JPH0493845A - X-ray exposing device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To vary the levels of an attraction surface and the level of an exposing sample and exposing mask and to avert the sticking of dust by setting the smaller one between a 1st distance and a 3rd distance larger than the larger on between a 2nd distance and a 4th distance when the distance from the 3A-th face to the 3B-th face is designated as the 4th distance. CONSTITUTION:The safe distance [(the smaller one of L1 and L3) - (the larger one of L2 and L4)] corresponding to the difference between the smaller one of the 1st distance (L1) and the 3rd distance (L3) and the larger one of the 2nd distance (L2) and the 4th distance (L4) is kept between the exposing surface 26a of the exposing sample 26 and 1st surface 29 when a 2nd stage 27 and a 3rd stage 30 are in an integral relation. The damage of the exposing sample 26 arising from the relative movement of the 3rd stage 30 and the 1st stage 20 is averted in this way and the sticking of the dust is averted by varying the level of the attraction surface and the level of the exposing sample 26 and the exposing mask 25.

Description

【発明の詳細な説明】 （概要〕 シンクロトロン放射光をエックス線源として利用する微
細半導体露光用のエックス線露光装置に関し、 各部材の位置関係を工夫することによって、ステージの
相対移動に伴う露光試料や露光マスクの損傷を回避でき
るようにし、これにより、吸着面レベルと露光試料や露
光マスクのレベルを異ならせてゴミの付着を回避するこ
とを目的とし、エックス線の光軸に対して直交移動する
第１の面を有する第１のステージと、前記第１のステー
ジに形成され、前記エックス線の光軸を包囲して開口す
る開口部と、前記第１の面から第１の距離能れて対向す
る第２の面を有し、前記エックス線の光軸に対して直交
移動する第２のステージと、第３八〇面および第３Ｂの
面を有し、該第３Ａの面が前記第２の面に接しながら一
体的に移動し、または、該第３への面が第２の面から離
脱すると該第３Ｂの面が前記第１の面に接しながら一体
的に移動する第３のステージと、該第３のステージ上に
載置される所定の露光試料と、前記開口部に位置し、前
記第３のステージと第１のステージとが一体関係にある
とき前記露光試料の露光面と接触し若しくは極めて微小
な距離を隔てて該露光面と対向する露光マスクと、を備
え、前記第２のステージと第３のステージとが一体関係
にあるときの第２の面から前記露光面までの距離を第２
の距離とし、前記露光マスクから第２の面までの距離を
第３の距離とし、および、前記第３Ａの面から第３Ｂま
での距離を第４の距離としたとき、第１の距離と第３の
距離の小さい方が、第２の距離と第４の距離の大きい方
よりも大であることを特徴とし、 または、前記第３のステージと第１のステージとが一体
関係にあるときの第１の距離と第４の距離との差が、第
２の距離と第３の距離との差よりも小であることを特徴
とし、 または、第２の距離と第４の距離とが不等であることを
特徴とする。[Detailed Description of the Invention] (Summary) Regarding an X-ray exposure apparatus for fine semiconductor exposure that uses synchrotron radiation as an X-ray source, by devising the positional relationship of each member, the exposed sample and the The purpose of this is to avoid damage to the exposure mask, thereby making the level of the suction surface different from the level of the exposed sample or exposure mask to avoid adhesion of dust. a first stage having one surface, and an opening formed in the first stage that surrounds and opens the optical axis of the X-ray, and facing each other at a first distance from the first surface. a second stage having a second surface and moving perpendicularly to the optical axis of the X-ray; and a second stage having a 380th surface and a 3B surface, the 3A surface being the second surface. a third stage that moves integrally while contacting the first surface, or when the third surface separates from the second surface, the third stage moves integrally while contacting the first surface; A predetermined exposure sample placed on the third stage is located in the opening, and comes into contact with the exposure surface of the exposure sample when the third stage and the first stage are in an integral relationship. or an exposure mask facing the exposure surface at an extremely small distance, and the distance from the second surface to the exposure surface when the second stage and the third stage are in an integral relationship. the second
, the distance from the exposure mask to the second surface is the third distance, and the distance from the third A surface to the third B is the fourth distance, then the first distance and the third distance are The smaller distance of 3 is larger than the larger of the 2nd distance and the 4th distance, or when the 3rd stage and the 1st stage are in an integral relationship. The difference between the first distance and the fourth distance is smaller than the difference between the second distance and the third distance, or the second distance and the fourth distance are different from each other. etc.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、エックス線露光装置に関し、特に、シンクロ
トロン放射光をエックス線源として利用する微細半導体
露光用のエックス線露光装置に関する。The present invention relates to an X-ray exposure apparatus, and more particularly to an X-ray exposure apparatus for exposing fine semiconductors using synchrotron radiation as an X-ray source.

