JPH05100123A - Production of optical waveguide - Google Patents
Production of optical waveguideInfo
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- JPH05100123A JPH05100123A JP26363391A JP26363391A JPH05100123A JP H05100123 A JPH05100123 A JP H05100123A JP 26363391 A JP26363391 A JP 26363391A JP 26363391 A JP26363391 A JP 26363391A JP H05100123 A JPH05100123 A JP H05100123A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光導波路の製造方法に関
し、さらに詳しくは、火炎堆積法を用いた光導波路の製
造方法の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide, and more particularly to an improvement in a method for manufacturing an optical waveguide using a flame deposition method.
【０００２】近年、光通信システムを加入者系に適用す
るための研究及び開発が実用化レベルで行われている。
加入者系において波長分割多重を利用した双方向光通信
を実現するためには、異なる波長の光信号を分岐し或い
は合流するための光合分波器が必要不可欠であり、この
光合分波器の量産技術の確立が、加入者系光通信システ
ムを実用化する上でのキーテクノロジーの一つとなって
いる。In recent years, research and development for applying an optical communication system to a subscriber system have been carried out at a practical level.
In order to realize bidirectional optical communication using wavelength division multiplexing in the subscriber system, an optical multiplexer / demultiplexer for branching or joining optical signals of different wavelengths is indispensable. Establishing mass-production technology is one of the key technologies for the practical application of subscriber optical communication systems.
【０００３】光合分波器は、例えば光導波路により光方
向性結合器を構成することにより実現可能である。光導
波路により光方向性結合器を構成する場合、光導波路の
構造パラメータが直接分波特性等の特性に影響を及ぼす
ので、量産時の特性の均一化を図るためには、光導波路
の構造パラメータを設計値どおりに設定できるようにす
ることが要求される。The optical multiplexer / demultiplexer can be realized, for example, by forming an optical directional coupler with an optical waveguide. When an optical directional coupler is constructed with optical waveguides, the structural parameters of the optical waveguides directly affect characteristics such as demultiplexing characteristics. Therefore, in order to make the characteristics uniform during mass production, It is required that the parameters can be set as designed.
【０００４】[0004]
【従来の技術】従来の量産に適した光導波路の製造方法
を図３により説明する。図３（Ａ）に示された光導波路
の製造方法は、主としてＳｉＯ2 からなる比較的低屈折
率なアンダークラッド３２上に火炎堆積法により主とし
てＳｉＯ2 からなる比較的高屈折率なコア層を形成する
ステップと、このコア層をパターンエッチングして所定
形状のコア３４を形成するステップと、コア３４の外表
面を覆うようにアンダークラッド３２上に火炎堆積法に
より主としてＳｉＯ2 からなるアウタークラッド３６を
形成するステップとを含んでいる。2. Description of the Related Art A conventional method of manufacturing an optical waveguide suitable for mass production will be described with reference to FIG. Method of manufacturing an optical waveguide shown in FIG. 3 (A), mainly relatively high refractive index core layer mainly made of SiO 2 by flame hydrolysis deposition on a relatively low refractive index of the under-cladding 32 made of SiO 2 A step of forming, a step of pattern-etching the core layer to form a core 34 having a predetermined shape, and an outer clad 36 mainly composed of SiO 2 on the underclad 32 by a flame deposition method so as to cover the outer surface of the core 34. And forming a.
【０００５】この方法による場合、火炎堆積法において
アンダークラッド３２及びコア３４上に堆積したスート
状ガラスを高温下でガラス化してアウタークラッド３６
を形成するに際して、熱によりコアの断面形状が変形す
るという問題がある。一般にコアには屈折率を高めるた
めのＧｅＯ2 がドープされており、そのガラス軟化温度
が低くなっているので、加熱により変形しやすい。According to this method, the soot-like glass deposited on the underclad 32 and the core 34 in the flame deposition method is vitrified at a high temperature and the outer cladding 36.
When forming the core, there is a problem that the cross-sectional shape of the core is deformed by heat. Generally, the core is doped with GeO 2 for increasing the refractive index and its glass softening temperature is low, so that it is easily deformed by heating.
