JPH0488698A - 不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置 - Google Patents
不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置Info
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- JPH0488698A JPH0488698A JP20255090A JP20255090A JPH0488698A JP H0488698 A JPH0488698 A JP H0488698A JP 20255090 A JP20255090 A JP 20255090A JP 20255090 A JP20255090 A JP 20255090A JP H0488698 A JPH0488698 A JP H0488698A
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
この発明は、はんだ付け装置内に充満する不活性ガスが
外部へ流出するのを封止する不活性ガス封止装置を備え
たプリン1一基板のはんだ付け装置に関するものである
。
外部へ流出するのを封止する不活性ガス封止装置を備え
たプリン1一基板のはんだ付け装置に関するものである
。
従来、プリント基板を不活性ガスの中ではんだ付けを行
うプリント基板のはんだ付け装置は、予備加熱装置とは
んだ槽とをカバーで覆ってはんだ付け処理室を形成し、
このはんだ付け処理室内にボンベ等から供給される不活
性ガスを充満してはんだ付け処理を行うか、プリン1一
基板の搬送方向に対してはんだ付け装置の前段の搬入口
と後段の搬出口にンヤックー等による開閉装置を設けた
ものもあった。
うプリント基板のはんだ付け装置は、予備加熱装置とは
んだ槽とをカバーで覆ってはんだ付け処理室を形成し、
このはんだ付け処理室内にボンベ等から供給される不活
性ガスを充満してはんだ付け処理を行うか、プリン1一
基板の搬送方向に対してはんだ付け装置の前段の搬入口
と後段の搬出口にンヤックー等による開閉装置を設けた
ものもあった。
ところで、従来の不活性ガス内ではんだ付けを行うはん
だ付け装置は、はんだ付け処理室内の不活性ガスが加圧
された状態にあるため、プリント基板の搬入口や搬出口
から流出してしまうので、はんだ付け処理室内へ不活性
ガスを常時補充しなければならず、したがって、高価な
不活性ガスの使用量が多くなって製造コストが増大する
という問題点があった。
だ付け装置は、はんだ付け処理室内の不活性ガスが加圧
された状態にあるため、プリント基板の搬入口や搬出口
から流出してしまうので、はんだ付け処理室内へ不活性
ガスを常時補充しなければならず、したがって、高価な
不活性ガスの使用量が多くなって製造コストが増大する
という問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、はんだ付け処理室内に充満した不活性ガスが外部
へ流出するのを封止するために、はんだ付け処理室内の
前段と後段にはんだ付け処理室内の不活性ガスとは比重
の異なる他の不、活性ガスを滞留させた不活性ガス室を
設けるとともに、これらの不活性ガス室内にある不活性
ガスの中にブリ″J1一基板を下降または上昇させてか
ら水平方向に搬送し、さらに上昇させて搬送を行うこと
によりはんだ付け処理室内の不活性ガスの流出を封止す
るようにした不活性ガス封止装置を備えたプリン)、基
板のはんだ付け装置を得ることを目的とする。
ので、はんだ付け処理室内に充満した不活性ガスが外部
へ流出するのを封止するために、はんだ付け処理室内の
前段と後段にはんだ付け処理室内の不活性ガスとは比重
の異なる他の不、活性ガスを滞留させた不活性ガス室を
設けるとともに、これらの不活性ガス室内にある不活性
ガスの中にブリ″J1一基板を下降または上昇させてか
ら水平方向に搬送し、さらに上昇させて搬送を行うこと
によりはんだ付け処理室内の不活性ガスの流出を封止す
るようにした不活性ガス封止装置を備えたプリン)、基
板のはんだ付け装置を得ることを目的とする。
この発明に係るプリント基板のはんだ付け装置は、電子
部品を装着したプリント基板を搬送し、第2の不活性ガ
