JPH0487380A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH0487380A JPH0487380A JP2201526A JP20152690A JPH0487380A JP H0487380 A JPH0487380 A JP H0487380A JP 2201526 A JP2201526 A JP 2201526A JP 20152690 A JP20152690 A JP 20152690A JP H0487380 A JPH0487380 A JP H0487380A
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- Japan
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- light
- emitted
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- light emitting
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 101100240461 Dictyostelium discoideum ngap gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体発光素子に係わり、特にＩ ｎＧａＡ
Ｉ Ｐ系材料を用いた半導体発光素子に関する。
Ｉ Ｐ系材料を用いた半導体発光素子に関する。
（従来の技術）
近年、直接遷移型の化合物半導体材料を用いた各種の発
光ダイオード（半導体発光素子）が開発されている。特
に、ＩｎＧａＡｌＰ系材料を用い系材性ダイオードは、
５８０ｍｍ （黄色）〜６９０＋ｎｍ （赤色）の範囲
で発光を有し、また直接遷移による発光が得られるため
、効率の高い光源として期待されている。
光ダイオード（半導体発光素子）が開発されている。特
に、ＩｎＧａＡｌＰ系材料を用い系材性ダイオードは、
５８０ｍｍ （黄色）〜６９０＋ｎｍ （赤色）の範囲
で発光を有し、また直接遷移による発光が得られるため
、効率の高い光源として期待されている。
この種の発光ダイオードの例として、第３図に示す構造
か知られている。即ち、。−ＧａＡｓ基板８０上にｎ−
ＧａＡｓバッファ層８１゜ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド
層８２．アンドープＩｎＧａＰ活性層８３及び ｐ−１
ｎＧａＡ Ｉ Ｐクラッド層８４が成長形成され、この
上の一部（中央部）にｐ−ＩｎＧａＰ中間バンドギャッ
プ層８５及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８６が成長形成
されている。そして、コンタクト層８６にｐ側電極８７
が形成され、基板８０の裏面にｎ側電極８８が形成され
ている。
か知られている。即ち、。−ＧａＡｓ基板８０上にｎ−
ＧａＡｓバッファ層８１゜ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド
層８２．アンドープＩｎＧａＰ活性層８３及び ｐ−１
ｎＧａＡ Ｉ Ｐクラッド層８４が成長形成され、この
上の一部（中央部）にｐ−ＩｎＧａＰ中間バンドギャッ
プ層８５及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層８６が成長形成
されている。そして、コンタクト層８６にｐ側電極８７
が形成され、基板８０の裏面にｎ側電極８８が形成され
ている。
ところで、第３図のような構成においては、活性層８３
に十分にキャリアを閉込め高い発光効率を得るには、ク
ラッド層８２．８４のＡｌ組成を大きくしなければなら
ない。しかし、ｐクラッド層においては一般に、Ａ１組
成を大きくするとキャリア濃度を大きくすることができ
ず、第３図の構成ではｐクラッド層８４のキャリア濃度
は低いものとなる。このため、電極８７から注入される
電流はｐクラッド層８４では殆ど広がることなく活性層
８３に注入されることになり、発光領域は活性層８３の
電極８７の直下に位置する領域９１のみとなる。
に十分にキャリアを閉込め高い発光効率を得るには、ク
ラッド層８２．８４のＡｌ組成を大きくしなければなら
ない。しかし、ｐクラッド層においては一般に、Ａ１組
成を大きくするとキャリア濃度を大きくすることができ
ず、第３図の構成ではｐクラッド層８４のキャリア濃度
は低いものとなる。このため、電極８７から注入される
電流はｐクラッド層８４では殆ど広がることなく活性層
８３に注入されることになり、発光領域は活性層８３の
電極８７の直下に位置する領域９１のみとなる。
この場合、発光領域９１から上面方向に取出される光９
３は、クラッド層８４で光の吸収を受けることなく、活
性層８３でのバンドギャップに相当した波長を有する。