【０００６】コアの断面形状が変形すると、光導波路の
構造パラメータが設計値とは異なるものとなり、所要の
光導波路特性を得ることができない。例えば光導波路に
より光方向性結合器を構成した場合、光結合部（２本の
コアが最も近接している部分）の構造パラメータが設計
値と異なるものになると、分岐比の波長依存性が大きく
変化し、所要の分波特性を得ることができない。When the cross-sectional shape of the core is deformed, the structural parameters of the optical waveguide differ from the designed values, and the required optical waveguide characteristics cannot be obtained. For example, when an optical directional coupler is configured with an optical waveguide, if the structural parameter of the optical coupling part (the part where the two cores are closest) becomes different from the design value, the wavelength dependence of the branching ratio becomes large. It changes and cannot obtain the required demultiplexing characteristic.
【０００７】このような熱によるコアの変形を防止する
ために、図３（Ｂ）に示すような光導波路が提案されて
いる。この光導波路の製造方法は、アウタークラッド３
６を形成する前に、コア３４の外表面を覆うようにアン
ダークラッド３２上に低温ＣＶＤ法により主としてＳｉ
Ｏ2 からなる薄膜層３８を形成するようにしたものであ
る。低温ＣＶＤ法により形成された薄膜層のガラス軟化
点温度はコアよりも高く、従って、アウタークラッド３
６をガラス化させるに際してコア３４が変形しにくくな
る。In order to prevent the core from being deformed by such heat, an optical waveguide as shown in FIG. 3B has been proposed. The manufacturing method of this optical waveguide is as follows.
6 is formed on the underclad 32 by a low temperature CVD method so as to cover the outer surface of the core 34.
The thin film layer 38 made of O 2 is formed. The glass softening point temperature of the thin film layer formed by the low temperature CVD method is higher than that of the core, and therefore the outer cladding 3
When vitrifying 6, the core 34 is less likely to be deformed.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３
（Ｂ）により説明した改良された従来方法による場合、
低温ＣＶＤ法により形成された薄膜層内に溶け込んでい
るガスや未反応物が加熱により気体として放出され、薄
膜層８内或いは薄膜層８とアウタークラッド６の界面近
傍の領域に気泡が発生し、この光導波路の損失特性が劣
化するという問題があった。However, as shown in FIG.
According to the improved conventional method described by (B),
The gas or unreacted material dissolved in the thin film layer formed by the low temperature CVD method is released as a gas by heating, and bubbles are generated in the thin film layer 8 or in the region near the interface between the thin film layer 8 and the outer cladding 6, There is a problem that the loss characteristic of this optical waveguide is deteriorated.
【０００９】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、コアが変形しにくく損失特性が劣化すること
がない量産に適した光導波路の製造方法を提供すること
を目的としている。The present invention was created in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a method of manufacturing an optical waveguide suitable for mass production, in which the core is hardly deformed and the loss characteristic is not deteriorated.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の光導波路の製造
方法は、主としてＳｉＯ2 からなる比較的低屈折率なア
ンダークラッド上に火炎堆積法により主としてＳｉＯ2
からなる比較的高屈折率なコア層を形成するステップ
と、該コア層をパターンエッチングして所定形状のコア
を形成するステップと、該コアの外表面を覆うように上
記アンダークラッド上に低温ＣＶＤ法により主としてＳ
ｉＯ2 からなる薄膜層を形成するステップと、該薄膜層
を加熱してアニーリングするステップと、該薄膜層上に
火炎堆積法により主としてＳｉＯ2 からなる上記アンダ
ークラッドと同等屈折率のアウタークラッドを形成する
ステップとを含む。The method of this invention SUMMARY OF] mainly SiO 2 by flame hydrolysis deposition mainly composed of SiO 2 comparatively low refractive index of the under-cladding on
Forming a core layer having a relatively high refractive index, forming a core having a predetermined shape by pattern etching the core layer, and performing low temperature CVD on the underclad so as to cover the outer surface of the core. Mainly S by law
a step of forming a thin film layer made of io 2, a step of heating and annealing the thin film layer, and an outer clad mainly made of SiO 2 having the same refractive index as that of the under clad formed on the thin film layer by a flame deposition method. And a step of performing.