スを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け処理室を設
け、プリント基板の搬送方向に対してはんだ付け処理室
の前段と後段に空気および第2の不活性ガスよ秒も重い
第1の不活性ガスを下方に滞留させた第1の不活性ガス
室と第2の不活性ガス室とをプリント基板の搬送レベル
よりも下方に設け、これらの第1の不活性ガス室と第2
の不活性ガス室内にプリン)・基板をその搬送レベルか
ら下降させる下降装置と、下降したプリント基板を水平
方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に搬送されてき
たプリント基板を上昇させる上昇装置とをプリント基板
の搬送方向に対して順次設け、さらにはんだ付け処理室
内の第2の不活性ガスを外部へ流出するのを第1の不活
性ガスにより封止させるための仕切板を第1の不活性ガ
ス室と第2の不活性ガス室の各上面から下方に向けて各
下降装置と上昇装置との間に設けたものである。
部品を装着したプリント基板を搬送し、第2の不活性ガ
スを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け処理室を設
け、プリント基板の搬送方向に対してはんだ付け処理室
の前段と後段に空気および第2の不活性ガスよ秒も重い
第1の不活性ガスを下方に滞留させた第1の不活性ガス
室と第2の不活性ガス室とをプリント基板の搬送レベル
よりも下方に設け、これらの第1の不活性ガス室と第2
の不活性ガス室内にプリン)・基板をその搬送レベルか
ら下降させる下降装置と、下降したプリント基板を水平
方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に搬送されてき
たプリント基板を上昇させる上昇装置とをプリント基板
の搬送方向に対して順次設け、さらにはんだ付け処理室
内の第2の不活性ガスを外部へ流出するのを第1の不活
性ガスにより封止させるための仕切板を第1の不活性ガ
ス室と第2の不活性ガス室の各上面から下方に向けて各
下降装置と上昇装置との間に設けたものである。
また、電子部品を装着したブリシト基板を搬送し、第1
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、プリン)・基板の搬送方向に対してはん
だ付け処理室の前段と後段に空気および第1の不活性ガ
スよりも軽い第2の不活性ガスを上方に滞留させた第1
の不活性ガス室と第2の不活性ガス室とをブリット基板
の搬送レベルよりも上方に設け、これらの第1の不活性
ガス室と第2の不活性ガス室内にプリント基板をその搬
送しベルから上昇させる上昇装置と、上昇したプリント
基板を水平方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に搬
送されてきたプリント基板を下降させる下降装置とをプ
リント基板の搬送方向に対して順次設け、さらにはんだ
付け処理室内の第1の不活性ガスを外部へ流出するのを
第2の不活性ガスによゆ封止させるための仕切板を第1
の不活性ガス室と第2の不活性ガス室の各下面から上方
に向けて各上昇装置と下降装置との間に設けたものであ
る。
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、プリン)・基板の搬送方向に対してはん
だ付け処理室の前段と後段に空気および第1の不活性ガ
スよりも軽い第2の不活性ガスを上方に滞留させた第1
の不活性ガス室と第2の不活性ガス室とをブリット基板
の搬送レベルよりも上方に設け、これらの第1の不活性
ガス室と第2の不活性ガス室内にプリント基板をその搬
送しベルから上昇させる上昇装置と、上昇したプリント
基板を水平方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に搬
送されてきたプリント基板を下降させる下降装置とをプ
リント基板の搬送方向に対して順次設け、さらにはんだ
付け処理室内の第1の不活性ガスを外部へ流出するのを
第2の不活性ガスによゆ封止させるための仕切板を第1
の不活性ガス室と第2の不活性ガス室の各下面から上方
に向けて各上昇装置と下降装置との間に設けたものであ
る。
この発明の不活性ガス封止装置を備えたプリン)・基板