高エネルギーの粒子（例えば電子）が磁場の中を円形軌
道に沿って運動するとき、軌道の曲率中心に向かう力を
受けて発生する電磁波をシンクロトロン放射光（略称、
ＳＲ光）という。When a high-energy particle (such as an electron) moves along a circular orbit in a magnetic field, it receives a force directed toward the center of curvature of the orbit and generates electromagnetic waves using synchrotron radiation (abbreviation).
SR light).

ＳＲ光は、真空紫外線からＸ線にわたる波長領域の強力
な光源であり、この領域の既存光源としてよく知られて
いる特性Ｘ線や気体発光線に比べて波長領域が広い、高
輝度の連続スペクトルを持つ、指向性がよい、偏向性が
ある、１　ｎ５ｅｃ以下のパルス特性を持つなど様々な
長所を持っており、将来の半導体露光装置用の光源とし
て有望視されている。SR light is a powerful light source in the wavelength range from vacuum ultraviolet rays to X-rays, and has a high-intensity continuous spectrum with a wider wavelength range than the well-known existing light sources in this region, such as characteristic X-rays and gas emission lines. It has various advantages such as high directivity, good deflection, and pulse characteristics of 1 n5ec or less, and is considered to be a promising light source for future semiconductor exposure equipment.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、ＳＲ光はシンクロトロン（ｓｙｎｃｈｒｏｔｒ
ｏｎ）と呼ばれる円形加速器により発生する。Generally, SR light is synchrotron
It is generated by a circular accelerator called on).

第４図はその一例を示す図であり、各々円形軌道からな
る加速リング１０と蓄積りング１１を備え、各リングに
多数の電磁石１２を並べて構成している。FIG. 4 is a diagram showing an example of this, and includes an accelerating ring 10 and a storage ring 11 each having a circular orbit, and each ring is configured with a large number of electromagnets 12 arranged side by side.

加速リング１０で充分に加速した粒子を蓄積リング１１
に蓄え、この蓄積リング１１から取り出したＳＲ光を半
導体露光装置１３の光源として使用する。Particles sufficiently accelerated by the acceleration ring 10 are transferred to the storage ring 11.
The SR light taken out from the storage ring 11 is used as a light source for the semiconductor exposure device 13.

ここで、円形加速器からのＳＲ光は、一般に、偏平な形
状の光として半導体露光装置１３に入射する。これは、
リング内を高速周回する粒子の軌道面に対する拡がりが
小さい（例えば、軌道面の垂直方向で±０．３ｍｒａｄ
　、水平方向で±１．５　ｍｒａｄ）ためであり、半導
体装置の露光用光源としては不適当である。すなわち、
半導体装置のパターン転写では、スループットの向上や
チップの大型化などの理由からできるだけ多くの範囲を
一度に露光できることが求められるが、偏平な形状の光
の場合には一度に微小な範囲しか露光できず、こうした
要求を満足できないからである。Here, the SR light from the circular accelerator generally enters the semiconductor exposure apparatus 13 as flat light. this is,
Particles orbiting at high speed in the ring have a small spread with respect to the orbital surface (for example, ±0.3 mrad in the direction perpendicular to the orbital surface).
, ±1.5 mrad in the horizontal direction), making it unsuitable as an exposure light source for semiconductor devices. That is,
In pattern transfer for semiconductor devices, it is necessary to be able to expose as much of an area as possible at once for reasons such as improving throughput and increasing chip size. However, in the case of flat-shaped light, only a small area can be exposed at a time. This is because these requirements cannot be met.

