JPH0512646A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH0512646A JPH0512646A JP18511991A JP18511991A JPH0512646A JP H0512646 A JPH0512646 A JP H0512646A JP 18511991 A JP18511991 A JP 18511991A JP 18511991 A JP18511991 A JP 18511991A JP H0512646 A JPH0512646 A JP H0512646A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 摺動耐久性に優れ、非磁性支持体の加熱を低
減しノイズを低減することが可能な垂直磁気記録媒体を
提供する。 【構成】 Ｃｏ−Ｃｒ合金膜にカーボンを０．０５〜
２．０重量％、好ましくは０．０５〜０．５重量％添加
する。カーボンを添加することで、低温で成膜した場合
にも保磁力が確保される。また、カーボンを添加したＣ
ｏ−Ｃｒ膜上にカーボン保護膜を形成する。カーボン保
護膜の膜厚は、３０〜４００Åである。
減しノイズを低減することが可能な垂直磁気記録媒体を
提供する。 【構成】 Ｃｏ−Ｃｒ合金膜にカーボンを０．０５〜
２．０重量％、好ましくは０．０５〜０．５重量％添加
する。カーボンを添加することで、低温で成膜した場合
にも保磁力が確保される。また、カーボンを添加したＣ
ｏ−Ｃｒ膜上にカーボン保護膜を形成する。カーボン保
護膜の膜厚は、３０〜４００Åである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣｏＣｒ系垂直磁化膜
を磁性層とする垂直磁気記録媒体に関するものである。
を磁性層とする垂直磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、年々高密度
化が要求されており、用いる磁気記録媒体もこれに合わ
せて磁性酸化物をバインダーと共に塗布形成するものか
ら、金属磁性薄膜を磁性層とする金属薄膜型媒体へと移
行しつつある。また、記録方式も、面内に磁化の容易軸
を持った磁気記録媒体を用いる，いわゆる面内磁気記録
方式から、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する
磁気記録媒体を用いる垂直磁気記録方式への移行が期待
されている。垂直磁気記録方式は、高密度記録したとき
に面内磁気記録方式に比べて減磁作用が極めて少なく却
って磁化が安定するという特徴を有し、かかる方式を採
用することで記録密度を飛躍的に増大することが可能と
なる。
化が要求されており、用いる磁気記録媒体もこれに合わ
せて磁性酸化物をバインダーと共に塗布形成するものか
ら、金属磁性薄膜を磁性層とする金属薄膜型媒体へと移
行しつつある。また、記録方式も、面内に磁化の容易軸
を持った磁気記録媒体を用いる，いわゆる面内磁気記録
方式から、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する
磁気記録媒体を用いる垂直磁気記録方式への移行が期待
されている。垂直磁気記録方式は、高密度記録したとき
に面内磁気記録方式に比べて減磁作用が極めて少なく却
って磁化が安定するという特徴を有し、かかる方式を採
用することで記録密度を飛躍的に増大することが可能と
なる。
【０００３】ところで、この垂直磁気記録方式に用いら
れる磁気記録媒体の磁性層は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜が主
で、スパッタ法や真空蒸着法等によって成膜される。こ
こで、スパッタ法あるいは真空蒸着法の何れの方法でＣ
ｏ−Ｃｒ合金膜を成膜する場合にも、ある程度の抗磁力
Ｈｃ（例えば７００エルステッド＝５６ｋＡ／ｍ以上）
を確保するためには、成膜時の基板温度を約２００℃以
上の高温にする必要がある。
れる磁気記録媒体の磁性層は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜が主
で、スパッタ法や真空蒸着法等によって成膜される。こ
こで、スパッタ法あるいは真空蒸着法の何れの方法でＣ
ｏ−Ｃｒ合金膜を成膜する場合にも、ある程度の抗磁力
Ｈｃ（例えば７００エルステッド＝５６ｋＡ／ｍ以上）
を確保するためには、成膜時の基板温度を約２００℃以
上の高温にする必要がある。
【０００４】しかしながら、基板を前述のように高温に
加熱すると、いわゆるカッピングやしわの発生の問題の
他、成膜装置に熱変形等によりくるいが生ずる等の問題
があり、連続膜形成装置での製造を考えた場合、できる
だけ室温に近い温度で膜形成できることが好ましい。
加熱すると、いわゆるカッピングやしわの発生の問題の
他、成膜装置に熱変形等によりくるいが生ずる等の問題
があり、連続膜形成装置での製造を考えた場合、できる
だけ室温に近い温度で膜形成できることが好ましい。
【０００５】一方、摺動耐久性の点から言えば、Ｃｏ−
Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体も、金属薄
膜型の磁気記録媒体であるが故にその改善が大きな課題
となる。したがって、これに適した保護膜の選定が必要
不可欠である。
Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体も、金属薄
膜型の磁気記録媒体であるが故にその改善が大きな課題
となる。したがって、これに適した保護膜の選定が必要
