JPH0494526A - Removal of residual resist in resist dispense nozzle - Google Patents
Removal of residual resist in resist dispense nozzleInfo
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。[Detailed description of the invention] The present invention will be described in the following order.
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ６発明の概要
Ｃ０従来技術
り１発明が解決しようとする問題点
Ｅ、問題点を解決するための手段
１０作用
Ｇ、実施例［第１図］
Ｈ０発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明はレジストディスペンスノズルのレジスト残り除
去方法、特にレジストディスペンスを終え次のレジスト
ディスペンスを行うまでの間にレジストディスペンスノ
ズル先端部のレジスト残りが硬化してレジストディスペ
ンスノズルがつまったりその内径が狭まったりしないよ
うにレジスト残りを除去する方法に関する。A. Field of industrial application B6 Summary of the invention C0 Prior art 1 Problems to be solved by the invention E. Means for solving the problems 10 Effects G. Examples [Figure 1] H0 Effects of the invention ( A. Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for removing resist residue from a resist dispensing nozzle, and in particular, the resist residue at the tip of the resist dispensing nozzle hardens between the end of resist dispensing and the next resist dispensing. This invention relates to a method for removing resist residue without clogging the resist or narrowing the inner diameter of the resist.
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、上記のレジストディスペンスノズルのレジス
ト残り除去方法において、
レジスト塗布のためにディスペンスされるレジストに溶
は込まないようにレジスト残りをレジスト溶解液にて溶
解し、レジスト溶解液を溶解したレジスト残りごと排出
できるようにするため、レジストディスペンス終了後第
１回目のサックバックを行い、次にレジストディスペン
スノズル先端をレジスト溶解液に浸けて第２回目のサッ
クバックを行い、その状態で待機し、レジスト塗布前に
ダミーディスペンスを行うものである。(B. Summary of the Invention) The present invention provides a method for removing resist residue from a resist dispensing nozzle as described above, which includes: dissolving the resist residue with a resist dissolving solution so as not to dissolve into the resist dispensed for resist coating; In order to be able to discharge the resist solution with the remaining dissolved resist, perform the first suckback after resist dispensing, then immerse the tip of the resist dispense nozzle in the resist solution and perform the second suckback. , and then waits in that state and performs dummy dispensing before resist coating.
（Ｃ，従来技術）
フォトリソフィラフィ技術に不可欠な半導体ウェハ表面
へのレジストコーティングは、半導体ウェハを回転させ
ながらレジストディスペンスノズルによって半導体ウェ
ハ上にレジストを所定量滴下することにより行われる。(C, Prior Art) Resist coating on the surface of a semiconductor wafer, which is essential for photolithography, is performed by dropping a predetermined amount of resist onto the semiconductor wafer using a resist dispensing nozzle while rotating the semiconductor wafer.
ところで、レジストは分子量の大きな有機材料であり、
空気に触れているうちに徐々に硬化する性質を有してい
る。そのため、レジスト塗布に時間間隔があるとレジス
トディスペンスノズルの先端部に残ったレジスト、即ち
レジスト残りが硬化し、詰ることがある。詰るとレジス
ト塗布が不可能になる。また、詰らないまでもレジスト
ディスペンスノズルの内径が実質的に狭くなり、レジス
ト塗布量が所定量に達しないことが起きる場合が少なく
ない。By the way, resist is an organic material with a large molecular weight.
It has the property of gradually hardening when exposed to air. Therefore, if there is a time interval between resist application, the resist remaining at the tip of the resist dispensing nozzle, that is, the resist residue, may harden and become clogged. If it gets clogged, resist coating becomes impossible. Further, even if the resist dispensing nozzle is not clogged, the inner diameter of the resist dispensing nozzle becomes substantially narrow, and the amount of resist applied does not reach a predetermined amount in many cases.
従って、レジスト塗布を終えるとレジストディスペンス
先端部のレジスト残りを除去する必要がある。Therefore, after resist application is completed, it is necessary to remove the remaining resist at the tip of the resist dispenser.
そして、従来においてそのレジスト残りの除去は、ノズ
ル先端部にレジスト溶解液であるシンナーを吹き付ける
という方法で行われた。Conventionally, the remaining resist was removed by spraying thinner, which is a resist solution, onto the tip of the nozzle.
また、レジスト塗布のためのレジストディスペンスを行
う前にダミーディスペンスを行ってノズル先端部のレジ
ストを除去するということも行われた。Also, before performing resist dispensing for resist application, dummy dispensing was performed to remove the resist at the tip of the nozzle.
