JPH0488663A - Outer lead forming method of resin sealed semiconductor device - Google Patents
Outer lead forming method of resin sealed semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は樹脂封止半導体装置の外部リード成形方法およ
び外部リード成形装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an external lead molding method and an external lead molding apparatus for a resin-sealed semiconductor device.
（従来技術）
従来の樹脂封止半導体装置（以下単に半導体装置という
）の製造方法は、リードフレームのステージ部に半導体
チップを接合し、ワイヤボンディングして樹脂封止を行
う。(Prior Art) A conventional method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device (hereinafter simply referred to as a semiconductor device) involves bonding a semiconductor chip to a stage portion of a lead frame, and performing wire bonding to perform resin sealing.
その後、ダムバーを切断する。Then cut the dam bar.
続いて、吊りピンでレールに支持した状態で、半導体装
置の外部リードの先端がフリー状態となるようにそれぞ
れバラバラに切断し、外部リードの折曲加工を行い、そ
の後レールから半導体装置を分離していた。Next, while the semiconductor device is supported on the rail with hanging pins, the external leads of the semiconductor device are cut into pieces so that their tips are free, the external leads are bent, and then the semiconductor device is separated from the rail. was.
また、レールから半導体装置を切り離した状態で半導体
装置の外部リードの折曲加工を行う場合には、樹脂封止
後に、半導体装置をレールがら分離し、分離された半導
体装置を各工程にそれぞれ移送して加工を行っていた。In addition, when bending the external leads of a semiconductor device with the semiconductor device separated from the rail, after resin sealing, the semiconductor device is separated from the rail, and the separated semiconductor devices are transported to each process. and then processed it.
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上述する半導体装置の樹脂封止部を形成する合
成樹脂は、樹脂封止後の樹脂温度の低下に伴って収縮し
て、樹脂封止部に反りや捩しれを生ずる。例えば、第１
２図に示すように樹脂封止部２の収縮に伴って樹脂封止
部２全体が反ってしまう、これは、樹脂封止部２の上側
部と下側部の間に応力差を生ずるためである。このため
、外部リードの高さ位置にずれを生ずることとなる。(Problem to be Solved by the Invention) However, the synthetic resin that forms the resin-sealed portion of the semiconductor device described above shrinks as the resin temperature decreases after resin-sealing, causing the resin-sealed portion to warp. Causes twisting. For example, the first
As shown in Figure 2, the entire resin-sealed part 2 warps as the resin-sealed part 2 contracts. This is because a stress difference is created between the upper and lower parts of the resin-sealed part 2. It is. This causes a deviation in the height position of the external lead.
このように樹脂封止部２が反った形態の半導体装置にお
いて、半導体装置の外部リード３を折曲加工すると、各
外部リード３が均一に折曲加工されずに、高さ方向のバ
ラツキが生じたり、また各外部リード３のリードピッチ
に誤差を生じたりする。When the external leads 3 of the semiconductor device are bent in a semiconductor device in which the resin sealing portion 2 is warped as described above, each external lead 3 is not bent uniformly, resulting in variations in height. Also, errors may occur in the lead pitch of each external lead 3.
具体的な加工例では、樹脂封止された半導体装置の外部
リード３を折曲する際には、外部リード３の肩部３ａを
、平らな面を有するダイ５とノックアウト６とで強く押
さえ、外部リードが高さ方向に大きなばらつきがない状
態で、バンチ７により折り曲げることとなる（第１３図
参照）。このため、半導体装置を金型から取り出すと、
外部リード３の肩部３ａが高さ方向に再度ばらついた状
態に戻ってしまい、外部リード３の先端が描く軌跡が弧
状となってしまう（第１２図参照）。In a specific processing example, when bending the external leads 3 of a resin-sealed semiconductor device, the shoulders 3a of the external leads 3 are strongly pressed with a die 5 having a flat surface and a knockout 6. The external leads are bent by the bunch 7 without large variations in height (see FIG. 13). Therefore, when the semiconductor device is removed from the mold,
The shoulder portion 3a of the external lead 3 returns to the state where it is varied in the height direction again, and the trajectory drawn by the tip of the external lead 3 becomes arc-shaped (see FIG. 12).
