JPH048671Y2 - - Google Patents

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JPH048671Y2
JPH048671Y2 JP1983140013U JP14001383U JPH048671Y2 JP H048671 Y2 JPH048671 Y2 JP H048671Y2 JP 1983140013 U JP1983140013 U JP 1983140013U JP 14001383 U JP14001383 U JP 14001383U JP H048671 Y2 JPH048671 Y2 JP H048671Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 この考案は、3相交流電源の負荷への供給を接
断制御する3相ソリツドステートリレー(以下3
相SSRと記す)に関するものである。
[Detailed description of the invention] [Technical field of the invention] This invention is a 3-phase solid state relay (hereinafter referred to as 3-phase
(hereinafter referred to as phase SSR).

〔従来技術〕[Prior art]

従来、3相交流モータの駆動制御を行なう場合
には、メカニカルリレーである電磁開閉器を用
い、これを開閉制御することにより該モータへの
3相交流電源の供給を接断制御するようにしてい
た。ところが、この電磁開閉器は、その開閉頻度
が高い使用状況下では、その接点の摩耗が激しく
なり、寿命が短くなるという問題があつた。
Conventionally, when controlling the drive of a three-phase AC motor, an electromagnetic switch, which is a mechanical relay, is used to control the opening and closing of the electromagnetic switch, thereby controlling the supply of three-phase AC power to the motor. Ta. However, this electromagnetic switch has a problem in that under usage conditions where the electromagnetic switch is frequently opened and closed, its contacts become severely worn, resulting in a shortened lifespan.

ところで、従来、単相交流電源の負荷への供給
を接断制御するためのものとしては、半導体を用
いた無接点式の単相ソリツドステートリレー(以
下単相SSRと記す)があり、これは上記電磁開閉
器のような接点は必要ないものであり、従つて上
記接点の摩耗による寿命低下の問題は生じない。
By the way, conventional single-phase solid-state relays (hereinafter referred to as single-phase SSR) using semiconductors have been used to control the supply of single-phase AC power to loads. does not require a contact like the electromagnetic switch described above, and therefore there is no problem of shortened life due to wear of the contact.

第1図は上記単相SSRの半導体主素子回路80
を示し、同図において、81,82は電源側、負
荷側主端子、83,84は第1、第2サイリス
タ、85,86は図示しない制御回路に接続され
る制御端子、87,88はそれぞれ抵抗89、ダ
イオード90からなる第1、第2ゲート補助回路
である。
Figure 1 shows the semiconductor main element circuit 80 of the single-phase SSR mentioned above.
In the figure, 81 and 82 are power supply side and load side main terminals, 83 and 84 are first and second thyristors, 85 and 86 are control terminals connected to a control circuit (not shown), and 87 and 88 are respectively These are first and second gate auxiliary circuits consisting of a resistor 89 and a diode 90.

そして上記制御回路に外部から印加される制御
信号が“H”のときは、上記制御端子85,86
間が短絡され、これにより単相交流の正の半サイ
クルにおいては、電源側主端子81、第1ゲート
補助回路87、制御端子85,86間、第2サイ
リスタ84のゲート、負荷側主端子82の経路で
補助電流が流れて第2サイリスタ84がオンし、
これにより主電流が電源側主端子81から第2サ
イリスタ84を通つて負荷側主端子82に流れ、
また単相交流の負の半サイリスタでは、同様にし
て第2ゲート補助回路88及び第1サイリスタ8
3が動作し、主電流が負荷側から第1サイリスタ
83を通つて電源側に流れ、その結果負荷に単相
電力が供給されることとなる。
When the control signal externally applied to the control circuit is "H", the control terminals 85, 86
As a result, in the positive half cycle of single-phase AC, the power supply side main terminal 81, the first gate auxiliary circuit 87, between the control terminals 85 and 86, the gate of the second thyristor 84, and the load side main terminal 82. An auxiliary current flows through the path, turning on the second thyristor 84,
As a result, the main current flows from the power supply side main terminal 81 through the second thyristor 84 to the load side main terminal 82,
Similarly, in the single-phase AC negative half thyristor, the second gate auxiliary circuit 88 and the first thyristor 8
3 operates, the main current flows from the load side to the power supply side through the first thyristor 83, and as a result, single-phase power is supplied to the load.

