JPH0487322A - Dry-type developing apparatus - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の製造工程に
おけるレジストパターンの形成のための反応性イオンエ
ツチングを利用した乾式現像装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a dry developing device that uses reactive ion etching to form a resist pattern in the manufacturing process of semiconductor devices such as ICs and LSIs.
［従来の技術］
従来、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の製造工程におい
ては、その加工されるべき基板上にポリイソプレン環化
物にビスアジドを混合したネガ型ホトレジストやノボラ
ック樹脂にキノンジアジド化合物を混合したポジ型ホト
レジストを塗布し、パターンマスクを介して水銀灯のｇ
ｌｌ（波長４３６止）やｉ線（波長３６５ｎｍ）を用い
て露光し、現像液にて現像することによりレジストパタ
ーンを形成するホトリソグラフィ法が採用されている。[Prior Art] Conventionally, in the manufacturing process of semiconductor devices such as ICs and LSIs, negative photoresists made of polyisoprene cyclized material mixed with bisazide, or positive photoresists made of novolac resin mixed with quinone diazide compound, were used on the substrate to be processed. Apply type photoresist and apply mercury lamp g through the pattern mask.
A photolithography method is employed in which a resist pattern is formed by exposing to ll (wavelength: 436 nm) or i-ray (wavelength: 365 nm) and developing with a developer.
しかし、近年では半導体素子がさらに小型化し、基板上
に形成されるべきレジストパターンの最小寸法が１μｍ
以下、さらに０．５μ■付近の領域に入りつつある。こ
のような寸法領域では、現像液を現像に用いる従来のホ
トリソグラフィ法を使用しても、特に段差構造を有する
基板が使用される場合には、露光時の光の反射の影響や
露光系における焦点深度の浅さなどの問題に起因して、
レジストパターンの十分な解像度が得られないという問
題が発生する。However, in recent years, semiconductor devices have become even smaller, and the minimum dimension of a resist pattern to be formed on a substrate is 1 μm.
Thereafter, it is entering a region around 0.5μ■. In such a size range, even if a conventional photolithography method using a developer is used for development, the effects of light reflection during exposure and the exposure system may be affected, especially when a substrate with a step structure is used. Due to problems such as shallow depth of focus,
A problem arises in that sufficient resolution of the resist pattern cannot be obtained.
このような問題を解決する方法として、特開昭６１−１
０７３４６号公報においては、光活性化合物とポリマー
を含むホトレジストをパターンマスクを介して露光し、
その露光部分に珪素化合物を選択的に作用させてシリル
化した後、酸素プラズマを発生させる反応性イオンエツ
チング装置を用いてシリル化しなかった部分をエツチン
グすることにより現像を行い、レジストパターンを形成
する乾式現像プロセスが提案されている。As a method to solve such problems, JP-A-61-1
In JP 07346, a photoresist containing a photoactive compound and a polymer is exposed through a pattern mask,
A silicon compound is selectively applied to the exposed areas to silylate them, and then developed by etching the unsilylated areas using a reactive ion etching device that generates oxygen plasma to form a resist pattern. A dry development process has been proposed.
このような乾式現像プロセスに用いられる反応性イオン
エツチング装置の例として、特開昭５８−１５１０２８
号公報および特開昭５９−１４０３７５号公報には、被
エツチング材の支持体であり、かつマイクロ波電力が印
加される陰極に、被エツチング材の表面に平行となるよ
うな磁界を発生する手段を内蔵させた反応性イオンエツ
チング装置が記載され、特開昭５８−１７００１６号公
報には、被エツチング材の支持体である陰極に対して垂
直な方向に磁界が形成される反応性イオンエツチング装
置が記載されている。As an example of a reactive ion etching device used in such a dry development process, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-151028
No. 59-140375 discloses means for generating a magnetic field parallel to the surface of the material to be etched at a cathode which is a support for the material to be etched and to which microwave power is applied. A reactive ion etching apparatus is described in which a magnetic field is formed in a direction perpendicular to a cathode which is a support for a material to be etched. is listed.
