JPH0496923A - 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物及び半導体封止装置Info
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- JPH0496923A JPH0496923A JP21475890A JP21475890A JPH0496923A JP H0496923 A JPH0496923 A JP H0496923A JP 21475890 A JP21475890 A JP 21475890A JP 21475890 A JP21475890 A JP 21475890A JP H0496923 A JPH0496923 A JP H0496923A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、成形性が良く耐湿性、半田耐熱性に優れた封
止用樹脂組成物及び半導体封止装置に関する。
止用樹脂組成物及び半導体封止装置に関する。
(従来の技術)
近年、半導体装置において、薄いパッケージの実用化が
推進されている。 例えば集積回路におけルフラットパ
ッケージや、S OP (5llall out−ne
pachage) 、T S OP (thin 5
nall outlineρaChaQe )−またパ
ワートランジスタにおける絶縁型(アイソレーションタ
イプ)のパッケージ等は、半導体素子の上面や絶縁型パ
ッケージの裏面で、約0.1〜0.5IIi程度という
薄肉の部分に樹脂を充填しなければならなくなっている
。 一方、表面実装型のパッケージは、それを回路基板
に取り付ける場合に半田浸漬方式や半田リフロ一方式が
採用され、薄いパッケージの封止樹脂にとって一層厳し
い環境になっている。
推進されている。 例えば集積回路におけルフラットパ
ッケージや、S OP (5llall out−ne
pachage) 、T S OP (thin 5
nall outlineρaChaQe )−またパ
ワートランジスタにおける絶縁型(アイソレーションタ
イプ)のパッケージ等は、半導体素子の上面や絶縁型パ
ッケージの裏面で、約0.1〜0.5IIi程度という
薄肉の部分に樹脂を充填しなければならなくなっている
。 一方、表面実装型のパッケージは、それを回路基板
に取り付ける場合に半田浸漬方式や半田リフロ一方式が
採用され、薄いパッケージの封止樹脂にとって一層厳し
い環境になっている。
従来の封止樹脂は、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラ
ック型フェノール樹脂、シリカ粉末およびその樹脂に適
した通常の硬化促進剤からなるものであるが、この従来
の封止樹脂で封止すると、薄肉の部分に樹脂が充填され
ず巣やフクレを生じる等成形性が悪く、耐湿性の低下や
外観不良を生じる欠点があった。 また、上記従来の封
止樹脂で封止した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬
等を行うと耐湿性が低下するという欠点があった6特に
吸湿した半導体装置を浸漬した場合には、封止樹脂と半
導体素子、封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや
、内部樹脂クラックが生じて著しい耐湿劣化を起こし、
電極の腐食による断線や水分によるリーク電流を生じる
。 その結果、半導体装置は長期間の信頼性を保証する
ことができないという欠点があった。
ック型フェノール樹脂、シリカ粉末およびその樹脂に適
した通常の硬化促進剤からなるものであるが、この従来
の封止樹脂で封止すると、薄肉の部分に樹脂が充填され
ず巣やフクレを生じる等成形性が悪く、耐湿性の低下や
外観不良を生じる欠点があった。 また、上記従来の封
止樹脂で封止した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬
等を行うと耐湿性が低下するという欠点があった6特に
吸湿した半導体装置を浸漬した場合には、封止樹脂と半
導体素子、封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや
、内部樹脂クラックが生じて著しい耐湿劣化を起こし、
電極の腐食による断線や水分によるリーク電流を生じる
。 その結果、半導体装置は長期間の信頼性を保証する
ことができないという欠点があった。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもので
、薄肉部の成形性に優れ、また吸湿の影響が少なく、特
に半田浸漬後や半田リフロー後の耐湿性、半田耐熱性に
優れ、長期代願性を保証できる封止用樹脂組成物及び半
導体封止装置を提供することを目自勺としている。
、薄肉部の成形性に優れ、また吸湿の影響が少なく、特
に半田浸漬後や半田リフロー後の耐湿性、半田耐熱性に
優れ、長期代願性を保証できる封止用樹脂組成物及び半
導体封止装置を提供することを目自勺としている。
「発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、後述するような組成物を用いることによって
、薄肉部の成形性、耐湿性、半田耐熱性に優れた封止用
樹脂組成物及び半導体封止装置が得られることを見いた
し、本発明を完成したものである。
ねた結果、後述するような組成物を用いることによって
、薄肉部の成形性、耐湿性、半田耐熱性に優れた封止用
樹脂組成物及び半導体封止装置が得られることを見いた
し、本発明を完成したものである。
すなわち、本発明は、
(A)次の式で示されるエポキシ樹脂
(但し、式中、tは1以上の整数を、nは0又は1以上
のM数を表す) (B)ノボラック型フェノール樹脂 <C>次の一般式で示されるジアルキルアミノ18−ジ
