JPH05102395A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
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- JPH05102395A JPH05102395A JP3256645A JP25664591A JPH05102395A JP H05102395 A JPH05102395 A JP H05102395A JP 3256645 A JP3256645 A JP 3256645A JP 25664591 A JP25664591 A JP 25664591A JP H05102395 A JPH05102395 A JP H05102395A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路（ＩＣ）、大
規模集積回路（ＬＳＩ）、及び超大規模集積回路（ＶＬ
ＳＩ）等といった半導体集積回路（以下、これを単にＩ
Ｃという）、特にその電源部の電源ノイズを除去する回
路を内蔵したＩＣに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an integrated circuit (IC), a large scale integrated circuit (LSI), and a very large scale integrated circuit (VL).
Semiconductor integrated circuits such as SI) (hereinafter simply referred to as I
C), and particularly to an IC having a built-in circuit for removing power supply noise of the power supply section.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＩＣの電源部に高周波ノイズ等の
電源ノイズが印加されると、ＩＣの内部回路が破壊や誤
動作を生じるおそれがあるため、種々のノイズ除去方法
が提案されている。その一構成例を図２（ａ），（ｂ）
に示す。図２（ａ），（ｂ）は、従来の電源ノイズ除去
手段を有するＩＣの構成図である。図２（ａ）は、ＩＣ
１０の外部にローパスフィルタ２０を接続した構成図で
ある。ＩＣ１０は、電源端子１１、グランド端子１２、
及び信号端子１３等を有し、その電源端子１１と外部電
源ＶＣＣとの間にローパスフィルタ（以下、ＬＰＦとい
う）２０が接続されている。ＬＰＦ２０は、抵抗Ｒと容
量Ｃとで構成されている。2. Description of the Related Art Conventionally, when power supply noise such as high frequency noise is applied to a power supply section of an IC, the internal circuit of the IC may be destroyed or malfunction, so various noise removing methods have been proposed. An example of the configuration is shown in FIGS.
Shown in. 2A and 2B are configuration diagrams of an IC having a conventional power supply noise removing means. Figure 2 (a) shows the IC
FIG. 3 is a configuration diagram in which a low-pass filter 20 is connected to the outside of 10. The IC 10 includes a power supply terminal 11, a ground terminal 12,
And a signal terminal 13 and the like, and a low-pass filter (hereinafter referred to as LPF) 20 is connected between the power supply terminal 11 and the external power supply VCC. The LPF 20 is composed of a resistor R and a capacitor C.
【０００３】図３は、ＩＣ１０の電源部に加わる高周波
の電源ノイズの波形図である。この電源ノイズＮＳは、
例えば幅１００ｎｓ以下で、高さが６Ｖ以上のスパーク
形状をしている。このような電源ノイズＮＳがＩＣ１０
の外部から印加されると、その電源ノイズＮＳがＬＰＦ
２０で遮断（カット）され、ＩＣ１０の内部回路を保護
するようになっている。FIG. 3 is a waveform diagram of high frequency power source noise applied to the power source section of the IC 10. This power noise NS is
For example, the spark shape has a width of 100 ns or less and a height of 6 V or more. Such power supply noise NS causes the IC 10
When applied from the outside of the
It is cut off at 20 to protect the internal circuit of the IC 10.
【０００４】図２（ｂ）の構成では、ＩＣ１０の電源端
子１１と外部電源ＶＣＣとの間に、コイルＬ及び容量Ｃ
からなるＬＰＦ２１が接続され、該ＬＰＦ２１によって
外部電源ＮＳをカットするようになっている。In the configuration of FIG. 2B, the coil L and the capacitor C are provided between the power supply terminal 11 of the IC 10 and the external power supply VCC.
Is connected to the LPF 21, and the LPF 21 cuts off the external power supply NS.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構成では、ＩＣ１０を電源ノイズＮＳから保護するため
に、該ＩＣ１０の外部にＬＰＦ２０または２１を接続し
ているため、ＩＣ１０の小型化を進め、その実装時の小
型化が要求される上で、その小型化の妨げになってい
た。However, in the conventional configuration, since the LPF 20 or 21 is connected to the outside of the IC 10 in order to protect the IC 10 from the power noise NS, the miniaturization of the IC 10 is promoted. The miniaturization at the time of mounting is required, which has been an obstacle to the miniaturization.
