JPH05121470A - ダイボンダ装置 - Google Patents
ダイボンダ装置Info
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- JPH05121470A JPH05121470A JP28305591A JP28305591A JPH05121470A JP H05121470 A JPH05121470 A JP H05121470A JP 28305591 A JP28305591 A JP 28305591A JP 28305591 A JP28305591 A JP 28305591A JP H05121470 A JPH05121470 A JP H05121470A
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- Japan
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- die
- collet
- collet holder
- semiconductor pellet
- die bonder
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、コレットホルダの耐摩耗性を
改善して保守管理を容易にするとともに軽量化を図り、
ダイ吸着操作およびダイボンディング操作の高速化に対
応することが可能なダイボンダ装置を提供することにあ
る。 【構成】本発明に係るダイボンダ装置は、コレットホル
ダ１１ａに保持したダイコレット４，６先端に半導体ペ
レット１を真空吸着する動作と、吸着した半導体ペレッ
ト１をリードフレーム５上面に移送し押圧する動作とを
繰り返して、半導体ペレット１とリードフレーム５とを
連続的に接合するダイボンダ装置において、上記コレッ
トホルダ１１ａをセラミックス材料で形成したことを特
徴とする。
改善して保守管理を容易にするとともに軽量化を図り、
ダイ吸着操作およびダイボンディング操作の高速化に対
応することが可能なダイボンダ装置を提供することにあ
る。 【構成】本発明に係るダイボンダ装置は、コレットホル
ダ１１ａに保持したダイコレット４，６先端に半導体ペ
レット１を真空吸着する動作と、吸着した半導体ペレッ
ト１をリードフレーム５上面に移送し押圧する動作とを
繰り返して、半導体ペレット１とリードフレーム５とを
連続的に接合するダイボンダ装置において、上記コレッ
トホルダ１１ａをセラミックス材料で形成したことを特
徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ペレットをリード
フレームに接合するダイボンダ装置に係り、特に構成部
品の耐摩耗強度を改善して長寿命化および保守の簡素化
を図り、さらにボンディングヘッド等を軽量化すること
により高速運転を可能にしたダイボンダ装置に関する。
フレームに接合するダイボンダ装置に係り、特に構成部
品の耐摩耗強度を改善して長寿命化および保守の簡素化
を図り、さらにボンディングヘッド等を軽量化すること
により高速運転を可能にしたダイボンダ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、ＩＣ、トランジスタなどの半導
体部品の製造工程においては、例えば図２に示すような
ダイボンダ装置が使用される。このダイボンダ装置は、
ウエハをカッティングして形成した多数の角形の半導体
ペレット１を載置するウエハカセットリング２と、ウエ
ハカセットリング２上にある規格合格品の半導体ペレッ
ト１のみを１個ずつ吸着し、プリアライメント３に搬送
するダイ吸着用コレット４と、プリアライメント３によ
って位置決めされた半導体ペレット１を吸着し、吸着し
た半導体ペレット１をリードフレーム５上の所定位置に
押し付けるダイボンディング用コレット６とを備えて構
成される。
体部品の製造工程においては、例えば図２に示すような
ダイボンダ装置が使用される。このダイボンダ装置は、
ウエハをカッティングして形成した多数の角形の半導体
ペレット１を載置するウエハカセットリング２と、ウエ
ハカセットリング２上にある規格合格品の半導体ペレッ
ト１のみを１個ずつ吸着し、プリアライメント３に搬送
するダイ吸着用コレット４と、プリアライメント３によ
って位置決めされた半導体ペレット１を吸着し、吸着し
た半導体ペレット１をリードフレーム５上の所定位置に