不可欠である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、Ｃｏ−
Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体において
は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を成膜する際の基板温度を極力下
げることが望まれ、また摺動耐久性を確保することが望
まれる。
Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体において
は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を成膜する際の基板温度を極力下
げることが望まれ、また摺動耐久性を確保することが望
まれる。
【０００７】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、磁性層を成膜する際の基板
温度を下げることができ、保磁力等の磁気特性に優れる
とともにノイズの少ない垂直磁気記録媒体を提供するこ
とを目的とする。さらに本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜に
適した保護膜を選定し、摺動耐久性に優れた垂直磁気記
録媒体を提供することを目的とする。
て提案されたものであって、磁性層を成膜する際の基板
温度を下げることができ、保磁力等の磁気特性に優れる
とともにノイズの少ない垂直磁気記録媒体を提供するこ
とを目的とする。さらに本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜に
適した保護膜を選定し、摺動耐久性に優れた垂直磁気記
録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、Ｃｏ−Ｃｒ
合金膜にカーボン（Ｃ）を添加することで成膜時の基板
温度を下げることができること、さらにはこのカーボン
を添加したＣｏ−Ｃｒ合金膜はカーボン保護膜との馴染
みが良く摺動耐久性が大幅に改善されることを見出すに
至った。本発明は、前記知見に基づいて完成されたもの
であって、非磁性支持体上にＣｏ及びＣｒを主体としカ
ーボンを０．０５〜２．０重量％含有する金属磁性薄膜
が磁性層として形成されてなり、前記金属磁性薄膜上に
厚さ３０〜４００Åのカーボン保護膜が形成されている
ことを特徴とするものである。
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、Ｃｏ−Ｃｒ
合金膜にカーボン（Ｃ）を添加することで成膜時の基板
温度を下げることができること、さらにはこのカーボン
を添加したＣｏ−Ｃｒ合金膜はカーボン保護膜との馴染
みが良く摺動耐久性が大幅に改善されることを見出すに
至った。本発明は、前記知見に基づいて完成されたもの
であって、非磁性支持体上にＣｏ及びＣｒを主体としカ
ーボンを０．０５〜２．０重量％含有する金属磁性薄膜
が磁性層として形成されてなり、前記金属磁性薄膜上に
厚さ３０〜４００Åのカーボン保護膜が形成されている
ことを特徴とするものである。
【０００９】すなわち、本発明の垂直磁気記録媒体は、
図１に示すように、非磁性支持体１０１上にＣ含有Ｃｏ
−Ｃｒ合金膜１０２を磁性層として形成するとともに、
カーボンからなる保護膜１０３を形成してなるものであ
る。ここで、磁性層であるＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜１０
２は、ＣｏとＣｒを主成分とするものであるが、その組
成はＣｏ−Ｃｒ合金が磁性体として十分に機能する範囲
であればよく、通常はＣｒが０〜２５重量％とされる。
図１に示すように、非磁性支持体１０１上にＣ含有Ｃｏ
−Ｃｒ合金膜１０２を磁性層として形成するとともに、
カーボンからなる保護膜１０３を形成してなるものであ
る。ここで、磁性層であるＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜１０
２は、ＣｏとＣｒを主成分とするものであるが、その組
成はＣｏ−Ｃｒ合金が磁性体として十分に機能する範囲
であればよく、通常はＣｒが０〜２５重量％とされる。
【００１０】さらに、本発明においては、Ｃｏ−Ｃｒ合
金膜にカーボン（Ｃ）を添加してＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金
膜１０２となし、成膜する際の基板温度が低くとも十分
な磁気特性，特に保磁力を確保できるようにする。この
とき、カーボンの添加量としては、０．０５〜２．０重
量％とすることが好ましく、０．０５〜０．５重量％と
することがより好ましい。カーボンの添加量が０．０５
重量％未満であると、十分な効果が得られず、逆にカー
ボンの添加量が２．０重量％を越えると、磁気特性、殊
に垂直磁気異方性が劣化する虞れがある。
金膜にカーボン（Ｃ）を添加してＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金
膜１０２となし、成膜する際の基板温度が低くとも十分
な磁気特性，特に保磁力を確保できるようにする。この
とき、カーボンの添加量としては、０．０５〜２．０重
量％とすることが好ましく、０．０５〜０．５重量％と
することがより好ましい。カーボンの添加量が０．０５
重量％未満であると、十分な効果が得られず、逆にカー
ボンの添加量が２．０重量％を越えると、磁気特性、殊
に垂直磁気異方性が劣化する虞れがある。