かかる不都合を解決するための従来方法としては、例え
ば、ミラーによってＳＲ光を偏向操作する方法やリング
中の粒子軌道に揺動を与えてＳＲ光の拡がり（特に垂直
方向）を拡大する方法など主としてＳＲ光側を操作する
方法が知られているが、この方法では、円形加速器の構
成が複雑化したり、ＳＲ光のスペクトルが変化したりす
るといった不具合がある。Conventional methods for solving this problem include, for example, deflecting the SR light using a mirror, and vibrating the trajectory of particles in the ring to increase the spread of the SR light (particularly in the vertical direction). A method of operating the SR light side is known, but this method has problems such as complicating the configuration of the circular accelerator and changing the spectrum of the SR light.

第５図はこのような不具合を招くことのない好ましい従
来方法を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a preferable conventional method that does not cause such problems.

円形加速器から取り出されたＳＲ光は、走査ステージ１
４に形成された開口部１５内の露光マスク１６に照射さ
れ、これにより、露光マスク１６のパターンがウェハ等
露光試料１７の露光面に転写される。The SR light extracted from the circular accelerator is sent to scanning stage 1.
The exposure mask 16 in the opening 15 formed in the opening 15 is irradiated with the light, whereby the pattern of the exposure mask 16 is transferred onto the exposure surface of an exposed sample 17 such as a wafer.

露光試料１７を載置するウェハステージ１８は、露光中
、図示のように走査ステージ１４と一体化（真空吸着）
するようになっており、また、露光位置の大幅な変更時
等には、走査ステージ１４から離脱して粗動ステージ１
９と一体化するようにもなっている。During exposure, the wafer stage 18 on which the exposed sample 17 is placed is integrated with the scanning stage 14 (vacuum suction) as shown in the figure.
In addition, when the exposure position is changed significantly, the coarse movement stage 1 is moved away from the scanning stage 14.
It is also designed to be integrated with 9.

すなわち、粗動ステージ１９を移動することで露光試料
１７の大まかな位置合わせを行うことができ、また、ウ
ェハステージ１８の移動によって露光試料１７の微小な
位置合わせを行うことができる。したがって、円形加速
器の構成を複雑化することなく、しかも、ＳＲ光のスペ
クトルを変化させることなく、露光範囲を容易に拡大す
ることができる。That is, by moving the coarse movement stage 19, the exposure sample 17 can be roughly aligned, and by moving the wafer stage 18, the exposure sample 17 can be minutely aligned. Therefore, the exposure range can be easily expanded without complicating the configuration of the circular accelerator and without changing the spectrum of the SR light.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、かかる従来のものにあっては、ウェハス
テージ１８の真空吸着面（図中符号ａ参照）に対して露
光試料１７や露光マスク１６がほぼ同一のレベルに位置
する構成となっていたため、例えば、ウェハステージ１
８と走査ステージ１４とを真空吸着させる際、両者の衝
突によって生ずる微細なゴミが露光試料１７や露光マス
ク１６に付着し易い欠点があり、歩留りを低下するとい
った問題点があった。However, in such a conventional device, the exposure sample 17 and the exposure mask 16 are located at almost the same level with respect to the vacuum suction surface of the wafer stage 18 (see reference numeral a in the figure). , wafer stage 1
When the scanning stage 8 and the scanning stage 14 are vacuum-adsorbed, there is a problem in that minute dust generated by the collision between the two tends to adhere to the exposure sample 17 and the exposure mask 16, which lowers the yield.

こうした問題点の根本原因は、露光試料１７や露光マス
ク１６がウェハステージ１８の吸着面レベルにほぼ一致
しているためであるが、このようにしなければならない
理由は、ウェハステージ１８と走査ステージ１４とが一
体化していないときに、両ステージの相対移動によって
露光試料１７や露光マスク１６に損傷を与えないように
する必要があるからである。The root cause of these problems is that the exposed sample 17 and the exposure mask 16 are almost at the same level as the suction surface of the wafer stage 18. This is because when the stages are not integrated, it is necessary to prevent damage to the exposure sample 17 and the exposure mask 16 due to relative movement of both stages.