アザビシクロ[5,0,4]ウンテセン硬化促進本発明
に用いる(A)エポキシ樹脂としては、次の式で示され
るエポキシ樹脂を使用する。
のM数を表す) (B)ノボラック型フェノール樹脂 <C>次の一般式で示されるジアルキルアミノ18−ジ
アザビシクロ[5,0,4]ウンテセン硬化促進本発明
に用いる(A)エポキシ樹脂としては、次の式で示され
るエポキシ樹脂を使用する。
〈但し、式中R’ 、R’はCn H2n 41を、n
はO又は1以上の整数を表す) (D)シリカ粉末 を必須成分とし、前記<C>のジアルキルアミノ−1,
8−ジアザビシクロ[5,0,4]ウンデセン硬化促進
剤を樹脂組成物に対して0.01〜5重1%の割合に含
有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物である。
はO又は1以上の整数を表す) (D)シリカ粉末 を必須成分とし、前記<C>のジアルキルアミノ−1,
8−ジアザビシクロ[5,0,4]ウンデセン硬化促進
剤を樹脂組成物に対して0.01〜5重1%の割合に含
有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物である。
またこの封止用樹脂組成物の硬化物で、半導体装置を
封止してなることを特徴とする半導体封止装置である。
封止してなることを特徴とする半導体封止装置である。
以下、本発明の詳細な説明する。
(但し、式中、nは1以上の整数を、慴は0又は1以上
の整数を表す) 上記の式で示されるエポキシ樹脂は、その分子量等に特
に制限されることはなく、広く使用することができる。
の整数を表す) 上記の式で示されるエポキシ樹脂は、その分子量等に特
に制限されることはなく、広く使用することができる。
またこのエポキシ樹脂には、エピビス系エポキシ樹脂
等を併用することもできる。
等を併用することもできる。
本発明に用いる(B)ノボラック型フェノール樹脂とし
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類と、ホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒド
とを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂お
よびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチ
ル化したノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、ノ
ボラック型フェノール樹脂である限り、特に制限はなく
広く使用することができる。 これらの樹脂は単独又は
2種以上使用することができる。
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類と、ホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒド
とを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂お
よびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチ
ル化したノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、ノ
ボラック型フェノール樹脂である限り、特に制限はなく
広く使用することができる。 これらの樹脂は単独又は
2種以上使用することができる。
本発明に用いる(D)ジアルキルアミノ−1,8−ジア
ザビシクロ[5,0,4]ウンテセン硬化促進剤は、前
記の一般式を有するもので、1,8−ジアザビシクロ[
5,0,4]ウンデセン(DBUと略称される)をジア
ルキルアミノ基で置換したものである。 また、この(
D)硬化促進剤に公知のイミダゾール系促進剤、ジアル
キルアミノ基で置換しないDBU系促進剤、リン系促進
剤、その他の促進剤を併用することもできる。 (D
)硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して0.0
1〜51量%含有することが望ましい、 その割合が0
.011r量%未満では、樹脂組成物のゲルタイムが長
く、また硬化特性も悪く好ましくない、 5重量%を
超えると極端に流動性が悪くなり成形性に劣り、また電
気特性も悪くなり、耐湿性が劣り好ましくない。
ザビシクロ[5,0,4]ウンテセン硬化促進剤は、前
記の一般式を有するもので、1,8−ジアザビシクロ[
5,0,4]ウンデセン(DBUと略称される)をジア
ルキルアミノ基で置換したものである。 また、この(
D)硬化促進剤に公知のイミダゾール系促進剤、ジアル
キルアミノ基で置換しないDBU系促進剤、リン系促進
剤、その他の促進剤を併用することもできる。 (D
)硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して0.0
1〜51量%含有することが望ましい、 その割合が0
.011r量%未満では、樹脂組成物のゲルタイムが長
く、また硬化特性も悪く好ましくない、 5重量%を
超えると極端に流動性が悪くなり成形性に劣り、また電
気特性も悪くなり、耐湿性が劣り好ましくない。
本発明に用いる(D)シリカ粉末としては、殻に使用さ
れているシリカ粉末が広く使用されるが、それらの中で
も不純物濃度が低く、平均粒径30μm以下のものが望
ましい、 平均粒径が、30μmを超えると耐湿性およ
び成形性が劣り好ましくない。
れているシリカ粉末が広く使用されるが、それらの中で
も不純物濃度が低く、平均粒径30μm以下のものが望
ましい、 平均粒径が、30μmを超えると耐湿性およ
び成形性が劣り好ましくない。
本発明の封止用樹脂組成物は、特定のエポキシ樹脂、ノ
ボラック型フェノール樹脂、ジアルキルアミノ−1,8