すなわち、半導体装置１の反りにより、並設する外部リ
ード３・・・の端部に位置した外部り一ド３ｂは、樹脂
封止部に反りがないと仮定したときの位置からズレＱを
生じ、また高さ方向の位置ズレとしてｈを生ずる。この
ようなズレＱ、ｈのある半導体装置１をプリント基板へ
実装すると、全部の外部リード３が均一に実装できず、
接触不良などを起こす原因にもなる。特に、多数の外部
リードを有する半導体装置においては一層顕著であり、
さらに半導体装置の外部リードの多ピン化に伴いズレＱ
、ｈが大きくなり信頼性に欠けるという問題点もある。That is, due to the warpage of the semiconductor device 1, the external leads 3b located at the ends of the external leads 3 disposed in parallel are displaced Q from their positions assuming that there is no warpage in the resin sealing part. , h also occurs as a positional deviation in the height direction. When a semiconductor device 1 with such deviations Q and h is mounted on a printed circuit board, all external leads 3 cannot be mounted uniformly,
It can also cause poor contact. This is especially noticeable in semiconductor devices that have a large number of external leads.
Furthermore, due to the increase in the number of external leads of semiconductor devices, the deviation Q
, h become large, resulting in a lack of reliability.
そこで、本発明は、半導体装置の樹脂封止部が反ったり
しても外部リードの先端を揃えて成形する樹脂封止半導
体装置の外部リード成形方法を提供することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a method for molding external leads of a resin-sealed semiconductor device in which the tips of the external leads are aligned even if the resin-sealed portion of the semiconductor device is warped.
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を実現するために次の構成を備えてな
る。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention includes the following configuration.
本発明の樹脂封止半導体装置の外部リード成形方法は、
樹脂封止部の端面から延出する外部リード基部を上下方
向から挟圧支持して該基部近傍でを下方に折り曲げると
共に先端側を外方に折り曲げる外部リードの成形方法に
おいて、樹脂封止部の反りにより外部リードが揃った高
さ位置にない側の樹脂封止部端面から延出する外部リー
ドの前記折り曲げを連接する数群に分けて行うことを特
徴とする。The method for molding external leads of a resin-sealed semiconductor device of the present invention includes:
In an external lead molding method, the external lead base extending from the end face of the resin sealing part is supported under pressure from above and below, and the vicinity of the base is bent downward and the tip side is bent outward. The present invention is characterized in that the bending of the external leads extending from the end face of the resin sealing part on the side where the external leads are not at the same height due to warpage is performed in several connected groups.
上記外部リード成形方法において、対向位置の群の外部
リードを同時に折り曲げ行うようにすると良い。In the above-described external lead forming method, it is preferable to simultaneously bend the external leads of groups at opposing positions.
（作用） 次に、本発明の作用について述べる。(effect) Next, the operation of the present invention will be described.
捩じれや反り等のある樹脂封止部の端面から延出する外
部リードを、並列方向の傾きが同じ連接部分ごとに複数
の群に分は折り曲げ加工を行う。The external leads extending from the end surface of the resin-sealed part that are twisted or warped are bent into a plurality of groups for each connected portion having the same inclination in the parallel direction.
このことにより、外部リードのばらつきをなくすことが
できる。This makes it possible to eliminate variations in external leads.
また、対向位置の群の外部リードを同時に折り曲げるこ
とにより、半導体装置全体に加わる曲げパンチの力の釣
り合いがとれ、半導体装置に無理な力が加わることがな
い。Furthermore, by simultaneously bending the external leads of groups at opposing positions, the force of the bending punch applied to the entire semiconductor device is balanced, and no unreasonable force is applied to the semiconductor device.
（実施例）
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。(Embodiments) Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
半導体装置の樹脂封止部から延出する外部リードを下方
に折り曲げて、さらに外方に折り曲げる（７字状に折り
曲げる）、本発明の曲げ方法について説明する。A bending method according to the present invention will be described in which an external lead extending from a resin-sealed portion of a semiconductor device is bent downward and further outward (folded into a figure 7 shape).
なお、樹脂封止後の樹脂封止部は、リードフレームパタ
ーン、上下のキャビティの比率などが等しいため、はぼ
同一の反りあるいは捩じれ状態となる。Note that the resin-sealed portion after resin-sealing has the same lead frame pattern and the same ratio of the upper and lower cavities, so it is warped or twisted in almost the same manner.
まず、樹脂封止部が反った状態についての外部リードの
成形方法について説明する。First, a method for molding an external lead in a state where the resin sealing portion is warped will be described.
