JPH0474007A - Buffer amplifier - Google Patents

Buffer amplifier

Info

Publication number
JPH0474007A
JPH0474007A JP2186168A JP18616890A JPH0474007A JP H0474007 A JPH0474007 A JP H0474007A JP 2186168 A JP2186168 A JP 2186168A JP 18616890 A JP18616890 A JP 18616890A JP H0474007 A JPH0474007 A JP H0474007A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistor
input
operational amplifier
bias current
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2186168A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Arai
実 新井
Yukihiro Kato
加藤 之博
Hitoshi Ishii
仁 石井
Masahiro Otaka
大高 正浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Iwatsu Electric Co Ltd
Original Assignee
Iwatsu Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Iwatsu Electric Co Ltd filed Critical Iwatsu Electric Co Ltd
Priority to JP2186168A priority Critical patent/JPH0474007A/en
Publication of JPH0474007A publication Critical patent/JPH0474007A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To realize a highly accurate and broad band buffer amplifier by connecting 1st, 2nd bipolar transistors(TRs), resistors, capacitors, an operational amplifier and diodes as specified between power terminals whose polarity is opposite to each other. CONSTITUTION:A 1st npn element Q1 acts like a main amplifier element. A 2nd pnp element Q2 acts like a bias current (DC component) supply circuit for the element Q1. An operational amplifier 5 acts like a bias voltage generating circuit to supply an input bias current (DC component). A resistor R1 is used for an input resistor, a resistor R2 is an input bias current detection resistor and a resistor R3 is a resistor being a component of an emitter follower. Even when a bias current or a DC component through an input terminal 1 is small, a bias current or a DC component corresponding thereto is supplied to the element Q1 by the operational amplifier 5 and the element Q2. Through the constitution above, the input static capacitance is decreased to decrease the input bias current and the broad band buffer amplifier is realized.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、計測器の入力回路等に使用するための高精度
、広帯域なバッファ増幅器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a high-precision, wide-band buffer amplifier for use in input circuits of measuring instruments, etc.

[従来の技術] 計測器の入力信号増幅回路には、高入力インピーダンス
、低雑音、広いダイナミックレンジ等の性能が要求され
る。従って、この種の入力信号増幅回路には、例えば米
国特許箱4.495,471号公報に示されているよう
に電界効果トランジスタ(FET)の増幅回路が広く使
用されている。
[Prior Art] Input signal amplification circuits for measuring instruments are required to have performances such as high input impedance, low noise, and wide dynamic range. Therefore, as this type of input signal amplification circuit, a field effect transistor (FET) amplification circuit is widely used, as shown in, for example, US Pat. No. 4,495,471.

[発明が解決しようとする課題] ところで、FET増幅回路は、高入力抵抗を得ることが
できるという特長を有する反面、!・イポーラトランジ
スタのベース・エミッタ間の浮遊容量(ストレーキャパ
シタ)に比べてゲート・ラス間の浮遊容量が大きいとい
う欠点及び広い温度範囲にわたってゲート・ソース間電
圧VGSを安定化させることが難しいという欠点を有す
る。前述の米国特許箱4.495.471号によれば温
度補償(安定化)は達成されるが、高周波特性の改善は
達成されない。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, while the FET amplifier circuit has the advantage of being able to obtain a high input resistance, it has the following drawbacks!・The disadvantage is that the stray capacitance between the gate and the lath is larger than the stray capacitance (stray capacitance) between the base and emitter of a polar transistor, and the disadvantage that it is difficult to stabilize the gate-source voltage VGS over a wide temperature range. has. According to the aforementioned US Pat. No. 4,495,471, temperature compensation (stabilization) is achieved, but improvement in high frequency characteristics is not achieved.

そこで、本発明の目的は、入力静電容量を小さくするこ
とができると共に入力バイアス電流を小さくすることが
できる広帯域バッファ増幅器を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a wideband buffer amplifier that can reduce input capacitance and input bias current.