一方、上記制御信号が“L”のときは、上記制
御端子85,86間は開放状態となり、その結果
両サイリスタ83,84はオフのままで負荷には
単相電力は供給されない。従つてこの単相SSRを
用いれば、上記制御信号によつて単相電源の負荷
への供給を接断制御できることとなる。
On the other hand, when the control signal is "L", the control terminals 85 and 86 are in an open state, and as a result, both thyristors 83 and 84 remain off, and single-phase power is not supplied to the load. Therefore, if this single-phase SSR is used, the supply of single-phase power to the load can be controlled to be connected or disconnected using the control signal.

このような従来の状況において、上記3相交流
電源の負荷への供給を接断制御する場合は、電磁
開閉器の代わりに上記単相SSRを組合せて3相
SSRを構成することによつて上記寿命低下の問題
を回避することが可能であると考えられる。
In such conventional situations, when controlling the supply of the three-phase AC power to the load, the single-phase SSR described above is used in combination with the electromagnetic switch instead of the three-phase AC power source.
It is believed that by configuring an SSR, it is possible to avoid the above problem of reduced lifespan.

〔考案の概要〕[Summary of the idea]

この考案は、かかる従来の状況において、上記
電磁開閉器における接点の摩耗による寿命低下と
いう問題を回避でき、さらには部品点数が少な
く、かつ組立作業が簡単な3相SSRを提供するこ
とを目的としている。
The purpose of this invention is to provide a 3-phase SSR that can avoid the problem of reduced service life due to wear of the contacts in the electromagnetic switch in the conventional situation, and that also has a small number of parts and is easy to assemble. There is.

即ち、この考案は、3相交流電源の負荷への供
給を接断するための3つの半導体主素子回路を備
えた3相SSRであつて、かつ該半導体主素子回路
内の2つのサイリスタの一方のアノードと他方の
カソードおよび一方のカソードと他方のアノード
を立体的に形成された接続板で接続し、その一方
の接続板の一部をゲート補助回路に直接接続する
ようにしたものである。
That is, this invention is a three-phase SSR equipped with three semiconductor main element circuits for connecting and disconnecting the supply of three-phase AC power to a load, and one of the two thyristors in the semiconductor main element circuit. The anode and the other cathode and the one cathode and the other anode are connected by three-dimensional connection plates, and a part of the one connection plate is directly connected to the gate auxiliary circuit.

〔考案の実施例〕[Example of idea]

以下、本考案の実施例を図について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第2図ないし第7図は本考案の一実施例による
3相SSRを示す。第2図において、1は3相交流
電源、2は負荷である3相交流モータ、3は3相
交流電源1と3相交流モータ2とを接続する3相
ケーブル、4は3相ケーブル3の途中に介設され
た3相SSRである。
2 to 7 show a three-phase SSR according to an embodiment of the present invention. In Fig. 2, 1 is a 3-phase AC power supply, 2 is a 3-phase AC motor as a load, 3 is a 3-phase cable connecting the 3-phase AC power supply 1 and the 3-phase AC motor 2, and 4 is the 3-phase cable 3. This is a 3-phase SSR installed in the middle.

また第3図及び第4図は3相SSRの具体的な構
造を示し、5は3相交流電源1の3相交流モータ
2への供給を接断する3つの半導体主素子回路
(第1図参照)6と該回路6が外部からの制御信
号に応じてオン・オフ制御する制御回路(図示せ
ず)とからなるSSR本体、7a〜7c及び7d〜
7fは電源1(又はモータ2)及びモータ2(又
は電源1)からの3相ケーブル3の各線を接続す
るための半導体主素子回路6の主端子板、8a,
8bは外部からの制御信号が入力される制御回路
の入力端子板、9はSSR本体5上に搭載され、半
導体主素子回路6をサージ電圧等の異常高電圧か
ら保護するアブソーバ回路である。
3 and 4 show the specific structure of the 3-phase SSR, and 5 indicates three semiconductor main element circuits (see 1) that connect and disconnect the supply of the 3-phase AC power supply 1 to the 3-phase AC motor 2. 7a to 7c and 7d to
7f is the main terminal board of the semiconductor main element circuit 6 for connecting the power supply 1 (or motor 2) and each line of the three-phase cable 3 from the motor 2 (or power supply 1); 8a;
Reference numeral 8b represents an input terminal board of a control circuit into which external control signals are input, and reference numeral 9 represents an absorber circuit mounted on the SSR main body 5 to protect the semiconductor main element circuit 6 from abnormally high voltages such as surge voltages.

