JPH05116984A - カプセル化材組成物 - Google Patents
カプセル化材組成物Info
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- JPH05116984A JPH05116984A JP4094721A JP9472192A JPH05116984A JP H05116984 A JPH05116984 A JP H05116984A JP 4094721 A JP4094721 A JP 4094721A JP 9472192 A JP9472192 A JP 9472192A JP H05116984 A JPH05116984 A JP H05116984A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
- C03C8/245—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2
及び場合によりＡｌ2Ｏ3及び／又はＣｒ2Ｏ3からなる結
晶性ガラス組成物。 【効果】 電子回路用カプセル化材としての使用に適し
ている。
及び場合によりＡｌ2Ｏ3及び／又はＣｒ2Ｏ3からなる結
晶性ガラス組成物。 【効果】 電子回路用カプセル化材としての使用に適し
ている。
Description
【０００１】
【発明の分野】本発明はカプセル化材組成物に関し、特
に電子回路用カプセル化材としての使用に適する低融点
ガラス組成物に関する。
に電子回路用カプセル化材としての使用に適する低融点
ガラス組成物に関する。
【０００２】
【発明の背景】ハイブリッド回路は湿気のある大気中に
おける抵抗器の耐久性を確保するためカプセル化するべ
きである。その上、製造業者は導体金属を長期間の腐食
から保護するためガラスカプセル化を好む。
おける抵抗器の耐久性を確保するためカプセル化するべ
きである。その上、製造業者は導体金属を長期間の腐食
から保護するためガラスカプセル化を好む。
【０００３】カプセル化材系は一緒に達成することが困
難ないくつかの特徴を示さなければならない。それは十
分に低い焼成温度で泡のない封止を形成し、そして下に
ある抵抗器のシフトを防がなければならない。ガラスが
余りに流れ過ぎるとそれが抵抗器中に拡散して数値を上
方にシフトする。それが十分に流動しない場合は封止が
できない。スクリーン印刷のための有機ビヒクルはこの
低温で燃え尽きなければならない。従って理想的なカプ
セル化材はガラスが十分に流れて封止を作成するため十
分に低いが、抵抗器をシフトするほど高くない温度で分
解可能なビヒクルを用いて円滑迅速にスクリーン印刷さ
るべきである。
難ないくつかの特徴を示さなければならない。それは十
分に低い焼成温度で泡のない封止を形成し、そして下に
ある抵抗器のシフトを防がなければならない。ガラスが
余りに流れ過ぎるとそれが抵抗器中に拡散して数値を上
方にシフトする。それが十分に流動しない場合は封止が
できない。スクリーン印刷のための有機ビヒクルはこの
低温で燃え尽きなければならない。従って理想的なカプ
セル化材はガラスが十分に流れて封止を作成するため十
分に低いが、抵抗器をシフトするほど高くない温度で分
解可能なビヒクルを用いて円滑迅速にスクリーン印刷さ
るべきである。
【０００４】低いガラス転移温度（Ｔｇ）を持つ種々の
ガラスが電子回路用カプセル化材として広く使用され
た。これらのガラスは通常高い膨張の温度係数（ＴＣ
Ｅ）を持ち、これは隣接する回路層と注意深く調和させ
ないと実質的な機械的ストレスを引き起こし、系の故障
を導くことになる。
ガラスが電子回路用カプセル化材として広く使用され
た。これらのガラスは通常高い膨張の温度係数（ＴＣ
Ｅ）を持ち、これは隣接する回路層と注意深く調和させ
ないと実質的な機械的ストレスを引き起こし、系の故障
を導くことになる。
【０００５】カプセル化材は、その機能としてとりわけ
その下におかれた電子回路を環境から保護することを行
なうものである。この機能を遂行するためカプセル化材
は電子回路の製造と日常使用の間に遭遇する環境から生
き残るために十分な耐久性を持つべきである。大部分の
低軟化点ガラス（ここでは「低融点ガラス」という）は
酸と塩基中で貧弱な耐久性を示し、そしてその耐久性は
ガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなるにつれて低下する傾
向がある。大部分の電子回路は極めて酸性又は塩基性の
条件下で使用するとは予想されないが、ある場合製造の
間に水と塩基性又は酸性の環境に曝されることがある。
ある製造工程における最終段階は有機ポリマー例えばエ
ポキシによる別のカプセル化を伴う。あるエポキシ樹脂
はアミンを含み、これは湿気のある大気中で塩基性の環
境を作り出しうる。従って、沸騰水と塩基性溶液（エポ
キシ中のアミンをシミュレートした水中のトリエタノー
ルアミノ ＴＥＡ）における耐久性をここで詳述する。
その下におかれた電子回路を環境から保護することを行
なうものである。この機能を遂行するためカプセル化材
は電子回路の製造と日常使用の間に遭遇する環境から生
き残るために十分な耐久性を持つべきである。大部分の
低軟化点ガラス（ここでは「低融点ガラス」という）は
酸と塩基中で貧弱な耐久性を示し、そしてその耐久性は
ガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなるにつれて低下する傾
向がある。大部分の電子回路は極めて酸性又は塩基性の
条件下で使用するとは予想されないが、ある場合製造の
間に水と塩基性又は酸性の環境に曝されることがある。
ある製造工程における最終段階は有機ポリマー例えばエ
ポキシによる別のカプセル化を伴う。あるエポキシ樹脂
はアミンを含み、これは湿気のある大気中で塩基性の環
境を作り出しうる。従って、沸騰水と塩基性溶液（エポ
キシ中のアミンをシミュレートした水中のトリエタノー
ルアミノ ＴＥＡ）における耐久性をここで詳述する。
【０００６】この問題の解決のため、ＪＰＡ ５２／１
５４８２５において旭硝子工業（株)により一つのガラ
スが提案されている。この物は５４０〜５６０℃で焼成
すると結晶化を受け、そして低いＴＣＥを持つ結晶化オ