[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するための本発明は、実施例を示す図面
の符号を参照して説明すると、入力端子1と、第1の極
性の第1の電源端子3と、前記第1の極性と逆の第2の
極性の第2の電源端子4と、入力端子1とグランドとの
間に接続された第1の抵抗R1と、ベースが第2の抵抗
R2を介して前記入力端子1に接続され、コレクタが前
記第1の電源端子3に接続され、エミッタが第3の抵抗
R8を介して前記第2の電源端子4に接続されている第
1のバイポーラトランジスタQ1と、前記第1のバイポ
ーラトランジスタQ1のエミッタに接続された出力端子
2と、前記第2の抵抗R2に並列に接続された第1のコ
ンデンサC1と、演算増幅器5と、前記入力端子1と前
記演算増幅器5の一方の入力端子との間に接続された第
4の抵抗R4と、前記第1のバイポーラトランジスタQ
1のベースと前記演算増幅器5の他方の入力端子との間
に接続された第5の抵抗R5と、前記演算増幅器の前記
他方の入力端子とその出力端子との間に接続された第2
のコンデンサC2と、エミッタが第6の抵抗R6を介し
て前記第1の電源端子3に接続され、コレクタが前記第
1のトランジスタQlのベースに接続され、且つ前記第
1のバイポーラトランジスタQl  (例えばNPN 
トランジスタ)と反対の導電型式(例えばPNP型)を
有している第2のバイポーラトランジスタQ2と、前記
演算増幅器5の出力端子と前記第2のバイポーラトラン
ジスタQ2のエミッタとの間に接続された第7の抵抗R
7と、トランジスタQ2のベースと前記第1の電源端子
3との間に接続されたバイアス用の第8の抵抗R8と、
前記第2のバイポーラトランジスタQ2のベースとグラ
ンドとの間に接続されたバアス用の第9の抵抗R9とか
ら成るバッファ増幅器に係わるものである。
[Means for Solving the Problems] To achieve the above object, the present invention will be described with reference to the reference numerals in the drawings showing the embodiments. , a second power supply terminal 4 with a second polarity opposite to the first polarity, a first resistor R1 connected between the input terminal 1 and the ground, and a second resistor R2 whose base is a first bipolar transistor whose collector is connected to the first power supply terminal 3 and whose emitter is connected to the second power supply terminal 4 through a third resistor R8; Q1, an output terminal 2 connected to the emitter of the first bipolar transistor Q1, a first capacitor C1 connected in parallel to the second resistor R2, an operational amplifier 5, and the input terminal 1. a fourth resistor R4 connected between one input terminal of the operational amplifier 5 and the first bipolar transistor Q;
1 and the other input terminal of the operational amplifier 5; and a second resistor R5 connected between the other input terminal of the operational amplifier and its output terminal.
capacitor C2, the emitter of which is connected to the first power supply terminal 3 via a sixth resistor R6, the collector of which is connected to the base of the first transistor Ql, and the first bipolar transistor Ql (e.g. NPN
a second bipolar transistor Q2 having the opposite conductivity type (e.g. PNP type) as the transistor) and a second bipolar transistor Q2 connected between the output terminal of the operational amplifier 5 and the emitter of the second bipolar transistor Q2. 7 resistance R
7, and an eighth bias resistor R8 connected between the base of the transistor Q2 and the first power supply terminal 3;
This relates to a buffer amplifier comprising a ninth resistor R9 for biasing connected between the base of the second bipolar transistor Q2 and the ground.