−ジアザビシクロ[5,0,4]ウンデセン硬化促進剤
およびシリカ粉末を必須成分とするが、本発明の目的に
反しない限度において、また必要に応じて、例えば天然
ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸
アミド、エステル類、パラフィン等の離型剤、三酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、シ
ランカップリング剤、硬化促進剤、ゴム系やシリコーン
系の低応力付与剤等を適宜添加配合することができる。
ボラック型フェノール樹脂、ジアルキルアミノ−1,8
−ジアザビシクロ[5,0,4]ウンデセン硬化促進剤
およびシリカ粉末を必須成分とするが、本発明の目的に
反しない限度において、また必要に応じて、例えば天然
ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸
アミド、エステル類、パラフィン等の離型剤、三酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、シ
ランカップリング剤、硬化促進剤、ゴム系やシリコーン
系の低応力付与剤等を適宜添加配合することができる。
本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として調製する場
合の一般的方法は、前述した各成分、すなわち特定のエ
ポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジアルキル
アミノ −1,8−ジアザビシクロ[5,0,4]ウン
デセン硬化促進剤、シリカ粉末、その他を配合し、ミキ
サー等によって十分均一に混合する。 更に熱ロールに
よる溶融混合処理又はニーダ等による混合処理を行い、
次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料と
することかできる。 この成形材料と電子部品あるいは
電気部品の封止用として、また被覆、絶縁等に適用し、
優れた特性と信頼性を付与することができる。
合の一般的方法は、前述した各成分、すなわち特定のエ
ポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジアルキル
アミノ −1,8−ジアザビシクロ[5,0,4]ウン
デセン硬化促進剤、シリカ粉末、その他を配合し、ミキ
サー等によって十分均一に混合する。 更に熱ロールに
よる溶融混合処理又はニーダ等による混合処理を行い、
次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料と
することかできる。 この成形材料と電子部品あるいは
電気部品の封止用として、また被覆、絶縁等に適用し、
優れた特性と信頼性を付与することができる。
本発明の半導体封止装置は、上記の封止用樹脂組成物を
用いて、半導体装置を封止することにより製造すること
ができる。 封止を行う半導体装置としては、例えば、
集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ
、ダイオード等で特に限定されるものではなく広く使用
できる。 封止の最も一般的な方法としては、低圧トラ
ンスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型
等による封止も可能である6 封止用樹脂組成物は封止
の時に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化
物によって封止された半導体装置か得られる。 加熱に
よる硬化は150℃以上の温度で硬化させることか望ま
しい。
用いて、半導体装置を封止することにより製造すること
ができる。 封止を行う半導体装置としては、例えば、
集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ
、ダイオード等で特に限定されるものではなく広く使用
できる。 封止の最も一般的な方法としては、低圧トラ
ンスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型
等による封止も可能である6 封止用樹脂組成物は封止
の時に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化
物によって封止された半導体装置か得られる。 加熱に
よる硬化は150℃以上の温度で硬化させることか望ま
しい。
(作用)
本発明の封止用樹脂組成物及び半導体封止装置は、特定
のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジアル
キルアミノ −1,8−シアサビシクロ[5,0,4]
ウンデセン硬化促進剤を用いて反応させることによって
目的を達成したものである。 即ち、ジアルキルアミノ
−1,8−ジアサビツク0[5,0,4]ウンデセン硬
化促進剤の所定量配合させ、樹脂組成物のゲル化時間、
流動性をコントロールしたので薄肉部の充填性が良くな
り耐湿性の向上とともに優れた成形性を付与した。 ま
た、特定のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂
とを反応させることによって、カラス転移温度を上昇さ
せ、熱時の特性を向上させる。 その結果、樹脂組成物
の吸湿性が少なくなり、半田浸漬や半田す70−を行っ
ても樹脂クラックの発生がなくなり、耐湿性劣化がなく
なるものである。
のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジアル
キルアミノ −1,8−シアサビシクロ[5,0,4]
ウンデセン硬化促進剤を用いて反応させることによって
目的を達成したものである。 即ち、ジアルキルアミノ
−1,8−ジアサビツク0[5,0,4]ウンデセン硬