３は、クラッド層８４で光の吸収を受けることなく、活
性層８３でのバンドギャップに相当した波長を有する。
一方、ダブルヘテロ構造部を有するため、発光領域９１
で発光した光は、活性層８３を導波して端面から出る光
９４となる。この端面光９４は、活性層８３での光吸収
を受けるため、上面から取出される光９３に比べ波長が
長い。このため、端面から出る光９４は、不必要な光と
して除去されてきた。
で発光した光は、活性層８３を導波して端面から出る光
９４となる。この端面光９４は、活性層８３での光吸収
を受けるため、上面から取出される光９３に比べ波長が
長い。このため、端面から出る光９４は、不必要な光と
して除去されてきた。
つまり、従来の発光ダイオードでは端面から無駄な光が
放射され、これが光取出し効率の低下を招く要因となっ
ていた。
放射され、これが光取出し効率の低下を招く要因となっ
ていた。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来、ダブルヘテロ構造部を有する半導体発
光素子においては、光取出し側の電極直下か発光領域と
なり、端面から出る光は活性層での光吸収を受け、上面
（光取出し面）から取出す光と波長が異なってくる。こ
のため、端面から出る光を除去する必要かあり、これか
先取出し効率の低下を招く要因となっていた。
光素子においては、光取出し側の電極直下か発光領域と
なり、端面から出る光は活性層での光吸収を受け、上面
（光取出し面）から取出す光と波長が異なってくる。こ
のため、端面から出る光を除去する必要かあり、これか
先取出し効率の低下を招く要因となっていた。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、光取出し面からの光と端面からの光
の発光波長が異なることに起因する光取出し効率の低下
をなくし、光取出し効率の向上をはかり得る半導体発光
素子を提供することにある。
的とするところは、光取出し面からの光と端面からの光
の発光波長が異なることに起因する光取出し効率の低下
をなくし、光取出し効率の向上をはかり得る半導体発光
素子を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、ダブルヘテロ構造部の端面から出射さ
れる光の波長を上面から出射される光と同しにし、ダブ
ルヘテロ構造部の活性層における発光を上面と端面との
両方から取比すことにより、光取出し効率の向上をはか
ることにある。
れる光の波長を上面から出射される光と同しにし、ダブ
ルヘテロ構造部の活性層における発光を上面と端面との
両方から取比すことにより、光取出し効率の向上をはか
ることにある。
即ち本発明は、半導体基板上に １ｎＧａＡＩＰ系材料
からなる活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造
部を形成した半導体発光素子において、前記ダブルヘテ
ロ構造部上の少なくとも端面領域に第１の電極を設け、
且つ端面領域以外の一部に第１の電極の存在しない領域
を設け、前記半導体基板の裏面に第２の電極を設けるよ
うにしたものである。
からなる活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造
部を形成した半導体発光素子において、前記ダブルヘテ
ロ構造部上の少なくとも端面領域に第１の電極を設け、
且つ端面領域以外の一部に第１の電極の存在しない領域
を設け、前記半導体基板の裏面に第２の電極を設けるよ
うにしたものである。
（作用）
本発明によれば、端面領域上に第１の電極が形成されて
いるため、端面領域にも発光領域が形成され、この端面
の発光領域から出る光は活性層での光吸収の影響を受け
ることなく、上面から出る光と同じ波長となる。従って
、端面からでる光を除去する必要はなく、この光を上面
から出る光と共に取出すことにより、光取出し効率の向
上をはかることが可能となる。
いるため、端面領域にも発光領域が形成され、この端面
の発光領域から出る光は活性層での光吸収の影響を受け
ることなく、上面から出る光と同じ波長となる。従って
、端面からでる光を除去する必要はなく、この光を上面
から出る光と共に取出すことにより、光取出し効率の向
上をはかることが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例に係わる半導体発
光素子の概略構成を示す断面図である。
光素子の概略構成を示す断面図である。
図中１０はｎ−ＧａＡｓ基板であり、この基板１０上に
ｎ−ＧａＡｓバッファ層１１゜ｎ−１ｎｏ５ （Ｇａｏ
、ｉ Ａ １０．７ ）０５Ｐクラッド層１２゜ Ｉ ｎｏ５ （Ｇａｏ、ｓ Ａ １０．２ ）ｏ５Ｐ活
性層１３゜ｐ −Ｉ ｎｏ、ｓ （Ｇａｏ３Ａ １０
．７ ） ｏ、ｓ Ｐクラッド層１４が成長形成され、