【０００６】そこで、これらのＬＰＦ２０または２１を
ＩＣ１０の内部に組込むことが考えられる。しかし、図
３のような電源ノイズＮＳをカットするためには、容量
Ｃとして１００ｐＦ程度必要で、これを集積回路で構成
すると、該容量Ｃを作る面積でＩＣ１０の大部分を占め
てしまうため、ＩＣ１０の小型化が困難になる。また、
コイルＬは集積回路で構成することが困難であるため、
ＩＣ１０の内部に形成することができない。従って、Ｉ
Ｃ１０を大型化することなく、的確に電源ノイズＮＳを
カットすることが困難であった。Therefore, it is conceivable to incorporate these LPFs 20 or 21 inside the IC 10. However, in order to cut off the power supply noise NS as shown in FIG. 3, about 100 pF is required as the capacitance C, and if it is configured by an integrated circuit, the area for making the capacitance C occupies most of the IC 10. It becomes difficult to reduce the size of the IC 10. Also,
Since it is difficult to form the coil L with an integrated circuit,
It cannot be formed inside the IC 10. Therefore, I
It was difficult to accurately cut the power supply noise NS without increasing the size of C10.
【０００７】本発明は、前記従来技術が持っていた課題
として、ＩＣを大型化することなく、的確に電源ノイズ
をカットすることが困難な点について解決した電源ノイ
ズ除去手段内蔵のＩＣを提供するものである。The present invention provides an IC having a built-in power supply noise removing means, which solves the problem that the above-mentioned conventional technique has difficulty in accurately cutting the power supply noise without increasing the size of the IC. It is a thing.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】第１の発明は、前記課題
を解決するために、外部電源印加用の電源端子を有し、
該電源端子に接続された電源配線を介して内部回路に電
源を供給するＩＣにおいて、前記ＩＣ内において前記電
源配線に抵抗を接続し、該抵抗と前記内部回路に生じる
寄生容量とでＬＰＦを構成している。In order to solve the above problems, a first invention has a power supply terminal for applying an external power supply,
In an IC that supplies power to an internal circuit via a power supply wiring connected to the power supply terminal, a resistor is connected to the power supply wiring in the IC, and the resistance and a parasitic capacitance generated in the internal circuit form an LPF. is doing.
【０００９】第２の発明では、第１の発明の寄生容量と
してＰＮジャンクション容量を利用する構成にしてい
る。In the second invention, the PN junction capacitance is used as the parasitic capacitance of the first invention.
【００１０】[0010]
【作用】第１の発明によれば、以上のようにＩＣを構成
したので、ＩＣ内部に形成した抵抗と該ＩＣの内部に生
じる寄生容量とでＬＰＦが構成され、そのＬＰＦによっ
て電源ノイズをカットし、該ＩＣの内部回路を保護す
る。According to the first aspect of the invention, since the IC is configured as described above, the LPF is configured by the resistance formed inside the IC and the parasitic capacitance generated inside the IC, and the LPF cuts the power supply noise. The internal circuit of the IC is protected.
【００１１】第２の発明によれば、内部に設けた抵抗と
ＰＮジャンクション容量とを用いてＬＰＦを構成してい
るので、ＩＣに外部電源を印加すると、該ＩＣ内に容量
値の大きなＰＮジャンクション容量が発生し、その容量
と抵抗によって電源ノイズを遮断する働きがある。従っ
て、前記課題を解決できるのである。According to the second aspect of the invention, since the LPF is constructed by using the resistor and the PN junction capacitance provided inside, when an external power supply is applied to the IC, the PN junction having a large capacitance value is present in the IC. Capacitance is generated, and the capacity and resistance serve to block power supply noise. Therefore, the above problem can be solved.
【００１２】[0012]
【実施例】図１は、本発明の実施例を示すＩＣの構成図
である。このＩＣ３０は、半導体基板に複数のトランジ
スタ等が形成された内部回路を有し、その内部回路に
は、外部電源ＶＣＣ印加用の電源端子３１、信号端子３
２、グランド端子３３等が接続されている。このＩＣ３
０の特徴は、電源端子３１に接続されたＩＣ内の電源配
線３４にＬＰＦ３５を接続し、該ＬＰＦ３５を、内部回
路に生じるＰＮジャンクション容量等の寄生容量Ｃ0 と
該ＩＣ内に形成した抵抗Ｒとで構成している。1 is a block diagram of an IC showing an embodiment of the present invention. The IC 30 has an internal circuit in which a plurality of transistors and the like are formed on a semiconductor substrate, and the internal circuit includes a power supply terminal 31 for applying an external power supply VCC and a signal terminal 3.
