JPH05125551A - 化学銅めつき浴 - Google Patents
化学銅めつき浴Info
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- JPH05125551A JPH05125551A JP28755791A JP28755791A JPH05125551A JP H05125551 A JPH05125551 A JP H05125551A JP 28755791 A JP28755791 A JP 28755791A JP 28755791 A JP28755791 A JP 28755791A JP H05125551 A JPH05125551 A JP H05125551A
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- copper
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- copper plating
- bath
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Abstract
(57)【要約】
【構成】水溶性の２価の銅化合物、２価銅イオンの
錯化剤、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイド
ライド、ｐＨ調整剤、浴安定性を向上せしめる添加
剤、界面活性剤から成る化学銅めっき浴を用いてめっ
きを行なう。 【効果】本発明の化学銅めっき浴は還元剤としてホルマ
リンを用いない。このため、アルカリに侵食されるポリ
イミド、多くのポジ型フォトレジスト、セラミック等の
器材上にめっきを行なうことが出来、かつ、本化学銅め
っき浴の使用は作業者の健康上、何ら問題がない。
錯化剤、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイド
ライド、ｐＨ調整剤、浴安定性を向上せしめる添加
剤、界面活性剤から成る化学銅めっき浴を用いてめっ
きを行なう。 【効果】本発明の化学銅めっき浴は還元剤としてホルマ
リンを用いない。このため、アルカリに侵食されるポリ
イミド、多くのポジ型フォトレジスト、セラミック等の
器材上にめっきを行なうことが出来、かつ、本化学銅め
っき浴の使用は作業者の健康上、何ら問題がない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化学銅めっき浴に係り、
還元剤としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイ
ドライドを用いるめっき方法に関する。
還元剤としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイ
ドライドを用いるめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路基板の製造において、スル
ーホールおよびバイアホールおよび／あるいは回路用導
体の形成に化学銅めっき方法が広く用いられている。現
在、主に用いられている化学銅めっき方法は、一般的に
は水溶性の２価の銅化合物、該２価銅イオンの錯化剤、
還元剤としてホルムアルデヒド、ｐＨ調整剤、および、
浴安定化、析出銅の物性改善、銅析出速度の高速化を目
的とした種々の添加剤を含む化学銅めっき浴を用いてい
る。
ーホールおよびバイアホールおよび／あるいは回路用導
体の形成に化学銅めっき方法が広く用いられている。現
在、主に用いられている化学銅めっき方法は、一般的に
は水溶性の２価の銅化合物、該２価銅イオンの錯化剤、
還元剤としてホルムアルデヒド、ｐＨ調整剤、および、
浴安定化、析出銅の物性改善、銅析出速度の高速化を目
的とした種々の添加剤を含む化学銅めっき浴を用いてい
る。
【０００３】これらのめっき方法は十分な結果をもたら
し、広く使用されているにもかかわらず、以下の理由に
より、還元剤にホルムアルデヒドを用いないめっき浴に
よる化学銅めっき方法が探索されている。
し、広く使用されているにもかかわらず、以下の理由に
より、還元剤にホルムアルデヒドを用いないめっき浴に