ーバーレイを形成する結晶性ホウ酸亜鉛鉛型ガラスであ
る。このガラスは５４０℃で焼成する場合密なオーバー
レイを形成するが、この層はガラス層の不十分な流れと
過剰の結晶化により多孔質になる傾向がある。もちろ
ん、焼成工程の間ガラスと下にある回路部品との相互作
用を避けるため５１０〜５６０℃の温度で焼成できるこ
とが望ましい。従って、(１)密なオーバーレイを形成さ
せるため５１０〜５６０℃で焼成することができ、そし
て(２)良好なカプセル化特性を持つ密なオーバーレイを
形成し得るカプセル化ガラスに対する実際の必要性が残
されている。
５４８２５において旭硝子工業（株)により一つのガラ
スが提案されている。この物は５４０〜５６０℃で焼成
すると結晶化を受け、そして低いＴＣＥを持つ結晶化オ
ーバーレイを形成する結晶性ホウ酸亜鉛鉛型ガラスであ
る。このガラスは５４０℃で焼成する場合密なオーバー
レイを形成するが、この層はガラス層の不十分な流れと
過剰の結晶化により多孔質になる傾向がある。もちろ
ん、焼成工程の間ガラスと下にある回路部品との相互作
用を避けるため５１０〜５６０℃の温度で焼成できるこ
とが望ましい。従って、(１)密なオーバーレイを形成さ
せるため５１０〜５６０℃で焼成することができ、そし
て(２)良好なカプセル化特性を持つ密なオーバーレイを
形成し得るカプセル化ガラスに対する実際の必要性が残
されている。
【０００７】
【発明の概要】従って本発明は第一に、本質的に重量％
で３０〜４０％のＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3又はそれらの混合
物、３５〜５０％のＺｎＯ、１０〜３０％のＢ2Ｏ3、
０.５〜３％のＣｒ2Ｏ3、０.５〜１０％のＳｉＯ2、Ｓ
ｎＯ2又は混合物及び０〜１０％のＡｌ2Ｏ3からなり、
ガラスの光学密度パラメータが少なくとも１.６である
銀導電性回路用カプセル化材として好適する結晶性ガラ
スに関する。
で３０〜４０％のＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3又はそれらの混合
物、３５〜５０％のＺｎＯ、１０〜３０％のＢ2Ｏ3、
０.５〜３％のＣｒ2Ｏ3、０.５〜１０％のＳｉＯ2、Ｓ
ｎＯ2又は混合物及び０〜１０％のＡｌ2Ｏ3からなり、
ガラスの光学密度パラメータが少なくとも１.６である
銀導電性回路用カプセル化材として好適する結晶性ガラ
スに関する。
【０００８】第二の態様においては、本発明は有機媒質
中の上記ガラスの分散物である厚膜ペーストに関する。
中の上記ガラスの分散物である厚膜ペーストに関する。
【０００９】〔発明の詳細な説明〕本発明のカプセル化
材組成物は焼成済み抵抗器と共に使用するので、ガラス
成分を比較的低温で焼成し、それによりガラスには抵抗
器構造中への最小量の拡散のみが起り、それにより抵抗
器との相互作用を最小にすることが必要である。従って
本発明のカプセル化材組成物のガラス成分は約５３０〜
５８０℃の焼成温度で使用するように設計された。
材組成物は焼成済み抵抗器と共に使用するので、ガラス
成分を比較的低温で焼成し、それによりガラスには抵抗
器構造中への最小量の拡散のみが起り、それにより抵抗
器との相互作用を最小にすることが必要である。従って
本発明のカプセル化材組成物のガラス成分は約５３０〜
５８０℃の焼成温度で使用するように設計された。
【００１０】カプセル化物のすべての部分で別々の相の
完全な結晶化が必要ではないことが分かった。結晶化は
界面におけるガラスの流れを最小にするため焼成済み抵
抗器とカプセル化材層との界面で起こることのみが必要
である。結晶化したガラス層はＰｂＺｎ2Ｂ2Ｏ6、Ｚｎ2
ＳｎＯ4、ＺｎＳｎＯ3及びＺｎ2ＳｉＯ4の混合物であ
り、その中でＰｂＺｎ2Ｂ2Ｏ6が主要成分であることが
測定された。結晶化したガラスは親のガラス（一つ又は
複数）及び残りのガラスのいずれとも異なる組成を持
つ。
完全な結晶化が必要ではないことが分かった。結晶化は
界面におけるガラスの流れを最小にするため焼成済み抵
抗器とカプセル化材層との界面で起こることのみが必要
である。結晶化したガラス層はＰｂＺｎ2Ｂ2Ｏ6、Ｚｎ2
ＳｎＯ4、ＺｎＳｎＯ3及びＺｎ2ＳｉＯ4の混合物であ
り、その中でＰｂＺｎ2Ｂ2Ｏ6が主要成分であることが
測定された。結晶化したガラスは親のガラス（一つ又は
複数）及び残りのガラスのいずれとも異なる組成を持
つ。
【００１１】本発明の組成物は重量で少なくとも３５％
で、しかし５０％より少ないＺｎＯを含むことが必要で
ある。３５％より少ないＺｎＯを使用すると、組成物は
十分に結晶化せずそしてＴＣＥが高すぎる。一方、５０
％より多いＺｎＯを使用すると、５３０〜５８０℃で焼
成の際結晶の量が過剰である。ＺｎＯは３５〜４５％の
範囲で存在するのが好ましい。
で、しかし５０％より少ないＺｎＯを含むことが必要で
ある。３５％より少ないＺｎＯを使用すると、組成物は
十分に結晶化せずそしてＴＣＥが高すぎる。一方、５０
％より多いＺｎＯを使用すると、５３０〜５８０℃で焼
成の際結晶の量が過剰である。ＺｎＯは３５〜４５％の
範囲で存在するのが好ましい。
【００１２】本発明の実施において、ＰｂＯとＢｉ2Ｏ3
は互換的に使用することができる。すなわちいずれかを
他方の代わりに使用するか、又は両方を一緒にあらゆる
比率で使用することができる。ＰｂＯ／Ｂｉ2Ｏ3は本発
明の組成物中に少なくとも３０％、しかし４０％より少
ない量で存在しなければならない。３１％より少ないＰ
ｂＯ／Ｂｉ2Ｏ3を使用するとガラスのＴＣＥは高くなり
すぎ、そしてガラスの軟化点は低くなりすぎる。ＰｂＯ
／Ｂｉ2Ｏ3は３５〜４０％の範囲でガラス中に存在する
のが好ましい。
は互換的に使用することができる。すなわちいずれかを
他方の代わりに使用するか、又は両方を一緒にあらゆる
比率で使用することができる。ＰｂＯ／Ｂｉ2Ｏ3は本発
明の組成物中に少なくとも３０％、しかし４０％より少
ない量で存在しなければならない。３１％より少ないＰ
ｂＯ／Ｂｉ2Ｏ3を使用するとガラスのＴＣＥは高くなり
すぎ、そしてガラスの軟化点は低くなりすぎる。ＰｂＯ
／Ｂｉ2Ｏ3は３５〜４０％の範囲でガラス中に存在する
のが好ましい。