化促進剤の所定量配合させ、樹脂組成物のゲル化時間、
流動性をコントロールしたので薄肉部の充填性が良くな
り耐湿性の向上とともに優れた成形性を付与した。 ま
た、特定のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂
とを反応させることによって、カラス転移温度を上昇さ
せ、熱時の特性を向上させる。 その結果、樹脂組成物
の吸湿性が少なくなり、半田浸漬や半田す70−を行っ
ても樹脂クラックの発生がなくなり、耐湿性劣化がなく
なるものである。
(実施S)
次に本発明の実施例について説明するが、本発明はこれ
らの実施例によって限定されるものではない、 以下の
実施例および比較例において「%」とは「重量%」を意
味する。
らの実施例によって限定されるものではない、 以下の
実施例および比較例において「%」とは「重量%」を意
味する。
実施例 1
特定のエポキシ樹脂17%、ノボラック型フェノール樹
脂8%、ジアルキルアミノ−1,8−ジアザビシクロ[
5,0,4]ウンデセン硬化促進剤0,3%、シリカ粉
末74%、エステルワックス0.3%およびシランカッ
プリング剤0.4%を常温で混合し、さらに90〜95
℃の温度で混練し、冷却した後粉砕して成形材料(A)
を製造した。
脂8%、ジアルキルアミノ−1,8−ジアザビシクロ[
5,0,4]ウンデセン硬化促進剤0,3%、シリカ粉
末74%、エステルワックス0.3%およびシランカッ
プリング剤0.4%を常温で混合し、さらに90〜95
℃の温度で混練し、冷却した後粉砕して成形材料(A)
を製造した。
実施例 2
特定のエポキシ樹脂12%、ノボラック型フェノール樹
脂6%、ジアルキルアミノ−1,8−ジアザビシクロ[
5,0,4]ウンデセン硬化促進剤0.3%、シリカ粉
末81%、エステルワックス0.3%およびシランカッ
プリング剤0.4%を常温で混合し、さらに90〜95
°Cの温度で混練し、冷却した後粉砕して成形材料(B
)を製造した。
脂6%、ジアルキルアミノ−1,8−ジアザビシクロ[
5,0,4]ウンデセン硬化促進剤0.3%、シリカ粉
末81%、エステルワックス0.3%およびシランカッ
プリング剤0.4%を常温で混合し、さらに90〜95
°Cの温度で混練し、冷却した後粉砕して成形材料(B
)を製造した。
比較例 1
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂17%、ノ
ボラック型フェノール樹脂8%、シリカ粉末74%、イ
ミダゾール系硬化促進剤0.3%、エステルワックス0
.3%およびシランカップリング剤0.4%を実施例1
と同様にして成形材料(C)を製造した。
ボラック型フェノール樹脂8%、シリカ粉末74%、イ
ミダゾール系硬化促進剤0.3%、エステルワックス0
.3%およびシランカップリング剤0.4%を実施例1
と同様にして成形材料(C)を製造した。
比較例 2
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂12%、ノ
ボラック型フェノール樹脂6%、シリカ粉末81%、イ
ミダゾール系硬化促進剤0.3%、エステルワックス0
.3%およびシランカップリング剤0.4%を比較例1
と同様にして成形材料(D)を製造した。
ボラック型フェノール樹脂6%、シリカ粉末81%、イ
ミダゾール系硬化促進剤0.3%、エステルワックス0
.3%およびシランカップリング剤0.4%を比較例1
と同様にして成形材料(D)を製造した。
実施例1〜2及び比較例1〜2で製造した成形材料(A
)〜(D>及びこれらを用いて製造した半導体封止装置
について、成形性及び耐湿性にっいて試験したのでその
結果を第1表に示した。
)〜(D>及びこれらを用いて製造した半導体封止装置
について、成形性及び耐湿性にっいて試験したのでその
結果を第1表に示した。
本発明はいずれも優れており、本発明の顕著な効果を確
認することができた。
認することができた。
第1表
(単位)
*1 :成形材料を用いて、175℃の金型で100
bg/C12の圧力をかけスパイラルの流動距離を測定
した。
bg/C12の圧力をかけスパイラルの流動距離を測定
した。
*2 + 175℃の熱板上で成形材料のゲル化する
までの時間を測定した。
までの時間を測定した。
*3:成形材料を用いて、175℃の金型で100 h
a/C12の圧力をかけて、200μm、300μm、
10μmのすき間を流れる流動距離を測定した。
a/C12の圧力をかけて、200μm、300μm、
10μmのすき間を流れる流動距離を測定した。
*4:成形材料を用いて、Q F P (14x 14
x 14nIM)パッケージに8X81111のダミー
チップを納め、パッケージ500個の中でのチップ上面
の充填不良数を測定した。
x 14nIM)パッケージに8X81111のダミー
チップを納め、パッケージ500個の中でのチップ上面
の充填不良数を測定した。
*5 :成形材料を用いて、To−220型パツケージ
にダミーチップを納め、パッケージ500個中での裏面
の充填不良数を測定した。
にダミーチップを納め、パッケージ500個中での裏面
の充填不良数を測定した。
*6:成形材料を用いて、DIR−16ピンMO3IC
テスト素子又はTo−220型テスト素子を封止した半
導体封止装置それぞれについてPCT 4気圧の条件で
アルミニウム配線のオーブン不良が50%に達するまで
の時間を測定した。
テスト素子又はTo−220型テスト素子を封止した半
導体封止装置それぞれについてPCT 4気圧の条件で
アルミニウム配線のオーブン不良が50%に達するまで
の時間を測定した。
[発明の効果コ
以上の説明および第1表から明らかなように本発明の封
止用樹脂組成物は、成形性に優れ、吸湿の影響が少なく
、半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れているため
