JPH0489636A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JPH0489636A JPH0489636A JP2196710A JP19671090A JPH0489636A JP H0489636 A JPH0489636 A JP H0489636A JP 2196710 A JP2196710 A JP 2196710A JP 19671090 A JP19671090 A JP 19671090A JP H0489636 A JPH0489636 A JP H0489636A
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- light
- optical
- semiconductor substrate
- pickup device
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Landscapes
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録媒体に記録された情報を光学的に再生し
、または、記録媒体に情報を光学的に記録する光ヘツド
装置に係り、特にCD (CompactDisc)プ
レーヤ、L V D (La+e+ ViSion D
iSc )プレーヤ等において光デイスク上に記録され
た情報を再生する光ピックアップ装置に関する。
、または、記録媒体に情報を光学的に記録する光ヘツド
装置に係り、特にCD (CompactDisc)プ
レーヤ、L V D (La+e+ ViSion D
iSc )プレーヤ等において光デイスク上に記録され
た情報を再生する光ピックアップ装置に関する。
従来、この種の光ピックアップ装置としては、半導体レ
ーザ、偏光プリズム、集光レンズ、光検出器等の多くの
個別部品要素を組合せて構成されるものがあり、上記多
(の個別部品要素の位置調整が困難であった。
ーザ、偏光プリズム、集光レンズ、光検出器等の多くの
個別部品要素を組合せて構成されるものがあり、上記多
(の個別部品要素の位置調整が困難であった。
近年、上記従来装置の他に対物レンズ以外を単一半導体
基板上に作成するタイプが種々開発されている。
基板上に作成するタイプが種々開発されている。
このタイプの従来光ピックアップ装置として第15図、
第16図に示すものがあった(特開昭64−33734
号公報に記載)。この第15図は従来装置の概略斜視図
、第16図は要部側面図を示す。
第16図に示すものがあった(特開昭64−33734
号公報に記載)。この第15図は従来装置の概略斜視図
、第16図は要部側面図を示す。
上記各図において従来の光ピックアップ装置は、半導体
基板10上に載置され、光ディスク20に対して照射す
るレーザ光を発光する半導体レーザ1と、上記半導体レ
ーザ1からのレーザ光を一側面21で光デイスク20側
に反射し、上記光ディスク20で反射された反射レーザ
光を上記一側面21で透過して他側面22へ入射し、当
該入射した反射レーザ光の一部が他側面22で反射する
と共に当該反射した一部反射レーザ光がその他の側面2
3で反射した後に再度他側面22へ入射する光分割器2
と、上記光分割器2の他側面22に当接する上記半導体
基板10面上に埋設され、上記他側面22に入射する光
デイスク反射光を受光する第1受光素子5と、上記第1
受光素子5と同様に半導体基板10面上に埋設され、上
記他側面22に入射する光ディスク一部反射光を受光す
る第2受光素子6とを備える構成である。
基板10上に載置され、光ディスク20に対して照射す
るレーザ光を発光する半導体レーザ1と、上記半導体レ
ーザ1からのレーザ光を一側面21で光デイスク20側
に反射し、上記光ディスク20で反射された反射レーザ
光を上記一側面21で透過して他側面22へ入射し、当
該入射した反射レーザ光の一部が他側面22で反射する
と共に当該反射した一部反射レーザ光がその他の側面2
3で反射した後に再度他側面22へ入射する光分割器2
と、上記光分割器2の他側面22に当接する上記半導体
基板10面上に埋設され、上記他側面22に入射する光
デイスク反射光を受光する第1受光素子5と、上記第1
受光素子5と同様に半導体基板10面上に埋設され、上
記他側面22に入射する光ディスク一部反射光を受光す
る第2受光素子6とを備える構成である。
次に、上記構成に基づ〈従来装置の動作について説明す
る。まず、半導体レーザ1で発光出射されたレーザ光は
光分割器2の一側面21で反射され、対物レンズ(図示
を省略)を介して光デイスク20面へ投射される。この
投射されたレーザ光が光ディスク20で反射され、この
光情報としての反射レーザ光が上記光ディスク20へ投
射されるレーザ光と同一経路で上記一側面21に入射さ
れる。
る。まず、半導体レーザ1で発光出射されたレーザ光は
光分割器2の一側面21で反射され、対物レンズ(図示
を省略)を介して光デイスク20面へ投射される。この
投射されたレーザ光が光ディスク20で反射され、この
光情報としての反射レーザ光が上記光ディスク20へ投
射されるレーザ光と同一経路で上記一側面21に入射さ
れる。
上記入射された反射レーザ光が一側面21を屈折透過し
て光分割器2内を導波して他側面22人射し、この他側