第１図（ａ）、（ｂ）は樹脂封止部が反った状態の半導
体装置の側面図および平面図である。FIGS. 1(a) and 1(b) are a side view and a plan view of a semiconductor device in which the resin sealing portion is warped.
樹脂封止された半導体装置１０をリードフレームから分
離し、ダムバーおよび樹脂パリを切断・除去した後、第
１図に示すように、半導体装置１０の樹脂封止部１２が
反った状態となる。この半導体装置１０は、反り方向の
端面１０ａ、１０ａに並設する外部リード１４・・・は
同−斜め上方を向いている。一方、他の端面１０ｂ、ｌ
ｏｂに位置する外部リート１５・・・は、弧状に並列し
た状態である。After the resin-sealed semiconductor device 10 is separated from the lead frame and the dam bar and resin pads are cut and removed, the resin-sealed portion 12 of the semiconductor device 10 is in a warped state, as shown in FIG. In this semiconductor device 10, the external leads 14 arranged in parallel on the end surfaces 10a, 10a in the warp direction face obliquely upward. On the other hand, the other end faces 10b, l
The external reams 15 located at ob are arranged in parallel in an arc shape.
上記半導体装置１０の端面１０ｂ、１０ｂに位置する外
部リード１５は、中央部分を境にして、並列方向が異な
る。すなわち、外部リード１５・・・の異なる並列方向
をＡ群とＢ群とする。このため、外部リード１５・・・
を折り曲げ成形する際にも、Ａ群とＢ群とを２回に分け
て形成するのが好適である。The external leads 15 located on the end surfaces 10b, 10b of the semiconductor device 10 have different parallel directions with the center as a boundary. That is, the different parallel directions of the external leads 15 are defined as A group and B group. For this reason, the external lead 15...
Also when bending and forming, it is preferable to form the A group and the B group in two steps.
まず、対向する端面ｆｏｂ、１０ｂの外部り一ド１５・
・・のうち、Ａ群の外部リード１５を曲げ成形しく第２
図参照）、続いて端面１０ｂ、１ｏｂの外部リード１５
・・・のうち、Ｂ群の外部リード１５を成形する（第３
図参照）。First, the outer guide 15 of the opposing end face fob, 10b.
. . , the external leads 15 of group A are bent and formed.
(see figure), followed by the end surface 10b and the external lead 15 of 1ob.
. . ., the external leads 15 of group B are molded (third
(see figure).
一方、各端面１０ａ、１０ａの外部リード１４・・・の
並列方向および並列状態が同一なので、各端面１０ａ、
１０ａの外部リード１４・・・を同時に成形する。On the other hand, since the parallel direction and parallel state of the external leads 14 on each end surface 10a, 10a are the same, each end surface 10a,
The external leads 14 of 10a are molded at the same time.
上記半導体装置１０の外部リード１４・・・および外部
リード１５・・・のＺ曲げ方法を、曲げ装置とともに説
明する。なお、曲げ装置は、第４図および第５図を参照
して説明する。A Z-bending method for the external leads 14 and 15 of the semiconductor device 10 will be described together with a bending device. Note that the bending device will be explained with reference to FIGS. 4 and 5.
半導体装置１０は曲げダイ２ｏとノックアウト２４とで
挾持される。曲げダイ２ｏおよびノックアウト２４には
、それぞれ半導体装置１ｏの樹脂封止部１２を収納する
凹部２０ａ、２４ａが形成されている。なお、ノックア
ウト２４は、上方からバネ材により支持されたクツショ
ン機構を有している。The semiconductor device 10 is held between the bending die 2o and the knockout 24. Recesses 20a and 24a are formed in the bending die 2o and the knockout 24, respectively, to accommodate the resin sealing portion 12 of the semiconductor device 1o. Note that the knockout 24 has a cushion mechanism supported from above by a spring member.
曲げダイ２０の半導体装置１０の端面１０ｂ、１０ｂに
位置する外部リードＩＳを支持する受は部２２は、外部
リード１５・・・の並列状態に合致するように浅い７字
状に形成されている。すなわち、受は部２２のＡ群に対
応する部位は、外部リード１５・・・の傾きに一致する
傾き２２ａに形成されている。The receiving portions 22 of the bending die 20 that support the external leads IS located on the end faces 10b, 10b of the semiconductor device 10 are formed in a shallow 7-shape shape so as to match the parallel state of the external leads 15... . That is, the portion of the receiving portion 22 corresponding to group A is formed to have an inclination 22a that matches the inclination of the external leads 15.