【００１１】[0011]
【作用】本発明方法によると、低温ＣＶＤ法により薄膜
層を形成した後、この薄膜層を加熱してアニーリングす
るステップを設けているので、その後に加熱・ガラス化
によりアウタークラッドを形成するに際して、薄膜層内
等に気泡が生じる恐れがなくなる。このため、光導波路
の損失特性が劣化することがない。According to the method of the present invention, after the thin film layer is formed by the low temperature CVD method, the step of heating and annealing the thin film layer is provided. Therefore, when the outer clad is formed by heating and vitrification, There is no risk of bubbles in the thin film layer. Therefore, the loss characteristic of the optical waveguide does not deteriorate.
【００１２】また、コアの外表面を覆うように低温ＣＶ
Ｄ法により薄膜層を形成するようにしているので、加熱
によるコアの変形が防止される。コアの変形を抑制させ
るのに必要な薄膜層の厚みは十分薄くても足りるので、
比較的反応速度が遅い低温ＣＶＤ法により薄膜層を形成
することが量産性を阻害することはない。Also, a low temperature CV is applied so as to cover the outer surface of the core.
Since the thin film layer is formed by the D method, deformation of the core due to heating is prevented. The thickness of the thin film layer required to suppress the deformation of the core can be sufficiently thin, so
Forming a thin film layer by a low temperature CVD method, which has a relatively slow reaction rate, does not hinder mass productivity.
【００１３】[0013]
【実施例】以下本発明の望ましい実施例を説明する。図
１は本発明方法における火炎堆積法の実施に使用するこ
とができるガラススート堆積装置の構成図である。２は
原料ガス並びに燃焼用のＯ2 及びＨ2 が供給されるバー
ナであり、このバーナ２は、Ｘ軸駆動装置４によって図
中の左右方向に等速度（例えば１００mm／秒）で往復走
査される。The preferred embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a block diagram of a glass soot deposition apparatus that can be used for carrying out the flame deposition method in the method of the present invention. Reference numeral 2 is a burner to which source gas and O 2 and H 2 for combustion are supplied. The burner 2 is reciprocally scanned by the X-axis drive device 4 in the left-right direction at a constant speed (for example, 100 mm / sec). It
【００１４】６はその上に基板８が載置されるステージ
であり、このステージ６は、Ｙ軸駆動装置１０によって
紙面の表面側から裏面側に向かう方向或いはこれとは逆
の方向に等速度（例えば１mm／秒）で往復動作する。基
板８はその上に光導波路を形成するためのものであり、
半導体製造用に通常使用されるシリコンウエハを使用可
能である。Reference numeral 6 denotes a stage on which the substrate 8 is placed. The stage 6 is driven by the Y-axis drive device 10 at a constant speed in the direction from the front surface side to the back surface side of the paper or the opposite direction. It reciprocates at (for example, 1 mm / sec). The substrate 8 is for forming an optical waveguide on it,
Silicon wafers commonly used for semiconductor manufacturing can be used.
【００１５】１２は燃焼制御装置であり、Ｏ2 及びＨ2
を所定の混合比で混合して所定の流量でバーナ２に供給
する。１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはそれぞれ原料ガス供給
装置であり、ガスフローメータ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ
からそれぞれ送り込まれるＯ2 等のキャリアガスの流量
に応じた原料ガスを送り出す。この例では、原料ガス供
給装置１４Ａ，１４Ｂ，１４ＣにはそれぞれＳｉＣ
ｌ4 ，ＰＯＣｌ3 等の原料ガスが充填されている。気相
の原料ガスを用いて、その流量を直接ガスフローメータ
で調整するようにしてもよい。１８は混合された原料ガ
スの総流量を制御するためのガスフローメータである。Reference numeral 12 is a combustion control device, which includes O 2 and H 2
Are mixed at a predetermined mixing ratio and supplied to the burner 2 at a predetermined flow rate. 14A, 14B and 14C are raw material gas supply devices, respectively, and gas flow meters 16A, 16B and 16C.