面22下の第1受光素子5に受光検知されると共に、上
記反射レーザ光の一部が他側面22で反射され、この一
部反射レーザ光がその他の側面23で全反射されて他側
面22下の第2受光素子6に受光検知される。
て光分割器2内を導波して他側面22人射し、この他側
面22下の第1受光素子5に受光検知されると共に、上
記反射レーザ光の一部が他側面22で反射され、この一
部反射レーザ光がその他の側面23で全反射されて他側
面22下の第2受光素子6に受光検知される。
従来の光ピックアップ装置は以上のように構成されてい
たことから、光分割器2の3つの側面21.22.23
で反射する必要があり、この3つの側面21.22.2
3中の一側面21及びその他の側面23を平滑面とする
ために研磨しなければならず、さらにこの研磨平滑面の
一側面21を半透鏡とする誘電体多層膜等の蒸着を必要
とすると共に、研磨平滑面のその他の側面23に反射膜
を形成しなければならず、光分割器2の加工が複雑化し
、装置全体か大型化するという課題を有していた。
たことから、光分割器2の3つの側面21.22.23
で反射する必要があり、この3つの側面21.22.2
3中の一側面21及びその他の側面23を平滑面とする
ために研磨しなければならず、さらにこの研磨平滑面の
一側面21を半透鏡とする誘電体多層膜等の蒸着を必要
とすると共に、研磨平滑面のその他の側面23に反射膜
を形成しなければならず、光分割器2の加工が複雑化し
、装置全体か大型化するという課題を有していた。
本発明は上記課題を解消するためになされたもので、光
分割器の製造時における加工を容易にでき、装置全体を
小型化できる光ピックアップ装置を提供することを目的
とする。
分割器の製造時における加工を容易にでき、装置全体を
小型化できる光ピックアップ装置を提供することを目的
とする。
第1図は本発明の原理説明図を示す。
同図において本発明に係る光ピックアップ装置は、半導
体基板10で形成され、当該半導体基板10上に載置さ
れた発光手段1から発光した光を記録情報が記録された
光情報記録担体に対して照射すると共に、上記光情報記
録担体で反射された光を受光する光ピックアップ装置に
おいて、上記発光手段1からの光を一側面21で光情報
記録担体側に反射すると共に、上記光情報記録担体で反
射された光を上記一側面21で透過入射して他側面22
へ導波する光分割手段2と、上記光分割手段の他側面2
2から出射される光を透過光と回折光とに分離する光回
折手段3とを備えるものである。
体基板10で形成され、当該半導体基板10上に載置さ
れた発光手段1から発光した光を記録情報が記録された
光情報記録担体に対して照射すると共に、上記光情報記
録担体で反射された光を受光する光ピックアップ装置に
おいて、上記発光手段1からの光を一側面21で光情報
記録担体側に反射すると共に、上記光情報記録担体で反
射された光を上記一側面21で透過入射して他側面22
へ導波する光分割手段2と、上記光分割手段の他側面2
2から出射される光を透過光と回折光とに分離する光回
折手段3とを備えるものである。
本発明においては、発光手段1からの光を光分割手段2
の一側面21て光情報記録担体側へ反射すると共に、光
情報記録担体側から反射された光を一側面21で屈折透
過して他側面22へ入射する。この入射した光が他側面
22を透過して光回折手段3の回折作用により光導波路
4内へ導波されることから、光分割手段2の一側面21
のみでの反射により光回折手段(3)へ光を入射して透
過光と回折光とに分離できることとなり、分割器2の製
造時における加工作業を容易に行なえると共に、装置全
体を小型化できることとなる。
の一側面21て光情報記録担体側へ反射すると共に、光
情報記録担体側から反射された光を一側面21で屈折透
過して他側面22へ入射する。この入射した光が他側面
22を透過して光回折手段3の回折作用により光導波路
4内へ導波されることから、光分割手段2の一側面21
のみでの反射により光回折手段(3)へ光を入射して透
過光と回折光とに分離できることとなり、分割器2の製
造時における加工作業を容易に行なえると共に、装置全
体を小型化できることとなる。
(a)本発明の一実施例
以下、本発明の一実施例を第2図ないし第4図に基づい
て説明する。この第2図は本実施例装置の全体側面図、
第3図は本実施例装置の要部構成図、第4図は第3図記
載要部構成の半導体基板平面図を示す。
て説明する。この第2図は本実施例装置の全体側面図、
第3図は本実施例装置の要部構成図、第4図は第3図記
載要部構成の半導体基板平面図を示す。
上記各図において本実施例に係る光ピックアップ装置は
、半導体基板10上にレーザ光射出端面を傾斜させて載
置され、光ディスク20に照射するレーザ光を発光する
半導体レーザ1と、上記半導体レーザ1の前側端面から
のレーザ光を光ディスク20に対して一側面21で反射
し、上記光ディスク20で反射された反射レーザ光を一
側面21を透過して他側面22へ入射し、当該入射した
反射レーザ光を接着剤層24を介して半導体基板10側
へ出射する光分割器2と、上記半導体基板10のクラッ
ド層25下に形成され、上記光分割器2から半導体基板
10へ出射された反射レーザ光を透過光(放射光)と回
折導波光とに回折分離する回折格子3と、上記回折格子
3の下面に積層形成され、上記透過光を下方へ透過する