【００１１】一方、上記Ｃ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜１０２
上に形成される保護膜１０３は、カーボンからなるもの
で、摺動耐久性を大幅に改善するという役割を果たすも
のである。前記保護膜１０３としては、ＳｉＯ2 等、各
種材質のものが考えられるが、Ｃ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜
の保護膜にはカーボン膜が最も適しており、カーボンか
らなる保護膜１０３を形成することで摺動耐久性を大幅
に改善することができることがわかった。
上に形成される保護膜１０３は、カーボンからなるもの
で、摺動耐久性を大幅に改善するという役割を果たすも
のである。前記保護膜１０３としては、ＳｉＯ2 等、各
種材質のものが考えられるが、Ｃ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜
の保護膜にはカーボン膜が最も適しており、カーボンか
らなる保護膜１０３を形成することで摺動耐久性を大幅
に改善することができることがわかった。
【００１２】前記カーボンからなる保護膜１０３を形成
する場合、膜厚の選定が重要で、ここでは３０〜４００
Åとする。保護膜１０３の膜厚が３０Å未満では、連続
膜とならず十分な摺動耐久性を確保することができな
い。また、保護膜１０３の膜厚が４００Åを越えると、
スペーシングにより特に短波長域での出力が半減する。
なお、上記保護膜１０３の表面には、走行性の改善等を
目的として、各種潤滑剤からなる被膜を形成してもよ
い。
する場合、膜厚の選定が重要で、ここでは３０〜４００
Åとする。保護膜１０３の膜厚が３０Å未満では、連続
膜とならず十分な摺動耐久性を確保することができな
い。また、保護膜１０３の膜厚が４００Åを越えると、
スペーシングにより特に短波長域での出力が半減する。
なお、上記保護膜１０３の表面には、走行性の改善等を
目的として、各種潤滑剤からなる被膜を形成してもよ
い。
【００１３】
【作用】Ｃｏ−Ｃｒ合金膜にカーボン（Ｃ）を添加する
と、成膜時の基板温度が低くとも磁気特性，特に保磁力
Ｈｃが高められる。また、カーボンを添加したＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜は、カーボン保護膜との馴染みが良く、所定範
囲の膜厚を有するカーボン保護膜を形成することで摺動
耐久性が大幅に改善される。
と、成膜時の基板温度が低くとも磁気特性，特に保磁力
Ｈｃが高められる。また、カーボンを添加したＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜は、カーボン保護膜との馴染みが良く、所定範
囲の膜厚を有するカーボン保護膜を形成することで摺動
耐久性が大幅に改善される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面や実験結果を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面や実験結果を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】先ず、本実施例においては、図２に示すよ
うな連続スパッタ装置を用いてＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁
気記録媒体を作製した。このスパッタ装置は、真空チャ
ンバ１内の略中央部にキャンロール２を配置するととも
に、このキャンロール２よりも上方位置に巻出しロール
３及び巻き取りロール４を配置してなるものである。し
たがって、ベースフィルムＢは、巻出しロール３からキ
ャンロール２へと送り出され、キャンロール２に沿って
走行することによってＣｏ−Ｃｒ合金膜が成膜された
後、巻き取りロール４に巻き取られる。
うな連続スパッタ装置を用いてＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁
気記録媒体を作製した。このスパッタ装置は、真空チャ
ンバ１内の略中央部にキャンロール２を配置するととも
に、このキャンロール２よりも上方位置に巻出しロール
３及び巻き取りロール４を配置してなるものである。し
たがって、ベースフィルムＢは、巻出しロール３からキ
ャンロール２へと送り出され、キャンロール２に沿って
走行することによってＣｏ−Ｃｒ合金膜が成膜された
後、巻き取りロール４に巻き取られる。
【００１６】一方、キャンロール２の下方位置には、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金からなるターゲット及びカーボンからなる
ターゲット（併せてターゲット５として表示する。）が
対向配置されるとともに、キャンロール２近傍には、こ
のターゲット５から飛来する粒子の入射角度を規制する
ための一対のマスク６，７や熱電対８が設置されてい
る。したがって、Ｃ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜は、ベースフ
ィルムＢに対してほぼ垂直方向から成膜されることにな
る。
ｏ−Ｃｒ合金からなるターゲット及びカーボンからなる
ターゲット（併せてターゲット５として表示する。）が
対向配置されるとともに、キャンロール２近傍には、こ
のターゲット５から飛来する粒子の入射角度を規制する
ための一対のマスク６，７や熱電対８が設置されてい