【００１３】Ｂ2Ｏ3成分は本発明のガラス中に重量で１
０〜３０％量含まれる。Ｂ2Ｏ3はカプセル化材層の耐久
性に著しく寄与する点でガラス中で重要な機能を果た
す。しかしながら、３０％より多いＢ2Ｏ3を使用すると
組成物のＴＣＥは高くなりすぎる傾向がある。一方、１
０％より少ないＢ2Ｏ3を使用すると５１０〜５６０℃に
おける焼成の間の結晶化の程度が過剰になる傾向があ
る。Ｂ2Ｏ3は重量で１０〜１８℃の範囲で使用するのが
好ましい。
０〜３０％量含まれる。Ｂ2Ｏ3はカプセル化材層の耐久
性に著しく寄与する点でガラス中で重要な機能を果た
す。しかしながら、３０％より多いＢ2Ｏ3を使用すると
組成物のＴＣＥは高くなりすぎる傾向がある。一方、１
０％より少ないＢ2Ｏ3を使用すると５１０〜５６０℃に
おける焼成の間の結晶化の程度が過剰になる傾向があ
る。Ｂ2Ｏ3は重量で１０〜１８℃の範囲で使用するのが
好ましい。
【００１４】本発明のガラスを銀含有導体系をカプセル
化するために使用する場合に、よごれのないものであり
得るためには、ガラスに少なくとも０.１％のＣｒ2Ｏ3
を使用することが必要である。しかしながら、組成物中
にＣｒ６＋の存在がガラスの物理的性質を過剰に低下さ
せないように３％より多いＣｒ2Ｏ3を使用しないのが好
ましい。ここで使用する用語「よごれのないガラス」
は、厚膜用カプセル化材中の無機バインダーとして使用
した場合、５３０〜５８０℃で焼成した銀含有導体層が
自然の緑色を持つ導体層を生ずるガラスを表す。これに
対してよごれのあるガラスは褐色の銀のよごれを持つ。
化するために使用する場合に、よごれのないものであり
得るためには、ガラスに少なくとも０.１％のＣｒ2Ｏ3
を使用することが必要である。しかしながら、組成物中
にＣｒ６＋の存在がガラスの物理的性質を過剰に低下さ
せないように３％より多いＣｒ2Ｏ3を使用しないのが好
ましい。ここで使用する用語「よごれのないガラス」
は、厚膜用カプセル化材中の無機バインダーとして使用
した場合、５３０〜５８０℃で焼成した銀含有導体層が
自然の緑色を持つ導体層を生ずるガラスを表す。これに
対してよごれのあるガラスは褐色の銀のよごれを持つ。
【００１５】酸化クロムがよごれを減らすのに有効であ
るためにはそれが酸化状態でガラス中に存在し、それに
よりガラスの光学密度パラメータ(ｆ)が少なくとも１.
６好ましくは２〜３.５でなければならないことを見出
した。これを達成するにはＣｒ６＋のＣｒ３＋に対する
比率が十分高いことが必要である。この比率はガラスを
酸化条件下で溶融し、それによりＣｒ６＋の量をＣｒ３
＋の量に対して高く保つことにより容易に調節される。
これはガラス溶融工程の間溶融物に空気をバブリングす
ることにより最良に達成される。
るためにはそれが酸化状態でガラス中に存在し、それに
よりガラスの光学密度パラメータ(ｆ)が少なくとも１.
６好ましくは２〜３.５でなければならないことを見出
した。これを達成するにはＣｒ６＋のＣｒ３＋に対する
比率が十分高いことが必要である。この比率はガラスを
酸化条件下で溶融し、それによりＣｒ６＋の量をＣｒ３
＋の量に対して高く保つことにより容易に調節される。
これはガラス溶融工程の間溶融物に空気をバブリングす
ることにより最良に達成される。
【００１６】ここで使用する用語「光学密度パラメー
タ」(ｆ)は考慮中のガラスの拡散反射スペクトル（ＤＲ
Ｓ）から計算される６００nmにおけるガラスのバンド吸
収に対する４００nmにおけるバンド吸収の比率を表す。
この測定については下で詳細に論じる。
タ」(ｆ)は考慮中のガラスの拡散反射スペクトル（ＤＲ
Ｓ）から計算される６００nmにおけるガラスのバンド吸
収に対する４００nmにおけるバンド吸収の比率を表す。
この測定については下で詳細に論じる。
【００１７】ＳｉＯ2とＳｎＯ2はいずれもガラスの耐久
性（不溶解性と密封性）に寄与することから本発明の組
成物にとって重要である。何等かの有意の技術的効果を
得るためには少なくとも各々の０.５％を使用しなけれ
ばならない。しかしながら、ガラスの軟化点が高くなり
すぎるのを避けるため、ＳｉＯ2とＳｎＯ2との総量は１
０％を越えないこと、そしてＳｎＯ2量は１０％を越え
てはならない。ＳｉＯ2とＳｎＯ2のいずれも本発明の組
成物中に１〜８％の範囲で存在するのが好ましい。
性（不溶解性と密封性）に寄与することから本発明の組
成物にとって重要である。何等かの有意の技術的効果を
得るためには少なくとも各々の０.５％を使用しなけれ
ばならない。しかしながら、ガラスの軟化点が高くなり
すぎるのを避けるため、ＳｉＯ2とＳｎＯ2との総量は１
０％を越えないこと、そしてＳｎＯ2量は１０％を越え
てはならない。ＳｉＯ2とＳｎＯ2のいずれも本発明の組
成物中に１〜８％の範囲で存在するのが好ましい。
【００１８】上述の必須成分のほかに、組成物は場合に
より５重量％までのＡｌ2Ｏ3を含むことができる。ガラ
スを合成する場合、少量のＡｌ2Ｏ3をガラス形成をしや
すくするため添加する。
より５重量％までのＡｌ2Ｏ3を含むことができる。ガラ
スを合成する場合、少量のＡｌ2Ｏ3をガラス形成をしや
すくするため添加する。
【００１９】ガラスの表面積は臨界的ではないが、好ま
しくは１.５〜４ｍ2／ｇである。密度をほぼ３〜４ｇ／
cm2と仮定すると、この範囲は約０.５〜１ミクロンの粒
子の大きさに相当する。１.５ｍ2／ｇの表面積（約１.
３ミクロン）も使用することができる。そのようなガラ
スフリットの製造法はよく知られており、例えばガラス
成分を成分の酸化物の形体で一緒に溶融し、そのような
溶融組成物を水に注入してフリットを形成させることか
らなる。もちろん、バッチ成分は通常のフリット製造の
条件下で所望の酸化物を生じ得る任意の化合物であるこ
とができる。例えば酸化ホウ素はホウ酸から得られ、二
酸化ケイ素は火打ち石から生成し、酸化亜鉛は炭酸亜鉛
から生成するなどである。このガラスはボールミルで水
と一緒に粉砕してフリットの粒子の大きさを減らし、そ
して実質的に均一な大きさのフリットを得るのが好まし
い。
しくは１.５〜４ｍ2／ｇである。密度をほぼ３〜４ｇ／
cm2と仮定すると、この範囲は約０.５〜１ミクロンの粒
子の大きさに相当する。１.５ｍ2／ｇの表面積（約１.