と共に、回折導波光を側方に導波する光導波路4と、上
記透過の反射レーザ光を受光してトラック信号、RF倍
信号の情報を読取る第1受光素子5と、上記回折導波光
を受光してフォーカス信号等の情報を読取る第2受光素
子6と、上記半導体レーザ1の後側端面から出射される
レーザ光を受光するモニタ受光素子7とを備える構成で
ある。
、半導体基板10上にレーザ光射出端面を傾斜させて載
置され、光ディスク20に照射するレーザ光を発光する
半導体レーザ1と、上記半導体レーザ1の前側端面から
のレーザ光を光ディスク20に対して一側面21で反射
し、上記光ディスク20で反射された反射レーザ光を一
側面21を透過して他側面22へ入射し、当該入射した
反射レーザ光を接着剤層24を介して半導体基板10側
へ出射する光分割器2と、上記半導体基板10のクラッ
ド層25下に形成され、上記光分割器2から半導体基板
10へ出射された反射レーザ光を透過光(放射光)と回
折導波光とに回折分離する回折格子3と、上記回折格子
3の下面に積層形成され、上記透過光を下方へ透過する
と共に、回折導波光を側方に導波する光導波路4と、上
記透過の反射レーザ光を受光してトラック信号、RF倍
信号の情報を読取る第1受光素子5と、上記回折導波光
を受光してフォーカス信号等の情報を読取る第2受光素
子6と、上記半導体レーザ1の後側端面から出射される
レーザ光を受光するモニタ受光素子7とを備える構成で
ある。
上記半導体レーザ1のチップは、ウェハから切出すとき
に臂開面に対して斜めに切出すことにより作成すること
ができる。
に臂開面に対して斜めに切出すことにより作成すること
ができる。
上記回折格子3は入射光を光ディスク20のトラックに
対して垂直方向に二分割するような二つの領域を持ち、
上記光分割器2を透過する際に発生した収差を取り除き
、フォーカス信号を生成する第2受光素子6の各々に集
光する格子パターンとする構成である。
対して垂直方向に二分割するような二つの領域を持ち、
上記光分割器2を透過する際に発生した収差を取り除き
、フォーカス信号を生成する第2受光素子6の各々に集
光する格子パターンとする構成である。
上記半導体レーザ1及び光分割器2は、半導体基板10
上に基準となる取付マークを予め製作しておき、この取
付マークに基づいて取付けられることとなる。
上に基準となる取付マークを予め製作しておき、この取
付マークに基づいて取付けられることとなる。
また、本実施例装置は半導体レーザ1、光分割器2及び
半導体基板10をピックアップボディ30内に収納固着
し、当該ピックアップボディ30の一側端に設けられた
対物レンズ31を光ディスク20に対向配置する構成で
ある。
半導体基板10をピックアップボディ30内に収納固着
し、当該ピックアップボディ30の一側端に設けられた
対物レンズ31を光ディスク20に対向配置する構成で
ある。
次に、上記構成に基づく本実施例装置の動作について説
明する。
明する。
まず、半導体レーザ1は前側及び後側の各端面からレー
ザ光を出射する。上記前側端面から出射されたレーザ光
は光分割器2の一側面21で約半分が反射し、対物レン
ズ31を介して光ディスク20の情報面に集光照射され
る。この照射されたレーザ光が光ディスク20の記録情
報で回折・反射し、この回折・反射した反射レーザ光は
上記レーザ光と同一経路で光分割器2の一側面21に入
射されて光分割器2内を透過して光分割器2の他側面2
2側へ導波する。
ザ光を出射する。上記前側端面から出射されたレーザ光
は光分割器2の一側面21で約半分が反射し、対物レン
ズ31を介して光ディスク20の情報面に集光照射され
る。この照射されたレーザ光が光ディスク20の記録情
報で回折・反射し、この回折・反射した反射レーザ光は
上記レーザ光と同一経路で光分割器2の一側面21に入
射されて光分割器2内を透過して光分割器2の他側面2
2側へ導波する。
また、上記半導体レーザ1のレーザ光のうち直接に光分
割器2の一側面21を透過した光は、光分割器2を半導
体基板10に接合する接着剤層24下のクラッド層25
の表面で臨界角以上の入射角度に設定されていることか
ら、上記他側面22を透過することなく全反射される。
割器2の一側面21を透過した光は、光分割器2を半導
体基板10に接合する接着剤層24下のクラッド層25
の表面で臨界角以上の入射角度に設定されていることか
ら、上記他側面22を透過することなく全反射される。
他方、上記光ディスク20の反射レーザ光は、一側面2
1を透過して上記クラッド層24で全反射されない角度
に設定されることから、不要な光が第1受光素子5に入
射することを防止すると共に、レーザ光の有効利用が図
られることとなる。
1を透過して上記クラッド層24で全反射されない角度
に設定されることから、不要な光が第1受光素子5に入
射することを防止すると共に、レーザ光の有効利用が図
られることとなる。
この反射レーザ光は他側面22から接着剤層24、クラ
ッド層25を介して回折格子3に入射され、この回折格
子3で透過光と回折導波光とに回折分離される。上記反
射レーザ光の大部分が透過光となり、この透過光が下側
の第1受光素子5に入射してトラック信号、RF倍信号
に生成される。上記回折格子3により反射レーザ光の大
部分が透過光となることから、透過光量より回折導波光