そこで、本発明は、各部材の位置関係を工夫することに
よって、ステージの相対移動に伴う露光試料や露光マス
クの損傷を回避できるようにし、これにより、吸着面レ
ベルと露光試料や露光マスクのレベルを異ならせてゴミ
の付着を回避することを目的としている。Therefore, the present invention makes it possible to avoid damage to the exposure sample and exposure mask due to the relative movement of the stage by devising the positional relationship of each member. The purpose is to avoid the adhesion of dust by making the

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は、上記目的を達成するためその原理図を第１図
に示すように、エックス線の光軸に対して直交移動する
第１の面を有する第１のステージと、前記第１のステー
ジに形成され、前記エックス線の光軸を包囲して開口す
る開口部と、前記第１の面から第１の距離能れて対向す
る第２の面を有し、前記エックス線の光軸に対して直交
移動する第２のステージと、第３Ａの面および第３Ｂの
面を有し、該第３Ａの面が前記第２の面に接しながら一
体的に移動し、または、該第３Ａの面が第２の面から離
脱すると該第３Ｂの面が前記第１の面に接しながら一体
的に移動する第３のステージと、該第３のステージ上に
載置される所定の露光試料と、前記開口部に位置し、前
記第３のステージと第１のステージとが一体関係にある
とき前記露光試料の露光面と接触し若しくは極めて微小
な距離を隔てて該露光面と対向する露光マスクと、を備
え、前記第２のステージと第３のステージとが一体関係
にあるときの第２の面から前記露光面までの距離を第２
の距離とし、前記露光マスクから第２の面までの距離を
第３の距離とし、および、前記第３Ａの面から第３Ｂま
での距離を第４の距離としたとき、第１の距離と第３の
距離の小さい方が、第２の距離と第４の距離の大きい方
よりも大であることを特徴とし、 または、前記第３のステージと第１のステージとが一体
関係にあるときの第１の距離と第４の距離との差が、第
２の距離と第３の距離との差よりも小であることを特徴
とし、 または、第２の距離と第４の距離とが不等であることを
特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention, as shown in FIG. an opening that surrounds and opens the optical axis of the X-rays; and a second surface that faces the first surface by a first distance and is perpendicular to the optical axis of the X-rays. A second stage that moves, and a third A surface and a third B surface, and the third A surface moves integrally with the second surface, or the third A surface is in contact with the second surface. a third stage that moves integrally with the third B surface in contact with the first surface when separated from the second surface; a predetermined exposure sample placed on the third stage; and the opening. an exposure mask that is located at the third stage and is in contact with the exposure surface of the exposure sample or faces the exposure surface at an extremely small distance when the third stage and the first stage are in an integral relationship; a distance from the second surface to the exposure surface when the second stage and the third stage are in an integral relationship;
, the distance from the exposure mask to the second surface is the third distance, and the distance from the third A surface to the third B is the fourth distance, then the first distance and the third distance are The smaller distance of 3 is larger than the larger of the 2nd distance and the 4th distance, or when the 3rd stage and the 1st stage are in an integral relationship. The difference between the first distance and the fourth distance is smaller than the difference between the second distance and the third distance, or the second distance and the fourth distance are different from each other. etc.

〔作用〕[Effect]

本発明では、第２のステージと第３のステージとが一体
関係にあるとき、第１の距離（以下、Ｌ、）と第３の距
Ｍ（以下、Ｌ、）の小さい方と、第２の距離（以下、Ｌ
ｚ）と第４の距離（以下、Ｌ、）の大きい方との差に相
当する安全距離〔（Ｌ、とＬ３の小さい方）　　　（Ｌ
２とＬ４の大きい方）〕が、露光試料の露光面と第１の
面との間に保たれ、これにより、第３のステージと第１
のステージの相対移動に伴う露光試料の損傷が回避され
る。In the present invention, when the second stage and the third stage are in an integral relationship, the smaller of the first distance (hereinafter referred to as L) and the third distance M (hereinafter referred to as L) and the second distance (hereinafter referred to as L
z) and the fourth distance (hereinafter referred to as L), the safety distance [the smaller of (L, and L3) (L
2 and L4)] is maintained between the exposed surface of the exposed sample and the first surface, thereby causing the third stage and the first stage to
Damage to the exposed sample due to relative movement of the stage is avoided.