押し付けるダイボンディング用コレット６とを備えて構
成される。
【０００３】上記ダイ吸着用コレット４およびダイボン
ディング用コレット６はそれぞれ図３に示すヘッド７に
装着される。このヘッド７は、リンク機構やカム機構よ
って昇降旋回するアーム８の先端にブッシュ９を設け、
このブッシュ９内にスライドボール１０を介してコレッ
トホルダ１１を昇降自在に設け、コレットホルダ１１の
下端軸方向に形成した直径３mm程度の穴に上記ダイコレ
ット４，６を挿入固定して形成される。コレットホルダ
１１の上端部には真空源と接続するためのホース口１２
が設けられるとともに、コレットホルダ１１の回転を防
止する回り止め１３が設けられている。
ディング用コレット６はそれぞれ図３に示すヘッド７に
装着される。このヘッド７は、リンク機構やカム機構よ
って昇降旋回するアーム８の先端にブッシュ９を設け、
このブッシュ９内にスライドボール１０を介してコレッ
トホルダ１１を昇降自在に設け、コレットホルダ１１の
下端軸方向に形成した直径３mm程度の穴に上記ダイコレ
ット４，６を挿入固定して形成される。コレットホルダ
１１の上端部には真空源と接続するためのホース口１２
が設けられるとともに、コレットホルダ１１の回転を防
止する回り止め１３が設けられている。
【０００４】従来、上記コレットホルダ１１は、スライ
ドボール１０を介してブッシュ９と高速度で摺接するた
め、耐摩耗強度を高める観点から、従来ＳＫＳ３等の合
金工具鋼で筒状に形成した後に、外筒表面を軟窒化処理
して硬度を５２〜５５ＨRC程度に仕上げて製作されてい
る。
ドボール１０を介してブッシュ９と高速度で摺接するた
め、耐摩耗強度を高める観点から、従来ＳＫＳ３等の合
金工具鋼で筒状に形成した後に、外筒表面を軟窒化処理
して硬度を５２〜５５ＨRC程度に仕上げて製作されてい
る。
【０００５】ダイ吸着用コレット４およびダイボンディ
ング用コレット６は、それぞれヘッド７，７に組み込ま
れ、図示しないカム装置により上下動するリンクによっ
て上下方向に昇降したり水平方向に旋回運動するように
構成されている。
ング用コレット６は、それぞれヘッド７，７に組み込ま
れ、図示しないカム装置により上下動するリンクによっ
て上下方向に昇降したり水平方向に旋回運動するように
構成されている。
【０００６】ダイ吸着用コレット４は、図２に示すよう
にウエハカセットリング２上に載置された複数の半導体
ペレット１，１…のうち、検査合格品のみを光学的に検
知し１個ずつ真空吸着してプリアライメント３に順次搬
送する。プリアライメント３は搬送された半導体ペレッ
ト１の位置決めを行なう。位置決めされた半導体ペレッ
ト１はダイボンディング用コレット６の先端部に真空吸
着された状態で搬送され、リードフレーム５の所定位置
に載置される。そしてコレット６はスクラブモーション
を半導体ペレット１に付加するため、半導体ペレット１
は強い押圧力を受ける。半導体ペレット１の裏面にはＮ
ｉ−Ａｕメッキが施される一方、リードフレーム５の表
面にはＡｇメッキが施されることによりハンダに対する
濡れ性が高められる。そして半導体ペレット１はリード
フレーム５上の所定位置にＰｂ−Ｓｎハンダで一体に接
合される。
にウエハカセットリング２上に載置された複数の半導体
ペレット１，１…のうち、検査合格品のみを光学的に検
知し１個ずつ真空吸着してプリアライメント３に順次搬
送する。プリアライメント３は搬送された半導体ペレッ
ト１の位置決めを行なう。位置決めされた半導体ペレッ
ト１はダイボンディング用コレット６の先端部に真空吸
着された状態で搬送され、リードフレーム５の所定位置
に載置される。そしてコレット６はスクラブモーション
を半導体ペレット１に付加するため、半導体ペレット１
は強い押圧力を受ける。半導体ペレット１の裏面にはＮ
ｉ−Ａｕメッキが施される一方、リードフレーム５の表
面にはＡｇメッキが施されることによりハンダに対する
濡れ性が高められる。そして半導体ペレット１はリード
フレーム５上の所定位置にＰｂ−Ｓｎハンダで一体に接
合される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の合
金工具鋼にて形成したコレットホルダを使用したダイボ
ンダ装置においては、スライドボールおよびブッシュに
対するコレットホルダの耐摩耗性が未だ低いため、半導
体ペレットの取付位置精度が低下したり、装置の保守管