このクラッド層１４の中央部と端面領域の上に ｐ ｒ ｎｏ、Ｇａｏ、Ｐ中間バンドギャップ層１５
及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層１６が成長形成されてい
る。そして、コンタクト層１６上にｐ側電極（第１の電
極）１７が形成され、基板１０の下面（′１１面）にｎ
側電極（第２の電極）１８が形成されている。
ｎ−ＧａＡｓバッファ層１１゜ｎ−１ｎｏ５ （Ｇａｏ
、ｉ Ａ １０．７ ）０５Ｐクラッド層１２゜ Ｉ ｎｏ５ （Ｇａｏ、ｓ Ａ １０．２ ）ｏ５Ｐ活
性層１３゜ｐ −Ｉ ｎｏ、ｓ （Ｇａｏ３Ａ １０
．７ ） ｏ、ｓ Ｐクラッド層１４が成長形成され、
このクラッド層１４の中央部と端面領域の上に ｐ ｒ ｎｏ、Ｇａｏ、Ｐ中間バンドギャップ層１５
及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層１６が成長形成されてい
る。そして、コンタクト層１６上にｐ側電極（第１の電
極）１７が形成され、基板１０の下面（′１１面）にｎ
側電極（第２の電極）１８が形成されている。
なお、第１図の構造を実現するには、基板１０上にコン
タクト層１６まてをエピタキシャル成長し、さらにｐ側
電極１７を形成した後に゛、ＲＩＥ等でコンタクト層１
６及び中間バンドギャップ層１５を選択エツチングすれ
ばよい。また、図中２１は中央部の発光領域、２２は端
面領域での発光領域、２３は光取出し面からの上面出射
光、２４は端面からの出射光を示している。
タクト層１６まてをエピタキシャル成長し、さらにｐ側
電極１７を形成した後に゛、ＲＩＥ等でコンタクト層１
６及び中間バンドギャップ層１５を選択エツチングすれ
ばよい。また、図中２１は中央部の発光領域、２２は端
面領域での発光領域、２３は光取出し面からの上面出射
光、２４は端面からの出射光を示している。
このような構成であれば、中央部の発光領域２１と共に
端面領域に発光領域２２が形成されているため、端面出
射光２４も活性層１３で光吸収を受けることなく出射さ
れる。このため、端面出射光２４は上面出射光２３と同
じ発光波長を有することになる。従って、従来のように
端面出射光２４を除去する必要かなくなり、光取出し効
率を向上させることができる。また、従来構造において
、端面領域に中間バンドギャップ層１４．コンタクト層
１５及びｐ側電極１７を付加するのみの簡易な構成で実
現し得る等の利点かある。
端面領域に発光領域２２が形成されているため、端面出
射光２４も活性層１３で光吸収を受けることなく出射さ
れる。このため、端面出射光２４は上面出射光２３と同
じ発光波長を有することになる。従って、従来のように
端面出射光２４を除去する必要かなくなり、光取出し効
率を向上させることができる。また、従来構造において
、端面領域に中間バンドギャップ層１４．コンタクト層
１５及びｐ側電極１７を付加するのみの簡易な構成で実
現し得る等の利点かある。
第１図（ｂ）は基本的には同図（ａ）と同じであるか、
ｐ側電極１７が形成されている領域をｐクラッド層１４
の途中までメサ状に形成したものである。このような構
成であれば、端面出射光２４と上面出射光２３は同し波
長を有すると共に、発光領域２１での上面に対する立体
角か広がるため、先取出し効率をさらに向上させること
ができる。
ｐ側電極１７が形成されている領域をｐクラッド層１４
の途中までメサ状に形成したものである。このような構
成であれば、端面出射光２４と上面出射光２３は同し波
長を有すると共に、発光領域２１での上面に対する立体
角か広がるため、先取出し効率をさらに向上させること
ができる。
第１図（ｅ）は基本的には同図（ａ）と同じであるが、
ｐ側電極１７か形成されている領域をｎクラッド層１２
までメサ状に形成したものである。このような構成では
、上面出射光２Ｂは、メサ状に形成された活性層１Ｂか
らの端面出射光２４の反射光で形成される。つまり、端
面出射光２４と上面出射光２３は同じ発光波長を有する
と共に、活性層１３がメサ状に形成され、メサ端面から
出射した光は他のメサ状の結晶で反射されて出射するた
め、光取出し効率をより一層向上させることができる。
ｐ側電極１７か形成されている領域をｎクラッド層１２
までメサ状に形成したものである。このような構成では
、上面出射光２Ｂは、メサ状に形成された活性層１Ｂか
らの端面出射光２４の反射光で形成される。つまり、端
面出射光２４と上面出射光２３は同じ発光波長を有する
と共に、活性層１３がメサ状に形成され、メサ端面から
出射した光は他のメサ状の結晶で反射されて出射するた
め、光取出し効率をより一層向上させることができる。
なお、第１の実施例において、バッファ層１１がｎ−Ｇ
ａＡｌＡｓ或いは ｎ Ｉ ｎ（＋、５ Ｇａｏ、ｓ Ｐ、中間バンドギ
ヤ・ツブ層１５がｐ−ＧａＡｌＡｓてあっても上記と同
様の効果が得られる。また、活性層１３はｐ坐着しくは