のはんだ付け装置は、搬送手段により搬送されるととも
に、はんだ付け処理が行われるはんだ付け処理室の前段
と後段に不活性ガスを滞留させた第1.第2の不活性ガ
ス室を設けたことによりはんだ付け処理室内の不活性ガ
スが外部へ流出するのが阻止される。
のはんだ付け装置は、搬送手段により搬送されるととも
に、はんだ付け処理が行われるはんだ付け処理室の前段
と後段に不活性ガスを滞留させた第1.第2の不活性ガ
ス室を設けたことによりはんだ付け処理室内の不活性ガ
スが外部へ流出するのが阻止される。
また、プリント基板は第1.第2の不活性ガス室内を下
降または上昇してから水平方向に搬送された後、上昇ま
たは下降することにより仕切板の下をくぐるか、または
上を乗り越えるようにして搬送される。
降または上昇してから水平方向に搬送された後、上昇ま
たは下降することにより仕切板の下をくぐるか、または
上を乗り越えるようにして搬送される。
第1図(a) (b)はこの発明の一実施例を示す
平断面図と側断面図で、1ははんだ付け装置の全体を示
し、2は基台、3は前記基82の上部を覆うカバー、4
は後述の不活性ガスを充満した第1の不活性ガス室、5
ははんだ付け処理室、6は第2の不活性ガス室、7は前
記第1.第2の不活性ガス室4,6内でその上面から下
方に向けて鉛直方向に形成された仕切板で、その下方の
部分は電子部品(図示せず)を装着したブIJ :、
I・基板8が通過するようになっている。なお、各不活
性ガス室4,6はプリント基板8の搬送レベルよりも下
方で、かつ搬送方向に対してはんだ付け処理室5の前段
と後段に設けられている。11は前記はんだ付け処理室
5内に設けた予備加熱装置、12は同じくはんだ槽であ
る。21,24,26゜29は前記プリント基板8を載
置して搬送する手段としての搬送コンベア、22,27
は前記搬送コンベア21.26から搬送されてきたブリ
′J1・基板8を上下動する一対の無端状のチェーンに
設けた係合片に把持して下降させる搬送手段としての下
降装置、23.28は前記下降装置22,27から移送
されてきたプリシト基板8を上下動する一対の無端状の
チェーンの係合片に把持して上昇させる搬送手段として
の上昇装置で、プリシト基板8の搬送方向に対して順次
設けられ、かつ下降装置22.27と上昇装置23.2
8との間には仕切板7により仕切られている。25は前
記プ+) :、/1一基板8を保持爪(図示せず)に係
合して搬送する手段としての搬送チェーンである。なお
、搬送コシベア21,24,26,29および搬送チェ
ーン25はプリント基板8の搬送レベルとなる。31〜
36は前記プリント基板8を搬送して次段へ乗り移らせ
る動作を行わせるシリンダで、主としてロッドレスシリ
ンダが使用される。41゜51.6iはボンベで、ボン
ベ41,61はいずれも外部の空気Airおよび後述の
第2の不活性ガスGa5pよりも重いアルゴン等からな
る第1の不活性ガスGa51が充填されている。ボンベ
51は外部の空気Airよりも軽いヘリウム等からなる
第2の不活性ガスGas、が充填されている。42,5
2.62はガス量調整用バルブ、43゜53.63は切
換弁、44,54,64,65は前記第1.第2の不活
性ガスGa5L、Ga52のfR度を検出するガス七、
すである。
平断面図と側断面図で、1ははんだ付け装置の全体を示
し、2は基台、3は前記基82の上部を覆うカバー、4
は後述の不活性ガスを充満した第1の不活性ガス室、5
ははんだ付け処理室、6は第2の不活性ガス室、7は前
記第1.第2の不活性ガス室4,6内でその上面から下
方に向けて鉛直方向に形成された仕切板で、その下方の
部分は電子部品(図示せず)を装着したブIJ :、
I・基板8が通過するようになっている。なお、各不活
性ガス室4,6はプリント基板8の搬送レベルよりも下
方で、かつ搬送方向に対してはんだ付け処理室5の前段
と後段に設けられている。11は前記はんだ付け処理室
5内に設けた予備加熱装置、12は同じくはんだ槽であ
る。21,24,26゜29は前記プリント基板8を載
置して搬送する手段としての搬送コンベア、22,27
は前記搬送コンベア21.26から搬送されてきたブリ
′J1・基板8を上下動する一対の無端状のチェーンに
設けた係合片に把持して下降させる搬送手段としての下