理が煩雑になる欠点があった。
金工具鋼にて形成したコレットホルダを使用したダイボ
ンダ装置においては、スライドボールおよびブッシュに
対するコレットホルダの耐摩耗性が未だ低いため、半導
体ペレットの取付位置精度が低下したり、装置の保守管
理が煩雑になる欠点があった。
【０００８】すなわち、スライドボールによるコレット
ホルダの摩耗によってホルダとブッシュとの間隙が広が
ると、半導体ペレットの吸着位置がずれてしまい、不良
品が急増してしまう。
ホルダの摩耗によってホルダとブッシュとの間隙が広が
ると、半導体ペレットの吸着位置がずれてしまい、不良
品が急増してしまう。
【０００９】一方、コレットホルダとブッシュとの間隙
を小さく設定すると、コレットホルダの昇降動作が円滑
に実行されず、両者の摺動部に潤滑不足が起こり、焼付
きが発生し易い。そのため高頻度でコレットホルダを交
換する必要があった。このようにコレットホルダを交換
するたびにダイボンダ装置を停止するために長期間に渡
る連続運転が困難であり、装置の保守管理に要する労力
も増大する問題点がある。
を小さく設定すると、コレットホルダの昇降動作が円滑
に実行されず、両者の摺動部に潤滑不足が起こり、焼付
きが発生し易い。そのため高頻度でコレットホルダを交
換する必要があった。このようにコレットホルダを交換
するたびにダイボンダ装置を停止するために長期間に渡
る連続運転が困難であり、装置の保守管理に要する労力
も増大する問題点がある。
【００１０】またコレットホルダは高比重の合金工具鋼
を主要材料としているため、ヘッド全体の重量が大きく
なり、ダイ吸着およびダイボンディングの高速化が困難
になる問題点もある。すなわち高重量のコレットホルダ
を装着したヘッドは慣性力が大きく、またボンディグ装
置に装着した場合に振動が大きくなることがあり、半導
体ペレットの配設位置のずれが増大する欠点がある。
を主要材料としているため、ヘッド全体の重量が大きく
なり、ダイ吸着およびダイボンディングの高速化が困難
になる問題点もある。すなわち高重量のコレットホルダ
を装着したヘッドは慣性力が大きく、またボンディグ装
置に装着した場合に振動が大きくなることがあり、半導
体ペレットの配設位置のずれが増大する欠点がある。
【００１１】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、耐摩耗性を改善して保守管理を容易
にするとともに軽量化を図り、ダイ吸着操作およびダイ
ボンディング操作の高速化に対応することが可能なダイ
ボンダ装置を提供することを目的とする。
されたものであり、耐摩耗性を改善して保守管理を容易
にするとともに軽量化を図り、ダイ吸着操作およびダイ
ボンディング操作の高速化に対応することが可能なダイ
ボンダ装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明に係るダイボンダ装置は、コレットホルダに保持
したダイコレット先端に半導体ペレットを真空吸着する
動作と、吸着した半導体ペレットをリードフレーム上面
に移送し押圧する動作とを繰り返して、半導体ペレット
とリードフレームとを連続的に接合するダイボンダ装置
において、上記コレットホルダをセラミックス材料で形
成したことを特徴とする。
本発明に係るダイボンダ装置は、コレットホルダに保持
したダイコレット先端に半導体ペレットを真空吸着する
動作と、吸着した半導体ペレットをリードフレーム上面
に移送し押圧する動作とを繰り返して、半導体ペレット
とリードフレームとを連続的に接合するダイボンダ装置
において、上記コレットホルダをセラミックス材料で形
成したことを特徴とする。
【００１３】また、セラミックス材料は窒化けい素（Ｓ
ｉ3 Ｎ4）、サイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）、ジル
コニア（ＺｒＯ2 ）および炭化けい素（ＳｉＣ）の少な
くとも１種から構成するとよい。
ｉ3 Ｎ4）、サイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）、ジル
コニア（ＺｒＯ2 ）および炭化けい素（ＳｉＣ）の少な
くとも１種から構成するとよい。
【００１４】上記セラミックニス材料はいずれも耐摩耗
性に優れており、このセラミックス材料で形成したコレ
ットホルダにおいて潤滑不足が生じた場合においても、
焼付き事故を発生することは少ない。また上記セラミッ