［発明が解決しようとする課題］
上述したホトレジストをシリル化し、酸素プラズマを用
いた反応性イオンエツチング装置によってレジストパタ
ーンを形成する乾式現像プロセスは、酸素プラズマに対
するレジスト表面のシリル化領域と非シリル化領域の反
応性が大きく異なることを利用してエツチングすること
によりレジストパターンを形成するものである。さらに
上述の反応性イオンエツチング装置を用いることにより
、半導体ウェーへの表面近傍に形成されるプラズマシー
スで正イオンが加速されてレジストの非シリル化部分を
エツチングするので、エツチングの異方性が大きく、従
ってこの方法によれば、０．５μｍ以下のレジストパタ
ーンを精度よく形成でき、しかも高速現像が可能である
。[Problems to be Solved by the Invention] The dry development process in which the above-mentioned photoresist is silylated and a resist pattern is formed using a reactive ion etching device using oxygen plasma has a problem in that the silylated and non-silylated regions of the resist surface are separated by the oxygen plasma. A resist pattern is formed by etching, taking advantage of the fact that the reactivity of the regions is greatly different. Furthermore, by using the above-mentioned reactive ion etching equipment, positive ions are accelerated by the plasma sheath formed near the surface of the semiconductor wafer and etched the non-silylated portions of the resist, resulting in a large etching anisotropy. Therefore, according to this method, a resist pattern of 0.5 μm or less can be formed with high precision, and high-speed development is possible.
しかしながら、上述の反応性イオンエツチング装置を用
いる場合、酸素原子または分子が負イオンになり易いた
めに酸素プラズマが不安定になり、エツチング状況が変
化し易く、またプラズマ生成室（現像室）の壁面との間
にアークプラズマが発生し易いという問題を有する。し
かもこのような問題は、酸素原子または分子が負イオン
になる確率はプラズマの状態によって微妙に異なるため
に、放電電圧、放電電流、圧力または酸素ガスの流量な
どの外部操作因子のみによって解決することができるも
のではない。However, when using the above-mentioned reactive ion etching apparatus, the oxygen atoms or molecules tend to become negative ions, making the oxygen plasma unstable and the etching situation likely to change. The problem is that arc plasma is likely to occur between the two. Moreover, such problems can only be solved by external operating factors such as discharge voltage, discharge current, pressure, or oxygen gas flow rate, because the probability that oxygen atoms or molecules become negative ions differs slightly depending on the plasma state. It is not something that can be done.
すなわち、プラズマ中では中性の条件によって
正イオン密度（ｎゆ）
＝電子密度（ｎ、）十負イオン密度（ｎ−）という関係
が保たれており、従って負イオン密度が増加すると電子
密度が減少するか、正イオン密度が増加するかのいずれ
かが起き、その結果、下記■および■に記載するように
プラズマの状態が変化し、エツチング状況にも変化が生
じるためである。In other words, under neutral conditions in plasma, the following relationship is maintained: positive ion density (n) = electron density (n,) + negative ion density (n-), and therefore, as the negative ion density increases, the electron density increases. This is because either the positive ion density decreases or the positive ion density increases, and as a result, the plasma state changes as described in (1) and (2) below, and the etching situation also changes.
■電子密度（ｎ、）が減少するとプラズマのインピーダ
ンスが高（なり、放電電圧の上昇、放電電流の減少をも
たらす。放電電圧の上昇によって陰極に向う正イオンの
加速が増加され、陰極上に保持される半導ウェー八表面
のレジストへのイオンの衝撃が大きくなり、エツチング
状況が変化する。さらに、インピーダンスの上昇によっ
てアークプラズマの発生頻度が大きくなる。■When the electron density (n,) decreases, the impedance of the plasma becomes high, resulting in an increase in the discharge voltage and a decrease in the discharge current.The increase in the discharge voltage increases the acceleration of positive ions toward the cathode, and they are retained on the cathode. The impact of ions on the resist on the surface of the semiconductor wafer increases, changing the etching situation.Furthermore, as the impedance increases, the frequency of arc plasma generation increases.
■正イオン密度（ｎ、）が増加するとエツチングに関与
するイオンが増加するので、エツチング状況が変化する
。(2) As the positive ion density (n,) increases, the number of ions involved in etching increases, so the etching situation changes.
このように、酸素プラズマは酸素原子または分子が負イ
オンになり易いことに起因して不安定になり易く、その
結果エツチングすなわち乾式現像の再現性を低下させ、
半導体素子の製造歩留りを低下させる要因となっている
。Thus, oxygen plasma tends to be unstable due to the tendency of oxygen atoms or molecules to become negative ions, which reduces the reproducibility of etching or dry development.