よる化学銅めっき方法が探索されている。
【０００４】第１にホルマリンは、ｐＨ１１以上の高ア
ルカリにおいてのみ、還元剤としての活性を有する。従
って、ホルマリンを使用するめっき液は必然的に高アル
カリ性であり、アルカリに侵食されるポリイミド、多く
のポジ型フォトレジスト、セラミック等の器材上にめっ
きを行なうことが出来ない。
ルカリにおいてのみ、還元剤としての活性を有する。従
って、ホルマリンを使用するめっき液は必然的に高アル
カリ性であり、アルカリに侵食されるポリイミド、多く
のポジ型フォトレジスト、セラミック等の器材上にめっ
きを行なうことが出来ない。
【０００５】第２にホルマリンは癌を引き起こす可能性
のある物質であり、多量のホルマリン蒸気を発生する化
学銅めっき浴の使用は作業者の健康上、避けることが望
ましい。
のある物質であり、多量のホルマリン蒸気を発生する化
学銅めっき浴の使用は作業者の健康上、避けることが望
ましい。
【０００６】上記ホルマリン以外の化学銅めっきの還元
剤に使用可能な物質としては、次亜リン酸塩、水素化ホ
ウ素ナトリウム、ヒドラジン、アミンボラン等が報告さ
れている。特開平１−１８０９８６には次亜リン酸塩を
還元剤とする化学銅めっき液は自己触媒性が無いため、
一般に１μｍ以上の銅皮膜を析出できず、従ってプリン
ト回路基板の製造のような厚膜の銅の析出が必要な目的
には使用出来ない。水素化ホウ素ナトリウムおよびヒド
ラジンは、ホルマリンと同様に、その活性発揮のために
は高アルカリ条件が必要であり、その使用は限定され
る。アミンボランは中性〜アルカリ性において化学銅め
っきに使用でき、特開平２−３０５９７１には本物質を
還元剤とする化学銅めっき浴が示されている。
剤に使用可能な物質としては、次亜リン酸塩、水素化ホ
ウ素ナトリウム、ヒドラジン、アミンボラン等が報告さ
れている。特開平１−１８０９８６には次亜リン酸塩を
還元剤とする化学銅めっき液は自己触媒性が無いため、
一般に１μｍ以上の銅皮膜を析出できず、従ってプリン
ト回路基板の製造のような厚膜の銅の析出が必要な目的
には使用出来ない。水素化ホウ素ナトリウムおよびヒド
ラジンは、ホルマリンと同様に、その活性発揮のために
は高アルカリ条件が必要であり、その使用は限定され
る。アミンボランは中性〜アルカリ性において化学銅め
っきに使用でき、特開平２−３０５９７１には本物質を
還元剤とする化学銅めっき浴が示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、多くの
ホルマリンを用いない化学銅めっき浴およびめっき方法
が過去に提案されているが、浴安定性、析出速度、析出
皮膜物性等に問題があり、実用に供されていない。
ホルマリンを用いない化学銅めっき浴およびめっき方法
が過去に提案されているが、浴安定性、析出速度、析出
皮膜物性等に問題があり、実用に供されていない。
【０００８】本発明はホルマリンを用いることによって
生ずる上記の問題を持たず、実用的に問題のない化学銅
めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
生ずる上記の問題を持たず、実用的に問題のない化学銅
めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明の、水
溶性の２価銅化合物、該銅化合物の錯化剤、還元剤、ｐ
Ｈ調整剤、浴安定性を向上せしめる添加剤、界面活性剤
より成る化学銅めっき液を用い、めっきを行なうことに
よって達成される。
溶性の２価銅化合物、該銅化合物の錯化剤、還元剤、ｐ
Ｈ調整剤、浴安定性を向上せしめる添加剤、界面活性剤
より成る化学銅めっき液を用い、めっきを行なうことに
よって達成される。
【００１０】該水溶性の２価銅化合物としては、硫酸
銅、硝酸銅、酢酸銅等が挙げられ、主として経済的理由
によって硫酸銅が用いられる。その好ましい濃度範囲は
０．００５〜０．０４Ｍであり、これより低濃度ではめ
っき速度が低下して実用性を持たず、高濃度では浴が不
安定となる。
銅、硝酸銅、酢酸銅等が挙げられ、主として経済的理由
によって硫酸銅が用いられる。その好ましい濃度範囲は
０．００５〜０．０４Ｍであり、これより低濃度ではめ