量を少なくするための回折格子の条件、特に格子深さを
浅くできるため、設計製造の条件が厳しくなくなる。
ッド層25を介して回折格子3に入射され、この回折格
子3で透過光と回折導波光とに回折分離される。上記反
射レーザ光の大部分が透過光となり、この透過光が下側
の第1受光素子5に入射してトラック信号、RF倍信号
に生成される。上記回折格子3により反射レーザ光の大
部分が透過光となることから、透過光量より回折導波光
量を少なくするための回折格子の条件、特に格子深さを
浅くできるため、設計製造の条件が厳しくなくなる。
また、上記回折分離された回折導波光は光導波路4を導
波して端面に設けられた第2受光素子6に入射される。
波して端面に設けられた第2受光素子6に入射される。
この第2受光素子6は一対の光検知部61・62.63
・64を二組備えて形成され、入射した回折導波光から
フォーカス信号等を生成する。
・64を二組備えて形成され、入射した回折導波光から
フォーカス信号等を生成する。
さらに、上記半導体レーザ2の後側端面から出射したレ
ーザ光は、半導体基板10表面に設けられたモニタ受光
素子7で受光されてAPC(Automatic Po
we「Control )信号として出力される。上記
半導体レーザ1が温度とともに光出力が変化した場合に
、APC信号に基づいて半導体レーザ1の駆動電流を制
御して光出力を一定値とする。
ーザ光は、半導体基板10表面に設けられたモニタ受光
素子7で受光されてAPC(Automatic Po
we「Control )信号として出力される。上記
半導体レーザ1が温度とともに光出力が変化した場合に
、APC信号に基づいて半導体レーザ1の駆動電流を制
御して光出力を一定値とする。
第4図に示すように上記半導体基板10上には、半導体
レーザ1を塔載接続する取付用ランド11と、半導体レ
ーザ1を製造する時における最適点の動作状態に調整す
るレーザトリミング部14と、半導体レーザ1の出力制
御、各受光素子5.6.7の受光信号処理等を行なう電
気回路部13と、外部とのワイヤボンディング接続に用
いられるポンディングパッド12と、第1受光素子5を
形成する4分割の光検知部51〜54とが形成される。
レーザ1を塔載接続する取付用ランド11と、半導体レ
ーザ1を製造する時における最適点の動作状態に調整す
るレーザトリミング部14と、半導体レーザ1の出力制
御、各受光素子5.6.7の受光信号処理等を行なう電
気回路部13と、外部とのワイヤボンディング接続に用
いられるポンディングパッド12と、第1受光素子5を
形成する4分割の光検知部51〜54とが形成される。
上記第1受光素子5の4分割光検知部51〜54で検出
された各トラック信号51a〜54aに基づいて上記電
気回路部13はプッシュプル法で信号の演算を行なう。
された各トラック信号51a〜54aに基づいて上記電
気回路部13はプッシュプル法で信号の演算を行なう。
このプッシュプル法は(51a+53a)−(52a+
54a)の演算を行なうことによりなされる。
54a)の演算を行なうことによりなされる。
また、上記第2受光素子6の光検知部61・62.63
・64で検出されたフォーカス信号61a・62 a
s 63 a・64aに基づいて、上記電気回路部13
はフーコー法で信号の演算を行なう。このフーコー法は
(61a−62a)+(64a−63a)の演算を行な
うことによりなされる。
・64で検出されたフォーカス信号61a・62 a
s 63 a・64aに基づいて、上記電気回路部13
はフーコー法で信号の演算を行なう。このフーコー法は
(61a−62a)+(64a−63a)の演算を行な
うことによりなされる。
さらに、電気回路部13中のAPC回路は上記モニタ受
光素子7で受光されたAPC信号に基づいてレーザ出力
調整を行なう。
光素子7で受光されたAPC信号に基づいてレーザ出力
調整を行なう。
上記取付用ランド11は半導体基板10上に設けられて
いることから、半導体レーザ11を直接に光集積回路の
半導体基板10にダイボンディングできることとなり、
従来行なわれていたワイヤボンディングやシリコンバッ
ト等の部品を削減でき、取付精度の向上が可能となる。
いることから、半導体レーザ11を直接に光集積回路の
半導体基板10にダイボンディングできることとなり、
従来行なわれていたワイヤボンディングやシリコンバッ
ト等の部品を削減でき、取付精度の向上が可能となる。
なお、半導体基板10の各層における設計例を以下に示
す。
す。
層厚 屈折率 材質接着剤層
t= 10μm n=1.51クラッド層 t=
0.5μm n=1.38 MgF2光導波路
層 t=1.0μm n=1.51 5i02
コア層 t=2.0μm n=1.38
MgF2(b)本発明の一実施例の製造方法 第5図は本実施例に係る光ピックアップ装置における光
分割器2の製造方法説明図である。
t= 10μm n=1.51クラッド層 t=
0.5μm n=1.38 MgF2光導波路
層 t=1.0μm n=1.51 5i02
コア層 t=2.0μm n=1.38
MgF2(b)本発明の一実施例の製造方法 第5図は本実施例に係る光ピックアップ装置における光
分割器2の製造方法説明図である。
同図において、透明板体のA面又はB面のいずれか一面
を研磨して平滑面とし、この研磨した平滑面に誘電体多