This is a factor that reduces the manufacturing yield of semiconductor devices.
本発明は上述した従来の問題を解決し、酸素プラズマを
安定させることによって再現性を向上し得る乾式現像装
置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and provide a dry developing device that can improve reproducibility by stabilizing oxygen plasma.
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明は負イオンに
なり難いガスが酸素ガスに対して５〜６０体積％添加さ
れた酸素ガス含有ガスをプラズマ生成室に供給する手段
を有することを特徴とするレジストをプラズマによって
エツチングするための乾式現像装置を提供するものであ
る。[Means for Solving the Problems] In order to achieve such an object, the present invention uses an oxygen gas-containing gas in which 5 to 60% by volume of a gas that does not easily become negative ions is added to the oxygen gas in a plasma generation chamber. The present invention provides a dry developing device for etching a resist using plasma, characterized in that it has a means for supplying a resist with plasma.
本発明の装置を用いることによって、負イオンになり難
いガスが酸素ガスに対して５〜６０％添加された酸素含
有ガスをプラズマ生成室に供給してプラズマを発生し、
該プラズマによってレジストのエツチングを行うことを
特徴とするレジストの乾式現像方法を実施することがで
きる。By using the apparatus of the present invention, an oxygen-containing gas in which 5 to 60% of a gas that does not easily become negative ions is added to the oxygen gas is supplied to a plasma generation chamber to generate plasma,
A resist dry development method characterized by etching the resist using the plasma can be carried out.
ここで負イオンになり難いガスとしては、ヘリウム、ア
ルゴン、キセノン、ネオン、クリプトンなどの希ガス、
水素および窒素のうちの一種また２種以上を用いること
ができ、特にヘリウム、アルゴン、水素または窒素を用
いることが望ましい。Examples of gases that are difficult to form negative ions include rare gases such as helium, argon, xenon, neon, and krypton.
One or more of hydrogen and nitrogen can be used, and it is particularly desirable to use helium, argon, hydrogen or nitrogen.
負イオンになり難いガスの添加量が５％未満では効果が
な（，６０％を越えるとエツチング（乾式現像）された
後のレジスト表面が粗れるので好ましくない。特に好ま
しい添加量の範囲は酸素ガスに対して５〜３０％である
。If the amount of the gas that does not easily become negative ions is less than 5%, it will not be effective (but if it exceeds 60%, the resist surface will become rough after etching (dry development), which is not preferable.A particularly preferable range of the amount of gas added is oxygen. It is 5-30% relative to the gas.
本発明が乾式現像、すなわち反応性イオンエツチングの
対象とするものは、好適には半導体ウェーハ上に塗布さ
れ、所定のパターンでシリル化されているレジストであ
る。従って本発明はフェノール系ポリマーその他シリル
化可能な全てのレジストに適用でき、またいかなる方法
によってシリル化されたレジストにも適用できる。The target of the present invention for dry development, ie, reactive ion etching, is a resist that is preferably coated on a semiconductor wafer and silylated in a predetermined pattern. Therefore, the present invention is applicable to all resists that can be silylated, including phenolic polymers, and is also applicable to resists that have been silylated by any method.
なお、好ましいシリル化されたレジストとしては、例え
ばキノンジアジドとアルカリ可溶性樹脂とからなるレジ
ストに光を照射し、加熱し、さらに照射部をヘキサメチ
ルジシラザン、シリルクロライドなとのシラン化合物で
選択的にシリル化したレジストを挙げることができる。In addition, as a preferable silylated resist, for example, a resist made of quinonediazide and an alkali-soluble resin is irradiated with light, heated, and then the irradiated areas are selectively treated with a silane compound such as hexamethyldisilazane or silyl chloride. Examples include silylated resists.
ここで、アルカリ可溶性樹脂としては、水酸基を有する
ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂などを挙げ
ることができる。Here, examples of the alkali-soluble resin include novolac resins having hydroxyl groups, hydroxystyrene resins, and the like.