、薄肉部によく充填し、巣やフクレの発生がなく、樹脂
組成物と半導体装置あるいは樹脂組成物とリードフレー
ム間のi41がれや内部樹脂クラックの発生がなく、ま
た電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生
もない、優れた信頼性の高い半導体封止装置が得られた
。
止用樹脂組成物は、成形性に優れ、吸湿の影響が少なく
、半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れているため
、薄肉部によく充填し、巣やフクレの発生がなく、樹脂
組成物と半導体装置あるいは樹脂組成物とリードフレー
ム間のi41がれや内部樹脂クラックの発生がなく、ま
た電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生
もない、優れた信頼性の高い半導体封止装置が得られた
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1(A)次の式で示されるエポキシ樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中、nは1以上の整数を、mは 0又は1以上の整数を表す) (B)ノボラック型フェノール樹脂 (C)次の一般式で示されるジアルキルア ミノ−1、8−ジアザビシクロ[5、0、4]ウンデセ
ン硬化促進剤 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中、R^1、R^2はC_nH_2_n_+
_1を、nは0又は1以上の整数を表す) (D)シリカ粉末 を必須成分とし、前記(C)のジアルキルアミノ−1、
8−ジアザビシクロ[5、0、4]ウンデセン硬化促進
剤を樹脂組成物に対して0.01〜5重量%の割合に含
有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物。 (A)次の式で示されるエポキシ樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中、nは1以上の整数を、mは 0又は1以上の整数を表す) (B)ノボラック型フェノール樹脂 (C)次の一般式で示されるジアルキルア ミノ−1、8−ジアザビシクロ[5、0、4]ウンデセ
ン硬化促進剤 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中R^1、R^2はCnH_2_n_+_1
を、nは0又は1以上の整数を表す) (D)シリカ粉末 を必須成分とし、前記(C)のジアルキルアミノ−1、
8−ジアザビシクロ[5、0、4]ウンデセン硬化促進
剤を樹脂組成物に対して0.01〜5重量%の割合に含
有した封止用樹脂組成物の硬化物で、半導体装置を封止
してなることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21475890A JPH0496923A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21475890A JPH0496923A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0496923A true JPH0496923A (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16661070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21475890A Pending JPH0496923A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0496923A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5723605A (en) * | 1993-11-11 | 1998-03-03 | Lonza Ltd. | Bicyclic amidines, process for their preparation, and their use as catalyst |
-
1990
- 1990-08-14 JP JP21475890A patent/JPH0496923A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5723605A (en) * | 1993-11-11 | 1998-03-03 | Lonza Ltd. | Bicyclic amidines, process for their preparation, and their use as catalyst |
US5922869A (en) * | 1993-11-11 | 1999-07-13 | Lonza Ltd. | Bicyclic amidines, process for their preparation, and their use as catalyst |
US6255488B1 (en) | 1993-11-11 | 2001-07-03 | Lonza Ag | Bicyclic amidines, process for their preparation, and their use as catalyst |
US6476175B2 (en) | 1993-11-11 | 2002-11-05 | Lonza Ltd. | Bicyclic amidines, process for their preparation, and their use as catalyst |
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