一方、前記曲げダイ２０の受は部２２に対応してノック
アウト２４に支持部２６が形成され、この支持部２６の
うち外部リード１５・・のＡ群に該当する部位は挾持部
２６ａとして外部リード１５・・・を挾持し、この挾持
部２６ａ以外の支持部２６はＢ群の外部リード１５を挾
持しないように逃げ部２６ｂが形成されている。On the other hand, in the receiving part of the bending die 20, a support part 26 is formed in the knockout 24 corresponding to the part 22, and a part of this support part 26 corresponding to group A of the external leads 15 is used as a clamping part 26a for the external lead. 15..., and the supporting parts 26 other than the clamping parts 26a are provided with escape parts 26b so as not to clamp the external leads 15 of group B.
なお、半導体装置１０の端面１０ａ、１０ａに位置する
外部リード１４・・・は、曲げダイ２０およびノックア
ウト２４により挾持されないように構成されている。Note that the external leads 14 located on the end surfaces 10a, 10a of the semiconductor device 10 are configured so as not to be pinched by the bending die 20 and the knockout 24.
また、外部リード１５・・・を成形する曲げパンチ２８
は、外部リード１５・・・のうちＡ群に該当する部分だ
けに作用部２８ａが形成されている。Also, a bending punch 28 for forming the external leads 15...
In this case, the acting portion 28a is formed only in the portion corresponding to group A among the external leads 15.
なお、上記ノックアウト２４および曲げダイ２０の受は
部２２を、半導体装置１０の外部リード１４・・・、１
５・・・の並列状態（反りや捩じれ状態）に合わせて成
形することもできるが、ノックアウト２４や受は部２２
の形状を反りや捩じりに合致するように成形するのが極
めて面倒である。このため、上述のように、群ごとに並
列状態がほぼ直線的となるように分けて外部リード１４
・・・、１５・・・の折り曲げ加工をすることによりノ
ックアウト２４や受は部２２の加工が簡単となる。Note that the knockout 24 and the receiving portion 22 of the bending die 20 are connected to the external leads 14 . . . , 1 of the semiconductor device 10.
It is also possible to form the knockout 24 and the receiver according to the parallel state (warped or twisted state) of the parts 22.
It is extremely troublesome to mold the shape to match the warpage and twist. Therefore, as described above, the external leads 14 are divided so that the parallel state is almost linear for each group.
. . , 15 . . . , the knockout 24 and the receiver portion 22 can be easily processed.
続いて１曲げ装置を正面方向から見た状態を示す第５図
を参照して動きを説明する６
曲げパンチ２８はノックアウト２４に間外側面に沿って
上下動すべく支持され、曲げパンチ２８の内壁面側にノ
ックアウト２４の外壁面に当接して転勤するローラ３０
が軸支され、はぼ中央部位置にノックアウト２４の中心
線と平行に上下に駆動する支持軸３２が設けられている
０曲げパンチ２８．２８は上記構成により同じタイミン
グで上下動するが、第５図では、中心線位置から右側に
曲げパンチ２８が外部リード１５に当接している状態を
、中心線位置から左側の曲げパンチ２８は外部リード１
５のＡ群を２字状に曲げた状態を示している。Next, the movement will be explained with reference to FIG. 5, which shows the bending device viewed from the front. A roller 30 that contacts the outer wall surface of the knockout 24 and transfers to the inner wall surface side.
The 0-bending punch 28 is pivoted and is provided with a support shaft 32 at the center of the shaft that drives it up and down parallel to the center line of the knockout 24. The zero-bending punch 28 moves up and down at the same timing with the above configuration. 5, the bending punch 28 on the right side from the center line position is in contact with the external lead 15, and the bending punch 28 on the left side from the center line position is in contact with the external lead 15.
The A group of No. 5 is shown bent into a two-character shape.
ノックアウト２４が曲げダイ２０との間で外部リード１
４・・・の基部を挾持すると、曲げパンチ２８ａ、２８
ｂが降下を開始する。The external lead 1 is connected between the knockout 24 and the bending die 20.
When the bases of 4... are held, the bending punches 28a, 28
b begins to descend.
