壁を覆う金属ライナーであ
って、複数に分割されており、しかも互いにかつファラ
デーカップから電気的に絶縁されたものを、着脱可能に
取り付けたことを特徴とする。In order to achieve the above object, the ion treatment apparatus of the present invention is a metal liner for covering the inner wall of the Faraday cup as described above, which is divided into a plurality of pieces. In addition, those electrically insulated from each other and from the Faraday cup are detachably attached.
【００１２】[0012]
【作用】上記構成によれば、イオンビーム照射に伴って
ホルダ等から放出された二次電子は、金属ライナーの表
面に入り、当該金属ライナーは、電気的に絶縁されてい
るため、この二次電子によって負の電位にバイアスされ
る。この電位は、二次電子のエネルギーや放出量に変化
があっても、またその変化が高速であっても、自動的に
それに対応してバイアスされる。この負バイアスによ
り、ホルダ等からの二次電子は自動的にホルダの方へ追
い返される。イオンビーム照射に伴ってホルダ上の基板
が正に帯電していると、その電荷に引かれて上記二次電
子は正に帯電している部分に自動的に供給され、帯電を
打ち消す。これによって、イオンビーム照射に伴う基板
の帯電現象を効果的に低減させることができる。According to the above structure, the secondary electrons emitted from the holder or the like due to the ion beam irradiation enter the surface of the metal liner, and the metal liner is electrically insulated. Biased to a negative potential by the electrons. This potential is automatically biased in response to changes in the energy and the amount of emission of secondary electrons, and even if the changes are rapid. Due to this negative bias, the secondary electrons from the holder or the like are automatically driven back to the holder. When the substrate on the holder is positively charged due to the irradiation of the ion beam, the secondary electrons are automatically supplied to the positively charged portion by the electric charge and cancel the charging. As a result, it is possible to effectively reduce the charging phenomenon of the substrate due to the ion beam irradiation.
【００１３】また、イオンビーム照射に伴ってホルダ等
から発生するスパッタ粒子による堆積膜は、ファラデー
カップ内壁を覆う各金属ライナーの表面に付着すること
になる。この各金属ライナーは着脱可能であるため、こ
れを適宜交換あるいは取り外して清掃することにより、
ファラデーカップ内部でのパーティクルの発生を抑えて
基板に対するコンタミネーションを低減させることがで
きる。Further, the deposited film formed by the sputtered particles generated from the holder or the like due to the irradiation of the ion beam adheres to the surface of each metal liner covering the inner wall of the Faraday cup. Each of these metal liners is removable, so by replacing or removing them as appropriate,
It is possible to suppress the generation of particles inside the Faraday cup and reduce the contamination with respect to the substrate.
【００１４】[0014]
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン処
理装置を部分的に示す断面図である。図２は、図１の線
Ａ−Ａに沿う断面図である。図３は、図１の線Ｂ−Ｂに
沿う断面図である。図６の従来例と同一または相当する
部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例と
の相違点を主に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a sectional view partially showing an ion processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG. FIG. 3 is a sectional view taken along the line BB of FIG. The same or corresponding portions as those of the conventional example shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and in the following, differences from the conventional example will be mainly described.
【００１５】この実施例においては、前述したようなフ
ァラデーカップ１０の内壁およびホルダ４との対向面
に、それらの内壁および対向面を覆うように、複数に分
割された金属ライナー２０を互いにかつファラデーカッ
プ１０から電気的に絶縁して取り付けている。各金属ラ
イナー２０は、碍子２２によって着脱可能に支持されて
いる。In this embodiment, a plurality of divided metal liners 20 are provided on the surface of the Faraday cup 10 facing the inner wall and the holder 4, as described above, so as to cover the inner wall and the facing surface. It is mounted electrically isolated from the cup 10. Each metal liner 20 is detachably supported by an insulator 22.