降装置、23.28は前記下降装置22,27から移送
されてきたプリシト基板8を上下動する一対の無端状の
チェーンの係合片に把持して上昇させる搬送手段として
の上昇装置で、プリシト基板8の搬送方向に対して順次
設けられ、かつ下降装置22.27と上昇装置23.2
8との間には仕切板7により仕切られている。25は前
記プ+) :、/1一基板8を保持爪(図示せず)に係
合して搬送する手段としての搬送チェーンである。なお
、搬送コシベア21,24,26,29および搬送チェ
ーン25はプリント基板8の搬送レベルとなる。31〜
36は前記プリント基板8を搬送して次段へ乗り移らせ
る動作を行わせるシリンダで、主としてロッドレスシリ
ンダが使用される。41゜51.6iはボンベで、ボン
ベ41,61はいずれも外部の空気Airおよび後述の
第2の不活性ガスGa5pよりも重いアルゴン等からな
る第1の不活性ガスGa51が充填されている。ボンベ
51は外部の空気Airよりも軽いヘリウム等からなる
第2の不活性ガスGas、が充填されている。42,5
2.62はガス量調整用バルブ、43゜53.63は切
換弁、44,54,64,65は前記第1.第2の不活
性ガスGa5L、Ga52のfR度を検出するガス七、
すである。
次に、動作について説明する。
まず、ボンベ51のバルブ52を開いて第2の不活性ガ
スGa5zを噴出して、はんだ付け処理室5内の空気A
irを追い出して第2の不活性ガスGa52で充満させ
る。次いで、ボンベ41゜6−1のバルブA2,62を
開いて第1の不活性ガスGas、を噴出して第1.第2
の不活性ガス室4.6内の空気A i rを追い出して
空気より重い第1の活性ガスGas、て充満させ、第1
の不活性ガスGa51と、第2の不活性ガスGa52と
外部の空気Airとの境界となるレベルが第1図(b)
の中の破線で示す位置になるように各不活性ガスGa5
t Ga5=の噴出量を調整する。
スGa5zを噴出して、はんだ付け処理室5内の空気A
irを追い出して第2の不活性ガスGa52で充満させ
る。次いで、ボンベ41゜6−1のバルブA2,62を
開いて第1の不活性ガスGas、を噴出して第1.第2
の不活性ガス室4.6内の空気A i rを追い出して
空気より重い第1の活性ガスGas、て充満させ、第1
の不活性ガスGa51と、第2の不活性ガスGa52と
外部の空気Airとの境界となるレベルが第1図(b)
の中の破線で示す位置になるように各不活性ガスGa5
t Ga5=の噴出量を調整する。
次に、搬送コンベア21に載置されたプリント基板8は
矢印A方向に搬送された後、シリング31の駆動により
第1の不活性ガス室4内に入り、下降装置22に係合さ
れる。次いで、プリンI・基板8は下降し、第1の不活
性ガスGas、の中に入る。次いで、シリシダ32の駆
動により仕切板7の下方を通過し、上昇装置23へ搬送
されてから上昇し、第2の不活性ガスGa52が充満さ
れているはんだ付け処理室5の中に入る。次いで、プリ
ント基板8はシリシダ33の駆動により搬送コンベア2
4へ移送された後、搬送チェーン25の保持爪に係合し
て走行し、予備加熱装置11で加熱された後、はんだ槽
12ではんだ付けされる。
矢印A方向に搬送された後、シリング31の駆動により
第1の不活性ガス室4内に入り、下降装置22に係合さ
れる。次いで、プリンI・基板8は下降し、第1の不活
性ガスGas、の中に入る。次いで、シリシダ32の駆
動により仕切板7の下方を通過し、上昇装置23へ搬送
されてから上昇し、第2の不活性ガスGa52が充満さ
れているはんだ付け処理室5の中に入る。次いで、プリ
ント基板8はシリシダ33の駆動により搬送コンベア2
4へ移送された後、搬送チェーン25の保持爪に係合し
て走行し、予備加熱装置11で加熱された後、はんだ槽
12ではんだ付けされる。
次いで、搬送コンベア26に載置されてから、さらにシ
リシダ34の駆動で第2の不活性ガス室s内に入り、下
降装置27に係合されて下降し、第1の不活性ガスGa
51の中に入る。次いで、シリンダ35により仕切板7
の下方を通過し、上昇装置28で搬送され、第1の不活
性ガスGa51から脱出して空気Airの中に入り、シ
リンダ36によりw!送コンベア29へ載置され、送出
される。
リシダ34の駆動で第2の不活性ガス室s内に入り、下