[作 用] 上記発明において、第1のバイポーラトランジスタQ[
は主増幅素子として機能する。第2のバイポーラトラン
ジスタQ2は第1のバイポーラトランジスタQ1のバイ
アス電流(直流分)供給回路として働く。演算増幅器5
は入力バイアス電流(直流分)に対応したバイアス電圧
発生回路として機能する。第1の抵抗R1は入力抵抗、
第2の抵抗R2は入力バイアス電流検出抵抗、第3の抵
抗R3はエミッタホロワを形成する抵抗として機能する
。入力端子1におけるバイアス電流又は直流分が小さく
ても、これに対応したバイアス電流又は直流分を演算増
幅器5と第2のバイポーラトランジスタQ2とによって
第1のバイポーラトランジスタQ1に供給することがで
きる。
[Function] In the above invention, the first bipolar transistor Q[
functions as the main amplification element. The second bipolar transistor Q2 functions as a bias current (DC component) supply circuit for the first bipolar transistor Q1. operational amplifier 5
functions as a bias voltage generation circuit corresponding to the input bias current (DC component). The first resistor R1 is an input resistor,
The second resistor R2 functions as an input bias current detection resistor, and the third resistor R3 functions as a resistor forming an emitter follower. Even if the bias current or DC component at the input terminal 1 is small, a corresponding bias current or DC component can be supplied to the first bipolar transistor Q1 by the operational amplifier 5 and the second bipolar transistor Q2.

[実施例コ 次に、図面を参照して本発明の実施例に係わるバッファ
増幅器を説明する。
[Embodiment] Next, a buffer amplifier according to an embodiment of the present invention will be explained with reference to the drawings.

このバッファ増幅器は、入力端子1と、出力端子2と、
正の直流電圧十Vを供給するための第1の電源端子3と
、負の直流電圧−■を供給するための第2の電源端子4
と、第1及び第2のバイポーラトランジスタQl、Q2
(以下、単に第1及び第2のトランジスタと言う)と、
演算増幅器5と、第1〜第9の抵抗R1〜R9と、第1
及び第2のコンデンサC1,C2と、第1〜第6のダイ
オードDl〜D6とから成る。
This buffer amplifier has an input terminal 1, an output terminal 2,
A first power supply terminal 3 for supplying a positive DC voltage of 10 V, and a second power supply terminal 4 for supplying a negative DC voltage -■
and first and second bipolar transistors Ql, Q2
(hereinafter simply referred to as the first and second transistors),
The operational amplifier 5, the first to ninth resistors R1 to R9, and the first
and second capacitors C1 and C2, and first to sixth diodes D1 to D6.

各部の接続関係を説明すると、入力端子1とグランド(
共通端子又は基準端子)との間には入力抵抗として第1
の抵抗R1が接続されている。NPN形(第1の導電型
)の第1のトランジスタQlのベースは第2の抵抗R2
と第1のコンデンサC1との並列回路を介して入力端子
1に接続され、コレクタは第1の電源端子3に接続され
、エミッタは第3の抵抗R3を介して第2の電源端子4
に接続されている。出力端子2は第1のトランジスタQ
1のエミッタに接続されている。従って、第1のトラン
ジスタQ1はエミッタホロワ増幅回路として機能する。
To explain the connection relationship of each part, input terminal 1 and ground (
(common terminal or reference terminal) as an input resistor.
A resistor R1 is connected. The base of the first NPN type (first conductivity type) transistor Ql is connected to the second resistor R2.
and a first capacitor C1, the collector is connected to the first power supply terminal 3, and the emitter is connected to the second power supply terminal 4 through a third resistor R3.
It is connected to the. Output terminal 2 is the first transistor Q
1 emitter. Therefore, the first transistor Q1 functions as an emitter follower amplifier circuit.

演算増幅器5の一方の入力端子(非反転入力端子)は第
4の抵抗R4を介して入力端子1に接続され、その他方
の入力端子(反転入力端子)は第5の抵抗R5を介して
第1のトランジスタQ1のベースに接続され、その一方
の電源端子5cは第1の電源端子3に接続され、その他
方の電源端子5dは第2の電源端子4に接続されている
。第2のコンデンサC2は演算増幅器5の他方の入力端
子5bと出力端子5eとの間に接続され、積分用コンデ
ンサとして機能する。
One input terminal (non-inverting input terminal) of the operational amplifier 5 is connected to the input terminal 1 via the fourth resistor R4, and the other input terminal (inverting input terminal) is connected to the input terminal 1 via the fifth resistor R5. One of the power supply terminals 5c is connected to the first power supply terminal 3, and the other power supply terminal 5d is connected to the second power supply terminal 4. The second capacitor C2 is connected between the other input terminal 5b and the output terminal 5e of the operational amplifier 5, and functions as an integrating capacitor.