３ミクロン）も使用することができる。そのようなガラ
スフリットの製造法はよく知られており、例えばガラス
成分を成分の酸化物の形体で一緒に溶融し、そのような
溶融組成物を水に注入してフリットを形成させることか
らなる。もちろん、バッチ成分は通常のフリット製造の
条件下で所望の酸化物を生じ得る任意の化合物であるこ
とができる。例えば酸化ホウ素はホウ酸から得られ、二
酸化ケイ素は火打ち石から生成し、酸化亜鉛は炭酸亜鉛
から生成するなどである。このガラスはボールミルで水
と一緒に粉砕してフリットの粒子の大きさを減らし、そ
して実質的に均一な大きさのフリットを得るのが好まし
い。
【００２０】本発明のガラスは慣用的なガラス製造法で
作ることができ、それらはいくつかの金属酸化物成分を
混合し、混合物を加熱し溶融物を形成させ、溶融物を冷
水で冷却してフリットを形成させ、そして得られるガラ
ス粉末の粒子の大きさを調節するためフリットを粉砕す
ることにより製造される。しかしながら、これらの特殊
なガラスの製造方法は２つの点で慣用的でなく、すなわ
ち（１）上で論じた理由から溶融工程を酸化条件下で実
行することが必要であり、そして（２）フリットをボー
ルミル粉砕する必要のあることが分かった。
作ることができ、それらはいくつかの金属酸化物成分を
混合し、混合物を加熱し溶融物を形成させ、溶融物を冷
水で冷却してフリットを形成させ、そして得られるガラ
ス粉末の粒子の大きさを調節するためフリットを粉砕す
ることにより製造される。しかしながら、これらの特殊
なガラスの製造方法は２つの点で慣用的でなく、すなわ
ち（１）上で論じた理由から溶融工程を酸化条件下で実
行することが必要であり、そして（２）フリットをボー
ルミル粉砕する必要のあることが分かった。
【００２１】前に述べたように、金属酸化物の混合物を
酸化的に溶融することは酸化物の溶融混合物に空気をバ
ブリングして６価クロムを生成しやすくすることにより
容易に達成される。当該技術分野でよく知られているよ
うに、加熱はピーク温度で溶融物が完全に液化して均一
になるまで実行する。現在の作業では成分をポリエチレ
ン製ジャーの中でプラスチックボールと一緒に振盪して
予備混合し、次いで白金るつぼ中で所望の温度で溶融す
る。
酸化的に溶融することは酸化物の溶融混合物に空気をバ
ブリングして６価クロムを生成しやすくすることにより
容易に達成される。当該技術分野でよく知られているよ
うに、加熱はピーク温度で溶融物が完全に液化して均一
になるまで実行する。現在の作業では成分をポリエチレ
ン製ジャーの中でプラスチックボールと一緒に振盪して
予備混合し、次いで白金るつぼ中で所望の温度で溶融す
る。
【００２２】溶融物をピーク温度で１〜1/2時間加熱す
る。次いで溶融物を冷水中に注入する。冷却中の水の最
高温度は溶融物に対する水の容量を増加させることによ
りできるだけ低く保つ。水から分離した後の粗フリット
を空気中で乾燥するか又はメタノールで洗浄して水を置
き換えることにより残留水を除く。次いで粗フリットを
アルミナ容器中でアルミナボールを使用して３〜２４時
間ボールミル粉砕する。
る。次いで溶融物を冷水中に注入する。冷却中の水の最
高温度は溶融物に対する水の容量を増加させることによ
りできるだけ低く保つ。水から分離した後の粗フリット
を空気中で乾燥するか又はメタノールで洗浄して水を置
き換えることにより残留水を除く。次いで粗フリットを
アルミナ容器中でアルミナボールを使用して３〜２４時
間ボールミル粉砕する。
【００２３】粉砕したフリットのスラリーを排出し、過
剰の溶剤をデカントして除き、そしてフリット粉末を室
温で風乾する。次いで乾燥した粉末を３２５メッシュの
ふるいを通して大きな粒子をすべて除く。
剰の溶剤をデカントして除き、そしてフリット粉末を室
温で風乾する。次いで乾燥した粉末を３２５メッシュの
ふるいを通して大きな粒子をすべて除く。
【００２４】現在ガラスフリットの大きさを減らす２つ
の主要な方法、ボールミル粉砕とジェットミル粉砕があ
る。前者は粉砕作用を不活性セラミックボールにより実
行する。後者は粉砕作用を高速の流れの中でフリット粒
子を衝突させることにより実行する。両者は広く使用さ
れており、そして各々は通常他の適当な代替方法である
と考えられている。しかしながら、本発明のガラスの異
常な特徴のためそれらをジェットミル粉砕するよりボー
ルミル粉砕する場合最良に働く。特に、本発明のガラス
はボールミル粉砕した場合導電性回路を焼成する際ブリ
スターが形成される傾向の減少することを見出した。好
ましい粉砕用手段はアルミナボールである。この異常な
現象は下の表１に示すデータから観察することができ
る。
の主要な方法、ボールミル粉砕とジェットミル粉砕があ
る。前者は粉砕作用を不活性セラミックボールにより実
行する。後者は粉砕作用を高速の流れの中でフリット粒
子を衝突させることにより実行する。両者は広く使用さ
れており、そして各々は通常他の適当な代替方法である
と考えられている。しかしながら、本発明のガラスの異
常な特徴のためそれらをジェットミル粉砕するよりボー
ルミル粉砕する場合最良に働く。特に、本発明のガラス
はボールミル粉砕した場合導電性回路を焼成する際ブリ
スターが形成される傾向の減少することを見出した。好
ましい粉砕用手段はアルミナボールである。この異常な
現象は下の表１に示すデータから観察することができ
る。
【００２５】
【表１】
【００２６】本発明のカプセル化材ガラス組成物は上に
論じる金属酸化物のみを含むのが好ましい。それにもか
かわらず、５重量％までの少量の他のガラス改質用酸化
物例えばアルカリ金属酸化物及びアルカリ土類をカプセ
ル化材組成物にそれらの本質的な特徴を変化させること
なく添加することができる。
論じる金属酸化物のみを含むのが好ましい。それにもか
かわらず、５重量％までの少量の他のガラス改質用酸化
物例えばアルカリ金属酸化物及びアルカリ土類をカプセ
ル化材組成物にそれらの本質的な特徴を変化させること
なく添加することができる。
【００２７】上述の方法は種々の金属酸化物の上に述べ
た比率の混合物を溶融することによる本発明のガラスの
製造を例証している。しかしながら、このガラスは金属
酸化物を一緒に含む非晶質ガラスの２つ又はそれより多
くを適当な比率で混合して作ることもでき、又は１つ又