降装置27に係合されて下降し、第1の不活性ガスGa
51の中に入る。次いで、シリンダ35により仕切板7
の下方を通過し、上昇装置28で搬送され、第1の不活
性ガスGa51から脱出して空気Airの中に入り、シ
リンダ36によりw!送コンベア29へ載置され、送出
される。
第2図はこの発明の他の実施例を示す側断面図で、第1
図と同一符号は同一部分を示し、71ははんだ付け装置
の全体を示す。72は基台、73はカバー 74は仕切
板である。なお、第1図に示すボシベ41,51,61
関係の図示は省略しである。
図と同一符号は同一部分を示し、71ははんだ付け装置
の全体を示す。72は基台、73はカバー 74は仕切
板である。なお、第1図に示すボシベ41,51,61
関係の図示は省略しである。
このように、第2図においては、第1.第2の不活性ガ
ス室4,6の各下降装置22,27と各上昇装置23,
28とがブリシト基板8を搬送する搬送コンベア21,
24,26,29.搬送チェーン25の搬送レベルより
上方に取り付けられている。このため、第1.第2の不
活性ガス室4゜6の内部には空気A i rおよび第1
の不活性ガスGas工よりも軽い第2の不活性ガスGa
52が充満し、空気Airと遮断されている。
ス室4,6の各下降装置22,27と各上昇装置23,
28とがブリシト基板8を搬送する搬送コンベア21,
24,26,29.搬送チェーン25の搬送レベルより
上方に取り付けられている。このため、第1.第2の不
活性ガス室4゜6の内部には空気A i rおよび第1
の不活性ガスGas工よりも軽い第2の不活性ガスGa
52が充満し、空気Airと遮断されている。
また、はんだ付け処理室5内には空気Airより重い第
1の不活性ガスGa51で充満されている。
1の不活性ガスGa51で充満されている。
動作については第1図と同様であるため、その説明を省
略する。
略する。
第3図はこの発明のさらに他の実施例を示す側断面図で
、第1図、第2図と同一符号は同一部分を示し、81は
電子部品をはんだベースI・ではんだ付けを行うリフロ
ーはんだ付け装置の全体を示し、82は1次子備加熱室
、83は2次子備加熱室、84ははんだベーストを融解
してはんだ付け処理を行うリフロー室、85は搬送チェ
ーン、86は送風機、87はヒータ、88は基台、89
はカバー、90は仕切板である。
、第1図、第2図と同一符号は同一部分を示し、81は
電子部品をはんだベースI・ではんだ付けを行うリフロ
ーはんだ付け装置の全体を示し、82は1次子備加熱室
、83は2次子備加熱室、84ははんだベーストを融解
してはんだ付け処理を行うリフロー室、85は搬送チェ
ーン、86は送風機、87はヒータ、88は基台、89
はカバー、90は仕切板である。
このように第1.第2の不活性ガス室4,6の部分の構
成と作用は第2図と同一符号であり、かつ空気Airお
よび第1の不活性ガスGa51よりも軽い第2の不活性
ガスGa52により充満されている。
成と作用は第2図と同一符号であり、かつ空気Airお
よび第1の不活性ガスGa51よりも軽い第2の不活性
ガスGa52により充満されている。
なお、第1.第2の不活性ガス室4,6の各下降装置2
2.27と各上昇装置23.28とを第1図(b)と同
様にプリント基板8を搬送チェーン21,29.85の
搬送レベルよりも下方に設けても良い。
2.27と各上昇装置23.28とを第1図(b)と同
様にプリント基板8を搬送チェーン21,29.85の
搬送レベルよりも下方に設けても良い。
以上説明したように、この発明に係る不活性ガス封止装
置を備えたプリント基板のはんだ付け装置は、電子部品
を装着した7°リシト基板を搬送し、第2の不活性ガス
を充満させてはノLfi付けを行うはんだ付け処理室を
設け、ブリット基板の搬送方向に対してはんだ付け処理
室の前段と後段に空気および第2の不活性ガスよりも重
い第1の不活性ガスを下方に滞留させた第1の不活性ガ
ス室と第2の不活性ガス室とをプリント基板の搬送レベ
ルよりも下方に設け、これらの第1の不活性ガス室と第
2の不活性ガス室内にプリント基板をその搬送し・ベル
から下降させる下降装置と、下降したブリット基板を水
軍方向に搬送させろ水平搬送装置と、水平に搬送されて
きたプリント基板を上昇させる上昇装置とをプリンI・
基板の搬送方向に対して順次設け、さ′らにはんだ付け