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところが、上述
したノズル先端部にシンナーを吹き付けるという方法に
よれば、ノズル内面のレジスト残りをシンナーによって
充分に溶解できず、レジスト残りを完全に除去できない
場合が多かった。そのため、レジスト塗布を繰返すうち
に徐々にレジスト残りが段々と大きくなり、レジスト塗
布量がそれに伴って少なくなるということが起き易かっ
た。(D. Problem to be Solved by the Invention) However, according to the above-mentioned method of spraying thinner onto the tip of the nozzle, the remaining resist on the inner surface of the nozzle cannot be sufficiently dissolved by the thinner, and the remaining resist cannot be completely removed. There were many cases. Therefore, as resist coating is repeated, the remaining resist gradually becomes larger and the amount of resist applied tends to decrease accordingly.
また、レジスト塗布のためのレジストディスペンスの前
にダミーディスペンスを行ってノズル先端部のレジスト
残りを排出する方法には、レジスト残りの硬化が進み過
ぎるとレジスト残りを排出できないという問題があった
。Furthermore, the method of performing dummy dispensing before resist dispensing for resist application to discharge the resist residue at the nozzle tip has a problem that if the resist residue hardens too much, the resist residue cannot be discharged.
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、レジスト残りを、レジスト溶解液によりレジスト
塗布のためにディスペンスされるレジストに溶は込まな
いように溶解し、このレジスト溶解液を溶解したレジス
ト残りごと排出できるようにすることを目的とする。The present invention has been made in order to solve these problems, and is to dissolve the residual resist using a resist dissolving solution so that it does not melt into the resist dispensed for resist coating, and to dissolve the remaining resist by using a resist dissolving solution. The purpose is to make it possible to discharge the remaining dissolved resist.
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明レジストディスペンスノズルのレジスト残り除去
方法は上記問題点を解決するため、レジストディスペン
ス終了後第１回目のサックバックを行い、次にレジスト
ディスペンスノズル先端をレジスト溶解液に浸けて第２
回目のサックバックを行い、その状態で待機し、レジス
ト塗布前にダミーディスペンスを行うことを特徴とする
。(E. Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the method for removing residual resist from the resist dispense nozzle of the present invention performs the first suckback after resist dispensing, and then Soak the resist solution in the second
The method is characterized in that it performs the suck back for the first time, waits in that state, and performs dummy dispensing before applying the resist.
（Ｆ、作用）
本発明レジストディスペンスノズルのレジスト残り除去
方法によれば、１回目のサックバックを行った後ノズル
先端部をレジスト溶解液へ浸けての２回目のサックバッ
クを行うことによりレジストディスペンスノズル内のレ
ジストとの間をエアーにより分断しながらノズル先端部
にレジスト溶解液を吸入することができる。従って、そ
のレジスト溶解液によってレジストディスペンスノズル
内のレジストを溶解することなくノズル先端部のレジス
ト残りのみを溶解することができる。(F. Effect) According to the method for removing residual resist using a resist dispensing nozzle of the present invention, after performing the first suck back, the tip of the nozzle is immersed in the resist dissolving solution to perform the second suck back, thereby dispensing the resist. The resist solution can be sucked into the nozzle tip while separating the nozzle from the resist with air. Therefore, only the remaining resist at the tip of the nozzle can be dissolved by the resist dissolving solution without dissolving the resist inside the resist dispensing nozzle.
そして、ダミーディスペンスによってレジスト残りをレ
ジスト溶解液ごと排出することによりレジスト残りを完
全に除去でき、その状態でレジスト塗布のためのレジス
トディスペンスを行うことができる。Then, the remaining resist can be completely removed by discharging the remaining resist along with the resist solution using a dummy dispense, and in this state, resist dispensing for resist coating can be performed.
（Ｇ、実施例）［第１図］
以下、本発明レジストディスペンスノズルのレジスト残
り除去方法を図示実施例に従って詳細に説明する。(G. Embodiment) [FIG. 1] Hereinafter, a method for removing resist residue using a resist dispensing nozzle of the present invention will be described in detail according to an illustrated embodiment.
第１図（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明レジストディスペンス
ノズルのレジスト残り除去方法の一つの実施例を順に示
す断面図である。FIGS. 1A to 1D are sectional views sequentially showing one embodiment of a method for removing resist residue using a resist dispensing nozzle of the present invention.
（Ａ）レジスト塗布のためのレジストディスペンスが終
るとレジストディスペンスノズル１をサックバック（第
１回目のサックバック）して第１図（Ａ）に示すように
ノズルｌ内部のレジスト２の下面をノズル先端部よりも
適宜高いところまで上昇させる。３はノズル先端部のレ
ジスト残りである。５はこのサックバックによりレジス
トディスペンスノズル１内に入ったエアーである。(A) When the resist dispensing for resist application is finished, the resist dispensing nozzle 1 is sucked back (first suckback), and the lower surface of the resist 2 inside the nozzle l is sucked back as shown in FIG. 1 (A). Raise it to an appropriately higher point than the tip. 3 is the remaining resist at the tip of the nozzle. 5 is air that entered into the resist dispensing nozzle 1 due to this suckback.