ｎ型のＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐであってもよく、さらにＩ
ｎＧａＰであってもよい。
ａＡｌＡｓ或いは ｎ Ｉ ｎ（＋、５ Ｇａｏ、ｓ Ｐ、中間バンドギ
ヤ・ツブ層１５がｐ−ＧａＡｌＡｓてあっても上記と同
様の効果が得られる。また、活性層１３はｐ坐着しくは
ｎ型のＩ ｎＧａＡ Ｉ Ｐであってもよく、さらにＩ
ｎＧａＰであってもよい。
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例の概略構成を示す
断面図である。
断面図である。
この実施例が先の第１の実施例と異なる点は、ｐｅｎの
関係を逆にしたことにある。即ちｐ−Ｇ、ａ Ａ ｓ基
板３０上にｐ Ｉ ｎｏ、Ｇａｏ、ｓ Ｐ中間バンド
ギャップ層３５ ｐ Ｉ ｎｏ、、（Ｇａｏ３Ａ １０．７ ） ０．
５ Ｐクラッド層３２゜ Ｉ ｎｏ、（Ｇａｏ、ｇ Ａ １０．２ ）０５Ｐ活性
層３３及びｎ −１ｎｏ、５ （Ｇａｏ３Ａ １０．
７ ） ｏ５Ｐクラッド層３４が形成され、このクラッ
ド層３４の中央部と端面領域の上にｎ−ＧａＡｓコンタ
クト層３６が成長形成されている。そして、コンタクト
層３６上にｎ側電極３７か形成され、゛基板１０の下面
にｐ側電極３８が形成されている。なお、図中４１は中
央部の発光領域、４２は端面領域での発光領域、４３は
光取出し面からの上面出射光、４３は端面からの出射光
を示している。
関係を逆にしたことにある。即ちｐ−Ｇ、ａ Ａ ｓ基
板３０上にｐ Ｉ ｎｏ、Ｇａｏ、ｓ Ｐ中間バンド
ギャップ層３５ ｐ Ｉ ｎｏ、、（Ｇａｏ３Ａ １０．７ ） ０．
５ Ｐクラッド層３２゜ Ｉ ｎｏ、（Ｇａｏ、ｇ Ａ １０．２ ）０５Ｐ活性
層３３及びｎ −１ｎｏ、５ （Ｇａｏ３Ａ １０．
７ ） ｏ５Ｐクラッド層３４が形成され、このクラッ
ド層３４の中央部と端面領域の上にｎ−ＧａＡｓコンタ
クト層３６が成長形成されている。そして、コンタクト
層３６上にｎ側電極３７か形成され、゛基板１０の下面
にｐ側電極３８が形成されている。なお、図中４１は中
央部の発光領域、４２は端面領域での発光領域、４３は
光取出し面からの上面出射光、４３は端面からの出射光
を示している。
このような構成であれば、端面領域に発光領域４２が形
成されているため、端面出射光４４と上面出射光４３と
は同し発光波長を有し、従来例のように端面出射光４４
を除去する必要がなくなる。従って、先の第１の実施例
と同様に、光取出し効率の向上をはかることができる。
成されているため、端面出射光４４と上面出射光４３と
は同し発光波長を有し、従来例のように端面出射光４４
を除去する必要がなくなる。従って、先の第１の実施例
と同様に、光取出し効率の向上をはかることができる。
また、第２図（ｂ）（ｃ）は同図（ａ）の変形であり、
ｐ、ｎの関係を逆にしただけで第１図（ｂ） （ｅ）と
基本的に同様の構成である。このような構成であっても
、先の第１の実施例と同様の同様の効果が得られる。ま
た、第２の実施例において、中間バンドギャップ層３５
がｐ−ＧａＡｓ或いはｐ−ＧａＡｌＡｓ、さらに活性層
３３がｐ坐着しくはｎ型のＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＰ
であっても上記と同様の効果か得られる。
ｐ、ｎの関係を逆にしただけで第１図（ｂ） （ｅ）と
基本的に同様の構成である。このような構成であっても
、先の第１の実施例と同様の同様の効果が得られる。ま
た、第２の実施例において、中間バンドギャップ層３５
がｐ−ＧａＡｓ或いはｐ−ＧａＡｌＡｓ、さらに活性層
３３がｐ坐着しくはｎ型のＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＰ
であっても上記と同様の効果か得られる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。実施例では、第１の電極を端面領域と中央部に設
けたが、必ずしも一中央部の電極は必要なく、省略する
ことも可能である。
ない。実施例では、第１の電極を端面領域と中央部に設
けたが、必ずしも一中央部の電極は必要なく、省略する
ことも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、ダブルヘテロ構造
部の活性層における発光領域を端面領域に形成すること
により、端面からの出射光を上面からの出射光と同じ発
光波長にすることができ、これにより端面からの出射光
を除去することなく利用でき、光取出し効率の高い半導
体発光素子を実現することか可能となる。
部の活性層における発光領域を端面領域に形成すること
により、端面からの出射光を上面からの出射光と同じ発
光波長にすることができ、これにより端面からの出射光
を除去することなく利用でき、光取出し効率の高い半導
体発光素子を実現することか可能となる。