The raw material gas is sent out according to the flow rate of the carrier gas such as O 2 sent from each of the above. In this example, the source gas supply devices 14A, 14B, and 14C are each made of SiC.
A raw material gas such as l 4 and POCl 3 is filled. The raw material gas in the vapor phase may be used, and the flow rate may be directly adjusted by the gas flow meter. Reference numeral 18 denotes a gas flow meter for controlling the total flow rate of the mixed raw material gas.
【００１６】バーナ２から吹き出された原料ガスは、燃
焼に伴う火炎加水分解によりＳｉＯ 2 等の酸化物とな
り、この酸化物は白色粉末状の酸化物ガラススート２０
として基板８上に堆積される。The raw material gas blown from the burner 2 is burned.
SiO due to flame hydrolysis due to baking 2Such as oxides
This oxide is a white powdery oxide glass soot 20
Are deposited on the substrate 8.
【００１７】バーナ２の走査及びステージ６の移動によ
って、基板８上には均一の厚みでガラススート２０が堆
積される。基板８上に堆積したガラススートは、電気炉
内等において加熱することによってガラス化され、光導
波路用の透明な膜とすることができる。尚、本願明細書
中「火炎堆積法」というのは、火炎加水分解により基板
上に堆積した酸化物ガラススートを加熱してガラス化さ
せる方法のことである。By scanning the burner 2 and moving the stage 6, the glass soot 20 is deposited on the substrate 8 with a uniform thickness. The glass soot deposited on the substrate 8 is vitrified by heating in an electric furnace or the like, so that a transparent film for an optical waveguide can be obtained. In the present specification, the "flame deposition method" is a method of heating the oxide glass soot deposited on the substrate by flame hydrolysis to vitrify it.
【００１８】図２は光導波路の製造プロセスの望ましい
例を説明するための図である。まず、Ｐ2 Ｏ5 及びＢ2
Ｏ3 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるアンダークラ
ッド用のガラススートと、屈折率が高くなるようにＧｅ
Ｏ2 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるコア用のガラ
ススートをこの順に基板８上に堆積した後、これらのガ
ラススートを約１３５０℃に加熱してガラス化し、図２
（Ａ）に示すように、基板８上に比較的低屈折率なアン
ダークラッド２２と比較的高屈折率なコア層２４をこの
順に積層する。アンダークラッド２２及びコア層２４の
厚みはそれぞれ例えば約２０μｍ、約６μｍである。FIG. 2 is a diagram for explaining a desirable example of the manufacturing process of the optical waveguide. First, P 2 O 5 and B 2
Glass soot for the underclad, which is composed of the main component SiO 2 doped with O 3 , and Ge for increasing the refractive index.
After the glass soot for the core made of the main component SiO 2 doped with O 2 is deposited in this order on the substrate 8, the glass soot is heated to about 1350 ° C. and vitrified,
As shown in (A), the underclad 22 having a relatively low refractive index and the core layer 24 having a relatively high refractive index are laminated in this order on the substrate 8. The thicknesses of the underclad 22 and the core layer 24 are, for example, about 20 μm and about 6 μm, respectively.
【００１９】次いで、コア層２４をパターンエッチング
して、図２（Ｂ）に示すように、所定形状のコア２４′
を形成する。しかる後、図２（Ｃ）に示すように、Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ，ＳｉＣｌ4 等を原料ガスとしたＣＶ
Ｄ法（化学的気相析出法）によって、約４００℃の温度
下で、コア２４′を覆うようにアンダークラッド２２上
にＳｉＯ2 からなる薄膜層２６を形成する。薄膜層２６
の厚みは、１μｍ以下であるとコアの変形を十分に抑制
することができず、２μｍ以上であると析出時間が長く
なるので、薄膜層２６の厚みは１乃至２μｍにあること
が望ましい。Next, the core layer 24 is pattern-etched to form a core 24 'having a predetermined shape as shown in FIG. 2 (B).