PNP型(第2の導電型)の第2のトランジスタQ2の
エミッタは第6の抵抗R6を介して第1の電源端子3に
接続されていると共に電圧−電流変換用の第7の抵抗R
7を介して演算増幅器5の出力端子5eに接続され、そ
のコレクタは第1のトランジスタQ1のベースに接続さ
れ、そのベースは第8及び第9の抵抗R8、R9から成
るベースバイアス回路に接続されている。なお、ベース
バイアス回路を構成する第8の抵抗R8は第2のトラン
ジスタQ2のベースと第1の電源端子3との間に接続さ
れ、第9の抵抗R9は第2のトランジスタQ2のベース
とグランドとの間に接続されている。従って、第8及び
第9の抵抗R8、R9によって分割された電圧が第2の
トランジスタQ2のベースに与・えられる。
The emitter of the PNP type (second conductivity type) second transistor Q2 is connected to the first power supply terminal 3 via a sixth resistor R6, and is connected to a seventh resistor R for voltage-current conversion.
7 to the output terminal 5e of the operational amplifier 5, its collector is connected to the base of the first transistor Q1, and its base is connected to a base bias circuit consisting of eighth and ninth resistors R8 and R9. ing. Note that the eighth resistor R8 constituting the base bias circuit is connected between the base of the second transistor Q2 and the first power supply terminal 3, and the ninth resistor R9 is connected between the base of the second transistor Q2 and the ground. is connected between. Therefore, the voltage divided by the eighth and ninth resistors R8 and R9 is applied to the base of the second transistor Q2.

第1のトランジスタQ1のベースとグランドとの間に接
続された第1〜第6のダイオードD1〜D6は演算増幅
器5の動作電圧範囲の電位が得られるように第1のトラ
ンジスタQ1のベース電位をクランプするものであり、
この内の第1〜第3のダイオードD1〜D3はグランド
から第1のトランジスタQ1のベースに向って電流が流
れることを許す極性を有して互いに直列に接続され、第
4〜第6のダイオードD 4〜D6は第1〜第3のダイ
オードDl、−D3に対して逆の方向性を有して互いに
直列に接続されている。
The first to sixth diodes D1 to D6 connected between the base of the first transistor Q1 and the ground adjust the base potential of the first transistor Q1 so that a potential within the operating voltage range of the operational amplifier 5 is obtained. It is to be clamped,
Of these, the first to third diodes D1 to D3 are connected in series with each other with polarities that allow current to flow from the ground toward the base of the first transistor Q1, and the fourth to sixth diodes D4 to D6 are connected in series with each other with directionality opposite to that of the first to third diodes Dl and -D3.

[動 作] 入力端子1に信号源eを接続すると、信号電流(交流分
)Is及びトランジスタQ1のベース電流によるバイア
ス電流(直流分)Iblが入力端子1と、第2の抵抗R
2と、第1のトランジスタQlのベース・エミッタ間と
、第3の抵抗R3と、第2の電源端子4とから成る回路
に流れる。
[Operation] When the signal source e is connected to the input terminal 1, the signal current (AC component) Is and the bias current (DC component) Ibl due to the base current of the transistor Q1 are connected to the input terminal 1 and the second resistor R.
2, between the base and emitter of the first transistor Ql, the third resistor R3, and the second power supply terminal 4.