処理室内の第2の不活性ガスを外部へ流出するのを第1
の不活性ガスにより封止させるための仕切板を第1の不
活性ガス室と第2の不活性ガス室の各上面から下方に向
けて各下降装置と上昇装置との間に設けたことにより、
また、電子部品を装着したプリント基板を搬送し、第1
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、プリン)・基Wの搬送方向に対してはん
だ付け処理室の前段と後段に空気および第1の不活性ガ
スよりも軽い第2の不活性ガスを上方に滞留させた第1
の不活性ガス室と第2の不活性ガス室とをプリシト基板
の搬送レベルよりも上方に設け、これらの第1の不活性
ガス室と第2の不活性ガス室内にプリン1.基板をその
搬送レベルから上昇させる上昇装置と、上昇したプリン
ト基板を水平方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に
搬送されてきたブリット基板を下降させる下降装置とを
ブリット基板の搬送方向に対して順次設け、さらにはん
だ付け処理室内の第1の不活性ガスを外部へ流出するの
を第2の不活性ガスにより封止させるための仕切板を第
1の不活性ガス室と第2の不活性ガス室の各下面から上
方に向けて各上昇装置と下降装置との間に設けたので、
はんだ付け処理室内の不活性ガスの流出が阻止されるの
で、不活性ガスの補充による使用量が少なくて済み、プ
リント基板の製造コストの低減がはかれる等の利点を有
する。
置を備えたプリント基板のはんだ付け装置は、電子部品
を装着した7°リシト基板を搬送し、第2の不活性ガス
を充満させてはノLfi付けを行うはんだ付け処理室を
設け、ブリット基板の搬送方向に対してはんだ付け処理
室の前段と後段に空気および第2の不活性ガスよりも重
い第1の不活性ガスを下方に滞留させた第1の不活性ガ
ス室と第2の不活性ガス室とをプリント基板の搬送レベ
ルよりも下方に設け、これらの第1の不活性ガス室と第
2の不活性ガス室内にプリント基板をその搬送し・ベル
から下降させる下降装置と、下降したブリット基板を水
軍方向に搬送させろ水平搬送装置と、水平に搬送されて
きたプリント基板を上昇させる上昇装置とをプリンI・
基板の搬送方向に対して順次設け、さ′らにはんだ付け
処理室内の第2の不活性ガスを外部へ流出するのを第1
の不活性ガスにより封止させるための仕切板を第1の不
活性ガス室と第2の不活性ガス室の各上面から下方に向
けて各下降装置と上昇装置との間に設けたことにより、
また、電子部品を装着したプリント基板を搬送し、第1
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、プリン)・基Wの搬送方向に対してはん
だ付け処理室の前段と後段に空気および第1の不活性ガ
スよりも軽い第2の不活性ガスを上方に滞留させた第1
の不活性ガス室と第2の不活性ガス室とをプリシト基板
の搬送レベルよりも上方に設け、これらの第1の不活性
ガス室と第2の不活性ガス室内にプリン1.基板をその
搬送レベルから上昇させる上昇装置と、上昇したプリン
ト基板を水平方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に
搬送されてきたブリット基板を下降させる下降装置とを
ブリット基板の搬送方向に対して順次設け、さらにはん
だ付け処理室内の第1の不活性ガスを外部へ流出するの
を第2の不活性ガスにより封止させるための仕切板を第
1の不活性ガス室と第2の不活性ガス室の各下面から上
方に向けて各上昇装置と下降装置との間に設けたので、
はんだ付け処理室内の不活性ガスの流出が阻止されるの
で、不活性ガスの補充による使用量が少なくて済み、プ
リント基板の製造コストの低減がはかれる等の利点を有
する。
第1図(a)、(b)はこの発明の一実施例を示す平断
面図と側断面図、第2図はこの発明の他の実施例を示す
側断面図、第3図はこの発明のさらに他の実施例を示す
側断直図である。 図中、1ははんだ付け装置、2は基台、3はカバー、4
は第1の不活性ガス室、5ははんだ付け処理室、6は第
2の不活性ガス室、7は仕切板、8はプリント基板、1
1は予備加熱装置、12ははんだ槽、21,24,26
,29は搬送コンベア、22,27は下降装置、23.