層膜等を蒸着して半透鏡を形成する。この半透鏡が形成
された板体は図中鎖線で示すように各A、B面に対して
角度θで切断される。
を研磨して平滑面とし、この研磨した平滑面に誘電体多
層膜等を蒸着して半透鏡を形成する。この半透鏡が形成
された板体は図中鎖線で示すように各A、B面に対して
角度θで切断される。
このように、透明板体の単一の面のみを研磨して半透鏡
とするのみで光分割器2が形成される。
とするのみで光分割器2が形成される。
この光分割器2は半透鏡とされた面(第3図においては
一側面21)に対して角度θで切断された切断面(第3
図においては他側面22)が半導体基板10上に載置さ
れ、上記切断面を半導体基板10に接着剤により接着固
定される。この接着剤は透明媒質であり、光分割器2と
同等の屈折率を有するもの例えばUV硬化タイプのもの
を選択する。従って、上記切断面を特に研磨しなくても
凹凸部分が接着剤で埋まり、切断面(他側面22)にお
ける光の散乱、反射がなくなる。
一側面21)に対して角度θで切断された切断面(第3
図においては他側面22)が半導体基板10上に載置さ
れ、上記切断面を半導体基板10に接着剤により接着固
定される。この接着剤は透明媒質であり、光分割器2と
同等の屈折率を有するもの例えばUV硬化タイプのもの
を選択する。従って、上記切断面を特に研磨しなくても
凹凸部分が接着剤で埋まり、切断面(他側面22)にお
ける光の散乱、反射がなくなる。
(C、)本発明の一実施例構成に係る発光素子の取付態
様 第6図は半導体レーザの概略斜視図を示す。この半導体
レーザ1を半導体基板10上に取付ける状態を第7図(
A)、(B)に示す。
様 第6図は半導体レーザの概略斜視図を示す。この半導体
レーザ1を半導体基板10上に取付ける状態を第7図(
A)、(B)に示す。
上記各図において半導体レーザ1は半導体基板10上に
蒸着形成されるアルミ電極の取付用ランド11上に載置
され、側部電極1a、lbと取付用ランド11とがはん
だ付で接合固定される。このはんだ付がされた半導体レ
ーザ1と半導体基板10との間の間隙11bは、取付用
ランド11の突出により形成されるもので、半導体基板
10自体に半導体レーザ1が直接接触して短絡状態とな
ることを防止している。また、上記取付用ランド11の
突出以外に上記間隙11bに絶縁物質を蒸着して半導体
レーザの短絡状態を防止することもできる。
蒸着形成されるアルミ電極の取付用ランド11上に載置
され、側部電極1a、lbと取付用ランド11とがはん
だ付で接合固定される。このはんだ付がされた半導体レ
ーザ1と半導体基板10との間の間隙11bは、取付用
ランド11の突出により形成されるもので、半導体基板
10自体に半導体レーザ1が直接接触して短絡状態とな
ることを防止している。また、上記取付用ランド11の
突出以外に上記間隙11bに絶縁物質を蒸着して半導体
レーザの短絡状態を防止することもできる。
第8図は取付用ランド11上に取付ける半導体レーザ1
の取付位置を示すもので、アルミ電極を形成する取付用
ランド11は半導体レーザ1の接合・固定に要する面積
よりも大きく形成される。
の取付位置を示すもので、アルミ電極を形成する取付用
ランド11は半導体レーザ1の接合・固定に要する面積
よりも大きく形成される。
このように大きな面積で取付用ランド11を形成するこ
とにより、半導体レーザ1の放熱特性を向上させている
。
とにより、半導体レーザ1の放熱特性を向上させている
。
第9図は半導体レーザ1を取付下面の半導体基板10の
平面図を示し、同図において半導体レーザ1の取付下面
にモニタ受光素子7を形成する構成である。
平面図を示し、同図において半導体レーザ1の取付下面
にモニタ受光素子7を形成する構成である。
第10図(A)、(B)は第9図と同様に半導体基板1
0の平面図を示す。同図(A)において半導体レーザ1
の取付下面に回折格子3を形成し、また同図(B)にお
いて半導体レーザ1の取付下面に回折格子3及びモニタ
受光素子7を形成する構成である。
0の平面図を示す。同図(A)において半導体レーザ1
の取付下面に回折格子3を形成し、また同図(B)にお
いて半導体レーザ1の取付下面に回折格子3及びモニタ
受光素子7を形成する構成である。
第11図は半導体基板10への半導体レーザ1の要部取
付説明図を示し、同図において半導体基板10上に段差
部11aを有する取付用ランド11として形成される。
付説明図を示し、同図において半導体基板10上に段差
部11aを有する取付用ランド11として形成される。
このように取付用ランド11の段差部11aにより、半
導体レーザ1を段差部11aに当接させて取付位置出し
が容易となり、高精度かつ迅速に取付作業を行なうこと
ができる。
導体レーザ1を段差部11aに当接させて取付位置出し
が容易となり、高精度かつ迅速に取付作業を行なうこと
ができる。
第12図(A)、(B)、(C)は半導体基板10側面
への半導体基板10の要部取付説明図を示す。同図(A
)に示すように半導体基板10側面に半導体レーザ1を
接着剤15で接続固定していたのに対して、同図(B)
、(C)に示すように半導体基板10側面まで電極とし
ての取付用ランド11を延出形成し、この延出形成した
取付用ランド11に半導体レーザ1の電極1a、lbを
当接固定する構成とすることもできる。
への半導体基板10の要部取付説明図を示す。同図(A