っき速度が低下して実用性を持たず、高濃度では浴が不
安定となる。
【００１１】該銅化合物の錯化剤の選択はめっきの浴安
定性に本質的な問題であり、銅との錯形成定数が１５以
上で、溶液中において還元剤からの攻撃を保護しうる配
位構造を有するものが適する。具体的には、エチレンジ
アミン４酢酸、シクロヘキサンジアミン４酢酸、ジエチ
レントリアミン５酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジア
ミン３酢酸等のポリアミンカルボン酸およびそれらのナ
トリウム塩が挙げられる。好ましい濃度範囲は該錯化剤
の銅イオンへの配位数によって異なり、一般的には銅イ
オン濃度と配位数の積の２倍以上で使用する。この濃度
以下では浴安定性が低下する。
定性に本質的な問題であり、銅との錯形成定数が１５以
上で、溶液中において還元剤からの攻撃を保護しうる配
位構造を有するものが適する。具体的には、エチレンジ
アミン４酢酸、シクロヘキサンジアミン４酢酸、ジエチ
レントリアミン５酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジア
ミン３酢酸等のポリアミンカルボン酸およびそれらのナ
トリウム塩が挙げられる。好ましい濃度範囲は該錯化剤
の銅イオンへの配位数によって異なり、一般的には銅イ
オン濃度と配位数の積の２倍以上で使用する。この濃度
以下では浴安定性が低下する。
【００１２】該還元剤は、テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムボロハイドライドを用いる。好ましい濃度範囲は
０．０５〜０．２Ｍであり、これより低濃度ではめっき
速度が低下して実用性を持たず、高濃度では浴が不安定
となる。
ウムボロハイドライドを用いる。好ましい濃度範囲は
０．０５〜０．２Ｍであり、これより低濃度ではめっき
速度が低下して実用性を持たず、高濃度では浴が不安定
となる。
【００１３】該ｐＨ調整剤は使用する錯化剤に依存する
が、ｐＨを上げる場合には水酸化ナトリウムのような水
酸化アルカリが、ｐＨを上げる場合には硫酸のような酸
が適する。本めっき液の適するｐＨ範囲は７〜１０であ
り、これ以下のｐＨでは実用的な速度でめっきが起こら
ず、これ以上のｐＨでは液安定性が低下する。
が、ｐＨを上げる場合には水酸化ナトリウムのような水
酸化アルカリが、ｐＨを上げる場合には硫酸のような酸
が適する。本めっき液の適するｐＨ範囲は７〜１０であ
り、これ以下のｐＨでは実用的な速度でめっきが起こら
ず、これ以上のｐＨでは液安定性が低下する。
【００１４】該浴安定性を向上せしめる添加剤として
は、１価の銅の錯化剤あるいは／およびアンモニウムイ
オンを遊離する化合物が挙げられる。１価の銅の錯化剤
は、２，２’−ジピリジル、１，１０−フェナントロリ
ンのような１価銅イオンを錯化できる化合物である。ま
た、アンモニウムイオンを遊離する化合物とは、水酸化
アンモニウム、硫酸アンモニウム等の水溶液中でイオン
解離してアンモニウムイオンを発生できる化合物であ
る。好ましい濃度範囲は１０~5〜０．１Ｍである。
は、１価の銅の錯化剤あるいは／およびアンモニウムイ
オンを遊離する化合物が挙げられる。１価の銅の錯化剤
は、２，２’−ジピリジル、１，１０−フェナントロリ
ンのような１価銅イオンを錯化できる化合物である。ま
た、アンモニウムイオンを遊離する化合物とは、水酸化
アンモニウム、硫酸アンモニウム等の水溶液中でイオン
解離してアンモニウムイオンを発生できる化合物であ
る。好ましい濃度範囲は１０~5〜０．１Ｍである。
【００１５】該界面活性剤は還元剤の反応に伴って発生
する水素の取扱いを容易にするために添加するものであ
り、アニオン系、カチオン系、中性の全てのタイプのも
のを使用できる。具体的には、アニオン系はドデシル硫
酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエ
ーテル硫酸塩等の硫酸塩、アルキルリン酸エステル塩等
のリン酸塩が、カチオン系はセチルトリメチルアンモニ
ウムクロライド等の第４級アンモニウム塩が、中性タイ
プはポリオキシエチレン系の化合物が挙げられる。好ま
