JPH05121838A - 半導体レーザチツプキヤリア及び偏波合成システム - Google Patents
半導体レーザチツプキヤリア及び偏波合成システムInfo
- Publication number
- JPH05121838A JPH05121838A JP28242491A JP28242491A JPH05121838A JP H05121838 A JPH05121838 A JP H05121838A JP 28242491 A JP28242491 A JP 28242491A JP 28242491 A JP28242491 A JP 28242491A JP H05121838 A JPH05121838 A JP H05121838A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】垂直な偏波の光と水平な偏波の光とを合成する
偏波合成システムにおいて、半導体レーザ素子からの出
射光の光軸合わせを容易とし、小型化，低価格化を図
る。 【構成】チップキャリア１１に２つの半導体レーザ素子
２１，２２を装着する際、半導体レーザ素子２１の偏波
面が垂直に、半導体レーザ素子２２の出射光１０１は同
一平面上で各レーザ素子から当距離の位置で直角に交わ
るように装着する。この交点に偏波合成膜４１を配置
し、各レンズ３１，３２，３３ともに合成した光を光フ
ァイバ５１へ出力する。
偏波合成システムにおいて、半導体レーザ素子からの出
射光の光軸合わせを容易とし、小型化，低価格化を図
る。 【構成】チップキャリア１１に２つの半導体レーザ素子
２１，２２を装着する際、半導体レーザ素子２１の偏波
面が垂直に、半導体レーザ素子２２の出射光１０１は同
一平面上で各レーザ素子から当距離の位置で直角に交わ
るように装着する。この交点に偏波合成膜４１を配置
し、各レンズ３１，３２，３３ともに合成した光を光フ
ァイバ５１へ出力する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザによる光
通信，光情報処理システム等で利用される半導体素子チ
ップキャリアに関する。
通信，光情報処理システム等で利用される半導体素子チ
ップキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信システム，光交換システ
ムにおいて、２つの半導体レーザからの光を偏波合成す
ることはよく使われている。
ムにおいて、２つの半導体レーザからの光を偏波合成す
ることはよく使われている。
【０００３】例えば、図３を用いて説明すると、２台の
半導体レーザモジュール８１，８２がそれぞれ偏波保存
光ファイバ６１，６２を介して偏波合成器１１０の光フ
ァイバ端末５２，５４に接続されている。半導体レーザ
モジュール８１からの水平な偏波の出射光１０２と半導
体レーザモジュール８２からの垂直な偏波の出射光９２
とは、それぞれ光ファイバ結合レンズ３４，３５を介し
て偏波合成膜４２に照射され合成される。合成された光
は光ファイバ結合レンズ３６，光ファイバ端末５３を介
して光ファイバ５０へ出力される。
半導体レーザモジュール８１，８２がそれぞれ偏波保存
光ファイバ６１，６２を介して偏波合成器１１０の光フ
ァイバ端末５２，５４に接続されている。半導体レーザ
モジュール８１からの水平な偏波の出射光１０２と半導
体レーザモジュール８２からの垂直な偏波の出射光９２
とは、それぞれ光ファイバ結合レンズ３４，３５を介し
て偏波合成膜４２に照射され合成される。合成された光
は光ファイバ結合レンズ３６，光ファイバ端末５３を介
して光ファイバ５０へ出力される。
【０００４】図３の構成により光ファイバ増幅器の分野
において、偏波合成機１１０で２台の励起用半導体レー
ザモジュール８１，８２の出射光１０２，９２を合成し
て、高出力な励起光を得ることが可能である。また、高
信頼度の光通信システムの分野において、１台の半導体
レーザモジュールを通常の光源として使い、他１台を予
備とすることができる。
において、偏波合成機１１０で２台の励起用半導体レー
ザモジュール８１，８２の出射光１０２，９２を合成し
て、高出力な励起光を得ることが可能である。また、高
信頼度の光通信システムの分野において、１台の半導体
レーザモジュールを通常の光源として使い、他１台を予
備とすることができる。
【０００５】上記の従来の半導体レーザモジュールは、
図５のように、半導体レーザ素子２３がチップキャリア
１２の上面に配置される。出射光１０３の偏波は水平方
向である。このチップキャリアをパッケージに装着し、
レンズで半導体レーザ素子と偏波保存光ファイバを結合
する。
図５のように、半導体レーザ素子２３がチップキャリア
１２の上面に配置される。出射光１０３の偏波は水平方
向である。このチップキャリアをパッケージに装着し、
レンズで半導体レーザ素子と偏波保存光ファイバを結合
する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示した従来例の光偏波合成器では、各半導体レーザ素子
は図５のようなチップキャリアに搭載してモジュール化
することが必要であり、偏波保存光ファイバを使うとい
うことで、組立上光軸調整が困難であることと、偏波保
存光ファイバは高価であるという問題がある。
示した従来例の光偏波合成器では、各半導体レーザ素子
は図５のようなチップキャリアに搭載してモジュール化
することが必要であり、偏波保存光ファイバを使うとい
うことで、組立上光軸調整が困難であることと、偏波保
存光ファイバは高価であるという問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザチ
ップキャリアは、偏波合成すべき垂直な偏波面の第１の
出射光及び水平な偏波面の第２の出射光の各各をそれぞ
れ発生する第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レー
ザ素子とを、前記第１及び第２の出射光が同一平面上の
各発生源から当距離の位置で直角に交わるように装着し
ている。
ップキャリアは、偏波合成すべき垂直な偏波面の第１の
出射光及び水平な偏波面の第２の出射光の各各をそれぞ
れ発生する第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レー
ザ素子とを、前記第１及び第２の出射光が同一平面上の
各発生源から当距離の位置で直角に交わるように装着し
ている。
【０００８】本発明の偏波合成システムは、上記構成の