)に示すように半導体基板10側面に半導体レーザ1を
接着剤15で接続固定していたのに対して、同図(B)
、(C)に示すように半導体基板10側面まで電極とし
ての取付用ランド11を延出形成し、この延出形成した
取付用ランド11に半導体レーザ1の電極1a、lbを
当接固定する構成とすることもできる。
第13図(A)、(B)は半導体レーザの取付基台概略
斜視図を示す。同図(A)、(B)において取付基台1
00は非導電性物質101を導電性物質101a、10
1.bで挟んで形成する。この取付基台100に半導体
レーザ1を載置し、又は挟込んではんだ付することによ
り接着固定する。
斜視図を示す。同図(A)、(B)において取付基台1
00は非導電性物質101を導電性物質101a、10
1.bで挟んで形成する。この取付基台100に半導体
レーザ1を載置し、又は挟込んではんだ付することによ
り接着固定する。
このように取付基台100を介して半導体レーザ1を他
の部材、例えば半導体基板10に容易に取付けることが
できることとなる。
の部材、例えば半導体基板10に容易に取付けることが
できることとなる。
第14図は第13図記載取付基台100の変形取付態様
図を示し、半導体レーザ1の光出力方向により取付基台
100の非導電性物質101に貫通口101cを形成す
るか又は透明物質で形成し、矢印方向にレーザ光を射出
できることとなる。また、取付基台100の上面又は下
面を傾斜して形成してレーザ光出力を上下斜め方向に射
出できることとなる。
図を示し、半導体レーザ1の光出力方向により取付基台
100の非導電性物質101に貫通口101cを形成す
るか又は透明物質で形成し、矢印方向にレーザ光を射出
できることとなる。また、取付基台100の上面又は下
面を傾斜して形成してレーザ光出力を上下斜め方向に射
出できることとなる。
(d)本発明の他の実施例
上記光分割器2は一側面21のみを研磨して半透鏡とす
る構成としたが、その他の側面23.26(第3図参照
)に反射防止膜を形成することもできる。この反射防止
膜は散乱光等の迷光を光分割器2の外部へ射出して不要
なレーザ光(光ディスク20からの反射光以外のレーザ
光)が第1受光素子5へ入射することを阻止し、レーザ
光の有効利用をより向上させる。
る構成としたが、その他の側面23.26(第3図参照
)に反射防止膜を形成することもできる。この反射防止
膜は散乱光等の迷光を光分割器2の外部へ射出して不要
なレーザ光(光ディスク20からの反射光以外のレーザ
光)が第1受光素子5へ入射することを阻止し、レーザ
光の有効利用をより向上させる。
上記光分割器2、接着剤層24、クラッド層25及び回
折格子3の各層の関係は、次のようにすることもできる
。
折格子3の各層の関係は、次のようにすることもできる
。
n 2 > n 20 > n 24> n aここ
で、n2は光分割器2の屈折率、n2oは接着剤層の屈
折率、n24はクラッド層24の屈折率、n3は回折格
子の屈折率である。
で、n2は光分割器2の屈折率、n2oは接着剤層の屈
折率、n24はクラッド層24の屈折率、n3は回折格
子の屈折率である。
このように、反射レーザ光の入射方向に向って順次屈折
率が小さく設定することにより、各境界面における反射
を有効に防止して有効光線の透過効率をより向上させる
ことができる。
率が小さく設定することにより、各境界面における反射
を有効に防止して有効光線の透過効率をより向上させる
ことができる。
上記各実施例において光回折手段を2つの領域から形成
される領域で構成したが、2以上の領域で構成すること
もできる。
される領域で構成したが、2以上の領域で構成すること
もできる。
上記各実施例において光回折手段を回折格子で構成した
が、段階格子その他の回折手段又は入射光を光導波路及
び下面の第1受光素子に分岐出射する各種光学素子で構
成することもできる。
が、段階格子その他の回折手段又は入射光を光導波路及
び下面の第1受光素子に分岐出射する各種光学素子で構
成することもできる。
以上説明したように本発明においては、発光手段からの
光を光分割手段の一側面で光情報記録担体側へ反射する
と共に、光情報記録担体側から反射された光を一側面で
屈折透過して他側面へ入射し、この入射した光が他の側
面を透過して光回折手段の回折作用により透過光と回折
光とに分離されることから、光分割手段の一側面のみで
の反射で光導波路内に光を導波できることとなり、光分
割器の製造時における加工作業を容易に行なえると共に
、装置全体を小型化できる効果を有する。
光を光分割手段の一側面で光情報記録担体側へ反射する
と共に、光情報記録担体側から反射された光を一側面で
屈折透過して他側面へ入射し、この入射した光が他の側
面を透過して光回折手段の回折作用により透過光と回折
光とに分離されることから、光分割手段の一側面のみで
の反射で光導波路内に光を導波できることとなり、光分
割器の製造時における加工作業を容易に行なえると共に
、装置全体を小型化できる効果を有する。
第1図は本発明の原理説明図、
第2図は本発明の一実施例の全体側面図、第3図は本発
明の一実施例の要部構成図、第4図は第3図記載要部構
成の半導体基板平面図、 第5図は本発明の一実施例における光分割器の製造方法
説明図、 第6図は本発明の一実施例設置される半導体レーザの概