［作 用］
本発明においては、負イオンになり易い酸素原子または
分子に負イオンになり難いガスを加えてプラズマを発生
させる。そのために負イオン密度（ｎ−）の増加が抑制
され、放電電流を運ぶ電子の密度（ｎ、）がほぼ一定に
維持されるので、プラズマのインピーダンスの変動が少
なく、プラズマは安定に維持され、さらに正イオン密度
（ｎ、）の増加も抑制される。従って反応性イオンエツ
チングが安定に行われ、乾式現像の再現性を向上させる
ことができる。[Function] In the present invention, plasma is generated by adding a gas that does not easily become negative ions to oxygen atoms or molecules that easily become negative ions. Therefore, the increase in negative ion density (n-) is suppressed, and the density of electrons (n,) carrying the discharge current is maintained almost constant, so there is little fluctuation in plasma impedance and the plasma is maintained stably. Furthermore, the increase in positive ion density (n,) is also suppressed. Therefore, reactive ion etching can be performed stably, and the reproducibility of dry development can be improved.
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明を適用した連続乾式現像装置の一例の構
成を示す図である。この装置はプロセスチャンバー１０
．ロードロックチャンバー２０およびカセットチャンバ
３０を具え、カセットチャンバ３゜内に収容された複数
枚の半導体ウェーハを１枚づつ順次ロードロックチャン
バー２０を経てプロセスチャンバｌＯに送り、プロセス
チャンバ内で現像処理されたウェーハは順次逆の経路を
たどってカセットチャンバ３０にもどる。このようにし
て複数枚のウェーハを連続して現像処理することができ
る構成を有するものである。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an example of a continuous dry developing device to which the present invention is applied. This device has process chamber 10
．． It is equipped with a load-lock chamber 20 and a cassette chamber 30, and a plurality of semiconductor wafers housed in the cassette chamber 3° are sequentially sent one by one through the load-lock chamber 20 to a process chamber IO, where they are developed and processed in the process chamber. The wafers sequentially follow a reverse path back to the cassette chamber 30. In this way, the apparatus has a configuration that allows a plurality of wafers to be continuously developed.
また、プロセスチャンバ１０内には電極１１が設置され
、ＲＦ電源１２からマツチングボックス１３を介してＲ
Ｆ電力が印加される。電極１１は磁場を印加し得る構成
とするのが望ましい。なお、プロセスチャンバー１０は
、バルブ２４を開け、ロータリーポンプで初期排気を行
い、その後バルブ２４を閉じ、ターボ分子ポンプおよび
ロータリーポンプで２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまたはそ
れ以下の圧力まで減圧することができる。また、プロセ
スチャンバーｌＯには酸素ガスボンベ１６Ａおよび負イ
オンになり難いガスのボンベ１６Ｂからそれぞれマスフ
ローコントローラ１７Ａおよび１７Ｂを介してプラズマ
生成用のガスが供給され、同時にプロセスチャンバｌＯ
内を所定の圧力に保ち、その後プラズマ生成用のガスを
所定の流量で流しながら、電極１１にＲＦ電力を印加し
て一方の電極であるプロセスチャンバーｌＯの壁１８と
の間にＲＦ放電を生ぜしめてプラズマを発生し、プラズ
マ中のイオンで電極１１上に保持されたウェーハに塗布
されたレジストをエツチングし乾式現像を行う、ロード
ロックチャンバ２０およびカセットチャンバ３０はロー
タリポンプ２１によって５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒまた
はそれ以下の圧力にまで減圧される。ここで、ウェーハ
の輸送時にはゲートバルブ２２およびゲートバルブ２３
は開放される。ウェーハの輸送機構は図示を省略しであ
る。Further, an electrode 11 is installed in the process chamber 10, and R is connected to the RF power source 12 via a matching box 13.
F power is applied. It is desirable that the electrode 11 be configured to be capable of applying a magnetic field. Note that the process chamber 10 can be depressurized to a pressure of 2 X 10-' Torr or lower by opening the valve 24 and performing initial exhaust with a rotary pump, then closing the valve 24 and using a turbo molecular pump and a rotary pump. . In addition, gas for plasma generation is supplied to the process chamber IO from an oxygen gas cylinder 16A and a gas cylinder 16B that does not easily become negative ions via mass flow controllers 17A and 17B, respectively.