クス材は従来の金属材料と比較して軽量であり、ダイ吸
着用ヘッドおよびダイボンディング用ヘッドの総重量を
低減することができる。また比重が小さい順に列挙する
とＳｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＺｒＯ2
となるため、軽量化を目的とする場合にはＳｉ3 Ｎ4 や
ＳｉＣが好適である。また、ＺｒＯ2 は比重は比較的に
大きいものの、破壊靭性値が高く、特に耐衝撃特性が優
れている。
性に優れており、このセラミックス材料で形成したコレ
ットホルダにおいて潤滑不足が生じた場合においても、
焼付き事故を発生することは少ない。また上記セラミッ
クス材は従来の金属材料と比較して軽量であり、ダイ吸
着用ヘッドおよびダイボンディング用ヘッドの総重量を
低減することができる。また比重が小さい順に列挙する
とＳｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ，ＺｒＯ2
となるため、軽量化を目的とする場合にはＳｉ3 Ｎ4 や
ＳｉＣが好適である。また、ＺｒＯ2 は比重は比較的に
大きいものの、破壊靭性値が高く、特に耐衝撃特性が優
れている。
【００１５】
【作用】上記構成に係るダイボンダ装置によれば、ダイ
コレットを保持するコレットホルダを、軽量で耐摩耗性
に優れたセラミックス材料で形成しているため、装置を
長寿命化することが可能になり、またコレットホルダ部
の焼付き事故も少なくなるため、装置の保守管理が極め
て簡素になる。
コレットを保持するコレットホルダを、軽量で耐摩耗性
に優れたセラミックス材料で形成しているため、装置を
長寿命化することが可能になり、またコレットホルダ部
の焼付き事故も少なくなるため、装置の保守管理が極め
て簡素になる。
【００１６】またコレットホルダを、Ｓｉ3 Ｎ4 ，サイ
アロン，ＺｒＯ2 ，ＳｉＣなどのように、従来の合金工
具鋼より低比重のセラミックス材料で構成することによ
り、コレットホルダを含むヘッド全体を軽量化すること
が可能であり、ダイ吸着操作およびダイボンディング操
作の高速化に資することができる。
アロン，ＺｒＯ2 ，ＳｉＣなどのように、従来の合金工
具鋼より低比重のセラミックス材料で構成することによ
り、コレットホルダを含むヘッド全体を軽量化すること
が可能であり、ダイ吸着操作およびダイボンディング操
作の高速化に資することができる。
【００１７】
【実施例】次に本発明の一実施例について添付図面を参
照して説明する。本発明に係るダイボンダ装置はそのコ
レットホルダの材質に特徴があり、他の構成は、図２お
よび図３に示す従来装置と同一である。またコレットホ
ルダ１１ａの構成例を図１に示す。
照して説明する。本発明に係るダイボンダ装置はそのコ
レットホルダの材質に特徴があり、他の構成は、図２お
よび図３に示す従来装置と同一である。またコレットホ
ルダ１１ａの構成例を図１に示す。
【００１８】すなわち本実施例に係るダイボンダ装置
は、コレットホルダ１１ａに保持したダイコレット４，
６先端に半導体ペレット１を吸着する動作と、吸着した
半導体ペレット１をプリアライメント３への移送やリー
ドフレーム５上面に移送し押圧する動作とを繰り返し
て、半導体ペレット１とリードフレーム５とを連続的に
接合するダイボンダ装置において、上記コレットホルダ
１１ａを、Ｓｉ3 Ｎ4 ，サイアロン，ＺｒＯ2 ，ＳｉＣ
などのセラミックス材料で形成して構成される。
は、コレットホルダ１１ａに保持したダイコレット４，
６先端に半導体ペレット１を吸着する動作と、吸着した
半導体ペレット１をプリアライメント３への移送やリー
ドフレーム５上面に移送し押圧する動作とを繰り返し
て、半導体ペレット１とリードフレーム５とを連続的に
接合するダイボンダ装置において、上記コレットホルダ
１１ａを、Ｓｉ3 Ｎ4 ，サイアロン，ＺｒＯ2 ，ＳｉＣ
などのセラミックス材料で形成して構成される。
【００１９】図１に示すコレットホルダ１１ａの下端に
形成した差込孔１４には別途製作したダイコレット４，
６が装着される。ダイコレット４，６を装着したコレッ
トホルダ１１ａは、図３に示すようにアーム８先端に設
けたブッシュ９内にスライドボール１０を介して昇降自
在に配設されてヘッド７を構成する。
形成した差込孔１４には別途製作したダイコレット４，
６が装着される。ダイコレット４，６を装着したコレッ