または、第３のステージと第１のステージとが一体関係
に移行する際、露光面とマスクとの間に安全距離（（Ｌ
３−Ｌ！　）−（Ｌ、−Ｌ、）］が保たれ、これにより
、第３のステージと第１のステージの結合時における露
光マスクの損傷が回避される。Alternatively, when the third stage and the first stage transition to an integral relationship, a safety distance ((L
3-L! )-(L,-L,)] is maintained, thereby avoiding damage to the exposure mask when the third stage and the first stage are combined.

したがって、露光試料（または露光マスク）と第１の面
とを異なるレベルで配置することが可能となり、真空吸
着時に発生するゴミの付着が抑制され、歩留りの向上が
図られる。Therefore, it becomes possible to arrange the exposure sample (or exposure mask) and the first surface at different levels, suppressing the adhesion of dust generated during vacuum suction, and improving the yield.

〔実施例］ 以下、本発明を図面に基づいて説明する。〔Example] Hereinafter, the present invention will be explained based on the drawings.

第２．３図は本発明に係るエックス線露光装置の一実施
例を示す図である。FIG. 2.3 is a diagram showing an embodiment of the X-ray exposure apparatus according to the present invention.

第２図において、２０は走査ステージ（第１のステージ
に相当）である。走査ステージ２０は図示しない駆動機
構により、ＳＲ光の光軸２１に対して直交する方向に移
動できる。In FIG. 2, 20 is a scanning stage (corresponding to the first stage). The scanning stage 20 can be moved in a direction perpendicular to the optical axis 21 of the SR light by a drive mechanism (not shown).

走査ステージ２０には光軸２１を包囲して開口する開口
部２２が形成され、開口部２２にはブラケット２３によ
って走査ステージ２０上に支持されたマスクステージ２
４が設けられる。マスクステージ２４には着脱可能に露
光マスク２５が取り付けられており、露光マスク２５に
対向してウェハ等露光試料２６の露光面２６ａが配置さ
れる。An opening 22 that surrounds the optical axis 21 is formed in the scanning stage 20, and a mask stage 2 supported on the scanning stage 20 by a bracket 23 is formed in the opening 22.
4 is provided. An exposure mask 25 is detachably attached to the mask stage 24, and an exposure surface 26a of an exposure sample 26 such as a wafer is placed opposite the exposure mask 25.

露光試料２６はウェハステージ（第３のステージに相当
）２７上に載置され、何等かの手段によって脱落防止処
置がとられている。ウェハステージ２７は断面を略コの
字状に形成され、コの字の低部に露光試料２６を載置す
ると共にコの字の両端に平滑な面（第３Ｂの面に相当）
２８を形成する。The exposed sample 26 is placed on a wafer stage (corresponding to a third stage) 27, and measures are taken to prevent it from falling off by some means. The wafer stage 27 has a substantially U-shaped cross section, and the exposure sample 26 is placed on the lower part of the U-shape, and smooth surfaces (corresponding to surface 3B) are provided at both ends of the U-shape.
form 28.

吸着面２８には、図示を略した微細穴が形成され、この
穴に真空（負圧）を作用させることにより、ウェハステ
ージ２７と走査ステージ２０とを図示のように一体化で
きるようになっている。また、真空を作用させないとき
には、ウェハステージ２７が走査ステージ２０から離脱
し、粗動ステージ（第２のステージに相当）３０の面（
第２の面に相当）３１とウェハステージ２７０面（第３
Ａの面に相当）３２とが接して一体化するようにもなっ
ている。なお、粗動ステージ３０は図示しない駆動機構
により光軸２１に直交する方向に大きく移動することが
できる。A fine hole (not shown) is formed in the suction surface 28, and by applying a vacuum (negative pressure) to this hole, the wafer stage 27 and the scanning stage 20 can be integrated as shown. There is. Furthermore, when the vacuum is not applied, the wafer stage 27 separates from the scanning stage 20, and the surface of the coarse movement stage (corresponding to the second stage) 30 (
(equivalent to the second surface) 31 and the wafer stage 270 surface (corresponding to the third surface)
(corresponding to the surface A) 32 are in contact with each other and are integrated. Note that the coarse movement stage 30 can be moved largely in a direction perpendicular to the optical axis 21 by a drive mechanism (not shown).