しい濃度範囲は１０~6〜１０~3Ｍである。
する水素の取扱いを容易にするために添加するものであ
り、アニオン系、カチオン系、中性の全てのタイプのも
のを使用できる。具体的には、アニオン系はドデシル硫
酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエ
ーテル硫酸塩等の硫酸塩、アルキルリン酸エステル塩等
のリン酸塩が、カチオン系はセチルトリメチルアンモニ
ウムクロライド等の第４級アンモニウム塩が、中性タイ
プはポリオキシエチレン系の化合物が挙げられる。好ま
しい濃度範囲は１０~6〜１０~3Ｍである。
【００１６】上記の添加剤および界面活性剤は、ホルマ
リンを用いる化学銅めっき浴で通常使用されている浴安
定化、析出銅の物性改善、銅析出速度の高速化を目的と
した種々の化合物の使用を制限するものではない。
リンを用いる化学銅めっき浴で通常使用されている浴安
定化、析出銅の物性改善、銅析出速度の高速化を目的と
した種々の化合物の使用を制限するものではない。
【００１７】また、本発明のめっき浴は５０〜８０℃の
温度範囲で安定に使用可能である。これ以下の温度域で
は実用的な速度でめっきが起こらず、これ以上の温度域
では液安定性が低下する。
温度範囲で安定に使用可能である。これ以下の温度域で
は実用的な速度でめっきが起こらず、これ以上の温度域
では液安定性が低下する。
【００１８】
【作用】本発明の化学銅めっき浴に用いる還元剤のテト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライドは、ｐＨ
７以上、温度５０℃以上において銅表面上で酸化反応を
示し、その電位は−０．８Ｖｖｓ．ＳＣＥであり、銅を
還元する十分な能力を有する。
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライドは、ｐＨ
７以上、温度５０℃以上において銅表面上で酸化反応を
示し、その電位は−０．８Ｖｖｓ．ＳＣＥであり、銅を
還元する十分な能力を有する。
【００１９】該還元剤の使用により、ｐＨ７〜１０にお
いて銅めっきが行えるため、アルカリに侵食されるポリ
イミド、多くのポジ型フォトレジスト、セラミック等の
器材上にめっきを行なうことが出来る。
いて銅めっきが行えるため、アルカリに侵食されるポリ
イミド、多くのポジ型フォトレジスト、セラミック等の
器材上にめっきを行なうことが出来る。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を示して、さらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００２１】（実施例１）
【００２２】
【表１】
【００２３】下記組成の化学銅めっき浴を作成し、ＳＵ
Ｓ板上にめっきを行った。
Ｓ板上にめっきを行った。
【００２４】 硫酸銅 ：表１に示す量 ２価銅イオンの錯化剤 ：表１に示す量 テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライド：表１に示す量 ＮａＯＨ ：ｐＨ８とする量 ドデシル硫酸ナトリウム ：１００mg／ｌ 硫酸アンモニウム ：３０mg／ｌ 蒸留水 ：液量を１ｌにする量 還元剤を除くめっき液１ｌをビーカにいれ、５ミクロン
のフィルタを通した空気によって撹拌しながら、ウォー
ターバス中で液温を６０℃に上げた後、所定量の還元剤
を添加した。通常のパラジウム−スズ活性化によって表
面を処理したＳＵＳ板をこのめっき浴中に浸漬し、めっ
きを行った。ＳＵＳ板の重量を３０分ごとに測定するこ
とにより、めっき速度を求めた。
のフィルタを通した空気によって撹拌しながら、ウォー
ターバス中で液温を６０℃に上げた後、所定量の還元剤
を添加した。通常のパラジウム−スズ活性化によって表
面を処理したＳＵＳ板をこのめっき浴中に浸漬し、めっ
きを行った。ＳＵＳ板の重量を３０分ごとに測定するこ
とにより、めっき速度を求めた。
【００２５】硫酸銅、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
ボロハイドライドの量、２価銅イオンの錯化剤の種類と