【００１６】更にこの実施例は、イオンビーム照射に伴
う基板６の正帯電をより確実に防止するために、ファラ
デーカップ１０の側壁部にフィラメント３０を設け、こ
れから引き出した一次電子３１を対向面の金属ライナー
２０（２０ａ）に当て、そこから放出された電子シャワ
ー（二次電子）３２をホルダ４上の基板６に供給するこ
とを併用できるようにしているが、このような手段はこ
の発明に必須のものではなく、それを設けるか否かは任
意である。Further, in this embodiment, in order to more reliably prevent the positive charging of the substrate 6 due to the irradiation of the ion beam, a filament 30 is provided on the side wall portion of the Faraday cup 10, and primary electrons 31 extracted from the filament 30 are provided on the opposite surface. The metal liner 20 (20a) is applied to the substrate and the electron shower (secondary electrons) 32 emitted from the metal liner 20 (20a) is supplied to the substrate 6 on the holder 4, which can be used together. It is not essential and whether or not it is provided is optional.
【００１７】詳述すると、各金属ライナー２０は、ファ
ラデーカップ１０の内壁のものは、イオンビーム２の進
行方向に複数に（図示例は３段に）分割されている。一
番上流側のものは、図２にも示すように、筒状をしてい
る。一番下流側のものも同様である。中間のものは、フ
ィラメント３０からの一次電子３１が当たる部分の金属
ライナー２０ａは、図３にも示すように、１枚にしてお
き、それを電線２１等でファラデーカップ１０に接続し
て、ファラデー電位にしておく。もしこの金属ライナー
２０ａを浮かせておくと、それが一次電子３１によって
負にバイアスされて一次電子３１の入射が困難になるか
らである。中間部における上記金属ライナー２０ａ以外
の部分の金属ライナー２０は、図３に示すように、一次
電子３１の放出部分を除外して、ファラデーカップ１０
の内壁を覆っている。但し、フィラメント３０を設けな
い場合は、この中間の金属ライナー２０も、その上下の
ものと同様に単なる筒状で良い。ホルダ４に対向する面
の金属ライナー２０は、１枚の環状の板状のものにして
いる。More specifically, each of the metal liners 20 having the inner wall of the Faraday cup 10 is divided into a plurality (three in the illustrated example) in the traveling direction of the ion beam 2. The most upstream one has a tubular shape as shown in FIG. The same applies to the most downstream side. As for the intermediate one, as shown in FIG. 3, the metal liner 20a in the portion where the primary electron 31 from the filament 30 hits is made into one sheet, which is connected to the Faraday cup 10 with the electric wire 21 or the like, Keep the potential. This is because if the metal liner 20a is floated, it is negatively biased by the primary electrons 31 and it becomes difficult for the primary electrons 31 to enter. The metal liner 20 other than the metal liner 20a in the middle portion is excluded from the Faraday cup 10 by excluding the portion for emitting the primary electrons 31, as shown in FIG.
Covers the inner wall of the. However, in the case where the filament 30 is not provided, the metal liner 20 in the middle may have a simple tubular shape like the upper and lower ones. The metal liner 20 on the surface facing the holder 4 is in the form of a single annular plate.
【００１８】各金属ライナー間は、ホルダ４等から放出
された二次電子１４が隙間を通り抜けないように、例え
ば図４に示すように、迷路構造にして隙間を極力無くす
るようにするのが好ましく、そのようにすれば、二次電
子１４のファラデーカップ１０への逃げをより完全に防
止することができると共に、スパッタ粒子によるファラ
デーカップ１０の汚れをより完全に防止することができ
る。Between the respective metal liners, a secondary labyrinthine structure as shown in FIG. 4, for example, is formed so as to prevent the secondary electrons 14 emitted from the holder 4 and the like from passing through the gap so as to minimize the gap. Preferably, by doing so, the escape of the secondary electrons 14 to the Faraday cup 10 can be more completely prevented, and the Faraday cup 10 can be more completely prevented from being contaminated by sputtered particles.
【００１９】各碍子２２は、ホルダ４上のイオンビーム
照射面から見通せないようにするのが好ましく、そのよ
うにすれば、スパッタ粒子による当該碍子２２の汚れを
防止することができる。更に各碍子２２のスパッタ粒子
による汚れをより確実に防止するために、例えば図５に
示すように、各碍子２２にカバー２８を被せても良い。
同図において２６は金属ライナー２０の固定用のねじ、
２４は碍子である。It is preferable that each insulator 22 cannot be seen through from the ion beam irradiation surface on the holder 4. By doing so, contamination of the insulator 22 due to sputtered particles can be prevented. Further, in order to more reliably prevent the contamination of each insulator 22 due to sputtered particles, each insulator 22 may be covered with a cover 28 as shown in FIG. 5, for example.