は複数の非晶質ガラスを金属酸化物と一緒に混合して適
当な比率の金属酸化物を得ることにより作ることができ
る。この点に関し、より高い及びより低い融点を持つ２
つのガラスを混合することにより本発明の結晶性ガラス
を形成させるのが好ましい。本発明のガラスを作るため
に特に有用な混合物は少量のＡｌ2Ｏ3とＣｒ2Ｏ3を含む
非晶質ホウケイ酸鉛ガラス及びＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓ
ｎＯ2及びＣｒ2Ｏ3を含む非晶質ホウ酸鉛亜鉛ガラスで
あることを見出した。
た比率の混合物を溶融することによる本発明のガラスの
製造を例証している。しかしながら、このガラスは金属
酸化物を一緒に含む非晶質ガラスの２つ又はそれより多
くを適当な比率で混合して作ることもでき、又は１つ又
は複数の非晶質ガラスを金属酸化物と一緒に混合して適
当な比率の金属酸化物を得ることにより作ることができ
る。この点に関し、より高い及びより低い融点を持つ２
つのガラスを混合することにより本発明の結晶性ガラス
を形成させるのが好ましい。本発明のガラスを作るため
に特に有用な混合物は少量のＡｌ2Ｏ3とＣｒ2Ｏ3を含む
非晶質ホウケイ酸鉛ガラス及びＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓ
ｎＯ2及びＣｒ2Ｏ3を含む非晶質ホウ酸鉛亜鉛ガラスで
あることを見出した。
【００２８】有機媒質 本発明の使用に適する有機媒質はカプセル化材組成物が
適用される物理的形体により選択される。特にカプセル
化材ガラスフリットはスクリーン印刷により厚膜ペース
トとして適用することができ、そしてそれは未焼成テー
プとして適用することもできる。
適用される物理的形体により選択される。特にカプセル
化材ガラスフリットはスクリーン印刷により厚膜ペース
トとして適用することができ、そしてそれは未焼成テー
プとして適用することもできる。
【００２９】カプセル化材をスクリーン印刷で適用する
場合、その粒子を不活性液体媒質（ビヒクル）と機械的
撹拌（例えばロールミル）により混合し、スクリーン印
刷に適用する稠度とレオロジーを持つペースト状組成物
を生成させる。後者を慣用的な方法で「厚膜」として印
刷する。
場合、その粒子を不活性液体媒質（ビヒクル）と機械的
撹拌（例えばロールミル）により混合し、スクリーン印
刷に適用する稠度とレオロジーを持つペースト状組成物
を生成させる。後者を慣用的な方法で「厚膜」として印
刷する。
【００３０】有機媒質の主要な目的は組成物の微粉砕固
体をそれが容易にセラミック又は他の基体に適用できる
ような形体に分散させるためのビヒクルとして役立つこ
とである。従って有機媒質はまず第一に固体を適当な程
度の安定性で分散させ得るものでなければならない。第
二に、有機媒質のレオロジー特性はそれが分散物に良好
な適用特性を付与するものでなければならない。
体をそれが容易にセラミック又は他の基体に適用できる
ような形体に分散させるためのビヒクルとして役立つこ
とである。従って有機媒質はまず第一に固体を適当な程
度の安定性で分散させ得るものでなければならない。第
二に、有機媒質のレオロジー特性はそれが分散物に良好
な適用特性を付与するものでなければならない。
【００３１】大部分の厚膜組成物はスクリーン印刷によ
り基体に適用される。従って、それらはスクリーンを容
易に通過できるように適当な粘度を持たなければならな
い。その上、それらはスクリーンを通過した後速やかに
固まり、それにより良好な分解能が得られるようにチキ
ソトロープ性であるべきである。レオロジー特性が第一
に重要なことである一方、有機媒質は固体と基体の適当
な湿潤性、良好な乾燥速度、手荒な取扱いに抵抗するに
十分な乾燥フィルムの強度及び良好な焼成特性も与える
ように配合するのが好ましい。焼成済み組成物の満足で
きる外観も重要である。
り基体に適用される。従って、それらはスクリーンを容
易に通過できるように適当な粘度を持たなければならな
い。その上、それらはスクリーンを通過した後速やかに
固まり、それにより良好な分解能が得られるようにチキ
ソトロープ性であるべきである。レオロジー特性が第一
に重要なことである一方、有機媒質は固体と基体の適当
な湿潤性、良好な乾燥速度、手荒な取扱いに抵抗するに
十分な乾燥フィルムの強度及び良好な焼成特性も与える
ように配合するのが好ましい。焼成済み組成物の満足で
きる外観も重要である。
【００３２】すべてのこれらの基準を考慮して、広範囲
の種々の液体を有機媒質として使用することができる。
大部分の厚膜組成物のための有機媒質は典型的には溶媒
中の樹脂の溶液であり、しばしばチキソトロープ剤と湿
潤剤も含む。この溶媒は通常１３０〜３５０℃の範囲で
沸騰する。
の種々の液体を有機媒質として使用することができる。
大部分の厚膜組成物のための有機媒質は典型的には溶媒
中の樹脂の溶液であり、しばしばチキソトロープ剤と湿
潤剤も含む。この溶媒は通常１３０〜３５０℃の範囲で
沸騰する。
【００３３】適当な溶剤は灯油、ミネラルスピリット、
ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチルカル
ビトールアセテート、ヘキシレングリコール及び高沸点
アルコール及びアルコールエステルを含む。これらの及
び他の溶剤の組合わせを配合して所望の粘度と揮発性を
得ることができる。
ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチルカル
ビトールアセテート、ヘキシレングリコール及び高沸点
アルコール及びアルコールエステルを含む。これらの及
び他の溶剤の組合わせを配合して所望の粘度と揮発性を
得ることができる。
【００３４】この目的のため断然最もしばしば使用さ
れ、そしてしばしば好ましい樹脂はエチルセルロースで
ある。しかしながら、エチルヒドロキシエチルセルロー
ス、ウッドロジン、エチルセルロースとフェノール樹脂
の混合物、低級アルコールのポリメタクリレート及びエ
チレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル
も使用することができる。
れ、そしてしばしば好ましい樹脂はエチルセルロースで
ある。しかしながら、エチルヒドロキシエチルセルロー