While maintaining the internal pressure at a predetermined pressure, and then flowing a plasma generation gas at a predetermined flow rate, RF power is applied to the electrode 11 to generate an RF discharge between the electrode 11 and the wall 18 of the process chamber 10, which is one electrode. The load lock chamber 20 and the cassette chamber 30 are operated by a rotary pump 21 to generate plasma, and ions in the plasma etch the resist coated on the wafer held on the electrode 11 for dry development. The pressure is reduced to Torr or lower.Here, when transporting the wafer, the gate valve 22 and the gate valve 23 are
will be released. The wafer transport mechanism is not shown.
まず、レジストとしてキノンジアジド−ノボラック樹脂
系レジスト（商品名ＰＬＡＳＭＡＳＫ （ＵＣＢ−ＪＳ
ＲＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ３■社製）を用い、シリコンウ
ェーハ上にコーターを用いて厚さ１．５μｍのレジスト
膜を形成した。次いで、開口数０．５４の露光機を使用
し、パターンマスクを介して水銀灯のｇ線（波長４３６
ｎｍ）をレジスト膜に照射した後、１６０℃で３分のプ
リベーク処理を施し、ヘキサメチルジシラザンによる１
６０℃で４分の処理によりｇ線照射部のシリル化を行っ
た。First, a quinonediazide-novolak resin resist (product name: PLASMASK (UCB-JS) was used as a resist.
A resist film having a thickness of 1.5 μm was formed on a silicon wafer using a coater. Next, using an exposure machine with a numerical aperture of 0.54, the g-line of a mercury lamp (wavelength 436
After irradiating the resist film with 1 nm), a prebaking process was performed at 160°C for 3 minutes, and 1
The g-ray irradiated area was silylated by treatment at 60° C. for 4 minutes.
このようにしてレジストを塗布し、部分的にシリル化し
たレジスト膜を有するシリコンウェーハを多数準備し、
上述した現像装置によって乾式現像を行った。In this way, a large number of silicon wafers having resist films coated with resist and partially silylated are prepared,
Dry development was performed using the development device described above.
なお、使用した現像装置のプロセスチャンバーの内容積
は３０βであり、電極１１として直径２００ｍｍのマグ
ネトロン電極を使用した。また、電極１１は冷却可能で
あり、現像処理中、その上に保持されたシリコンウェー
への温度は２０℃以下であった。Note that the internal volume of the process chamber of the developing device used was 30β, and a magnetron electrode with a diameter of 200 mm was used as the electrode 11. Further, the electrode 11 can be cooled, and the temperature applied to the silicon wafer held thereon during the development process was 20° C. or less.
乾式現像においては、プロセスチャンバーｌＯ内を高真
空に排気した後、プラズマ生成用ガスとして酸素と共に
負イオンになり難いガスをプロセスチャンバ内に供給し
、電極１１に１３．５６ＭＨｚ、 １，０ＯＯＷのＲＦ
電力を印加して酸素含有ガスのプラズマを発生させ、プ
ラズマ中の酸素イオンによってレジストの非シリル化部
のエツチングを行った。現像処理中のプロセスチャンバ
ーｌＯ内の圧力は、１〜ｌＯＸ １０−”Ｔｏｒｒであ
った。In dry development, after the inside of the process chamber 10 is evacuated to a high vacuum, a gas that does not easily become negative ions together with oxygen is supplied into the process chamber as a plasma generation gas, and an RF of 13.56 MHz, 1.0 OOW is applied to the electrode 11.
Electric power was applied to generate plasma of oxygen-containing gas, and the non-silylated portions of the resist were etched by oxygen ions in the plasma. The pressure within the process chamber IO during the development process was 1 to 10×10-” Torr.
酸素の流量は７０ＳＣＣＭ一定とし、負イオンになり難
いガスの添加量を変化させてエツチングを行った。Etching was performed while the flow rate of oxygen was kept constant at 70 SCCM, and the amount of gas added that was unlikely to become negative ions was varied.
第２図はヘリウム、アルゴン、水素および窒素をそれぞ
れ酸素に添加してプラズマを発生させ、エツチングを行
った時のアークプラズマの発生頻度とガス添加量の関係
を示したものである。５％程度のガスの添加によってア
ークの発生は減少し始め、７０％近（までその効果は持
続する。特に添加量が５〜３０％、さらに１０〜３０％
の範囲ではプラズマは極めて安定であった。FIG. 2 shows the relationship between the frequency of arc plasma generation and the amount of gas added when etching is performed by generating plasma by adding helium, argon, hydrogen, and nitrogen to oxygen. By adding about 5% of gas, the occurrence of arc begins to decrease, and the effect continues until about 70% (particularly when the amount added is 5 to 30%, and then 10 to 30%).