量を表１に示す様に変化させ、その濃度範囲を求めた。
なお、めっき速度に関しては１．０μｍ／ｈ以下の場合
を×、１．０μｍ／ｈ以上を○、２．０μｍ／ｈ以上を
△とし、浴安定性については液の分解に至った場合を
×、分解なく銅イオンの消費を終えた場合を○とした。
その結果、硫酸銅は０．００５〜０．０４Ｍ，テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライドは０．０５〜
０．２Ｍの濃度範囲において、１．０μｍ／ｈ以上の速
度で安定にめっきが行えることが判った。これより低濃
度ではめっき速度が低下して実用性を持たず、高濃度で
は浴が不安定となった。２価銅イオンの錯化剤はＥＤＴ
Ａ・２Ｎａ（錯形成定数：１８．３）、シクロヘキサン
ジアミン４酢酸（錯形成定数：２１．３）について検討
し、どちらも銅イオン濃度の２倍以上の濃度において、
安定にめっきを行えることが判った。
ボロハイドライドの量、２価銅イオンの錯化剤の種類と
量を表１に示す様に変化させ、その濃度範囲を求めた。
なお、めっき速度に関しては１．０μｍ／ｈ以下の場合
を×、１．０μｍ／ｈ以上を○、２．０μｍ／ｈ以上を
△とし、浴安定性については液の分解に至った場合を
×、分解なく銅イオンの消費を終えた場合を○とした。
その結果、硫酸銅は０．００５〜０．０４Ｍ，テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライドは０．０５〜
０．２Ｍの濃度範囲において、１．０μｍ／ｈ以上の速
度で安定にめっきが行えることが判った。これより低濃
度ではめっき速度が低下して実用性を持たず、高濃度で
は浴が不安定となった。２価銅イオンの錯化剤はＥＤＴ
Ａ・２Ｎａ（錯形成定数：１８．３）、シクロヘキサン
ジアミン４酢酸（錯形成定数：２１．３）について検討
し、どちらも銅イオン濃度の２倍以上の濃度において、
安定にめっきを行えることが判った。
【００２６】（実施例２）
【００２７】
【表２】
【００２８】下記組成の化学銅めっき浴を作成し、実施
例１と同様の方法でＳＵＳ板上にめっきを行った。
例１と同様の方法でＳＵＳ板上にめっきを行った。
【００２９】 硫酸銅 ：０．０１モル／ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ ：０．０２モル／ｌ テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライド：０．０５モル／ｌ ＮａＯＨ ：ｐＨ８とする量 界面活性剤 ：表２に示す量 浴安定性を向上せしめる添加剤 ：表２に示す量 蒸留水 ：液量を１ｌにする量 界面活性剤、浴安定性を向上せしめる添加剤の種類と量
を表２に示す様に変化させ、その濃度範囲を求めた。
を表２に示す様に変化させ、その濃度範囲を求めた。
【００３０】界面活性剤として、ドデシル硫酸ナトリウ
ム（アニオン系）、セチルトリメチルアンモニウムクロ
ライド（カチオン系）、ポリエチレングリコール（中性
タイプ）の３種について検討し、どれも使用可能なこと
が判った。また、１０~6〜１０~3Ｍの濃度範囲において
安定にめっきが行えることが判った。
ム（アニオン系）、セチルトリメチルアンモニウムクロ
ライド（カチオン系）、ポリエチレングリコール（中性
タイプ）の３種について検討し、どれも使用可能なこと
が判った。また、１０~6〜１０~3Ｍの濃度範囲において
安定にめっきが行えることが判った。
【００３１】浴安定性を向上せしめる添加剤としては、
２，２’−ジピリジル、硫酸アンモニウムについて検討
し、１０~5〜０．１Ｍの濃度範囲において安定にめっき
が行えることが判った。
２，２’−ジピリジル、硫酸アンモニウムについて検討
し、１０~5〜０．１Ｍの濃度範囲において安定にめっき
が行えることが判った。
【００３２】界面活性剤、浴安定性を向上せしめる添加
剤ともに、上記濃度範囲以上ではめっき速度が低下して
実用性を持たず、濃度範囲以下では浴安定性が低下す
る。
剤ともに、上記濃度範囲以上ではめっき速度が低下して
実用性を持たず、濃度範囲以下では浴安定性が低下す
る。
【００３３】（実施例３）下記組成の化学銅めっき浴を
作成し、実施例１と同様の方法でＳＵＳ板上にめっきを