ス、ウッドロジン、エチルセルロースとフェノール樹脂
の混合物、低級アルコールのポリメタクリレート及びエ
チレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテル
も使用することができる。
【００３５】過去において、ポリ（α−メチルスチレ
ン）がそのすぐれた燃え尽き特性のため厚膜適用のため
の樹脂として使用された。しかしながら、ポリ（α−メ
チルスチレン）はそれで作った厚膜ペーストが極めて貧
弱なレオロジー特性を示したことより広く使用されなか
った。しかしながら、本発明のカプセル化材組成物をジ
ブチルカルビトールに溶解したポリ（α−メチルスチレ
ン）を使用して厚膜ペーストとして配合する場合、得ら
れるペーストは極めて良好なスクリーン印刷のためのレ
オロジー特性をもつことを見出だした。従って本発明の
カプセル化材組成物を厚膜ペーストとして配合するため
の好ましい有機媒質は２０〜６０重量％のポリ（α−メ
チルスチレン）と８０〜４０重量％のジブチルカルビト
ール及び好ましくは４５〜５５重量％のポリ（α−メチ
ルスチレン）と５５〜４５重量％のジブチルカルビトー
ルの溶液である。
ン）がそのすぐれた燃え尽き特性のため厚膜適用のため
の樹脂として使用された。しかしながら、ポリ（α−メ
チルスチレン）はそれで作った厚膜ペーストが極めて貧
弱なレオロジー特性を示したことより広く使用されなか
った。しかしながら、本発明のカプセル化材組成物をジ
ブチルカルビトールに溶解したポリ（α−メチルスチレ
ン）を使用して厚膜ペーストとして配合する場合、得ら
れるペーストは極めて良好なスクリーン印刷のためのレ
オロジー特性をもつことを見出だした。従って本発明の
カプセル化材組成物を厚膜ペーストとして配合するため
の好ましい有機媒質は２０〜６０重量％のポリ（α−メ
チルスチレン）と８０〜４０重量％のジブチルカルビト
ール及び好ましくは４５〜５５重量％のポリ（α−メチ
ルスチレン）と５５〜４５重量％のジブチルカルビトー
ルの溶液である。
【００３６】一般に使用されるチキソトロープ剤には水
添ヒマシ油とその誘導体及びエチルセルロースが含まれ
る。もちろん、チキソトロープ剤を配合することが常に
必要なわけではなく、なぜなら任意の懸濁液において固
有の剪断減粘性と結合した溶媒樹脂特性がこの点に関し
て単独で適当なことがあり得るからである。適当な湿潤
剤はリン酸エステルと大豆レシチンを含む。
添ヒマシ油とその誘導体及びエチルセルロースが含まれ
る。もちろん、チキソトロープ剤を配合することが常に
必要なわけではなく、なぜなら任意の懸濁液において固
有の剪断減粘性と結合した溶媒樹脂特性がこの点に関し
て単独で適当なことがあり得るからである。適当な湿潤
剤はリン酸エステルと大豆レシチンを含む。
【００３７】ペースト分散物中の有機媒質の固体に対す
る比率は相当に変化させることができ、そして分散物が
適用される方法及び使用する有機媒質の種類の如何によ
る。通常良好な被覆を達成するには、分散物は相補的に
重量で４０〜９０％の固体と６０〜１０％の有機媒質を
含む。
る比率は相当に変化させることができ、そして分散物が
適用される方法及び使用する有機媒質の種類の如何によ
る。通常良好な被覆を達成するには、分散物は相補的に
重量で４０〜９０％の固体と６０〜１０％の有機媒質を
含む。
【００３８】使用する媒質（ビヒクル）で好都合に製造
されるペーストは主として最終の所望の配合物粘度と印
刷の厚さにより決定される。
されるペーストは主として最終の所望の配合物粘度と印
刷の厚さにより決定される。
【００３９】本発明の分散物のレオロジー特性を調節
し、そして有機媒質の溶剤成分を変化させることにより
本発明の組成物を注型以外の方法例えばスクリーン印刷
により基体に適用できることが理解されるであろう。組
成物をスクリーン印刷により適用する場合、厚膜材料に
使用する慣用的な有機媒質材料はポリマーが適用温度で
その中に完全に可溶性である限り使用することができ
る。
し、そして有機媒質の溶剤成分を変化させることにより
本発明の組成物を注型以外の方法例えばスクリーン印刷
により基体に適用できることが理解されるであろう。組
成物をスクリーン印刷により適用する場合、厚膜材料に
使用する慣用的な有機媒質材料はポリマーが適用温度で
その中に完全に可溶性である限り使用することができ
る。
【００４０】試験方法 レーザートリム安定性：厚膜抵抗器のレーザートリミン
グはハイブリットマイクロ電子回路の製造の重要な技術
である（D.W. Hamer及びJ.V. Biggers、 「厚膜ハイブリ
ッドマイクロ回路技術」（Wiley、 １９７２年刊)、１７
３ページで論じられている）。その使用は基体の群に同
じ抵抗性インキで印刷した特定の抵抗器の抵抗はグッシ
ャン（Gussian）様分布を持つことを考慮することによ
り理解することができる。すべての抵抗器を適当な回路
性能のため同じ設計値を持つように作るには抵抗器材料
の小部分を除去（蒸発）することにより抵抗をトリムア
ップ（trim up）するためにレーザーを使用する。その
後トリム済み抵抗器の安定性はレーザートリミング後に
起こる抵抗のわずかな変化の目安である。低い抵抗変化
−高い安定性は抵抗がその適当な回路性能のための設計
値に近接して保たれるために必要である。
グはハイブリットマイクロ電子回路の製造の重要な技術
である（D.W. Hamer及びJ.V. Biggers、 「厚膜ハイブリ
ッドマイクロ回路技術」（Wiley、 １９７２年刊)、１７
３ページで論じられている）。その使用は基体の群に同
じ抵抗性インキで印刷した特定の抵抗器の抵抗はグッシ
ャン（Gussian）様分布を持つことを考慮することによ
り理解することができる。すべての抵抗器を適当な回路
性能のため同じ設計値を持つように作るには抵抗器材料
の小部分を除去（蒸発）することにより抵抗をトリムア
ップ（trim up）するためにレーザーを使用する。その
後トリム済み抵抗器の安定性はレーザートリミング後に
起こる抵抗のわずかな変化の目安である。低い抵抗変化
−高い安定性は抵抗がその適当な回路性能のための設計
値に近接して保たれるために必要である。
【００４１】１５０℃の経時で起こるシフト：室温で抵
抗を最初に測定した後、抵抗器を１５０℃の加熱キャビ