2, the ground terminal 33, etc. are connected. This IC3
The feature of 0 is that the LPF 35 is connected to the power supply wiring 34 in the IC connected to the power supply terminal 31, and the LPF 35 is connected to the parasitic capacitance C 0 such as a PN junction capacitance generated in the internal circuit and the resistor R formed in the IC. It consists of and.
【００１３】図４（ａ）〜（ｃ）は、図１のＩＣ３０内
部に生じる寄生容量Ｃ0 の説明図である。図４（ａ）
は、ＩＣ３０の内部の一部を示す図である。ＩＣ３０の
内部回路を構成する例えばＰ型半導体基板４０には、Ｎ
型エピタキシャル層４１が形成され、そのエピタキシャ
ル層４１の素子領域がＰ型アイソレーション層４３によ
って他の素子領域と分離されている。エピタキシャル層
４１内には、Ｐ型不純物層からなるエミッタＥ及びコレ
クタＣと、Ｎ型不純物層からなるベースＢとを有するＰ
ＮＰ型のトランジスタ５１が形成されている。FIGS. 4A to 4C are explanatory views of the parasitic capacitance C 0 generated inside the IC 30 of FIG. Figure 4 (a)
FIG. 3 is a diagram showing a part of the inside of IC 30. For example, in the P-type semiconductor substrate 40 forming the internal circuit of the IC 30,
The type epitaxial layer 41 is formed, and the element region of the epitaxial layer 41 is separated from other element regions by the P-type isolation layer 43. In the epitaxial layer 41, P having an emitter E and a collector C made of a P type impurity layer and a base B made of an N type impurity layer.
An NP type transistor 51 is formed.
【００１４】ここで、エミッタＥを外部電源ＶＣＣに接
続し、半導体基板４０及びアイソレーション層４３をグ
ランドＧＮＤに接続する。すると、エピタキシャル層４
１は外部電源ＶＣＣより約０．６〜０．７Ｖ程度低い値
となるが、半導体基板４０及びアイソレーション層４３
がＧＮＤ電位であるため、この間にＰＮジャンクション
容量Ｃj の寄生容量Ｃ0 が発生する。Here, the emitter E is connected to the external power supply VCC, and the semiconductor substrate 40 and the isolation layer 43 are connected to the ground GND. Then, the epitaxial layer 4
1 is lower than the external power supply VCC by about 0.6 to 0.7 V, the semiconductor substrate 40 and the isolation layer 43
Is a GND potential, a parasitic capacitance C 0 of the PN junction capacitance C j is generated during this period.
【００１５】図４（ｂ）は、ＩＣ１０を構成する内部回
路の一部を示す図である。半導体基板４０に形成された
エピタキシャル層４１内には、Ｎ型不純物層からなるコ
レクタ及びエミッタと、Ｐ型不純物層からなるベースＢ
とを有するＮＰＮ型トランジスタ５２が形成されてい
る。FIG. 4B is a diagram showing a part of an internal circuit constituting the IC 10. In the epitaxial layer 41 formed on the semiconductor substrate 40, a collector and an emitter made of an N-type impurity layer and a base B made of a P-type impurity layer.
An NPN type transistor 52 having is formed.
【００１６】このコレクタＣに外部電源ＶＣＣを接続
し、半導体基板４０及びアイソレーション層４３をＧＮ
Ｄ電位に接続する。すると、エピタキシャル層４１は外
部電源ＶＣＣと同電位となり、図４（ａ）と同様に、半
導体基板４０及びアイソレーション層４３との間に、Ｐ
Ｎジャンクション容量Ｃj からなる寄生容量Ｃ0 が発生
する。An external power supply VCC is connected to the collector C, and the semiconductor substrate 40 and the isolation layer 43 are connected to GN.
Connect to D potential. Then, the epitaxial layer 41 has the same potential as the external power supply VCC, and as shown in FIG. 4A, between the semiconductor substrate 40 and the isolation layer 43, P
A parasitic capacitance C 0 composed of the N junction capacitance C j is generated.