（Ｂ）次に、同図（Ｂ）に示すようにノズル先端部をレ
ジスト溶解液であるシンナー４に浸けて第２回目のサッ
クバックを行う。このサックバックによりシンナー４が
レジストディスペンスノズル１内のレジスト２との間を
エアー５によって分断された状態でノズル先端部に注入
される。４ａはサックバックによりノズル先端部に注入
されたシンナーである。(B) Next, as shown in the same figure (B), the tip of the nozzle is immersed in thinner 4, which is a resist solution, to perform a second suckback. Due to this suckback, the thinner 4 is injected into the tip of the nozzle while being separated from the resist 2 in the resist dispensing nozzle 1 by the air 5. 4a is thinner injected into the tip of the nozzle by suckback.
（Ｃ）同図（Ｃ）に示すようにノズル先端部にシンナー
４ａが注入された状態のまま待機する。すると、待機し
ている間にノズル先端部のレジスト残り３がシンナー４
ａによって溶解されてしまう。(C) As shown in (C) of the same figure, the thinner 4a remains injected into the nozzle tip and stands by. Then, while waiting, the remaining resist 3 at the tip of the nozzle is filled with thinner 4.
It is dissolved by a.
（Ｄ）そして、レジスト塗布のためのレジストディスペ
ンスを行う前に、同図（Ｄ）に示すようにダミーディス
ペンスを行ってノズル先端部のレジスト残りが溶解した
シンナー４ａを排出する。(D) Before performing resist dispensing for resist application, dummy dispensing is performed as shown in FIG. 10(D) to discharge the thinner 4a in which the remaining resist at the tip of the nozzle has been dissolved.
レジスト塗布のためのレジストディスペンスはその後に
行う。Resist dispensing for resist application is then performed.
このようなレジストディスペンスノズルのレジスト残り
除去方法によれば、第１回目のサックバックとノズル先
端部をシンナー４に浸けての第２回目のサックバックに
よってエアー５によりシンナー４ａをレジストディスペ
ンスノズルｌ内のレジスト２から分断してノズル先端部
に注入することができる。従って、待機中にそのシンナ
ー４ａによってノズル先端部のレジスト残り３を溶解す
ることができる。そして、その後のダミーディスペンス
によってレジスト残り３をこれを溶解したシンナー４ａ
と共に３とも排出するので、レジスト残りを完全に除去
することができる。According to this method of removing resist residue from a resist dispense nozzle, thinner 4a is removed into the resist dispense nozzle l by air 5 through the first suckback and the second suckback after dipping the tip of the nozzle in thinner 4. It can be separated from the resist 2 and injected into the tip of the nozzle. Therefore, the remaining resist 3 at the tip of the nozzle can be dissolved by the thinner 4a during standby. Then, by the subsequent dummy dispensing, the remaining resist 3 was dissolved using thinner 4a.
Since both 3 and 3 are discharged together, the remaining resist can be completely removed.
そして、注入されたシンナー４ａはレジストディスペン
スノズル１内のレジスト２との間をエアー５によって分
断されるのでレジストディスペンスノズル１内のレジス
ト２を薄めたりすることはない。しかして、シンナー４
ａがレジストディスペンスノズル１内のレジスト２に悪
影響を及ぼさないようにしつつシンナー４を用いてのレ
ジスト残り３の除去ができるのである。Since the injected thinner 4a and the resist 2 in the resist dispense nozzle 1 are separated by the air 5, the resist 2 in the resist dispense nozzle 1 is not diluted. However, thinner 4
The remaining resist 3 can be removed using the thinner 4 while preventing the resist 2 in the resist dispensing nozzle 1 from being adversely affected.
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、本発明レジストディスペンスノズ
ルのレジスト残り除去方法は、レジストディスペンスノ
ズルによるレジストディスペンスを終えると第１回目の
サックバックを行ってレジストディスペンスノズル内レ
ジストの下面をレジストディスペンスノズル先端よりも
適宜高め、次に、レジストディスペンスノズル先端をレ
ジスト溶解液に浸け、その状態で第２回目のサックバッ
りを行ってレジストディスペンスノズル先端部内面のレ
ジスト残りを該サックバックによりレジストディスペン
スノズル先端部に注入されたレジスト溶解液で溶解し、
第２回目のサックバックによりレジスト溶解液がレジス
トディスペンスノズル先端部に注入された状態で待機し
、レジスト塗布のためのレジストディスペンスを行う前
に、第２回目のサックバックでレジストディスペンスノ
ズル先端部に注入されレジスト残りを溶解したレジスト
溶解液をダミーディスペンスすることを特徴とするもの
である。(H, Effect of the Invention) As described above, in the method for removing residual resist using the resist dispensing nozzle of the present invention, after the resist dispensing with the resist dispensing nozzle is finished, the first suckback is performed to remove the resist inside the resist dispensing nozzle. Raise the lower surface appropriately higher than the tip of the resist dispense nozzle, then dip the tip of the resist dispense nozzle in the resist solution, and perform a second suck-back in that state to remove the resist remaining on the inner surface of the tip of the resist dispense nozzle. The resist is dissolved by the resist solution injected into the tip of the resist dispense nozzle.