In the figure, 26 is a screw for fixing the metal liner 20,
24 is an insulator.
【００２０】上記構成によれば、イオンビーム照射に伴
ってホルダ４や基板６から放出された二次電子１４は、
金属ライナー２０の表面に入り、当該金属ライナー２０
は、電気的に絶縁されているため、この二次電子１４に
よって負の電位にバイアスされる。この電位は、二次電
子１４のエネルギーや放出量に変化があっても、またそ
の変化が高速であっても、自動的にそれに対応してバイ
アスされる。この負バイアスにより、ホルダ４等からの
二次電子１４は自動的にホルダ４の方へ追い返される。
イオンビーム照射に伴ってホルダ４上の基板６が正に帯
電していると、その電荷に引かれて上記二次電子１４は
正に帯電している部分に自動的に供給され、帯電を打ち
消す。これによって、イオンビーム照射に伴う基板６の
帯電現象を効果的に低減させることができる。According to the above structure, the secondary electrons 14 emitted from the holder 4 and the substrate 6 due to the ion beam irradiation are
Entering the surface of the metal liner 20,
Is electrically isolated and is therefore biased to a negative potential by this secondary electron 14. This potential is automatically biased in response to changes in the energy and the amount of emission of the secondary electrons 14 and even when the changes are rapid. Due to this negative bias, the secondary electrons 14 from the holder 4 and the like are automatically driven back toward the holder 4.
When the substrate 6 on the holder 4 is positively charged due to the irradiation of the ion beam, the secondary electrons 14 are automatically supplied to the positively charged portion by the electric charge and cancel the charging. .. Thereby, the charging phenomenon of the substrate 6 due to the ion beam irradiation can be effectively reduced.
【００２１】また、イオンビーム照射に伴ってホルダ４
等から発生するスパッタ粒子による堆積膜は、ファラデ
ーカップ内壁を覆う各金属ライナー２０の表面に付着す
ることになる。この各金属ライナー２０は着脱可能であ
るため、これを適宜交換あるいは取り外して清掃するこ
とにより、ファラデーカップ内部でのパーティクルの発
生を抑えて基板６に対するコンタミネーションを低減さ
せることができる。しかもこのようにすれば、ファラデ
ーカップ１０自身を取り外して清掃するのに比べて作業
が遙かに簡単であるため、保守作業時間の短縮を図るこ
とができる。The holder 4 is also attached to the ion beam irradiation.
The deposited film formed by the sputtered particles generated from the above and the like adheres to the surface of each metal liner 20 that covers the inner wall of the Faraday cup. Since each metal liner 20 is removable, it is possible to suppress the generation of particles inside the Faraday cup and reduce the contamination on the substrate 6 by appropriately replacing or removing the metal liner 20 and cleaning it. Moreover, in this way, the work is much easier than removing and cleaning the Faraday cup 10 itself, so that the maintenance work time can be shortened.
【００２２】なお、各金属ライナー２０は、上述のよう
に絶縁取付けした状態のままとしても良いし、あるい
は、各金属ライナー２０に電線を接続してそれを真空シ
ール部を経由して真空容器外に引き出しておけば、必要
な金属ライナー２０に各々独立の電位を外部電源や抵抗
を用いて与えることも可能であり、これを例えば処理す
る基板６等に応じて切り換えるようにすれば、装置とし
てのフレキシビリティーが向上する。Each metal liner 20 may be left in the state of being insulated and attached as described above, or an electric wire may be connected to each metal liner 20 and the metal liner 20 may be connected to the outside of the vacuum container via the vacuum seal portion. It is also possible to apply an independent electric potential to each of the necessary metal liners 20 by using an external power source or a resistor by pulling it out, and if this is switched depending on, for example, the substrate 6 to be processed, an apparatus is obtained. The flexibility of is improved.