To form. After that, as shown in FIG. 2 (C), Si
CV using (OC 2 H 5 ) 4 , SiCl 4, etc. as the source gas
By the D method (chemical vapor deposition method), a thin film layer 26 made of SiO 2 is formed on the underclad 22 so as to cover the core 24 ′ at a temperature of about 400 ° C. Thin film layer 26
If the thickness is 1 μm or less, the deformation of the core cannot be sufficiently suppressed, and if it is 2 μm or more, the deposition time becomes long. Therefore, the thickness of the thin film layer 26 is preferably 1 to 2 μm.
【００２０】そして、アンダークラッド２２、コア２
４′及び薄膜層２６が形成された基板８を加熱炉内で約
１２００℃に加熱してこの状態を約２時間保持してアニ
ーリングを行う。Under clad 22 and core 2
The substrate 8 on which 4'and the thin film layer 26 are formed is heated to about 1200 ° C. in a heating furnace and kept in this state for about 2 hours to perform annealing.
【００２１】その後、図２（Ｄ）に示すように、Ｐ2 Ｏ
5 及びＢ2 Ｏ3 をドープした主成分ＳｉＯ2 からなるガ
ラススート２８を火炎堆積法によって薄膜層２６上に堆
積し、これを約１１８０℃の加熱温度下でガラス化し
て、図２（Ｅ）に示すように薄膜層２６上にアンダーク
ラッドと同等屈折率のアウタークラッド２８′を形成す
る。After that, as shown in FIG. 2D, P 2 O
Glass soot 28 consisting of SiO 2 and 5 and doped with B 2 O 3 was deposited on the thin film layer 26 by the flame deposition method, and was vitrified at a heating temperature of about 1180 ° C., as shown in FIG. An outer clad 28 'having the same refractive index as the under clad is formed on the thin film layer 26 as shown in FIG.
【００２２】本実施例においては、コア２４′の周囲に
薄膜層２６を形成しているので、ガラススート２８を高
温下でガラス化するに際して、コア２４′が変形しにく
い。また、薄膜層２６を加熱してアニーリングを行うよ
うにしているので、ガラススート２８をガラス化するに
際して薄膜層２６の内部或いは外表面に気泡が生じにく
い。In this embodiment, since the thin film layer 26 is formed around the core 24 ', when the glass soot 28 is vitrified at a high temperature, the core 24' is not easily deformed. Moreover, since the thin film layer 26 is heated and annealed, bubbles are less likely to be generated inside or outside the thin film layer 26 when the glass soot 28 is vitrified.
【００２３】本実施例のように、薄膜層２６のアニーリ
ングを、アウタークラッド２８′を形成するときの加熱
温度と同等又はそれ以上の温度下で行うことによって、
薄膜層内の未反応物やガスを十分に放出させることがで
きる。As in this embodiment, the thin film layer 26 is annealed at a temperature equal to or higher than the heating temperature for forming the outer cladding 28 '.
Unreacted substances and gas in the thin film layer can be sufficiently released.
【００２４】さらに、薄膜層２６の厚みは１乃至２μｍ
で十分であるから、低温ＣＶＤ法による薄膜層の形成は
比較的短時間に行うことができ、光導波路の生産性が阻
害される恐れはない。Further, the thickness of the thin film layer 26 is 1 to 2 μm.
Is sufficient, the formation of the thin film layer by the low temperature CVD method can be carried out in a relatively short time, and there is no fear of impeding the productivity of the optical waveguide.
【００２５】薄膜層２６のアニーリングを低圧下或いは
Ｈｅ（ヘリウム）雰囲気中で行うことによって、薄膜層
内の未反応物やガスが放出されやすくなり、アニーリン
グに必要な時間を短縮することができる。By performing the annealing of the thin film layer 26 under a low pressure or in a He (helium) atmosphere, unreacted substances and gas in the thin film layer are easily released, and the time required for the annealing can be shortened.
【００２６】以上説明した方法を適用して光導波路によ
る光方向性結合器を作成する場合、光結合部の導波路パ
ラメータを設計値どおりにすることができるので、所要
特性の光方向性結合器を容易に得ることができる。When an optical directional coupler using an optical waveguide is manufactured by applying the method described above, the waveguide parameter of the optical coupling portion can be made to be the designed value, so that the optical directional coupler having the required characteristics can be obtained. Can be easily obtained.