ところで、本発明に従う回路では、第1のトランジスタ
Q1のバイアス電流Ibの全部を第2の抵抗R2を通し
て供給することが不要である。第1のトランジスタQ1
のバイアス電mIbの大部分は第2のトランジスタQ2
を通して供給される。
By the way, in the circuit according to the present invention, it is not necessary to supply the entire bias current Ib of the first transistor Q1 through the second resistor R2. first transistor Q1
Most of the bias current mIb of the second transistor Q2
supplied through.

従って、第1の抵抗R1及び第2の抵抗R2に流れる電
流1 blはほぼ零となる。これは入力端子1から見た
トランジスタQl側の入力抵抗が等価的に大きいことを
意味する。
Therefore, the current 1 bl flowing through the first resistor R1 and the second resistor R2 becomes approximately zero. This means that the input resistance on the transistor Ql side as viewed from the input terminal 1 is equivalently large.

第2の抵抗R2を通ってバイアス電流Iblが流れると
、第2の抵抗R2にR21blの電圧降下が発生し、こ
れが演算増幅器5の入力となる。本実施例の回路におけ
る演算増幅器5として高周波特性が特別に優れている特
別な演算増幅器を使用する必要がない。即ち、演算増幅
器5は第1のトランジスタQ1のバイアス電流(直流電
流)の形成に関与するのみであるから、高周波特性が特
別に優れている必要がなく、初段にFETの差動増幅器
を含んでいる市販の汎用演算増幅器にすることができる
。演算増幅器5は高入力インピーダンスを有するので、
これを接続しても入力端子1から見た入力インピーダン
スは実質的に低下しない。
When the bias current Ibl flows through the second resistor R2, a voltage drop of R21bl occurs across the second resistor R2, and this becomes an input to the operational amplifier 5. There is no need to use a special operational amplifier with particularly excellent high frequency characteristics as the operational amplifier 5 in the circuit of this embodiment. That is, since the operational amplifier 5 is only involved in forming the bias current (DC current) of the first transistor Q1, there is no need for it to have particularly excellent high frequency characteristics, and it is not necessary to include an FET differential amplifier in the first stage. It can be a commercially available general-purpose operational amplifier. Since the operational amplifier 5 has a high input impedance,
Even if this is connected, the input impedance seen from the input terminal 1 does not substantially decrease.

演算増幅器5は積分コンデンサC2を有しており、且つ
積分コンデンサC2は入力周波数特性改善即ち高周波バ
イパス用コンデンサC1よりも十分に大きな静電容量を
有しているので、第2の抵抗R2を流れる信号成分Is
の変化に追従して演算増幅器5の出力電圧が実質的に変
化しない。
The operational amplifier 5 has an integrating capacitor C2, and since the integrating capacitor C2 has a sufficiently larger capacitance than the capacitor C1 for input frequency characteristic improvement, that is, high frequency bypass, the current flows through the second resistor R2. Signal component Is
The output voltage of the operational amplifier 5 does not substantially change following the change in .

演算増幅器5は第2の抵抗R2の電圧R2Ibiの変化
に対応した出力電圧を発生する。演算増幅器5の出力電
圧は第7の抵抗R7て電圧−電流変換される。第2の抵
抗R2を流れるバイアス電流ibtに対応した第7の抵
抗R7の電流は第2のトランジスタQ2を通って第1の
トランジスタQ1のベースに流れ込む。第2のトランジ
スタQ2を通って第1のトランジスタQ1に流れるバイ
アス電流1b2は外部バイアス電流と考えることができ
る。
The operational amplifier 5 generates an output voltage corresponding to a change in the voltage R2Ibi of the second resistor R2. The output voltage of the operational amplifier 5 is subjected to voltage-to-current conversion by the seventh resistor R7. A current in the seventh resistor R7 corresponding to the bias current ibt flowing through the second resistor R2 flows into the base of the first transistor Q1 through the second transistor Q2. The bias current 1b2 flowing to the first transistor Q1 through the second transistor Q2 can be considered as an external bias current.