The resist solution is injected into the tip of the resist dispensing nozzle during the second suckback and waits until the resist solution is injected into the tip of the resist dispensing nozzle. This method is characterized by dispensing a dummy resist solution that dissolves the remaining resist that has been injected.
従って、本発明レジストディスペンスノズルのレジスト
残り除去方法によれば、１回目のサックバックを行った
後ノズル先端部をレジスト溶解液へ浸けての２回目のサ
ックバックを行うことによりレジストディスペンスノズ
ル内のレジストとエアーにより分断しながらノズル先端
部にレジスト溶解液を吸入することができる。従って、
そのレジスト溶解液によってレジストディスペンスノズ
ル内のレジストを溶解することなくノズル先端部のレジ
スト残りのみを溶解することができる。そして、ダミー
ディスペンスによってレジスト残りをレジスト溶解液ご
と排出することによりレジスト残りを完全に除去でき、
その状態でレジスト塗布のためのレジストディスペンス
を行うことができる。Therefore, according to the method for removing resist residue from a resist dispensing nozzle of the present invention, after performing the first suckback, the tip of the nozzle is immersed in the resist solution solution and the second suckback is performed. The resist solution can be sucked into the nozzle tip while being separated from the resist by air. Therefore,
The resist dissolving solution can dissolve only the remaining resist at the tip of the nozzle without dissolving the resist inside the resist dispensing nozzle. Then, by discharging the remaining resist along with the resist solution using a dummy dispense, the remaining resist can be completely removed.
In this state, resist dispensing for resist coating can be performed.
第１図（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明レジストディスペンス
ノズルのレジスト残り除去方法の一つの実施例を順に示
す断面図である。
符号の説明
ｌ・・・レジストディスペンスノズル、２・・・レジス
ト、
３・・・レジスト残り、
４．４ａ・・・レジスト溶解液。FIGS. 1A to 1D are sectional views sequentially showing one embodiment of a method for removing resist residue using a resist dispensing nozzle of the present invention. Description of symbols 1...Resist dispensing nozzle, 2...Resist, 3...Resist remaining, 4.4a...Resist solution.
Claims (1)
スペンスを終えると第１回目のサックバックを行ってレ
ジストディスペンスノズル内レジストの下面をレジスト
ディスペンスノズル先端よりも適宜高め、 次に、レジストディスペンスノズル先端をレジスト溶解
液に浸け、その状態で第２回目のサックバックを行って
レジストディスペンスノズル先端部内面のレジスト残り
を該サックバックによりレジストディスペンスノズル先
端部に注入されたレジスト溶解液で溶解されるようにし
、 上記第２回目のサックによりレジスト溶解液がレジスト
ディスペンスノズル先端部に注入された状態で待機し、 レジスト塗布のためのレジストディスペンスを行う前に
、上記第２回目のサックバックでレジストディスペンス
ノズル先端部に注入されレジスト残りを溶解したレジス
ト溶解液をダミーディスペンスすることを特徴とするレ
ジストディスペンスノズルのレジスト残り除去方法(1) After finishing the resist dispensing with the resist dispensing nozzle, perform the first suckback to appropriately raise the lower surface of the resist inside the resist dispensing nozzle higher than the tip of the resist dispensing nozzle, and then submerge the tip of the resist dispensing nozzle in the resist dissolving solution. In this state, perform a second suckback so that the resist remaining on the inner surface of the tip of the resist dispensing nozzle is dissolved by the resist dissolving solution injected into the tip of the resist dispensing nozzle by the suckback. The resist solution is injected into the tip of the resist dispensing nozzle by the second suck back and waits, and before performing resist dispensing for resist coating, the resist solution is injected into the tip of the resist dispensing nozzle by the second suck back. A method for removing resist residue using a resist dispense nozzle, which comprises dispensing a dummy resist solution that has dissolved the resist residue.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21318590A JPH0494526A (en) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | Removal of residual resist in resist dispense nozzle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21318590A JPH0494526A (en) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | Removal of residual resist in resist dispense nozzle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494526A true JPH0494526A (en) | 1992-03-26 |
Family
ID=16634950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21318590A Pending JPH0494526A (en) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | Removal of residual resist in resist dispense nozzle |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494526A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1990
- 1990-08-11 JP JP21318590A patent/JPH0494526A/en active Pending
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