さらに第5図ないし第7図は上記半導体主素子
回路6の詳細な構造を示し、10は表面に主素子
パターン11a,11b、ゲート端子パターン1
1c,11d、抵抗・ダイオードパターン11
e,11f及びアノード・カソード接続板パター
ン11gが形成された絶縁基板、12,13は主
素子パターン11a,11b上に設けられ、電源
1と負荷2との間を接断するサイリスタで、これ
らは各々チツプ14、カソード15及びアノード
16からなる。17,18は抵抗・ダイオードパ
ターン11e,11f上に設けられ、サイリスタ
12,13をトリガするゲート補助回路で、これ
は各々抵抗19とダイオード20とからなる。2
1,22はゲート端子パターン11c,11d上
に設けられ、ゲートリード23を介してサイリス
タ12,13のゲートに接続されたゲート接続端
子リード、24,25はサイリスタ12,13の
一方のアノード16と他方のカソード15及び一
方のカソード15と他方のアノード16との間を
立体的に接続する接続板で、その一方の接続板2
5はその一部が下方に延びてアノード・カソード
接続板パターン11g、即ちゲート補助回路17
に接続されている。
Furthermore, FIGS. 5 to 7 show the detailed structure of the semiconductor main element circuit 6, and 10 has main element patterns 11a and 11b on the surface, and a gate terminal pattern 1.
1c, 11d, resistor/diode pattern 11
e, 11f and an insulating substrate on which the anode/cathode connection plate pattern 11g are formed; 12, 13 are thyristors provided on the main element patterns 11a, 11b, and connect/disconnect between the power source 1 and the load 2; Each consists of a chip 14, a cathode 15 and an anode 16. Reference numerals 17 and 18 denote gate auxiliary circuits provided on the resistor/diode patterns 11e and 11f to trigger the thyristors 12 and 13, each consisting of a resistor 19 and a diode 20. 2
1 and 22 are gate connection terminal leads provided on the gate terminal patterns 11c and 11d and connected to the gates of the thyristors 12 and 13 via gate leads 23; 24 and 25 are the anodes 16 of one of the thyristors 12 and 13; A connection plate that three-dimensionally connects the other cathode 15 and one cathode 15 and the other anode 16, and the one connection plate 2
A part of 5 extends downward to form an anode/cathode connection plate pattern 11g, that is, a gate auxiliary circuit 17.
It is connected to the.

以上のような構成になる本実施例の装置では、
まず、3相交流電源の負荷への供給を接断制御す
るものとして半導体を用いた3相SSRを構成した
ので、接点の摩耗による寿命低下の問題を解消で
きる。
In the device of this embodiment having the above configuration,
First, since a 3-phase SSR using semiconductors is configured to control the supply of 3-phase AC power to the load, it is possible to solve the problem of reduced lifespan due to contact wear.

また本装置では、半導体主素子回路の各種の配
線をパターン化したので、組立作業が大変簡単で
ある。ところでこのように配線をパターン化した
場合、2つのサイリスタの配置との関係上、ゲー
ト補助回路の一方は必ず渡り線(ジヤンパ線)で
サイリスタと接続する必要があり、全ての半導体
主素子回路についてこのような渡り線を接続する
と、部品点数が多くなつてコスト高になるととも
に、組立作業が煩雑になる。しかるに本装置で
は、サイリスタのアノード・カソード接続板の一
部を延ばしてこれをゲート補助回路に接続してい
るので、部品点数が増大することはなく、コスト
的にも有利であり、さらには渡り線を接続する場
合に比して組立作業が簡単である。
Furthermore, in this device, the various wirings of the semiconductor main element circuit are patterned, so assembly work is very easy. By the way, when wiring is patterned in this way, one of the gate auxiliary circuits must be connected to the thyristor with a crossover wire (jumper wire) due to the arrangement of the two thyristors, and this applies to all semiconductor main element circuits. Connecting such crossover wires increases the number of parts, which increases costs and complicates assembly work. However, in this device, a part of the anode/cathode connection plate of the thyristor is extended and connected to the gate auxiliary circuit, so the number of parts does not increase and it is advantageous in terms of cost. Assembly work is simpler than when connecting wires.