トホルダ１１ａは、図３に示すようにアーム８先端に設
けたブッシュ９内にスライドボール１０を介して昇降自
在に配設されてヘッド７を構成する。
【００２０】ここでコレットホルダ１１ａを構成する材
料としては、ダイ吸着操作時およびダイボンディング操
作時に作用する衝撃力に十分耐える靭性を有し、かつ軽
量で耐摩耗性が優れた材料であれば、何ら限定されるも
のではない。しかし軽量性および耐摩耗性を同時に満足
するものとしては、上記各種のセラミックス材料が好適
である。
料としては、ダイ吸着操作時およびダイボンディング操
作時に作用する衝撃力に十分耐える靭性を有し、かつ軽
量で耐摩耗性が優れた材料であれば、何ら限定されるも
のではない。しかし軽量性および耐摩耗性を同時に満足
するものとしては、上記各種のセラミックス材料が好適
である。
【００２１】このように本実施例に係るダイボンダ装置
によれば、ダイコレット４，６を保持するコレットホル
ダ１１ａを軽量で耐摩耗性に優れたセラミックス材料で
形成しているため、装置を長寿命化することが可能にな
り、またコレットホルダ部の焼付き事故も少なくなるた
め、装置の保守管理が極めて簡素になる。
によれば、ダイコレット４，６を保持するコレットホル
ダ１１ａを軽量で耐摩耗性に優れたセラミックス材料で
形成しているため、装置を長寿命化することが可能にな
り、またコレットホルダ部の焼付き事故も少なくなるた
め、装置の保守管理が極めて簡素になる。
【００２２】また、ホルダ１１ａを、Ｓｉ3 Ｎ4 ，サイ
アロン，ＺｒＯ2 ，ＳｉＣなどのように合金工具鋼より
低比重のセラミックス材料で形成することにより、コレ
ットホルダを含むヘッド７全体の重量をより軽減するこ
とができ、ダイ吸着操作およびダイボンディング操作の
高速化に十分に対応することができる。
アロン，ＺｒＯ2 ，ＳｉＣなどのように合金工具鋼より
低比重のセラミックス材料で形成することにより、コレ
ットホルダを含むヘッド７全体の重量をより軽減するこ
とができ、ダイ吸着操作およびダイボンディング操作の
高速化に十分に対応することができる。
【００２３】次に本実施例に係るダイボンダ装置の効果
について、より具体的に説明する。
について、より具体的に説明する。
【００２４】実施例１としてＡｌ2 Ｏ3 を４重量％、Ａ
ｌＮを３重量％、Ｙ2 Ｏ3 を５重量％、残部 Ｓｉ3 Ｎ
4 から成るＳｉ3 Ｎ4 原料混合体を冷間静水圧法（ＣＩ
Ｐ）により成形し、さらに得られた成形体の軸方向中心
に沿って穴を開け、さらに７００℃で３時間加熱して脱
脂した後に、温度１７５０℃で４時間焼成し、得られた
焼結体を研削加工して、図１に示す寸法形状を有するコ
レットホルダを１０本調製した。
ｌＮを３重量％、Ｙ2 Ｏ3 を５重量％、残部 Ｓｉ3 Ｎ
4 から成るＳｉ3 Ｎ4 原料混合体を冷間静水圧法（ＣＩ
Ｐ）により成形し、さらに得られた成形体の軸方向中心
に沿って穴を開け、さらに７００℃で３時間加熱して脱
脂した後に、温度１７５０℃で４時間焼成し、得られた
焼結体を研削加工して、図１に示す寸法形状を有するコ
レットホルダを１０本調製した。
【００２５】また実施例２としてＹ2 Ｏ3 を３重量％含
有する部分安定化ジルコニア原料粉末を用いた他は、実
施例１と同様な製法で処理し、ＺｒＯ2 製のコレットホ
ルダを１０本製造した。
有する部分安定化ジルコニア原料粉末を用いた他は、実
施例１と同様な製法で処理し、ＺｒＯ2 製のコレットホ
ルダを１０本製造した。
【００２６】また比較例として従来材料である合金工具
鋼（ＳＫＳ３）を機械研削加工して図１に示すホルダと
同一寸法を有するコレットホルダを１０本用意した。各
ホルダはさらに軟窒化処理を施すことにより、その表面
硬度を５２〜５５ＨRCに調整した。
鋼（ＳＫＳ３）を機械研削加工して図１に示すホルダと
同一寸法を有するコレットホルダを１０本用意した。各
ホルダはさらに軟窒化処理を施すことにより、その表面
硬度を５２〜５５ＨRCに調整した。
【００２７】そして得られた各コレットホルダの重量を
比較して表１に示す結果を得た。
比較して表１に示す結果を得た。
【００２８】こうして１０本ずつ調製した、実施例１〜
２および比較例のコレットホルダを１本ずつ、図２に示
すダイボンダ装置のコレットホルダとして装着し、１辺
が０．３５mmのＳｉペレットとリードフレームとの接合
作業を連続的に６ヶ月間実施した後、コレットホルダ外
表面部の摩耗深さを測定して、下記表１に示す結果を得