上述から明らかなように、演算増幅器5は、トランジス
タQ1のベース電流1bによる抵抗R2の端子間電圧を
なくするようにループを構成しているので、バイポーラ
トランジスタを使用しているのにも拘らず、高入力イン
ピーダンス又はこれと等価なバッファ増幅器を提供する
ことができる。
As is clear from the above, the operational amplifier 5 has a loop configured to eliminate the voltage between the terminals of the resistor R2 due to the base current 1b of the transistor Q1, so even though it uses a bipolar transistor, , a high input impedance or equivalent buffer amplifier can be provided.

また、Qlに入力容量の小さい高周波トランジスタを使
用することで高周波特性の良い増幅器を提供することが
できる。要するに、この増幅器は、FET増幅器の長所
とバイポーラトランジスタ増幅器の長所との両方を備え
ることかできる。
Further, by using a high frequency transistor with a small input capacitance for Ql, it is possible to provide an amplifier with good high frequency characteristics. In short, this amplifier can have the advantages of both FET amplifiers and bipolar transistor amplifiers.

[発明の効果] 本発明によれば、高周波特性及び直流特性の両方に優れ
たバッファ増幅器を提供することができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, it is possible to provide a buffer amplifier that is excellent in both high frequency characteristics and DC characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面は本発明の実施例に係わるバッファ増幅器を示す回
路図である。 1・・・入力端子、2・・・出力端子、3,4・・・電
源端子、5・・・演算増幅器、Ql・・・第1のトラン
ジスタ、Q2・・・第2のトランジスタ、R1−R9・
・・抵抗、C1,C2・・・コンデンサ、DI−Dl!
・・・ダイオード。
The drawing is a circuit diagram showing a buffer amplifier according to an embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Input terminal, 2... Output terminal, 3, 4... Power supply terminal, 5... Operational amplifier, Ql... First transistor, Q2... Second transistor, R1- R9・
...Resistor, C1, C2...Capacitor, DI-Dl!
···diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 [1]入力端子(1)と、 第1の極性の第1の電源端子(3)と、 前記第1の極性と逆の第2の極性の第2の電源端子(4
)と、 入力端子(1)とグランドとの間に接続された第1の抵
抗(R1)と、 ベースが第2の抵抗(R2)を介して前記入力端子(1
)に接続され、コレクタが前記第1の電源端子(3)に
接続され、エミッタが第3の抵抗(R3)を介して前記
第2の電源端子(4)に接続されている第1のバイポー
ラトランジスタ(Q1)と、 前記第1のバイポーラトランジスタ(Q1)のエミッタ
に接続された出力端子(2)と、前記第2の抵抗(R2
)に並列に接続された第1のコンデンサ(C1)と、 演算増幅器(5)と、 前記入力端子(1)と前記演算増幅器(5)の一方の入
力端子との間に接続された第4の抵抗(R4)と、 前記第1のバイポーラトランジスタ(Q1)のベースと
前記演算増幅器(5)の他方の入力端子との間に接続さ
れた第5の抵抗(R5)と、前記演算増幅器(5)の前
記他方の入力端子とその出力端子との間に接続された第
2のコンデンサ(C2)と、 エミッタが第6の抵抗(R6)を介して前記第1の電源
端子(3)に接続され、コレクタが前記第1のトランジ
スタ(Q1)のベースに接続され、且つ前記第1のバイ
ポーラトランジスタ(Q1)と反対の導電型式を有して
いる第2のバイポーラトランジスタ(Q2)と、 前記演算増幅器(5)の出力端子と前記第2のバイポー
ラトランジスタ(Q2)のエミッタとの間に接続された
第7の抵抗(R7)と、 前記第2のバイポーラトランジスタ(Q2)のベースと
前記第1の電源端子(3)との間に接続されたバイアス
用の第8の抵抗(R8)と、前記第2のバイポーラトラ
ンジスタ(Q2)のベースとグランドとの間に接続され
たバイアス用の第9の抵抗(R9)と から成るバッファ増幅器。
[Claims] [1] An input terminal (1), a first power terminal (3) of a first polarity, and a second power terminal (3) of a second polarity opposite to the first polarity. 4
), a first resistor (R1) connected between the input terminal (1) and ground, and a base connected to the input terminal (1) via the second resistor (R2).
), whose collector is connected to the first power supply terminal (3) and whose emitter is connected to the second power supply terminal (4) via a third resistor (R3); a transistor (Q1), an output terminal (2) connected to the emitter of the first bipolar transistor (Q1), and a second resistor (R2).
); a first capacitor (C1) connected in parallel to the operational amplifier (5); and a fourth capacitor (C1) connected between the input terminal (1) and one input terminal of the operational amplifier (5). a fifth resistor (R5) connected between the base of the first bipolar transistor (Q1) and the other input terminal of the operational amplifier (5); 5), a second capacitor (C2) connected between the other input terminal and its output terminal; and an emitter connected to the first power supply terminal (3) via a sixth resistor (R6). a second bipolar transistor (Q2) connected to the base of the first bipolar transistor (Q1), the collector of which is connected to the base of the first bipolar transistor (Q1); a seventh resistor (R7) connected between the output terminal of the operational amplifier (5) and the emitter of the second bipolar transistor (Q2); an eighth bias resistor (R8) connected between the first power supply terminal (3) and the second bias resistor (R8) connected between the base of the second bipolar transistor (Q2) and the ground; 9 resistors (R9).
JP2186168A 1990-07-13 1990-07-13 Buffer amplifier Pending JPH0474007A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2186168A JPH0474007A (en) 1990-07-13 1990-07-13 Buffer amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2186168A JPH0474007A (en) 1990-07-13 1990-07-13 Buffer amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0474007A true JPH0474007A (en) 1992-03-09