【００１７】従って、図４（ｃ）に示すように、ＩＣ３
０の電源端子３１に外部電源ＶＣＣを接続すると共に、
グランド端子３３をＧＮＤに接続すると、電源配線３４
とＧＮＤとの間に、ＩＣ３０の持つ寄生容量Ｃ0 が存在
することになる。この寄生容量Ｃ0 の大きさは、半導体
基板４０の不純物濃度や、エピタキシャル層４１の不純
物濃度等によって異なり、またＩＣ３０の大きさが大き
くなればなるほど大きくなるが、１００ｐＦ以上になる
ことが多い。Therefore, as shown in FIG.
While connecting the external power supply VCC to the power supply terminal 31 of 0,
When the ground terminal 33 is connected to GND, the power supply wiring 34
Therefore, the parasitic capacitance C 0 of the IC 30 is present between the signal and GND. The size of the parasitic capacitance C 0 depends on the impurity concentration of the semiconductor substrate 40, the impurity concentration of the epitaxial layer 41, and the like, and increases as the size of the IC 30 increases, but is often 100 pF or more.
【００１８】そこで、本実施例では、図１に示すよう
に、図４（ｃ）の寄生容量Ｃ0 を用い、電源配線３４に
抵抗Ｒのみを設けることにより、ＩＣ３０の内部にＬＰ
Ｆ３５を構成している。Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the parasitic capacitance C 0 of FIG.
It constitutes F35.
【００１９】図５（ａ），（ｂ）は、実際に抵抗Ｒ＝３
００ΩをＩＣ３０内の電源部に設けてＬＰＦ３５を構成
したとき（図５（ｂ））と、しないとき（図５（ａ））
の電源部の電源ノイズに対する効果を示す波形図であ
る。In FIGS. 5 (a) and 5 (b), the actual resistance R = 3.
When 00Ω is provided in the power supply section in the IC 30 to configure the LPF 35 (FIG. 5B) and when it is not configured (FIG. 5A).
FIG. 7 is a waveform diagram showing the effect of the power supply section on the power supply noise.
【００２０】図１の電源部に、図３のような電源ノイズ
ＮＳが印加されると、それが図１のＬＰＦ３５でカット
される。このとき、図５（ｂ）に示すように、電源ノイ
ズＮＳを完全に吸収することができないが、ＬＰＦ３５
によってノイズ波形がかなりなだらかになり、また図５
（ａ）に示すように−１Ｖまで落ちていたノイズレベル
も、ＧＮＤレベルまで上昇している。抵抗Ｒの値を変え
ることにより、カットできる電源ノイズＮＳの周波数も
変えることができるので、この抵抗値を適切な値に選定
すれば、電源ノイズＮＳをより的確にカットできる。ま
た、ＬＰＦ３５は、外部電源ＶＣＣのノイズを除去でき
るばかりか、ＩＣ３０内の出力段に加える電源のノイズ
等も除去できる。When the power supply noise NS as shown in FIG. 3 is applied to the power supply section of FIG. 1, it is cut by the LPF 35 of FIG. At this time, as shown in FIG. 5B, the power supply noise NS cannot be completely absorbed, but the LPF 35
Caused the noise waveform to become quite gentle, and Fig. 5
As shown in (a), the noise level, which had dropped to -1V, also rises to the GND level. Since the frequency of the power supply noise NS that can be cut can also be changed by changing the value of the resistor R, the power supply noise NS can be cut more accurately by selecting an appropriate value for this resistance value. Further, the LPF 35 can not only remove the noise of the external power supply VCC, but also remove the noise of the power supply added to the output stage in the IC 30.
【００２１】さらに、抵抗Ｒは、例えば図４（ａ），
（ｂ）に示すような半導体基板４０あるいはエピタキシ
ャル層４１に、不純物を形成する等してより小さな面積
で作ることができるため、ＩＣ３０内部に容易にＬＰＦ
３５を形成することができる。従って、従来のようなＬ
ＰＦ２０，２１を外付けにしていたＩＣ１０に比べ、大
幅に小型化できる。Further, the resistance R is, for example, as shown in FIG.
Since the semiconductor substrate 40 or the epitaxial layer 41 as shown in (b) can be formed in a smaller area by forming impurities, the LPF can be easily formed inside the IC 30.