本実施例では、（Ｉ）粗動ステージ３０の面３１から走
査ステージ２０の面２９までの距離り、（第１の距離に
相当）よりも、粗動ステージ３０とウェハステージ２７
とが一体化しているときの粗動ステージ３０の面３１か
ら露光試料２６の露光面２６ａまでの距離り、（第２の
距離に相当）を小さく　（Ｌｌ　＞Ｌｚ　）設定する。In this embodiment, (I) the distance between the surface 31 of the coarse movement stage 30 and the surface 29 of the scanning stage 20 (corresponding to the first distance) is larger than the distance between the coarse movement stage 30 and the wafer stage 29.
The distance (corresponding to the second distance) from the surface 31 of the coarse movement stage 30 to the exposure surface 26a of the exposure sample 26 when the two are integrated is set to a small value (Ll >Lz).

（ｎ）ウェハステージ２７の面３２から露光マスク２５
までの距離Ｌ３　　（第３の距離に相当）よりも、ウェ
ハステージ２７のふたつの面３２．２８間の距ＭＬ。(n) Exposure mask 25 from surface 32 of wafer stage 27
The distance ML between the two surfaces 32.28 of the wafer stage 27 is greater than the distance L3 (corresponding to the third distance) to the distance L3 (corresponding to the third distance).

（第４の距離に相当）を小さく　（Ｌ！　＞Ｌ４　）設
定する。(corresponding to the fourth distance) is set to a small value (L! >L4).

（１）によれば、ウェハステージ２７と粗動ステージ３
０とが一体化している間、当該ウェハステージ２７上に
載置された露光試料２６の露光面２６ａを、走査ステー
ジ２０の面２９から距離り、−Ｌ、たけ安全距離を保っ
て遠ざけることができる。According to (1), the wafer stage 27 and the coarse movement stage 3
0, the exposure surface 26a of the exposure sample 26 placed on the wafer stage 27 can be moved away from the surface 29 of the scanning stage 20 by -L, keeping a safe distance. can.

また、（ｎ）によれば、同様にしてウエハステ−ジ２７
と粗動ステージ３０とが一体化している間、走査ステー
ジ２０に支持された露光マスク２５を、ウェハステージ
２７の面２８から距離Ｌ３−Ｌ、たけ安全距離を保って
遠ざけることができる。Also, according to (n), the wafer stage 27
While the coarse movement stage 30 is integrated, the exposure mask 25 supported by the scanning stage 20 can be moved away from the surface 28 of the wafer stage 27 by a distance L3-L, keeping a safe distance.

これにより、粗動ステージ３０によってウェハステージ
２７を大きく移動させても、露光試料２６および露光マ
スク２５と各々に対向する部材との間に安全距離が保た
れているので、ウェハステージ２７と走査ステージ２０
との相対移動に伴う露光試料２６や露光マスク２５の損
傷を回避することができるようになる。As a result, even if the wafer stage 27 is moved largely by the coarse movement stage 30, a safe distance is maintained between the exposure sample 26 and the exposure mask 25 and the members facing each other, so that the wafer stage 27 and the scanning stage 20
It becomes possible to avoid damage to the exposure sample 26 and the exposure mask 25 due to relative movement with the exposure sample 26 and the exposure mask 25.

したがって、上記の条件（Ｌｌ　＞ＬＩ　）　　（Ｌ３
＞Ｌ４）内で、ウェハステージ２７の面２９のレベルと
露光試料２６や露光マスク２５のレベルを異ならせるこ
とが可能となり、例えば、第２図のように、露光試料２
６を走査ステージ２０の開口部２２内に位置させること
ができ、あるいは、第３図に示すように、露光マスク２
５を開口部２２から突出して位置させることができる。Therefore, the above condition (Ll > LI ) (L3
>L4), it is possible to make the level of the surface 29 of the wafer stage 27 different from the level of the exposed sample 26 or the exposure mask 25. For example, as shown in FIG.
6 can be positioned within the opening 22 of the scanning stage 20, or as shown in FIG.
5 can be positioned protruding from the opening 22.