る。したがって、Ｃ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜は、ベースフ
ィルムＢに対してほぼ垂直方向から成膜されることにな
る。
【００１７】本実施例においては、ベースフィルムＢに
は、３００℃以上の耐熱性を有する厚さ４０μｍのポリ
イミドフィルムを用いた。また、スパッタリング条件は
次の通りである。先ず、ベースフィルムＢのガス出し温
度は１５０℃、背圧Ｐb ＝３×１０-6Torr（＝４×１０
-4Ｐａ）、アルゴン圧ＰAr＝１ｍTorr（＝０．１３Ｐ
ａ）である。
は、３００℃以上の耐熱性を有する厚さ４０μｍのポリ
イミドフィルムを用いた。また、スパッタリング条件は
次の通りである。先ず、ベースフィルムＢのガス出し温
度は１５０℃、背圧Ｐb ＝３×１０-6Torr（＝４×１０
-4Ｐａ）、アルゴン圧ＰAr＝１ｍTorr（＝０．１３Ｐ
ａ）である。
【００１８】ターゲット５は、Ｃｏ−Ｃｒターゲット
（Ｃｒ含有量２１重量％）の上にカーボンチップを面積
比０．５〜５％の範囲で載せ、投入パワーは２ｋＷ（６
００Ｖ×３．３Ａ）とし、ＤＣマグネトロン型スパッタ
リングを行った。ベースフィルムＢ−ターゲット５間距
離は７０mm、膜形成速度は２０００Å／分である。ベー
スフィルムＢの送り速度は１５cm／分で、Ｃ含有Ｃｏ−
Ｃｒ合金膜は２０００Åの膜厚となるように成膜した。
（Ｃｒ含有量２１重量％）の上にカーボンチップを面積
比０．５〜５％の範囲で載せ、投入パワーは２ｋＷ（６
００Ｖ×３．３Ａ）とし、ＤＣマグネトロン型スパッタ
リングを行った。ベースフィルムＢ−ターゲット５間距
離は７０mm、膜形成速度は２０００Å／分である。ベー
スフィルムＢの送り速度は１５cm／分で、Ｃ含有Ｃｏ−
Ｃｒ合金膜は２０００Åの膜厚となるように成膜した。
【００１９】以上の手法に従い、カーボンの添加量を変
えて種々のＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を成膜した後、保護
膜を形成し、さらにその表面に潤滑剤を塗布して各種サ
ンプルを作製した。作製したサンプルにおけるＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜の組成、保護膜の種類、膜厚を表１に示す。
えて種々のＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を成膜した後、保護
膜を形成し、さらにその表面に潤滑剤を塗布して各種サ
ンプルを作製した。作製したサンプルにおけるＣｏ−Ｃ
ｒ合金膜の組成、保護膜の種類、膜厚を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】次いで、これらサンプルについて、保磁力
Ｈｃ１０００(Oe)とするのに必要な基板温度、垂直磁気
異方性Ｈｋeff 、波長０．５μｍの信号を記録再生した
ときの相対出力、並びに摺動耐久性を調べた。なお、垂
直磁気異方性Ｈｋeff は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）
を用いて測定した面内方向のＭ−Ｈループの傾きより求
めた。相対出力は、線速３ｍ／秒とし、トラック幅２０
μｍ、ギャップ長０．２５μｍ、デプス２０μｍのメタ
ル・イン・ギャップタイプの磁気ヘッドを用いて測定し
た。摺動耐久性は、初期値から−３ｄＢまでのパス数と
した。結果を表２に示す。
Ｈｃ１０００(Oe)とするのに必要な基板温度、垂直磁気
異方性Ｈｋeff 、波長０．５μｍの信号を記録再生した
ときの相対出力、並びに摺動耐久性を調べた。なお、垂
直磁気異方性Ｈｋeff は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）
を用いて測定した面内方向のＭ−Ｈループの傾きより求
めた。相対出力は、線速３ｍ／秒とし、トラック幅２０
μｍ、ギャップ長０．２５μｍ、デプス２０μｍのメタ
ル・イン・ギャップタイプの磁気ヘッドを用いて測定し
た。摺動耐久性は、初期値から−３ｄＢまでのパス数と
した。結果を表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】この表２を見ると明らかなように、カーボ
ンをＣｏ−Ｃｒ合金に添加することにより、４０℃以上
基板温度を低くすることができる。ただし、比較例３を
見ると明らかなように、カーボン添加量が多くなりすぎ
ると、垂直磁気異方性が劣化している。また、比較例２
を見ると明らかなように、カーボンの添加のみでは摺動
耐久性は著しく悪く、保護膜が必要である
ンをＣｏ−Ｃｒ合金に添加することにより、４０℃以上
基板温度を低くすることができる。ただし、比較例３を
見ると明らかなように、カーボン添加量が多くなりすぎ
ると、垂直磁気異方性が劣化している。また、比較例２
を見ると明らかなように、カーボンの添加のみでは摺動
耐久性は著しく悪く、保護膜が必要である
【００２４】そこで、保護膜の性能を比べるために、各
実施例と比較例４〜５とを対比してみると、カーボンを
保護膜とした場合に摺動耐久性が大きく向上している。
これに対して、ＳｉＯ2 やＣｏ−Ｏを保護膜とした場合
には、ある程度の改善は見られるものの、カーボンに比
べて耐久性が悪い。また、保護膜の膜厚に関して言え
ば、比較例６のようにあまり膜厚が厚くなると出力の低
下が見られる。
実施例と比較例４〜５とを対比してみると、カーボンを
保護膜とした場合に摺動耐久性が大きく向上している。
これに対して、ＳｉＯ2 やＣｏ−Ｏを保護膜とした場合
には、ある程度の改善は見られるものの、カーボンに比