行った。
作成し、実施例１と同様の方法でＳＵＳ板上にめっきを
行った。
【００３４】 硫酸銅 ：０．０１モル／ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ ：０．０２モル／ｌ テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライド：０．０５モル／ｌ ＮａＯＨ ： ドデシル硫酸ナトリウム ：１００mg／ｌ 硫酸アンモニウム ：３０mg／ｌ 蒸留水 ：液量を１ｌにする量 ｐＨおよび温度を変化させ、その範囲を求めた。その結
果、７〜１０のｐＨ範囲、５０〜８０℃の温度範囲で安
定にめっきが行えることが判った。上記範囲以下ではめ
っき速度が低下して実用性を持たず、範囲以上では浴安
定性が低下する。
果、７〜１０のｐＨ範囲、５０〜８０℃の温度範囲で安
定にめっきが行えることが判った。上記範囲以下ではめ
っき速度が低下して実用性を持たず、範囲以上では浴安
定性が低下する。
【００３５】（実施例４）下記組成の化学銅めっき浴を
用いて、ＳＵＳ板上にめっきを行った。
用いて、ＳＵＳ板上にめっきを行った。
【００３６】 硫酸銅 ：０．０１モル／ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ ：０．０２モル／ｌ テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライド：０．０５モル／ｌ ＮａＯＨ ：ｐＨ８とする量 ドデシル硫酸ナトリウム ：１００mg／ｌ 硫酸アンモニウム ：３０mg／ｌ 蒸留水 ：液量を１ｌにする量 還元剤を除くめっき液３ｌをビーカにいれ、５ミクロン
のフィルタを通した空気によって撹拌しながら、ウォー
ターバス中で液温を６０℃に上げた後、所定量の還元剤
を添加した。通常のパラジウム−スズ活性化によって表
面を処理したＳＵＳ板をこのめっき浴中に浸漬し、めっ
きを行った。ＳＵＳ板の重量を３０分ごとに測定するこ
とにより、めっき速度を求めた。めっき速度は４．０μ
ｍ／ｈであり、浴の分解を起こすことなく、浴中の全銅
イオンを消費してめっきを停止した。得られた皮膜中の
ホウ素含有量を分析したところ、０．１％以下であり、
高純度の銅がめっきされることを確認した。
のフィルタを通した空気によって撹拌しながら、ウォー
ターバス中で液温を６０℃に上げた後、所定量の還元剤
を添加した。通常のパラジウム−スズ活性化によって表
面を処理したＳＵＳ板をこのめっき浴中に浸漬し、めっ
きを行った。ＳＵＳ板の重量を３０分ごとに測定するこ
とにより、めっき速度を求めた。めっき速度は４．０μ
ｍ／ｈであり、浴の分解を起こすことなく、浴中の全銅
イオンを消費してめっきを停止した。得られた皮膜中の
ホウ素含有量を分析したところ、０．１％以下であり、
高純度の銅がめっきされることを確認した。
【００３７】（実施例５）銅張り積層板上にパターン状
に厚さ５μｍポリイミド膜を形成した試料を作成し、ポ
リイミドで被われていない銅箔上に実施例 に示す組成
の化学銅めっき浴を用いてめっきを行った。３時間後、
試料をめっき液から引き上げて試料表面を観察したとこ
ろ、ポリイミド膜表面は何ら変化が認められず、銅箔上
のめっきも正常に行われていた。
に厚さ５μｍポリイミド膜を形成した試料を作成し、ポ
リイミドで被われていない銅箔上に実施例 に示す組成
の化学銅めっき浴を用いてめっきを行った。３時間後、
試料をめっき液から引き上げて試料表面を観察したとこ
ろ、ポリイミド膜表面は何ら変化が認められず、銅箔上
のめっきも正常に行われていた。
【００３８】
【発明の効果】本発明の化学銅めっき浴は還元剤として
ホルマリンを用いない。このため、アルカリに侵食され
るポリイミド、多くのポジ型フォトレジスト、セラミッ
ク等の器材上にめっきを行なうことが出来、かつ、本化
学銅めっき浴の使用は作業者の健康上、何ら問題がな
い。
ホルマリンを用いない。このため、アルカリに侵食され
るポリイミド、多くのポジ型フォトレジスト、セラミッ
ク等の器材上にめっきを行なうことが出来、かつ、本化
学銅めっき浴の使用は作業者の健康上、何ら問題がな
い。
【００３９】また、本発明の化学銅めっき浴は実用上必