【００２７】本実施例においては、軟化点温度が高い薄
膜層を得るためにＳｉＯ2 のみからなる薄膜層を形成し
たが、屈折率調整に必要なドーパントを適当量ドープし
ても差支えない。In the present embodiment, a thin film layer made of only SiO 2 was formed in order to obtain a thin film layer having a high softening point temperature. However, an appropriate amount of dopant necessary for adjusting the refractive index may be doped.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
コアが変形しにくく損失特性が劣化することがない量産
に適した光導波路の製造方法の提供が可能になるという
効果を奏する。As described above, according to the present invention,
It is possible to provide an optical waveguide manufacturing method suitable for mass production, in which the core is not easily deformed and loss characteristics are not deteriorated.
【図１】本発明方法における火炎堆積法の実施に使用す
ることができるガラススート堆積装置の構成を示す図で
ある。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a glass soot deposition apparatus that can be used for carrying out a flame deposition method in the method of the present invention.
【図２】本発明の望ましい実施例における光導波路の製
造プロセスの説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of an optical waveguide manufacturing process in a preferred embodiment of the present invention.
【図３】従来技術の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional technique.
８ 基板 ２２ アンダークラッド ２４ コア層 ２４′ コア ２６ 薄膜層 ２８′ アウタークラッド 8 substrate 22 under clad 24 core layer 24 'core 26 thin film layer 28' outer clad
Claims (4)
率なアンダークラッド(22)上に火炎堆積法により主とし
てＳｉＯ2 からなる比較的高屈折率なコア層(24)を形成
するステップと、 該コア層(24)をパターンエッチングして所定形状のコア
(24′) を形成するステップと、 該コアの外表面を覆うように上記アンダークラッド(22)
上に低温ＣＶＤ法により主としてＳｉＯ2 からなる薄膜
層(26)を形成するステップと、 該薄膜層を加熱してアニーリングするステップと、 該薄膜層上に火炎堆積法により主としてＳｉＯ2 からな
る上記アンダークラッドと同等屈折率のアウタークラッ
ド (28′) を形成するステップとを含むことを特徴とす
る光導波路の製造方法。1. A mainly forming mainly relatively high refractive index core layer made of SiO 2 (24) by a relatively low refractive index of the under-cladding (22) flame hydrolysis deposition on consisting of SiO 2, the Pattern-etch the core layer (24) to form a core
(24 ') and the underclad (22) so as to cover the outer surface of the core.
A step of forming a thin film layer (26) mainly made of SiO 2 by a low temperature CVD method, a step of heating the thin film layer to anneal, and an under layer mainly made of SiO 2 on the thin film layer by a flame deposition method. And a step of forming an outer clad (28 ') having a refractive index equivalent to that of the clad.
ウタークラッド (28′) を形成するときの加熱温度と同
等又はそれ以上の温度下で行われることを特徴とする請
求項１に記載の光導波路の製造方法。2. The annealing according to claim 1, wherein the thin film layer (26) is annealed at a temperature equal to or higher than a heating temperature for forming the outer cladding (28 ′). Manufacturing method of optical waveguide.
又はＨｅ雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１
又は２に記載の光導波路の製造方法。3. The thin film layer (26) is annealed under low pressure or in a He atmosphere.
Or the method of manufacturing the optical waveguide according to 2.
結合器の光結合部を構成するコアであることを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれかに記載の光導波路の製造方
法。4. The optical waveguide manufacturing method according to claim 1, wherein the core (24 ') having the predetermined shape is a core forming an optical coupling portion of an optical directional coupler. Method.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26363391A JPH05100123A (en) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | Production of optical waveguide |
| US07/958,975 US5299276A (en) | 1991-10-11 | 1992-10-09 | Waveguide type optical device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26363391A JPH05100123A (en) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | Production of optical waveguide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100123A true JPH05100123A (en) | 1993-04-23 |
Family
ID=17392214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26363391A Pending JPH05100123A (en) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | Production of optical waveguide |
Country Status (1)
| Country | Link |
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