半導体レーザチップキャリアの前記第１及び第２の出射
光の交点に偏波合成膜を配置し、この偏波合成膜及びレ
ンズを介して偏波合成された前記第１及び第２の出射光
を１本の光ファイバに出力する構成である。
半導体レーザチップキャリアの前記第１及び第２の出射
光の交点に偏波合成膜を配置し、この偏波合成膜及びレ
ンズを介して偏波合成された前記第１及び第２の出射光
を１本の光ファイバに出力する構成である。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の外観図であり、
分図（ａ）はその上面図、分図（ｂ）はその斜視図であ
る。第１の半導体レーザ素子２１と、第２の半導体レー
ザ素子２２とを装着するチップキャリア１１において、
半導体レーザ素子２１の出射光９１は偏波面が垂直に、
また半導体レーザ素子２２の出射光１０１は偏波面が水
平になり、さらに半導体レーザ素子２１，２２は出射方
向が同一平面上で互いに直角に交わり、交点Ａから半導
体レーザ素子２１，２２までの距離が互いに等しくなる
ように、２つの半導体レーザ素子２１，２２を装着す
る。チップキャリア１１は、銅製で形成されると共に半
導体レーザ素子２１，２２を装着する台部の面１１ａ，
１１ｂは平坦な面であり、これにより半導体レーザ素子
２１，２２の位置合わせが容易にできる。半導体レーザ
素子２１，２２の上下の電極面には金の蒸着膜が形成さ
れ、この半導体レーザ素子２１，２２の下面及び、銅製
の台部の上面１１ａ，１１ｂは上述の蒸着膜によって相
互に熱融着される。
分図（ａ）はその上面図、分図（ｂ）はその斜視図であ
る。第１の半導体レーザ素子２１と、第２の半導体レー
ザ素子２２とを装着するチップキャリア１１において、
半導体レーザ素子２１の出射光９１は偏波面が垂直に、
また半導体レーザ素子２２の出射光１０１は偏波面が水
平になり、さらに半導体レーザ素子２１，２２は出射方
向が同一平面上で互いに直角に交わり、交点Ａから半導
体レーザ素子２１，２２までの距離が互いに等しくなる
ように、２つの半導体レーザ素子２１，２２を装着す
る。チップキャリア１１は、銅製で形成されると共に半
導体レーザ素子２１，２２を装着する台部の面１１ａ，
１１ｂは平坦な面であり、これにより半導体レーザ素子
２１，２２の位置合わせが容易にできる。半導体レーザ
素子２１，２２の上下の電極面には金の蒸着膜が形成さ
れ、この半導体レーザ素子２１，２２の下面及び、銅製
の台部の上面１１ａ，１１ｂは上述の蒸着膜によって相
互に熱融着される。
【００１１】図２は、本発明の半導体レーザチップキャ
リアを用いた光偏波合成システムの基本的構成例を示し
ている。チップキャリア１１の半導体レーザ素子２１，
２２からの出射光９１，１０１は、偏波合成膜４１と、
第１レンズ３１，３２と、第２レンズ３３で、光ファイ
バ５１と結合される。この光学系により、同じモジュー
ルで２つの半導体レーザ素子を実装でき、光軸調整が極
めて容易にできる。
リアを用いた光偏波合成システムの基本的構成例を示し
ている。チップキャリア１１の半導体レーザ素子２１，
２２からの出射光９１，１０１は、偏波合成膜４１と、
第１レンズ３１，３２と、第２レンズ３３で、光ファイ
バ５１と結合される。この光学系により、同じモジュー
ルで２つの半導体レーザ素子を実装でき、光軸調整が極
めて容易にできる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、２つの半
導体レーザ素子を同一チップキャリアに装着しているた
め、光軸調整に手間をかけずにこれら２つの半導体レー
ザ素子からの光を１つのモジュールの中で合成し、１本
の光ファイバに出力することを容易に実現できる。これ
により、従来の方式における２台の光半導体レーザモジ
ュールと１個の光合成器を使用する方法に比べ、小形化
と低価格化とが実現可能であり、広汎な応用（例えば、
光波長多重や光伝送路冗長等）が期待できる。
導体レーザ素子を同一チップキャリアに装着しているた
め、光軸調整に手間をかけずにこれら２つの半導体レー
ザ素子からの光を１つのモジュールの中で合成し、１本
の光ファイバに出力することを容易に実現できる。これ
により、従来の方式における２台の光半導体レーザモジ
ュールと１個の光合成器を使用する方法に比べ、小形化
と低価格化とが実現可能であり、広汎な応用（例えば、
光波長多重や光伝送路冗長等）が期待できる。
【図１】本発明の一実施例の外観図であり、分図（ａ）
は上面図、分図（ｂ）は斜視図である。
は上面図、分図（ｂ）は斜視図である。
【図２】本発明の半導体レーザチップキャリアを用いた
光偏波合成システムの構成例を示す図である。
光偏波合成システムの構成例を示す図である。
【図３】従来の半導体レーザモジュールを用いた光偏波
合成システムの構成例を示す図である。
合成システムの構成例を示す図である。
【図４】従来の半導体レーザチップキャリアを示す図で
ある。
ある。
１１，１２ チップキャリア ２１，２２，２３ 半導体レーザ素子 ３１，３２，３３，３４，３５，３６ 光ファイバ結
合レンズ ４１，４２ 偏波合成膜 ５０，５１ 光ファイバ ５２，５３，５４ 光ファイバ端末 ６１，６２ 偏波保存光ファイバ ８１，８２ 半導体レーザモジュール ９１，９２ 垂直な編波の出射光 １０１，１０２，１０３ 水平な偏波の出射光
合レンズ ４１，４２ 偏波合成膜 ５０，５１ 光ファイバ ５２，５３，５４ 光ファイバ端末 ６１，６２ 偏波保存光ファイバ ８１，８２ 半導体レーザモジュール ９１，９２ 垂直な編波の出射光 １０１，１０２，１０３ 水平な偏波の出射光
Claims (2)
- 【請求項１】 偏波合成すべき垂直な偏波面の第１の出
射光及び水平な偏波面の第２の出射光の各各をそれぞれ
発生する第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ
素子とを、前記第１及び第２の出射光が同一平面上の各
発生源から当距離の位置で直角に交わるように装着した
ことを特徴とする半導体レーザチップキャリア。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザチップキャ
リアの前記第１及び第２の出射光の交点に偏波合成膜を
配置し、この偏波合成膜及びレンズを介して偏波合成さ
れた前記第１及び第２の出射光を１本の光ファイバに出