【００２３】また、ホルダ４は、上記例はバッチ処理用
のウェーハディスクであるけれども、枚葉処理用のプラ
テンであっても良いのは前述したとおりである。Although the holder 4 is a wafer disk for batch processing in the above example, the holder 4 may be a platen for single-wafer processing as described above.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ファラ
デーカップ内壁に設けた金属ライナーが、イオンビーム
照射に伴ってホルダ等から放出される二次電子によっ
て、しかもこの二次電子のエネルギーや放出量に変化が
あっても自動的にそれに対応して、負電位にバイアスさ
れ、この負バイアスによって二次電子をホルダの方へ追
い返して、イオンビーム照射に伴って正帯電している基
板に供給することができる。その結果、上記二次電子を
効果的に利用して、基板の帯電現象を低減させることが
できる。As described above, according to the present invention, the metal liner provided on the inner wall of the Faraday cup is generated by the secondary electrons emitted from the holder or the like due to the irradiation of the ion beam, and the energy of the secondary electrons or Even if there is a change in the amount of emission, it is automatically biased to a negative potential, and secondary electrons are driven back toward the holder by this negative bias, and the substrate is positively charged with the ion beam irradiation. Can be supplied. As a result, the secondary electrons can be effectively used to reduce the charging phenomenon of the substrate.
【００２５】また、イオンビーム照射に伴ってホルダ等
から発生するスパッタ粒子による堆積膜は、ファラデー
カップ内壁を覆う各金属ライナーの表面に付着すること
になり、この各金属ライナーは着脱可能であるため、こ
れを適宜交換あるいは取り外して清掃することにより、
ファラデーカップ内部でのパーティクルの発生を抑えて
基板に対するコンタミネーションを低減させることがで
きる。Further, the deposited film formed by the sputtered particles generated from the holder or the like due to the ion beam irradiation adheres to the surface of each metal liner that covers the inner wall of the Faraday cup, and each metal liner is removable. , By replacing or removing it as appropriate and cleaning it,
It is possible to suppress the generation of particles inside the Faraday cup and reduce the contamination with respect to the substrate.
【図１】 この発明の一実施例に係るイオン処理装置を
部分的に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view partially showing an ion treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１の線Ａ−Ａに沿う断面図である。2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
【図３】 図１の線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
【図４】 金属ライナー間の隙間を無くする構造の一例
を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a structure for eliminating a gap between metal liners.
【図５】 碍子のカバーの一例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of an insulator cover.
【図６】 従来のイオン処理装置の一例を部分的に示す
断面図である。FIG. 6 is a sectional view partially showing an example of a conventional ion treatment apparatus.
２ イオンビーム ４ ホルダ ６ 基板 １０ ファラデーカップ １４ 二次電子 ２０ 金属ライナー ２２ 碍子 ３０ フィラメント 2 Ion beam 4 Holder 6 Substrate 10 Faraday cup 14 Secondary electron 20 Metal liner 22 Insulator 30 Filament
Claims (1)
に真空中でイオンビームを照射して当該基板を処理する
装置であって、ホルダの上流側にファラデーカップを有
するものにおいて、前記ファラデーカップの内壁に、同
内壁を覆う金属ライナーであって、複数に分割されてお
り、しかも互いにかつファラデーカップから電気的に絶
縁されたものを、着脱可能に取り付けたことを特徴とす
るイオン処理装置。1. An apparatus for irradiating a substrate held by a holder for holding a substrate with an ion beam in a vacuum to process the substrate, wherein the apparatus has a Faraday cup on the upstream side of the holder. An ion processing apparatus, wherein a metal liner for covering the inner wall of the above, which is divided into a plurality of pieces, and which is electrically insulated from each other and from the Faraday cup, is detachably attached.
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|---|---|---|---|
| JP31851191A JP3149486B2 (en) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | Ion processing apparatus and method of using the same |
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| JP31851191A JP3149486B2 (en) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | Ion processing apparatus and method of using the same |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149486B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11152565A (en) * | 1997-09-08 | 1999-06-08 | Eaton Corp | Electron shower of ion implantation apparatus, extension tube and method for regeneration of this tube |
| CN108615666A (en) * | 2016-12-09 | 2018-10-02 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | Beam detection device |
-
1991
- 1991-11-06 JP JP31851191A patent/JP3149486B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11152565A (en) * | 1997-09-08 | 1999-06-08 | Eaton Corp | Electron shower of ion implantation apparatus, extension tube and method for regeneration of this tube |
| CN108615666A (en) * | 2016-12-09 | 2018-10-02 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | Beam detection device |
| CN108615666B (en) * | 2016-12-09 | 2024-04-19 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | Beam current detection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3149486B2 (en) | 2001-03-26 |
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