その結果、ウェハステージ２７の面２８と走査ステージ
２０の面２９が真空吸着する際に発生するゴミが、露光
試料２６や露光マスク２５に付着するのを抑制でき、ゴ
ミの転写に伴うパターン不良やマスクの破損等を回避し
て、露光工程の歩留り向上を図ることができる。As a result, dust generated when the surface 28 of the wafer stage 27 and the surface 29 of the scanning stage 20 are vacuum-adsorbed can be suppressed from adhering to the exposure sample 26 and the exposure mask 25, and pattern defects due to dust transfer can be prevented. It is possible to avoid damage to the mask and improve the yield of the exposure process.

なお、露光試料にゴミが付着する状況としては次の２つ
のケース（Ｃａｓｅ）が考えられる。Note that the following two cases can be considered as situations in which dust adheres to the exposed sample.

Ｃａ５ｅ　　Ａ：露光試料表面が第３のステージ内にあ
るＣａ５ｅ Ｃａｓｅ　　Ｂ：露光試料表面が第１のステージ内にあ
るＣａ５ｅ これらＣａ５ｅごとの距離関係は、「衝突しない条件」
と「ゴミが付かない条件」の２条件ごとに、次表のとお
りに設定するのが望ましく、（本頁、以下余白） 料や露光マスクのレベルを異ならせてゴミの付着を回避
することができる。Ca5e A: Ca5e where the exposed sample surface is within the third stage Case B: Ca5e where the exposed sample surface is within the first stage These distance relationships for each Ca5e are "conditions for no collision"
It is desirable to set the conditions as shown in the table below for each of the following two conditions: and "conditions for preventing dust from sticking." can.

さらに、これをまとめると、次のとおりとなる。Furthermore, this can be summarized as follows.

■＝　（ＬｌとＬ３の小さい方）＞（Ｌ２とＬ４の大き
い方）■：　　　ＬＩ　　Ｌ４＜Ｌ３　　ＬＸ■：　　
ＬｚへＬ４ したがって、上記のように各距離り、〜Ｌ４の関係を設
定することにより、衝突およびゴミの付着の双方を回避
することができる。■= (smaller of Ll and L3)>(larger of L2 and L4)■: LI L4<L3 LX■:
Lz to L4 Therefore, by setting the relationship between each distance and ˜L4 as described above, it is possible to avoid both collisions and adhesion of dust.