そして、曲げパンチ２８．２８が降下するとローラ３ｏ
はノックアウト２４の外壁面に当接して転動し、さらに
ローラ３２が段差部２５の外壁面に乗り上げるように降
下する。すると、支持軸３２を支点として、曲げパンチ
２８．２８の上側が開きつつ、下側が内側に移動するよ
うに降下して外部リード１５・・・を曲げダイ２０との
間で挾持してＺ字状に折り曲げる（第２図参照）。Then, when the bending punch 28.28 descends, the roller 3o
The roller 32 contacts the outer wall surface of the knockout 24 and rolls, and further descends so that the roller 32 rides on the outer wall surface of the stepped portion 25. Then, using the support shaft 32 as a fulcrum, the upper side of the bending punch 28.28 opens and descends so that the lower side moves inward, clamping the external leads 15... with the bending die 20 and forming a Z-shape. (See Figure 2).
上述するように、外部リード１５・・・のうちＡ群の曲
げ成形が終了したら、同様にして次工程にてＢ群に位置
する外部リード１５・・・のＺ字曲げを行う（第３図参
照）。As described above, when the bending of the A group of the external leads 15 is completed, the Z-shaped bending of the external leads 15 located in the B group is performed in the next step in the same manner (see Fig. 3). reference).
その後、半導体装置１０の端面１０ａ、１０ａに位置す
る外部リード１４を同時に曲げ成形を行う、外部リード
１４・・・の並列状態は水平状態であるため、従来の成
形装置によりＺ字曲げを行うことができる。すなわち、
外部リード１４・・・の曲げ成形では、曲げダイ２０の
受は部２２およびノックアウト２４の支持部２６はとも
に水平面に形成されている。After that, the external leads 14 located on the end surfaces 10a, 10a of the semiconductor device 10 are simultaneously bent and formed.Since the parallel state of the external leads 14 is horizontal, Z-shaped bending is performed using a conventional forming device. I can do it. That is,
In bending the external leads 14, the receiving part 22 of the bending die 20 and the supporting part 26 of the knockout 24 are both formed in a horizontal plane.
上記実施例の変形例について説明する。A modification of the above embodiment will be described.
樹脂封止部が捩じれ状態の半導体装置４０について説明
する。A semiconductor device 40 in which the resin sealing portion is twisted will be described.
第６図に示すように、半導体装置４０の樹脂封止部４２
が、対角線りに対して対向する角部４２ａ、４２ａが高
くなるように、対角線りの両端位置の角部４２ｂ、４２
ｂが低くなるように捩じれている。この半導体装置４０
では、次の順序で外部リードのＺ字曲げを行うのが好適
である。As shown in FIG. 6, the resin sealing portion 42 of the semiconductor device 40
However, the corner portions 42b, 42 at both ends of the diagonal line are arranged so that the corner portions 42a, 42a opposite to the diagonal line are higher.
It is twisted so that b becomes lower. This semiconductor device 40
In this case, it is preferable to perform the Z-shaped bending of the external leads in the following order.
半導体装置４０の対向する端面４０ａ、４０ａの外部リ
ード４４・・・の同一傾斜方向をＡ群とする。そして、
端面４０ａ、４０ａの外部リード４４・・・のＡ群以外
をＢ群とする。このＡ群とＢ群では外部リード４４・・
・の並列する傾斜方向が異なる。The same inclination direction of the external leads 44 of the opposing end surfaces 40a, 40a of the semiconductor device 40 is defined as group A. and,
The external leads 44 of the end faces 40a, 40a other than the A group are defined as the B group. In this A group and B group, the external lead 44...
・The parallel direction of inclination is different.
また、半導体装置４０の他の対向する端面４゜ｂ、４０
ｂの外部リード４Ｓ・・・の同一傾斜方向で、かつ樹脂
封止部４２の角部４２ａ、４２ａを挟んむ位置を０群と
する。なお、端面４０ａ。Further, other opposing end surfaces 4°b, 40 of the semiconductor device 40
The positions of the external leads 4S of b in the same inclination direction and sandwiching the corners 42a, 42a of the resin sealing part 42 are defined as group 0. Note that the end surface 40a.
４Ｑａの外部リード４５・・・の０群以外をＤ群とする
。この０群とＤ群では外部リード４５・・・の並列方向
が異なる。4Qa external leads 45... other than group 0 are group D. The parallel directions of the external leads 45 are different between the 0 group and the D group.