略斜視図、 第7図(A)、(B)は半導体レーザの取付状態説明図
、 第8図及び第9図は取付用ランド形成部分の半導体基板
平面図、 第10図(A)、(B)は半導体基板平面の形成説明図
、同図(A)は回折格子形成部分説明図、同図(B)は
回折格子、取付用ランド形成部分の半導体基板平面図、 第11図、第12図(A)、(B)、(C)は半導体基
板への半導体レーザ取付説明図、第13図(A)、(B
)、第14図は半導体レーザを取付ける取付基台説明図
、 第15図は従来の光ピックアップ装置の概略斜視図、 第16図は従来の光ピックアップ装置の要部側面図を示
す。 1・・・半導体レーザ(発光手段) 2・・・光分割器(光分割手段) 3・・・回折格子(光回折手段) 4・・・光導波路 5・・・第1受光素子 6・・・第2受光素子 7・・・モニタ受光素子 10・・・半導体基板 20・・・光ディスク 30・・・ピックアップボディ 31・・・対物レンズ
明の一実施例の要部構成図、第4図は第3図記載要部構
成の半導体基板平面図、 第5図は本発明の一実施例における光分割器の製造方法
説明図、 第6図は本発明の一実施例設置される半導体レーザの概
略斜視図、 第7図(A)、(B)は半導体レーザの取付状態説明図
、 第8図及び第9図は取付用ランド形成部分の半導体基板
平面図、 第10図(A)、(B)は半導体基板平面の形成説明図
、同図(A)は回折格子形成部分説明図、同図(B)は
回折格子、取付用ランド形成部分の半導体基板平面図、 第11図、第12図(A)、(B)、(C)は半導体基
板への半導体レーザ取付説明図、第13図(A)、(B
)、第14図は半導体レーザを取付ける取付基台説明図
、 第15図は従来の光ピックアップ装置の概略斜視図、 第16図は従来の光ピックアップ装置の要部側面図を示
す。 1・・・半導体レーザ(発光手段) 2・・・光分割器(光分割手段) 3・・・回折格子(光回折手段) 4・・・光導波路 5・・・第1受光素子 6・・・第2受光素子 7・・・モニタ受光素子 10・・・半導体基板 20・・・光ディスク 30・・・ピックアップボディ 31・・・対物レンズ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基板(10)で形成され、当該半導体基板(
10)上に載置された発光手段(1)から発光出射した
光を記録情報が記録された光情報記録担体に対して照射
すると共に、上記光情報記録担体で反射された光を受光
する光ピックアップ装置において、 上記半導体基板(10)上に載置され、上記発光手段(
1)からの光を一側面(21)で光情報記録担体側に反
射すると共に、上記光情報記録担体で反射された光を上
記一側面(21)で透過入射して他側面(22)へ導波
する光分割手段(2)と、 上記半導体基板(10)内に形成され、上記光分割手段
(2)の他側面(22)から出射される光を透過光と回
折光とに分離する光回折手段(3)とを備えることを 特徴とする光ピックアップ装置。 2、上記請求項1記載の光ピックアップ装置において、 上記半導体基板(10)内のコア層と上記光回折手段(
3)との間に光導波路(4)を形成し、当該光導波路(
4)と隣接しないコア層の側面に第1受光素子を形成し
、上記光導波路(4)の端部に第2受光素子を形成し、 上記光回折手段(3)の透過光を第1受光素子で受光す
ると共に、光回折手段(3)の回折光を光導波路(4)
を介して第2受光素子で受光することを 特徴とする光ピックアップ装置。 3、上記請求項1記載の光ピックアップ装置において、 上記光分割手段(2)は、当該光分割手段(2)とほぼ
同じ屈折率の透明媒質からなる接着物質で他側面(22
)を半導体基板(10)上に接着固定することを 特徴とする光ピックアップ装置。 4、上記請求項1記載の光ピックアップ装置において、 上記光分割手段(2)を接合する接着剤の屈折率を光分
割手段(2)の屈折率と略等し、且つ半導体基板(10
)上に形成されるクラッド層の屈折率よりも大きくし、
上記発光手段(1)から出射されて直接に光分割手段(
2)の一側面(21)の表面を透過した光が上記クラッ
ド層の表面で全反射され、かつ上記光情報記録担体で反
射されて上記光分割手段(2)の一側面(21)の表面
を透過した光が上記クラッド層を透過することを特徴と
する光ピックアップ装置。 5、上記請求項1記載の光ピックアップ装置において、 上記光回折手段(3)は半導体基板(10)の光導波路
(4)層に隣接して形成される回折格子で構成すること
を 特徴とする光ピックアップ装置。 6、上記請求項1記載の光ピックアップ装置において、 上記光回折手段(3)は少なくとも2つの領域で形成さ
れ、透過光量が回折光量よりも多くなるようにしたこと
を 特徴とする光ピックアップ装置。 7、上記請求項1記載の光ピックアップ装置において、 上記半導体基板(10)上に載置される発光手段(1)
は、半導体基板(10)に当接載置する面から光を出射
すると共に、当該光を出射する面に隣接する両側面に電
極を設けて形成し、半導体基板(10)上に設けられた
ランド部に上記電極端部を直接接触接続することを 特徴とする光ピックアップ装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02196710A JP3137969B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 光ピックアップ装置 |