Family

ID=16183584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2186168A Pending JPH0474007A (en) 1990-07-13 1990-07-13 Buffer amplifier

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0474007A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005184628A (en) * 2003-12-22 2005-07-07 Yokogawa Electric Corp Input circuit
CN102364851A (en) * 2011-10-24 2012-02-29 无锡芯朋微电子有限公司 Circuit converting high-voltage power supply into low-voltage power supply for enabling zero switching current of chip

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005184628A (en) * 2003-12-22 2005-07-07 Yokogawa Electric Corp Input circuit
CN102364851A (en) * 2011-10-24 2012-02-29 无锡芯朋微电子有限公司 Circuit converting high-voltage power supply into low-voltage power supply for enabling zero switching current of chip

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6160450A (en) Self-biased, phantom-powered and feedback-stabilized amplifier for electret microphone
JP2795753B2 (en) Filter circuit for integrated circuit
JPH08250941A (en) Low-distortion differential amplifier circuit
JPS59181710A (en) Low voltage high accuracy voltage/current converter
US5081378A (en) Logarithmic amplifier
JPH08237054A (en) Gain variable circuit
JPH1022748A (en) Voltage current conversion circuit
US4779057A (en) Cascode amplifier with nonlinearity correction and improve transient response
JPS6315764B2 (en)
JPH0770935B2 (en) Differential current amplifier circuit
JPH0474007A (en) Buffer amplifier
US6734720B2 (en) Operational amplifier in which the idle current of its output push-pull transistors is substantially zero
US6339319B1 (en) Cascoded current mirror circuit
JPH0339928Y2 (en)
JP2681999B2 (en) Voltage follower circuit and voltage-current conversion circuit
JPH0652223U (en) Current-voltage converter
JPH03112214A (en) Voltage comparator
KR960011406B1 (en) Operational transconductance amp
JPH0198307A (en) Transistor amplifier
JP2626196B2 (en) Differential amplifier circuit
JPS6336745Y2 (en)
JPH0328580Y2 (en)
JP2759156B2 (en) Amplifier circuit
JP2520219Y2 (en) Power amplifier
JPH01168104A (en) Current mirror circuit