力することを特徴とする偏波合成システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28242491A JPH05121838A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 半導体レーザチツプキヤリア及び偏波合成システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28242491A JPH05121838A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 半導体レーザチツプキヤリア及び偏波合成システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121838A true JPH05121838A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17652231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28242491A Pending JPH05121838A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 半導体レーザチツプキヤリア及び偏波合成システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121838A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989012239A1 (en) * | 1988-06-06 | 1989-12-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber for guiding laser |
| JPH09162810A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Tokin Corp | 光送受信アンテナ装置 |
| JPH10321961A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2000353332A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-12-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置 |
| JP2002189148A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子モジュール |
| WO2003005508A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co., Ltd | Module laser a semi-conducteurs, amplificateur optique et procede de fabrication d'un module laser a semi-conducteurs |
| US6765935B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, manufacturing method thereof and optical amplifier |
| US6782028B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier |
| US7085440B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-08-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser module and optical amplifier |
| US7245643B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-07-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
| US7259905B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-08-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module |
| US7408867B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-08-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module |
| JP2018022840A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP2018085450A (ja) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP2018085422A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP2018098256A (ja) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP2019535139A (ja) * | 2016-09-27 | 2019-12-05 | サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェ シアンティフィクＣｅｎｔｒｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｅ Ｌａｒｅｃｈｅｒｃｈｅ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｑｕｅ | 光フィードバックを有するレーザシステム |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP28242491A patent/JPH05121838A/ja active Pending
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| US6782028B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier |
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