ネットの中の乾燥空気中に置き、特定した時間（通常
１,０００時間）その温度に保つ。特定した時間の終わ
りに抵抗器を除き、そして室温に冷却する。再び抵抗を
測定し、そして最初の抵抗測定と比較して抵抗の変化を
計算する。
抗を最初に測定した後、抵抗器を１５０℃の加熱キャビ
ネットの中の乾燥空気中に置き、特定した時間（通常
１,０００時間）その温度に保つ。特定した時間の終わ
りに抵抗器を除き、そして室温に冷却する。再び抵抗を
測定し、そして最初の抵抗測定と比較して抵抗の変化を
計算する。
【００４２】気密性：この試験は加熱キャビネット内の
空気を８５℃で８５％相対湿度（ＲＨ）（８５％ＲＨ／
８５℃）に保持することを除いて上述の経時で起こるシ
フト試験と同じ方法で実行する。
空気を８５℃で８５％相対湿度（ＲＨ）（８５％ＲＨ／
８５℃）に保持することを除いて上述の経時で起こるシ
フト試験と同じ方法で実行する。
【００４３】抵抗の測定と計算：試験基体を温度調節し
た部屋の中の末端ポストの上に載せ、そしてディジタル
オーム計に電気的に接続する。部屋の温度を調節して平
衡化させ、その後各基体上の試験抵抗器の抵抗を測定し
記録する。
た部屋の中の末端ポストの上に載せ、そしてディジタル
オーム計に電気的に接続する。部屋の温度を調節して平
衡化させ、その後各基体上の試験抵抗器の抵抗を測定し
記録する。
【００４４】銀移動抵抗試験：本発明の組成物に付きそ
の銀移動に対する抵抗能力を試験するため次の手順を使
用する。
の銀移動に対する抵抗能力を試験するため次の手順を使
用する。
【００４５】(１) 一組の平行な厚膜銀導線を１.１ミ
ルの線材を持つ３２５メッシュのスクリーンを使用して
９６％Ａｌ2Ｏ3基体上に印刷する。次いで導体パターン
を焼成する。
ルの線材を持つ３２５メッシュのスクリーンを使用して
９６％Ａｌ2Ｏ3基体上に印刷する。次いで導体パターン
を焼成する。
【００４６】(２) １.６ミルの線材を持つ２００メッ
シュのスクリーンを使用して導線基体上にオーバーグレ
ーズストリップ（overglaze strip）を印刷する。パタ
ーン化したオーバーグレーズペーストを短い２０〜３０
分の焼成周期を使用して５００〜６００℃で焼成する。
シュのスクリーンを使用して導線基体上にオーバーグレ
ーズストリップ（overglaze strip）を印刷する。パタ
ーン化したオーバーグレーズペーストを短い２０〜３０
分の焼成周期を使用して５００〜６００℃で焼成する。
【００４７】(３) 脱イオン水の水滴を導線の間の焼成
済みオーバーグレーズ上に置き、２０ボルトの直流を１
５分間通電する。
済みオーバーグレーズ上に置き、２０ボルトの直流を１
５分間通電する。
【００４８】(４) １５分間通電後、集成体を顕微鏡下
及び視覚により検査する。泡、しみ又は樹脂状結晶形成
のような何等かの相互作用が認められる場合集成体は試
験に失敗したとみなし、その後終了する。
及び視覚により検査する。泡、しみ又は樹脂状結晶形成
のような何等かの相互作用が認められる場合集成体は試
験に失敗したとみなし、その後終了する。
【００４９】上記試験はS.J. Krumbeinが「部品、ハイ
ブリット及び製造技術に関するＩＥＥＥ会報（IEEE Tra
nsactions on Components, Hybrids and Manufacturing
Technology)」（１９８８年３月）、II巻（１号）に発
表した「金属電気移動現象」の表題の論文に記述された
手順に基づく。
ブリット及び製造技術に関するＩＥＥＥ会報（IEEE Tra
nsactions on Components, Hybrids and Manufacturing
Technology)」（１９８８年３月）、II巻（１号）に発
表した「金属電気移動現象」の表題の論文に記述された
手順に基づく。
【００５０】耐久性は次のように測定した：秤量した１
×１インチのアルミナ基体に所望のオーバーグレーズを
スクリーン印刷し、乾燥し、次いでベルト炉で５６０℃
のピーク温度で焼成した。次いで焼成した部分を再度秤
量してオーバーグレーズの正味重量を記録し、その後室
温で沸騰水に５時間又は１.４９％ＴＥＡに２４時間曝
す（各々の１×１基体に２５ｇの１.４９％ＴＥＡ溶液
を使用し、沸騰水試験においては各々の１×１基体に５
０ｇの蒸留水を使用した）。試験溶液に曝した後、部品
を蒸留水で洗浄し、１２０℃±１０℃のオーブンで１６
時間乾燥した。重量を再度記録して重量損失（△Ｗ）を
求めた。すべての重量測定は精度が±０.０００１ｇの
分析用天秤で実施したので、測定した△Ｗの精度は±
０.０００３ｇである。沸騰水中で数時間の耐久性は測
定したすべての組成物について顕著である（表１）。重
量損失は０.０００１ｇ〜０.０００５ｇであり、これは
実験誤差の範囲内であった。１.４９％ＴＥＡ溶液中の
耐久性を下に示す。
×１インチのアルミナ基体に所望のオーバーグレーズを
スクリーン印刷し、乾燥し、次いでベルト炉で５６０℃
のピーク温度で焼成した。次いで焼成した部分を再度秤
量してオーバーグレーズの正味重量を記録し、その後室
温で沸騰水に５時間又は１.４９％ＴＥＡに２４時間曝
す（各々の１×１基体に２５ｇの１.４９％ＴＥＡ溶液
を使用し、沸騰水試験においては各々の１×１基体に５
０ｇの蒸留水を使用した）。試験溶液に曝した後、部品
を蒸留水で洗浄し、１２０℃±１０℃のオーブンで１６
時間乾燥した。重量を再度記録して重量損失（△Ｗ）を
求めた。すべての重量測定は精度が±０.０００１ｇの
分析用天秤で実施したので、測定した△Ｗの精度は±
０.０００３ｇである。沸騰水中で数時間の耐久性は測
定したすべての組成物について顕著である（表１）。重
量損失は０.０００１ｇ〜０.０００５ｇであり、これは
実験誤差の範囲内であった。１.４９％ＴＥＡ溶液中の
耐久性を下に示す。
【００５１】
【実施例】次の実施例において厚膜ペーストを２つの厚
膜ペーストを混合して製造した。前記２つの厚膜ペース
トの分散させた固体は次の組成を持っていた。
膜ペーストを混合して製造した。前記２つの厚膜ペース
トの分散させた固体は次の組成を持っていた。
【００５２】ペーストＡ：ガラスＩは７７％のＰｂＯ、
１２.５％のＢ2Ｏ3、９.１％のＳｉＯ2及び１.４％のＡ
ｌ2Ｏ3プラスＳｉＯ2及びＣｒ2Ｏ3を含み、ペースト固