〔考案の効果〕[Effect of idea]

以上のように本考案によれば、3つの半導体主
素子回路により3相SSRを構成したので、従来の
電磁開閉器のような短寿命という問題を解消でき
るばかりでなく、該3相SSRにおいて、サイリス
タのアノード・カソード間を立体的に形成された
2つの接続板で接続し、この接続板の一部を延長
してゲート補助回路に接続するようにしたので、
部品点数が少なく、コスト的に有利であり、しか
も組立作業が大変簡単であるという効果がある。
As described above, according to the present invention, a three-phase SSR is configured with three semiconductor main element circuits, which not only solves the problem of short lifespan of conventional electromagnetic switches, but also enables the three-phase SSR to The anode and cathode of the thyristor are connected by two three-dimensionally formed connection plates, and a part of this connection plate is extended to connect to the gate auxiliary circuit.
It has a small number of parts, is advantageous in terms of cost, and has the advantage of being very easy to assemble.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の単相SSRの半導体主素子回路の
回路構成図、第2図は本考案の一実施例による3
相SSRの使用状態における電源及び負荷との接続
関係を示す回路図、第3図及び第4図は上記3相
SSRの平面図及び側面図、第5図は上記3相SSR
における絶縁基板表面のパターンを示す図、第6
図は上記3相SSRにおける半導体主素子回路の斜
視図、第7図は上記半導体主素子回路の分解斜視
図である。 6……半導体主素子回路、12,13……サイ
リスタ、15……カソード、16……アノード、
17,18……ゲート補助回路、24,25……
接続板。なお図中同一符号は同一又は相当部分を
示す。
Figure 1 is a circuit configuration diagram of a conventional single-phase SSR semiconductor main element circuit, and Figure 2 is a circuit diagram of a semiconductor main element circuit of a conventional single-phase SSR.
Figures 3 and 4 are circuit diagrams showing the connection relationship with the power supply and load when the phase SSR is in use.
The top view and side view of the SSR, Figure 5 is the 3-phase SSR mentioned above.
Figure 6 showing the pattern on the surface of the insulating substrate in
The figure is a perspective view of the semiconductor main element circuit in the three-phase SSR, and FIG. 7 is an exploded perspective view of the semiconductor main element circuit. 6... Semiconductor main element circuit, 12, 13... Thyristor, 15... Cathode, 16... Anode,
17, 18... Gate auxiliary circuit, 24, 25...
connection plate. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 絶縁基板上に配設され、相互に逆並列接続され
た2個のサイリスタの3つの組からなり3相交流
電源の負荷への供給を接断する3相ソリツドステ
ートリレー本体と、 上記サイリスタのカソードおよびゲートにその
アノードおよびカソードが接続されたダイオード
と該ダイオードと相互に並列に接続された抵抗か
らなるゲート補助回路とを備え、 上記各接続が上記絶縁基板上に形成された導体
パターン上に行なわれ、 かつ上記サイリスタのそれぞれのアノード端子
が上記導体パターンに接続された3相ソリツドス
テートリレーにおいて、 上記逆並列された一方のサイリスタのアノード
端子と他方のサイリスタのカソードの間および一
方のサイリスタのカソードと他方のサイリスタの
アノードとの間をそれぞれ接続する、立体的に形
成された2つの接続板を備え、 一方の接続板はその一部が上記ゲート補助回路
に接続されていることを特徴とする3相ソリツド
ステートリレー。
[Claims for Utility Model Registration] A three-phase solid that is arranged on an insulating substrate and consists of three sets of two thyristors connected in antiparallel to each other, and that disconnects and disconnects the supply of three-phase AC power to a load. a state relay main body; a gate auxiliary circuit consisting of a diode whose anode and cathode are connected to the cathode and gate of the thyristor; and a resistor connected in parallel with the diode, each connection being made on the insulating substrate. In a three-phase solid state relay, the anode terminal of one thyristor and the other thyristor arranged in antiparallel are connected to the conductor pattern formed on the conductor pattern, and the anode terminal of each of the thyristors is connected to the conductor pattern. and between the cathodes of one thyristor and the anode of the other thyristor, and one of the connection plates has a portion connected to the gate auxiliary circuit. A three-phase solid state relay characterized in that it is connected to.
JP14001383U 1983-09-08 1983-09-08 3 phase solid state relay Granted JPS6047339U (en)

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JPS6047339U JPS6047339U (en) 1985-04-03
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2643413B2 (en) * 1989-02-08 1997-08-20 富士電機株式会社 Multi-phase contactless contactor
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012545A (en) * 1973-06-08 1975-02-08
JPS5868320A (en) * 1981-10-19 1983-04-23 Toshiba Corp Solid-state relay device for alternating current

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012545A (en) * 1973-06-08 1975-02-08
JPS5868320A (en) * 1981-10-19 1983-04-23 Toshiba Corp Solid-state relay device for alternating current

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