（発明の効果〕 本発明によれば、各部材の位置関係を工夫したので、ス
テージの相対移動に伴う露光試料や露光マスクの損傷を
回避でき、吸着面レベルと露光状(Effects of the Invention) According to the present invention, since the positional relationship of each member is devised, it is possible to avoid damage to the exposed sample and exposure mask due to relative movement of the stage, and to adjust the suction surface level and the exposure shape.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の原理図、 第２．３図は本発明に係るエックス線露光装置の一実施
例を示す図であり、 第２図はその露光試料を走査ステージの開口内に位置さ
せた場合の構成図、 第３図はその露光マスクを走査ステージの開口から突出
させた場合の構成図、 第４．５図は従来例を示す図であり、 第４図はその円形加速器の構成図、 第５図はその露光装置の要部構成図である。 ２０・・・・・・走査ステージ（第１のステージ）、２
１・・・・・・光軸、 ２２・・・・・・開口部、 ２５・・・・・・露光マスク、 ２６・・・・・・露光試料、 ２６ａ・・・・・・露光面、 ２７・・・・・・ウェハステージ（第２のステージ）２
８・・・・・・面（第３Ｂの面）、 ２９・・・・・・面（第１の面）、 ３０・・・・・・粗動ステージ（第３のステージ）、３
１・・・・・・面（第２の面）、 ３２・・・・・・面（第３八〇面）。 第 図 本発明の原理図 第１図 Ｌど 円形加速器の構成図 第 図 従来例の露光装置の要部構成図 第 図Fig. 1 is a diagram showing the principle of the present invention, Fig. 2.3 is a diagram showing an embodiment of the X-ray exposure apparatus according to the present invention, and Fig. 2 is a diagram showing an example of the X-ray exposure apparatus according to the present invention, and Fig. 2 shows a state in which the exposed sample is positioned within the opening of the scanning stage. Figure 3 is a diagram showing the configuration when the exposure mask protrudes from the opening of the scanning stage, Figure 4.5 is a diagram showing a conventional example, and Figure 4 is a diagram showing the configuration of the circular accelerator. , FIG. 5 is a block diagram of the main parts of the exposure apparatus. 20...Scanning stage (first stage), 2
1... Optical axis, 22... Opening, 25... Exposure mask, 26... Exposure sample, 26a... Exposure surface, 27...Wafer stage (second stage) 2
8... Surface (3rd B surface), 29... Surface (first surface), 30... Coarse movement stage (3rd stage), 3
1... surface (second surface), 32... surface (380th surface). Fig. Principle of the present invention Fig. 1 Block diagram of L circular accelerator Fig. Block diagram of main parts of conventional exposure apparatus Fig.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）エックス線の光軸に対して直交移動する第１の面
を有する第１のステージと、 前記第１のステージに形成され、前記エックス線の光軸
を包囲して開口する開口部と、 前記第１の面から第１の距離離れて対向する第２の面を
有し、前記エックス線の光軸に対して直交移動する第２
のステージと、 第３Ａの面および第３Ｂの面を有し、該第３Ａの面が前
記第２の面に接しながら一体的に移動し、または、該第
３Ａの面が第２の面から離脱すると該第３Ｂの面が前記
第１の面に接しながら一体的に移動する第３のステージ
と、 該第３のステージ上に載置される所定の露光試料と、 前記開口部に位置し、前記第３のステージと第１のステ
ージとが一体関係にあるとき前記露光試料の露光面と接
触し若しくは極めて微小な距離を隔てて該露光面と対向
する露光マスクと、を備え、 前記第２のステージと第３のステージとが一体関係にあ
るときの第２の面から前記露光面までの距離を第２の距
離とし、前記露光マスクから第２の面までの距離を第３
の距離とし、および、前記第３Ａの面から第３Ｂまでの
距離を第４の距離としたとき、第１の距離と第３の距離
の小さい方が、第２の距離と第４の距離の大きい方より
も大であることを特徴とするエックス線露光装置。(1) a first stage having a first surface that moves orthogonally to the optical axis of the X-rays; an opening formed in the first stage and opening to surround the optical axis of the X-rays; a second surface having a second surface facing away from the first surface by a first distance and moving orthogonally to the optical axis of the X-ray;
a stage having a third A surface and a third B surface, the third A surface moves integrally with the second surface while being in contact with the second surface, or the third A surface moves away from the second surface. a third stage that moves integrally with the third B surface in contact with the first surface when detached; a predetermined exposure sample placed on the third stage; and a predetermined exposure sample placed on the third stage; , an exposure mask that contacts the exposure surface of the exposure sample or faces the exposure surface at a very small distance when the third stage and the first stage are in an integral relationship, The distance from the second surface to the exposure surface when the second stage and the third stage are in an integral relationship is defined as the second distance, and the distance from the exposure mask to the second surface is defined as the third distance.
and the distance from the third A surface to the third B is the fourth distance, the smaller of the first distance and the third distance is the second distance and the fourth distance. An X-ray exposure device characterized by being larger than the larger one. （２）前記第３のステージと第１のステージとが一体関
係にあるときの第１の距離と第４の距離との差が、第２
の距離と第３の距離との差よりも小であることを特徴と
する請求項１記載のエックス線露光装置。(2) When the third stage and the first stage are in an integral relationship, the difference between the first distance and the fourth distance is the second
2. The X-ray exposure apparatus according to claim 1, wherein the distance is smaller than the difference between the distance and the third distance. （３）第２の距離と第４の距離とが不等であることを特
徴とする請求項１または２記載のエックス線露光装置。(3) The X-ray exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein the second distance and the fourth distance are unequal.