体の全組成は６６.６％のＰｂＯ、１０.８％のＢ2Ｏ3、
１.２％のＡｌ2Ｏ3、２０.４％のＳｉＯ2及び１.０％の
Ｃｒ2Ｏ3である。
１２.５％のＢ2Ｏ3、９.１％のＳｉＯ2及び１.４％のＡ
ｌ2Ｏ3プラスＳｉＯ2及びＣｒ2Ｏ3を含み、ペースト固
体の全組成は６６.６％のＰｂＯ、１０.８％のＢ2Ｏ3、
１.２％のＡｌ2Ｏ3、２０.４％のＳｉＯ2及び１.０％の
Ｃｒ2Ｏ3である。
【００５３】ペーストＢ：ガラスIIは３８.４％のＰｂ
Ｏ、３８.３％のＺｎＯ、１７.３％のＢ2Ｏ3、０.８％
のＡｌ2Ｏ3、２.３％のＳｉＯ2及び２.９％のＳｎＯ2プ
ラスＣｒ2Ｏ3を含み、ペースト固体の全組成は３７.８
％のＰｂＯ、３７.６％のＺｎＯ、１７.０％のＢ2Ｏ3、
０.８％のＡｌ2Ｏ3、２.３％のＳｉＯ2、２.８％のＳｎ
Ｏ2及び１.９％のＣｒ2Ｏ3である。
Ｏ、３８.３％のＺｎＯ、１７.３％のＢ2Ｏ3、０.８％
のＡｌ2Ｏ3、２.３％のＳｉＯ2及び２.９％のＳｎＯ2プ
ラスＣｒ2Ｏ3を含み、ペースト固体の全組成は３７.８
％のＰｂＯ、３７.６％のＺｎＯ、１７.０％のＢ2Ｏ3、
０.８％のＡｌ2Ｏ3、２.３％のＳｉＯ2、２.８％のＳｎ
Ｏ2及び１.９％のＣｒ2Ｏ3である。
【００５４】実施例１〜５ 一組みの５つのカプセル化材厚膜ペーストをペーストＡ
をペーストＢと重量で１０％〜５０％のペーストＡと補
足的に９０％〜５０％のペーストＢの範囲で増減して配
合することにより製造した。ペースト配合物の組成及び
それから製造した焼成済みカプセル化材層のＴＣＥとＴ
ＥＡにおける耐久性特性を下の表２に示す。
をペーストＢと重量で１０％〜５０％のペーストＡと補
足的に９０％〜５０％のペーストＢの範囲で増減して配
合することにより製造した。ペースト配合物の組成及び
それから製造した焼成済みカプセル化材層のＴＣＥとＴ
ＥＡにおける耐久性特性を下の表２に示す。
【００５５】
【表２】
【００５６】実施例６ 金属酸化物の混合物からガラスを１０００℃で溶融し、
蒸留水中でフリット化する上述の慣用的なガラス製造法
によりガラスを製造した。フリットを１６時間ボールミ
ル粉砕し、次いで一晩乾燥した。このガラスは重量で次
の組成を待つ。
蒸留水中でフリット化する上述の慣用的なガラス製造法
によりガラスを製造した。フリットを１６時間ボールミ
ル粉砕し、次いで一晩乾燥した。このガラスは重量で次
の組成を待つ。
【００５７】 ＰｂＯ ４５.３％ ＺｎＯ ３１.４ ＳｉＯ2 ３.５ ＳｎＯ2 ２.４ Ｂ2Ｏ3 １６.５ Ａｌ2Ｏ3 ０.９ 厚膜ペーストをこのガラスからエチルセルロース、テル
ピネオール溶剤有機媒質を使用して製造した。焼成した
ペーストのＴＣＥは室温から３００℃まで測定して６７
×１０-7／℃であり、そしてトリエタノールアミン中の
耐久性試験は２４時間後３.２５％のみの平均重量損失
を示した。焼成した層はブリスターを含まず、そして顕
著なＡｇ移動抵抗を示した。
ピネオール溶剤有機媒質を使用して製造した。焼成した
ペーストのＴＣＥは室温から３００℃まで測定して６７
×１０-7／℃であり、そしてトリエタノールアミン中の
耐久性試験は２４時間後３.２５％のみの平均重量損失
を示した。焼成した層はブリスターを含まず、そして顕
著なＡｇ移動抵抗を示した。
【００５８】実施例７ 別のガラスを金属酸化物の混合物から実施例６のガラス
におけると同じ方法で製造した。このガラスは重量で次
の組成を持つ。
におけると同じ方法で製造した。このガラスは重量で次
の組成を持つ。
【００５９】 ＰｂＯ ４３.０％ ＺｎＯ ３３.０ ＳｉＯ2 ２.３ ＳｎＯ2 ２.０ Ｂ2Ｏ3 １５.７ Ａｌ2Ｏ3 ４.０ 厚膜ペーストをこのガラスから実施例６におけると同じ
有機媒質組成物を使用して製造した。焼成したペースト
のＴＣＥは室温から３００℃まで測定して６５×１０-7
／℃であり、そしてトリエタノールアミン中の耐久性試
験は２４時間後５.７４％の平均重量損失を示した。焼
成した層はブリスターを含まず、そしてすぐれたＡｇ移
動抵抗を示した。
有機媒質組成物を使用して製造した。焼成したペースト
のＴＣＥは室温から３００℃まで測定して６５×１０-7
／℃であり、そしてトリエタノールアミン中の耐久性試
験は２４時間後５.７４％の平均重量損失を示した。焼
成した層はブリスターを含まず、そしてすぐれたＡｇ移
動抵抗を示した。
Claims (11)
- 【請求項１】 重量％で１５〜３４.５％のＺｎＯ、４
１〜６５％のＰｂＯ、１０〜３０％のＢ2Ｏ3、０.５〜
１５％のＳｉＯ2、０.５〜１０％のＳｎＯ2及び０〜７
％のＡｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3又はそれらの混合物からなる結
晶性ガラス組成物。 - 【請求項２】 有機媒質中に分散させた請求項１記載の
ガラスの微粉砕粒子からなる厚膜組成物。 - 【請求項３】 複数の結晶性ガラスの微粉砕粒子からな
り、前記ガラスの全組成物が請求項１記載のガラス組成
物に一致する厚膜組成物。 - 【請求項４】 組成物の分散させた固体が本質的にホウ
酸鉛亜鉛ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス、ＳｉＯ2及びＣ
ｒ2Ｏ3からなる請求項３記載の厚膜組成物。 - 【請求項５】 結晶性ガラスと金属酸化物との微粉砕粒
子の混合物であって、前記混合物の全組成物が請求項１
記載のガラス組成物に一致する厚膜組成物。 - 【請求項６】 残りのガラスに分散させた主要な量のＰ
ｂＺｎ2Ｂ2Ｏ6からなる複数の結晶相の形成を遂行する
ため５１０〜５６０℃の温度で焼成した請求項１記載の
組成物。 - 【請求項７】 ２５〜３４.５のＺｎＯを含む請求項１
記載の組成物。 - 【請求項８】 ４０〜５０％のＰｂＯを含む請求項１記
載の組成物。 - 【請求項９】 １０〜１８％のＢ2Ｏ3を含む請求項１記
載の組成物。 - 【請求項１０】 揮発性溶剤に溶解したポリマーからな
る有機媒質中に分散させた請求項１記載の組成物の微粉
砕粒子からなる厚膜組成物。 - 【請求項１１】 固体ポリマーからなる有機媒質中に分
散させた請求項１記載の組成物の微粉砕粒子からなる未
焼成テープ。
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