た。各計測項目の数値は、いずれも各コレットホルダ１
０本についてそれぞれ計測し、各データの平均値で示し
ている。
２および比較例のコレットホルダを１本ずつ、図２に示
すダイボンダ装置のコレットホルダとして装着し、１辺
が０．３５mmのＳｉペレットとリードフレームとの接合
作業を連続的に６ヶ月間実施した後、コレットホルダ外
表面部の摩耗深さを測定して、下記表１に示す結果を得
た。各計測項目の数値は、いずれも各コレットホルダ１
０本についてそれぞれ計測し、各データの平均値で示し
ている。
【００２９】また重量は、従来材である比較例のコレッ
トホルダの重量を１００として相対値で示している。
トホルダの重量を１００として相対値で示している。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１に示す結果から明らかなように、実施
例１〜２に係るコレットホルダを装着したダイボンダ装
置によれば、ブッシュおよびスライドボールと高速度で
摺動するコレットホルダを軽量で耐摩耗性に優れたセラ
ミックス材（Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｒＯ2 ）で形成しているた
め、従来材を使用した比較例のコレットホルダと比較し
て摩耗量が極めて少なく、ダイボンダ装置の寿命を大幅
に延伸することができる。
例１〜２に係るコレットホルダを装着したダイボンダ装
置によれば、ブッシュおよびスライドボールと高速度で
摺動するコレットホルダを軽量で耐摩耗性に優れたセラ
ミックス材（Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｒＯ2 ）で形成しているた
め、従来材を使用した比較例のコレットホルダと比較し
て摩耗量が極めて少なく、ダイボンダ装置の寿命を大幅
に延伸することができる。
【００３２】したがってコレットホルダを交換するため
にダイボンダ装置を高頻度で停止する必要がなくなり、
長期間にわたって装置を連続的に運転することが可能と
なり、装置の保守管理を大幅に簡素化し、半導体等の製
造効率を大幅に改善することができる。
にダイボンダ装置を高頻度で停止する必要がなくなり、
長期間にわたって装置を連続的に運転することが可能と
なり、装置の保守管理を大幅に簡素化し、半導体等の製
造効率を大幅に改善することができる。
【００３３】また実施例１〜２のコレットホルダを使用
した装置によれば、コレットホルダを軽量なセラミック
ス材で形成しているため、従来の合金工具鋼製のコレッ
トホルダ（比較例１）と比較して、重量を３０〜６０％
低減することができ、ダイボンダ装置の高速運転化にも
十分対応することができる。
した装置によれば、コレットホルダを軽量なセラミック
ス材で形成しているため、従来の合金工具鋼製のコレッ
トホルダ（比較例１）と比較して、重量を３０〜６０％
低減することができ、ダイボンダ装置の高速運転化にも
十分対応することができる。
【００３４】なお、実施例１〜２および比較例の各コレ
ットホルダを使用してダイボンディングを実施して接合
体を形成した場合において、接合された各Ｓｉペレット
とリードフレームとの接合性の良否を適宜検査したとこ
ろ、各接合体ともＳｉペレットのはがれはほとんど発生
せず、接合性に関しては各コレットホルダ間に有意差は
見出せなかった。
ットホルダを使用してダイボンディングを実施して接合
体を形成した場合において、接合された各Ｓｉペレット
とリードフレームとの接合性の良否を適宜検査したとこ
ろ、各接合体ともＳｉペレットのはがれはほとんど発生
せず、接合性に関しては各コレットホルダ間に有意差は
見出せなかった。
【００３５】
【発明の効果】以上説明の通り本発明に係るダイボンダ
装置によれば、ダイコレットを保持するコレットホルダ
を、軽量で耐摩耗性に優れたセラミックス材料で形成し
ているため、装置を長寿命化することが可能になり、ま
たコレットホルダ部の焼付き事故も少なくなるため、装
置の保守管理が極めて簡素になる。
装置によれば、ダイコレットを保持するコレットホルダ
を、軽量で耐摩耗性に優れたセラミックス材料で形成し
ているため、装置を長寿命化することが可能になり、ま
たコレットホルダ部の焼付き事故も少なくなるため、装
置の保守管理が極めて簡素になる。
【００３６】またコレットホルダを、Ｓｉ3 Ｎ4 ，サイ
アロン、ＺｒＯ2 ，ＳｉＣなどのように、従来の合金工