捩じれた半導体装置４０の外部リード４４．４５の２字
曲げ成形は、対向位置するＡ群と０群を同時に成形し、
その後残りのＢ群とＤ群の成形を行う。Two-character bending of the external leads 44 and 45 of the twisted semiconductor device 40 is performed by simultaneously forming the A group and the 0 group located opposite each other.
After that, the remaining groups B and D are formed.
このための曲げ装置としては、上述する曲げ装置と同様
の装置を用いれば良い、すなわち、先ず半導体装置４０
の外部リード４４．４５のＡ群と０群を曲げダイとノッ
クアウトで挾持し、該当する部分の外部リード４４．４
５をパンチで２字状に成形する。その後、残りの外部リ
ード４４，４５のＢ群とＤ群の成形を１曲げダイとノッ
クアウトで挾持し、該当する部分の外部リード４４，４
５をパンチでＺ字状に成形する。As a bending device for this purpose, a device similar to the above-mentioned bending device may be used.
Clamp the A group and 0 group of the external leads 44.45 with a bending die and a knockout, and
Form 5 into a 2-character shape using a punch. After that, the remaining external leads 44, 45 of group B and group D are held together by a bending die and a knockout, and the external leads 44, 4 of the corresponding portions are
Form 5 into a Z shape using a punch.
上述する半導体装置の外部リードを成形する際の変形例
について説明する。A modification example of forming the external leads of the above-mentioned semiconductor device will be described.
半導体装置５０の外部リード５４・・・をり−ドフレー
ムのレールから切断する際に、外部り一ド５４・・・の
先端が連結片５６で連結された状態で切り放し、かつ並
列する外部リード５４・・・の並列方向がほぼ一致する
もの同士だけを連結するように切断する（第９図参照）
。そして、第６図〜第８図に示す実施例と同様に外部リ
ード５４・・・をＺ字曲げを行い、その後外部リード５
４・・・先端の連結片５６を切除する。When cutting the external leads 54 of the semiconductor device 50 from the rails of the board frame, the tips of the external leads 54 are cut off while being connected by the connecting pieces 56, and the external leads are paralleled. 54... Cut so that only those whose parallel directions are almost the same are connected (see Figure 9)
. Then, as in the embodiment shown in FIGS. 6 to 8, the external leads 54 are bent in a Z-shape, and then the external leads 5
4... Cut off the connecting piece 56 at the tip.
本実施例のように、半導体装置５０の外部り一ド５４・
・・を連結状態で曲げ加工を行うことにより、外部リー
ド５４・・・の一部に外力が加わっても力が逃がされつ
つ平均化される。また、樹脂封止部の反りや捩じれ等に
よる外部リード５４・・・の位置ずれを互いに吸収しつ
つ平均化させることができ、外部リード５４・・・のば
らつきを防止することができる。As in this embodiment, the external lead 54 of the semiconductor device 50 is
By bending the external leads 54 in a connected state, even if an external force is applied to a part of the external leads 54, the force is released and averaged out. Moreover, positional deviations of the external leads 54 due to warping or twisting of the resin sealing portion can be absorbed and averaged, and variations in the external leads 54 can be prevented.
本発明は上述する実施例に限定されるこなく、本発明の
精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得ることは
もちろんである。It goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments described above, and that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention.
（発明の効果）
本発明は以上のように構成され、次に示すような著効を
奏する。(Effects of the Invention) The present invention is configured as described above, and has the following remarkable effects.
半導体装置の外部リードを樹脂封止部の各端面の並列状
態に合わせた曲げダイおよびノックアウトにより挾持す
るとともに、連接する数群に分けて外部リードを７字状
に折り曲げるようにしたので、樹脂封止部の反りや捩じ
れの影響を受けることがなく成形ができる。したがって
、半導体装置の外部リード先端の平坦度の向上を図るこ
とも可能となる。The external leads of the semiconductor device are held by bending dies and knockouts that match the parallel state of each end face of the resin sealing part, and the external leads are bent into a figure 7 shape in several connected groups, so the resin sealing Molding can be performed without being affected by warpage or twisting of the stop. Therefore, it is also possible to improve the flatness of the tips of the external leads of the semiconductor device.