The plasma was extremely stable in the range of .
また、ガスの添加量を変えて乾式現像を行った後のレジ
ストパターンを検査し、各シリコンウェーハについて、
所定のパターン幅０．５μｍに対し、±５％以上変動し
たパターンを有するウェーハおよびレジスト表面の粗れ
が著しいウェーハを不合格とした。このようにして得ら
れた現像歩留りとガス添加量の関係を第３図に示す、２
％程度のガスの添加によって歩留りは向上し、５％以上
の添加によってその効果は顕著である。水素または窒素
を添加した場合は約ｌＯ％から６０％の添加量の範囲で
歩留り９０％が得られ、ヘリウムまたはアルゴンを添加
した場合は、添加量ｌＯ〜３０％の範囲において９５％
の高い歩留りで乾式現像を行うことができた。In addition, we inspected the resist pattern after dry development with varying amounts of gas added, and found that each silicon wafer was
Wafers with patterns that varied by ±5% or more with respect to a predetermined pattern width of 0.5 μm and wafers with significant resist surface roughness were rejected. The relationship between the development yield and the amount of gas added thus obtained is shown in Figure 3.
The yield can be improved by adding about 5% of the gas, and the effect is significant by adding 5% or more of the gas. When hydrogen or nitrogen is added, a yield of 90% is obtained in the range of addition amount from about 10% to 60%, and when helium or argon is added, a yield of 95% is obtained in the addition amount range of 10% to 30%.
Dry development was possible with a high yield.
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば反応性イオンエツ
チングのためのプラズマを安定化させ、そのために高い
歩留りで乾式現像を行うことができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, plasma for reactive ion etching can be stabilized, and therefore dry development can be performed with a high yield.
また、本発明は陰極に磁場を印加しない方式にも適用で
き、さらにマイクロ波プラズマを利用した各種の反応性
イオンエツチングに適用することもできる。Further, the present invention can be applied to a method in which no magnetic field is applied to the cathode, and can also be applied to various types of reactive ion etching using microwave plasma.
第１図は本発明を適用し得る乾式現像装置の一例の構成
を示す図、
第２図はアーク発生頻度と添加ガス量との関係を示す図
、
第３図は乾式現像の歩留りと添加ガス量との関係を示す
図である。
１・・・シリコンウェーハ、
２・・・フォトレジスト、
３・・・シリル化層、
４・・・残渣、
５・・・迷光によって生じたシリル化層、ｌＯ・・・プ
ロセスチャンバー
１１・・・電極、
１７Ａ、１７Ｂ・・・マスフローコントローラ。
力ゞス矯如ｌ
がス恣加１Fig. 1 is a diagram showing the configuration of an example of a dry developing device to which the present invention can be applied, Fig. 2 is a diagram showing the relationship between the arc occurrence frequency and the amount of added gas, and Fig. 3 is a diagram showing the relationship between the yield of dry developing and the amount of added gas. It is a figure showing the relationship with quantity. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Silicon wafer, 2...Photoresist, 3...Silylated layer, 4...Residue, 5...Silylated layer generated by stray light, 1O...Process chamber 11... Electrode, 17A, 17B...Mass flow controller. The force is the same as the force 1
Claims (1)
０体積％添加された酸素ガス含有ガスをプラズマ生成室
に供給する手段を有することを特徴とするレジストをプ
ラズマによってエッチングするための乾式現像装置。1) The gas that is difficult to become negative ions is 5 to 6 compared to oxygen gas.
A dry developing device for etching a resist using plasma, comprising means for supplying a gas containing oxygen gas added at 0 volume % to a plasma generation chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20129090A JPH0487322A (en) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Dry-type developing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20129090A JPH0487322A (en) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Dry-type developing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487322A true JPH0487322A (en) | 1992-03-19 |
Family
ID=16438529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20129090A Pending JPH0487322A (en) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Dry-type developing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0487322A (en) |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20129090A patent/JPH0487322A/en active Pending
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