べて耐久性が悪い。また、保護膜の膜厚に関して言え
ば、比較例６のようにあまり膜厚が厚くなると出力の低
下が見られる。
【００２５】以上、本発明の具体的な実施例について説
明したが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
であることは言うまでもない。例えば、先の実施例にお
いてＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜はスパッタ法により成膜し
たが、真空蒸着法を採用してもよい。
明したが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
であることは言うまでもない。例えば、先の実施例にお
いてＣ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜はスパッタ法により成膜し
たが、真空蒸着法を採用してもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜にカーボンを添加して
いるので、成膜時の基板温度を低く設定することがで
き、製造上非常に有利であり、またノイズ等も低減する
ことが可能となる。また、本発明においては、Ｃ含有Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金膜に適した保護膜であるカーボン保護膜を
磁性層上に形成しているので、摺動耐久性を大幅に向上
することが可能である。
明においては、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜にカーボンを添加して
いるので、成膜時の基板温度を低く設定することがで
き、製造上非常に有利であり、またノイズ等も低減する
ことが可能となる。また、本発明においては、Ｃ含有Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金膜に適した保護膜であるカーボン保護膜を
磁性層上に形成しているので、摺動耐久性を大幅に向上
することが可能である。
【図１】本発明を適用した垂直磁気記録媒体の一例を示
す要部概略断面図である。
す要部概略断面図である。
【図２】連続スパッタリング装置の構成例を示す模式図
である。
である。
１０１・・・非磁性支持体 １０２・・・Ｃ含有Ｃｏ−Ｃｒ合金膜 １０３・・・カーボン保護膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 非磁性支持体上にＣｏ及びＣｒを主体と
しカーボンを０．０５〜２．０重量％含有する金属磁性
薄膜が磁性層として形成されてなり、 前記金属磁性薄膜上に厚さ３０〜４００Åのカーボン保
護膜が形成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18511991A JPH0512646A (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18511991A JPH0512646A (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512646A true JPH0512646A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16165202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18511991A Pending JPH0512646A (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512646A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083839A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Seagate Technology, Llc | Multilayer perpendicular media with high-boron or high-carbon additives to cocr films |
-
1991
- 1991-06-29 JP JP18511991A patent/JPH0512646A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083839A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Seagate Technology, Llc | Multilayer perpendicular media with high-boron or high-carbon additives to cocr films |
| CN100336108C (zh) * | 2002-03-29 | 2007-09-05 | 希捷科技有限公司 | 钴铬薄膜中具有高硼或高碳添加剂的多层垂直介质 |
| US7323259B2 (en) | 2002-03-29 | 2008-01-29 | Seagate Technology Llc | Multilayer perpendicular media with high-boron or high-carbon additives to CoCr films |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991130 |