28は上昇装置、25は搬送チェーン、31〜36はシ
リノダ、Gas、は第1の不活性ガス、Gas、は第2
の不活性ガス、A i r′は空気である。
面図と側断面図、第2図はこの発明の他の実施例を示す
側断面図、第3図はこの発明のさらに他の実施例を示す
側断直図である。 図中、1ははんだ付け装置、2は基台、3はカバー、4
は第1の不活性ガス室、5ははんだ付け処理室、6は第
2の不活性ガス室、7は仕切板、8はプリント基板、1
1は予備加熱装置、12ははんだ槽、21,24,26
,29は搬送コンベア、22,27は下降装置、23.
28は上昇装置、25は搬送チェーン、31〜36はシ
リノダ、Gas、は第1の不活性ガス、Gas、は第2
の不活性ガス、A i r′は空気である。
Claims (2)
- (1)電子部品を装着したプリント基板を搬送し、第2
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、前記プリント基板の搬送方向に対して前
記はんだ付け処理室の前段と後段に空気および前記第2
の不活性ガスよりも重い第1の不活性ガスを下方に滞留
させた第1の不活性ガス室と第2の不活性ガス室とを前
記プリント基板の搬送レベルよりも下方に設け、これら
の第1の不活性ガス室と第2の不活性ガス室内に前記プ
リント基板をその搬送レベルから下降させる下降装置と
、前記下降したプリント基板を水平方向に搬送させる水
平搬送装置と、前記水平に搬送されてきたプリント基板
を上昇させる上昇装置とを前記プリント基板の搬送方向
に対して順次設け、さらに前記はんだ付け処理室内の前
記第2の不活性ガスを外部へ流出するのを前記第1の不
活性ガスにより封止させるための仕切板を前記第1の不
活性ガス室と第2の不活性ガス室の各上面から下方に向
けて前記各下降装置と上昇装置との間に設けたことを特
徴とする不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のは
んだ付け装置。 - (2)電子部品を装着したプリント基板を搬送し、第1
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、前記プリント基盤の搬送方向に対して前
記はんだ付け処理室の前段と後段に空気および前記第1
の不活性ガスよりも軽い第2の不活性ガスを上方に滞留
させた第1の不活性ガス室と第2の不活性ガス室とを前
記プリント基板の搬送レベルよりも上方に設け、これら
の第1の不活性ガス室と第2の不活性ガス室内に前記プ
リント基板をその搬送レベルから上昇させる上昇装置と
、前記上昇したプリント基板を水平方向に搬送させる水
平搬送装置と、前記水平に搬送されてきたプリント基板
を下降させる下降装置とを前記プリント基板の搬送方向
に対して順次設け、さらに前記はんだ付け処理室内の前
記第1の不活性ガスを外部へ流出するのを前記第2の不
活性ガスにより封止させるための仕切板を前記第1の不
活性ガス室と第2の不活性ガス室の各下面から上方に向
けて前記各上昇装置と下降装置との間に設けたことを特
徴とする不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のは
んだ付け装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2202550A JPH0828568B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2202550A JPH0828568B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0488698A true JPH0488698A (ja) | 1992-03-23 |
JPH0828568B2 JPH0828568B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16459360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2202550A Expired - Fee Related JPH0828568B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0828568B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186060A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Oanesu:Kk | リフローハンダ付け装置 |
EP1878527A1 (de) * | 2006-07-10 | 2008-01-16 | Linde Aktiengesellschaft | Lötverfahren und -vorrichtung zum Reflow-Löten mit zwei unterschiedlichen Gasen |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5093441B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2012-12-12 | 関東冶金工業株式会社 | 炉内雰囲気ガスの封止装置を備えた加熱炉 |
CN102514971A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-06-27 | 深圳市鑫联达包装机械有限公司 | 一种能够连续传送纸张的传输***及其传输方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3091195U (ja) * | 2002-07-04 | 2003-01-17 | 千蔵工業株式会社 | 扉の走行レール用清掃装置 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2202550A patent/JPH0828568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186060A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Oanesu:Kk | リフローハンダ付け装置 |
EP1878527A1 (de) * | 2006-07-10 | 2008-01-16 | Linde Aktiengesellschaft | Lötverfahren und -vorrichtung zum Reflow-Löten mit zwei unterschiedlichen Gasen |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0828568B2 (ja) | 1996-03-21 |
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