要な全てに条件を満足しており、長時間、安定してめっ
きを行うことができる。
要な全てに条件を満足しており、長時間、安定してめっ
きを行うことができる。
Claims (9)
- 【請求項１】水溶性の２価の銅化合物 ２価銅イオンの錯化剤 テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムボロハイドライド ｐＨ調整剤 浴安定性を向上せしめる添加剤 界面活性剤 を主成分とすることを特徴とする化学銅めっき浴。
- 【請求項２】請求項１の水溶性の２価の銅化合物が硫酸
銅であり、０．００５〜０．０４Ｍの濃度で存在してい
ることを特徴とする化学銅めっき浴。 - 【請求項３】請求項１の２価銅イオンの錯化剤が銅との
錯形成定数が１５以上で、溶液中において還元剤からの
攻撃を保護しうる配位構造を有するものであることを特
徴とする化学銅めっき浴。 - 【請求項４】請求項１の２価銅イオンの錯化剤が銅イオ
ン濃度と銅への配位数の積の２倍以上の濃度で存在して
いることを特徴とする化学銅めっき浴。 - 【請求項５】請求項１の浴安定性を向上せしめる添加剤
が１価の銅の錯化剤あるいは／およびアンモニウムイオ
ンを遊離する化合物であり、１０~5〜０．１Ｍの濃度で
存在していることを特徴とする化学銅めっき浴。 - 【請求項６】請求項１の界面活性剤がアニオン系、カチ
オン系、中性タイプの界面活性剤から選択されたもので
あり、１０~6〜１０~3Ｍの濃度で存在していることを特
徴とする化学銅めっき浴。 - 【請求項７】ｐＨが７〜１０であることを特徴とする請
求項１の化学銅めっき浴。 - 【請求項８】５０〜８０℃の温度範囲で使用されること
を特徴とする請求項１の化学銅めっき浴。 - 【請求項９】請求項１の化学銅めっき浴を用いることを
特徴とする化学銅めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28755791A JPH05125551A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 化学銅めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28755791A JPH05125551A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 化学銅めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05125551A true JPH05125551A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=17718888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28755791A Pending JPH05125551A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 化学銅めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05125551A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110846646A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-02-28 | 卢桂珍 | 一种abs塑料化学镀铜液及其制备方法 |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP28755791A patent/JPH05125551A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110846646A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-02-28 | 卢桂珍 | 一种abs塑料化学镀铜液及其制备方法 |
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