US07/652,814 US5164930A (en) | 1990-07-25 | 1991-02-08 | Optical pickup |
DE69121654T DE69121654T2 (de) | 1990-07-25 | 1991-02-14 | Optische Abtastvorrichtung |
EP91301188A EP0468612B1 (en) | 1990-07-25 | 1991-02-14 | Optical pickup |
DE69128290T DE69128290T2 (de) | 1990-07-25 | 1991-02-14 | Optische Abtastvorrichtung |
EP95119137A EP0708437B1 (en) | 1990-07-25 | 1991-02-14 | Optical pickup |
US07/917,239 US5247506A (en) | 1990-07-25 | 1992-07-23 | Optical pickup for reproducing information from an optical information storage medium |
JP10298703A JPH11232688A (ja) | 1990-07-25 | 1998-10-20 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02196710A JP3137969B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0489636A true JPH0489636A (ja) | 1992-03-23 |
JP3137969B2 JP3137969B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=16362303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02196710A Expired - Fee Related JP3137969B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3137969B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5481515A (en) * | 1992-06-02 | 1996-01-02 | Hitachi, Ltd. | Optical information storage medium control apparatus |
JP2005244192A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
US10139271B2 (en) | 2015-06-09 | 2018-11-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light detection device including light detector, light coupling layer, and light shielding film, light detection system, and optical device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114442311A (zh) * | 2017-03-21 | 2022-05-06 | 奇跃公司 | 低轮廓分束器 |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP02196710A patent/JP3137969B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5481515A (en) * | 1992-06-02 | 1996-01-02 | Hitachi, Ltd. | Optical information storage medium control apparatus |
JP2005244192A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
US10139271B2 (en) | 2015-06-09 | 2018-11-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light detection device including light detector, light coupling layer, and light shielding film, light detection system, and optical device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3137969B2 (ja) | 2001-02-26 |
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