第１図は本発明の第１の実施例に係わる半導体発光素子
の概略構成を示す断面図、第２図は本発明の第２の実施
例の概略構成を示す断面図、第３図は従来の半導体発光
素子の問題点を説明するための素子構造断面図である。 １０ 、 ３０−−− Ｇ ａ Ａ ｓ基板、１、１−
＝ ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓバフフッ層、１２．１４，３
２．３４ ・・・・ ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、１３．３３＝−
１ｎＧａＡＩＰ活性層、１．５．３５ ・・・・・・ＩｎＧａＰ中間バンドギャップ層、１６
、 ３６− Ｇ ａ Ａ ｓ コンタクト層、１７．３
７・・・第１の電極、 １．８．３８・・・第２の電極、 ２１．４１・・・中央部の発光領域、 ２２．４２・・・端面領域の発光領域、２３．４３・・
・上面出射光、 ２４．４４・・・端面出射光。
の概略構成を示す断面図、第２図は本発明の第２の実施
例の概略構成を示す断面図、第３図は従来の半導体発光
素子の問題点を説明するための素子構造断面図である。 １０ 、 ３０−−− Ｇ ａ Ａ ｓ基板、１、１−
＝ ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓバフフッ層、１２．１４，３
２．３４ ・・・・ ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、１３．３３＝−
１ｎＧａＡＩＰ活性層、１．５．３５ ・・・・・・ＩｎＧａＰ中間バンドギャップ層、１６
、 ３６− Ｇ ａ Ａ ｓ コンタクト層、１７．３
７・・・第１の電極、 １．８．３８・・・第２の電極、 ２１．４１・・・中央部の発光領域、 ２２．４２・・・端面領域の発光領域、２３．４３・・
・上面出射光、 ２４．４４・・・端面出射光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上にＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる活性層を
クラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部を形成した半導
体発光素子において、 前記ダブルヘテロ構造部上の少なくとも端面領域に第１
の電極を設け、且つ端面領域以外の一部に第１の電極の
存在しない領域を設け、前記半導体基板の裏面側に第２
の電極を設けてなることを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20152690A JP3242910B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20152690A JP3242910B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487380A true JPH0487380A (ja) | 1992-03-19 |
| JP3242910B2 JP3242910B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=16442508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20152690A Expired - Lifetime JP3242910B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3242910B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023020B2 (en) | 2000-07-10 | 2006-04-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device |
| JP2013258207A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20152690A patent/JP3242910B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023020B2 (en) | 2000-07-10 | 2006-04-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device |
| JP2013258207A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3242910B2 (ja) | 2001-12-25 |
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