また、半導体装置の樹脂封止部の反りや捩じれに伴う、
外部リードの並列方向の反りや捩じれに合わせてノック
アウトと曲げダイの受は部との挾持面を形成するのは難
しいが、外部リードの並列方向を複数に分けて、はぼ直
線的な傾斜状態の複数の群に分けることにより、ノック
アウトおよび曲げダイの成形加工が容易に行える。In addition, due to warping or twisting of the resin sealing part of the semiconductor device,
It is difficult to form a clamping surface between the knockout and the receiving part of the bending die to accommodate warping or twisting in the parallel direction of the external leads, but by dividing the parallel direction of the external leads into multiple parts, it is possible to create a nearly straight inclined state. By dividing into multiple groups, knockout and bending die forming processes can be easily performed.
第１図（ａ）および（ｂ）は樹脂封止した半導体装置の
側面図および底面図、第２図および第３図はそれぞれ半
導体装置の外部リードの曲げ工程を示す平面図、第４図
は半導体装置の曲げ装置を示す正面説明図、第５図は同
じく曲げ装置の側面説明図、第６図は捩じれた状態の半
導体装置の斜視説明図、第７図および第８図はそれぞれ
半導体装置の加工工程を示す平面説明図、第９図〜第１
１図はそれぞれ他の外部リードの曲げ工程を示す示す平
面説明図、第１２図は反った状態の半導体装置を示す側
面説明図、第１３図は半導体装置の従来の外部リード曲
げ方法を示す説明図である。
１０．４０．５０・・・半導体装置、
１２・・・樹脂封止部、
１４．１５・・ ・外部リード、
２０・・・曲げダイ、
２２・・・受は部、
２４・・・ノックアウト、
２８・・・曲げパンチ。
第
図FIGS. 1(a) and (b) are side and bottom views of a resin-sealed semiconductor device, FIGS. 2 and 3 are plan views showing the bending process of external leads of the semiconductor device, and FIG. FIG. 5 is a side view of the bending device, FIG. 6 is a perspective view of the semiconductor device in a twisted state, and FIGS. 7 and 8 are views of the semiconductor device. Planar explanatory diagram showing the processing process, Figures 9 to 1
1 is an explanatory plan view showing the bending process of other external leads, FIG. 12 is an explanatory side view showing a semiconductor device in a warped state, and FIG. 13 is an explanatory view showing a conventional method of bending external leads of a semiconductor device. It is a diagram. 10.40.50... Semiconductor device, 12... Resin sealing part, 14.15... External lead, 20... Bending die, 22... Receiver part, 24... Knockout, 28...Bending punch. Diagram
Claims (1)
下方向から挟圧支持して該基部近傍でを下方に折り曲げ
ると共に先端側を外方に折り曲げる外部リードの成形方
法において、樹脂封止部の反りにより外部リードが揃っ た高さ位置にない側の樹脂封止部端面から延出する外部
リードの前記折り曲げを連接する数群に分けて行うこと
を特徴とする樹脂封止半導体装置の外部リード成形方法
。 ２、樹脂封止部の互いに反対側となる両端面の対応する
群の外部リードの折り曲げを同時に行うようにしたこと
を特徴とする請求項１記載の樹脂封止半導体装置の外部
リード成形方法。[Claims] 1. Forming of the external lead by pinching and supporting the external lead base extending from the end face of the resin sealing part from above and below, bending the base near the base downward, and bending the tip side outward. The method is characterized in that the bending of the external lead extending from the end face of the resin sealing part on the side where the external leads are not at the same height due to warping of the resin sealing part is performed in several connected groups. A method for molding external leads for resin-sealed semiconductor devices. 2. The external lead molding method for a resin-sealed semiconductor device according to claim 1, wherein corresponding groups of external leads on opposite end faces of the resin-sealed portion are bent at the same time.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20425690A JP2849181B2 (en) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | External lead molding method for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20425690A JP2849181B2 (en) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | External lead molding method for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488663A true JPH0488663A (en) | 1992-03-23 |
| JP2849181B2 JP2849181B2 (en) | 1999-01-20 |
Family
ID=16487452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20425690A Expired - Lifetime JP2849181B2 (en) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | External lead molding method for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849181B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065082A (en) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Nec Kyushu Ltd | Method and device for manufacturing semiconductor device |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP20425690A patent/JP2849181B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065082A (en) * | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Nec Kyushu Ltd | Method and device for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2849181B2 (en) | 1999-01-20 |
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