具鋼より低比重のセラミックス材料で構成することによ
り、コレットホルダを装着したヘッド全体を軽量化する
ことが可能であり、ダイ吸着操作およびダイボンディン
グ操作の高速化に資することができる。
アロン、ＺｒＯ2 ，ＳｉＣなどのように、従来の合金工
具鋼より低比重のセラミックス材料で構成することによ
り、コレットホルダを装着したヘッド全体を軽量化する
ことが可能であり、ダイ吸着操作およびダイボンディン
グ操作の高速化に資することができる。
【図１】本発明に係るダイボンダ装置に装着されるコレ
ットホルダの一実施例を示す断面図。
ットホルダの一実施例を示す断面図。
【図２】ダイボンディング装置の構成例を示す斜視図。
【図３】ダイボンディングヘッドおよびダイ吸着ヘッド
の構成例を示す断面図。
の構成例を示す断面図。
１ 半導体ペレット ２ ウエハカセットリング ３ プリアライメント ４ ダイ吸着用コレット ５ リードフレーム ６ ダイボンディング用コレット ７ ヘッド ８ アーム ９ ブッシュ １０ スライドボール １１，１１ａ コレットホルダ １２ ホース口 １３ 回り止め １４ 差込孔
Claims (2)
- 【請求項１】 コレットホルダに保持したダイコレット
先端に半導体ペレットを真空吸着する動作と、吸着した
半導体ペレットをリードフレーム上面に移送し押圧する
動作とを繰り返して、半導体ペレットとリードフレーム
とを連続的に接合するダイボンダ装置において、上記コ
レットホルダをセラミックス材料で形成したことを特徴
とするダイボンダ装置。 - 【請求項２】 セラミックス材料は窒化けい素（Ｓｉ3
Ｎ4 ）、サイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）、ジルコニ
ア（ＺｒＯ2 ）および炭化けい素（ＳｉＣ）の少なくと
も１種から成ることを特徴とする請求項１記載のダイボ
ンダ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28305591A JPH05121470A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | ダイボンダ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28305591A JPH05121470A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | ダイボンダ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121470A true JPH05121470A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17660622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28305591A Pending JPH05121470A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | ダイボンダ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121470A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100550049B1 (ko) * | 1997-12-07 | 2006-10-04 | 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 | 앞뒤로 움직이는 칩 그리퍼를 가진 반도체 배치장치 |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP28305591A patent/JPH05121470A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100550049B1 (ko) * | 1997-12-07 | 2006-10-04 | 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 | 앞뒤로 움직이는 칩 그리퍼를 가진 반도체 배치장치 |
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