35 can be formed. Therefore, the conventional L
The size can be significantly reduced compared to the IC 10 in which the PFs 20 and 21 are externally attached.
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。ＩＣ３０の内部回路は、図４
（ａ），（ｂ）に示すようなバイポーラトランジスタ回
路の他に、ユニポーラトランジスタ回路等といった他の
回路で構成しても良く、またそれらの内部回路に生じる
ＰＮジャンクション容量Ｃj や他の寄生容量を用いてＬ
ＰＦ３５を構成するようにしてもよい。The present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications are possible. Examples of such modifications include the following. The internal circuit of the IC 30 is shown in FIG.
In addition to the bipolar transistor circuits shown in (a) and (b), other circuits such as a unipolar transistor circuit may be used, and PN junction capacitance C j and other parasitic capacitance generated in these internal circuits. Using L
The PF 35 may be configured.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、ＩＣの内部回路に生じる寄生容量を利用し、
その寄生容量と内部回路に設けた抵抗とでＬＰＦを構成
したので、外部電源や、ＩＣ内部の出力段に加える電源
等のノイズを該ＬＰＦで除去することができる。しか
も、内部回路の寄生容量を利用してＬＰＦをＩＣ内部に
形成したので、ＩＣを大型化することなく、的確に電源
ノイズを除去することが可能となる。As described in detail above, according to the first invention, the parasitic capacitance generated in the internal circuit of the IC is utilized,
Since the LPF is composed of the parasitic capacitance and the resistance provided in the internal circuit, the LPF can remove noise such as an external power supply or a power supply added to the output stage inside the IC. Moreover, since the LPF is formed inside the IC by utilizing the parasitic capacitance of the internal circuit, the power supply noise can be accurately removed without increasing the size of the IC.
【００２４】第２の発明によれば、寄生容量としてＰＮ
ジャンクション容量を利用したので、比較的大きな容量
値と、安定した容量が得られるので、精度の良いＬＰＦ
を構成できる。According to the second invention, PN is used as the parasitic capacitance.
Since the junction capacitance is used, a relatively large capacitance value and a stable capacitance can be obtained.
Can be configured.
【図１】本発明の実施例を示すＩＣの構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an IC showing an embodiment of the present invention.
【図２】従来のＩＣの構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional IC.
【図３】電源ノイズの波形図である。FIG. 3 is a waveform diagram of power supply noise.
【図４】図１中の寄生容量の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a parasitic capacitance in FIG.
【図５】図１のノイズ波形の説明図である。5 is an explanatory diagram of a noise waveform of FIG.
３０ ＩＣ ３１ 電源端子 ３３ グランド端子 ３４ 電源配線 ３５ ＬＰＦ Ｃ0 寄生容量 Ｃj ＰＮジャンクション容量 Ｒ 抵抗 ＶＣＣ 外部電源30 IC 31 Power Supply Terminal 33 Ground Terminal 34 Power Supply Wiring 35 LPF C 0 Parasitic Capacitance C j PN Junction Capacitance R Resistance VCC External Power Supply
Claims (2)
源端子に接続された電源配線を介して内部回路に電源を
供給する半導体集積回路において、 前記半導体集積回路内において前記電源配線に抵抗を接
続し、該抵抗と前記内部回路に生じる寄生容量とでロー
パスフィルタを構成したことを特徴とする半導体集積回
路。1. A semiconductor integrated circuit which has a power supply terminal for applying an external power supply and supplies power to an internal circuit via a power supply wiring connected to the power supply terminal, wherein the power supply wiring is provided in the semiconductor integrated circuit. A semiconductor integrated circuit characterized in that a low-pass filter is constituted by connecting a resistor and the parasitic capacitance generated in the internal circuit.
て、 前記寄生容量としてＰＮジャンクション容量を利用する
構成にした半導体集積回路。2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a PN junction capacitance is used as the parasitic capacitance.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256645A JPH05102395A (en) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3256645A JPH05102395A (en) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102395A true JPH05102395A (en) | 1993-04-23 |
Family
ID=17295488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3256645A Withdrawn JPH05102395A (en) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102395A (en) |
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1991
- 1991-10-03 JP JP3256645A patent/JPH05102395A/en not_active Withdrawn
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