JPH0473930B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カイラルスメクテイツク液晶を用い
た電気光学装置に関する。

液晶は、色々のデイスプレイに使われており、
パネルが小型で薄く、さらに消費電力が少ない等
の優れた特性により、時計や計算器の表示に多く
使われている。これらのデイスプレイに利用され
ている液晶は、サーモトロピツク液晶であり、あ
る温度範囲で各種の液晶相をとる。この液晶相は
層構造の有無で、層をもたないネマチツク（Ｎと
略す）と層をもつスメクチツク（以下Smという）
に大別される。Smはさらに一軸性のスメクチツ
クＡ（SmA）と二軸性のスメクチツクＣ（SmC）
に分類される。

第１図に、Ｎ，SmA，SmCの分子配列を模式
的に示した。ａはＮ、ｂはSmA、ｃはSmCを示
す。

さらに、液晶分子が不斉炭素をもちラセミ体で
なければ、液晶相は捩れ構造をとるようになる。

Ｎでは、カイラルスメクテイツク（N^*）であ
り、SmCではカイラルスメクテイツクＣ（SmC^*）
である。

一般にSmC^*は、捩れ構造をとるだけでなく、
分子軸に垂直な方向にダイポールモーメントを持
ち、強誘電性を示す。

強誘電性液晶は、1975年Meyer（J.de.Phys.36，
1975，69）らにより合成されその存在が証明され
た。そのとき合成された液晶は通称DOBAMBC
（２−メチルブチルＰ−〔（Ｐ−ｎ−デシロキシベ
ンジリデン）アミノ〕）と呼ばれ、現在でも強誘
電性液晶の研究が盛んに使われている。

SmC^*の分子配列は、第２図のように模式的に
示す事ができる。

分子軸は、層の法線方向と角度θだけ傾き、こ
の角度はどの層でも一定である。

しかし、方位角φは層により少しづつ変化し、
分子配向は螺旋構造を生じている。

この螺旋のピツチは、液晶によつて異なるが通
常数μm程度が多い。

SmC^*を、1μm程度の薄いセルに注入すると、
螺旋構造が消失し、セル基板に層が垂直になつた
SmCの構造をとるようになる。

SmC^*液晶は、分子軸に垂直な電気双極子モー
メントを持つので、薄いセルの中では層に平行に
双極子モーメントが揃う事になる。ここに、電場
を上向き、下向きに印加すると、分子は層の法線
に対して、±θ傾いた位置をとる。

複屈折性を利用すれば、±θの２つの状態を明
暗に対応させ、デイスプレイなどの電気光学装置
として使う事ができる。

第３図に、２枚の偏光板を用いた従来の電気光
学装置の模式図を示す。

この駆動原理は、ClarkとLagerwall（Appl.
Phys Lett.36.899.1980）により発表された。

彼らは、さらにこの駆動原理は次のような特徴
を持つと主張した。

すなわち、 (1) μsecオーダの高速応答 (2) メモリー性 (3) 望ましい閾値特性 これらの特性のうち高速応答は、我々の観測に
おいても、μsecオーダの応答を示している。

また、電場を印加して±θいずれかの状態にし
た後、電場を切つてもその状態を維持するメモリ
ーは、彼らの主張通り存在している。

しかし、望ましい閾値特性は我々の観測では得
られなかつた。

我々のデータによると、Vth，Vsatは Vth＝500（mV） Vsat＝５（Ｖ） のような値を示した。

電圧平均化法等の駆動ではVsat＝5Vの電圧が
選択点にかかり、非選択点には500（mV）以下の
電圧が加わるように、時分割駆動する事は不可能
である。

本発明の目的は、SmC^*を利用した時分割駆動
する新しい原理と方法を示し、TN液晶では実現
できない範囲の多分割駆動を可能にする事にあ
る。

以下、実施例を示し、本発明の詳細について説
明する。

第４図は、SmC^*を利用したパネルの断面図の
一実施例を示す。

２枚の透明基板５の各内表面に走査電極と信号
電極を構成する透明電極７を形成し、シール部９
を介して、該基板間にスメクテイツク液晶８を封
入する。

通常のパネル構造と比較して、ギヤツプは、
2μm位であり、極めて薄い（4μm以下）。

また、二枚の偏光板のうち一枚は、第３図のよ
うに、±θどちらかの状態にある分子の分子軸方
向と偏光方向と一致させ、もう一枚は同様に分子
軸方向におくか、また90゜傾けて配置する。

このパネルに、充分高い直流電圧を加え、分子
を±θどちらかの状態にした後、交流を液晶に印
加した場合、第６図ｂに示す電圧を印加すると、
第６図ａに示す光学的透過率の変化を得る。

図からも明らかなように、交流を印加すると光
学的透過率は振動しながら中間状態に収束してい
く。第７図f₁，f₂，f₃は、印加電圧を一定にして、
保持期間の交流の周波数を高周波から低周波へ変
化させたときの光学的透過率の変化を示し、V₁，
V₂，V₃は、周波数を一定にして、保持期間の印
加電圧を低電圧から高電圧へ変化させたときの光
学的透過率の変化を示す。

第７図に示したように交流の周波数が高く、か
つ電圧が低いて光学的透過率の変化は少ない傾向
にある。言い換えれば、緩和時間が長くなる。

本発明は、直流電圧によつて強誘電性液晶分子
の安定状態を変化させ、その後交流電圧の印加に
より上記光学的変化の緩和時間が長くなり、液晶
分子はあたかも±θの状態に近い所で停止したよ
うになる。これを利用して表示等を行おうとする
ものである。

すなわち交流電圧が印加された分子は、第５図
のｂまたはb′を中心に振動しながら止まつている
と考えられる。この状態を利用して表示等を行う
事が本発明の駆動原理である。

この特性については、一軸配向処理をしたパネ
ルは、配向力が強くすぐに初期配向状態に戻つて
しまうが、PVAラビング（PVAとは、ポリビニ
ールアルコールをいう）などは配向力が比較的弱
く、交流電圧により表示状態を保持し良好な表示
を得ることができた。

実際の駆動では、液晶に印加される駆動波形の
一実施例は第１７図のａ，ｂのようになる。

これらの波形のうち選択された走査電極上の画
素のうち点灯（消灯か点灯は偏光板の偏向方向に
よつて異なるが、一応ここでは点灯する状態が第
１７図のａ波形によつて得られるとした。）する
画素に第１７図のａの波形が印加される。この時
の液晶分子の動きは、高い電圧Vapが印加された
時、第５図のａまたはa′の位置か、その位置に近
い位置まで動き、その後、正・負の振幅の等しい
交流電圧で、ｂまたはb′の位置で振動すると考え
られる。

この場合、駆動波形の周波数を選ぶには高い電
圧Vapで液晶分子がａ，a′の位置に充分動き得る
ように設定しなければならない。

また、第８図に示した応答時間と電圧との関係
が、線形であるから、電圧を高くとれば周波数は
高くとることができる。

そして、上記のように強誘電性液晶を反転させ
得る電圧を印加した後に印加する交流電圧の周波
数を高く、かつ、振幅を低くすればその液晶分子
の状態を安定に維持することができる。

駆動素子の種類、または表示の種類（例えば、
固定表示か動画表示）の違いによつて表示状態が
悪くならない範囲で適当な駆動周波数及び駆動電
圧Vapを設定すれば良い。

我々が実験に用いた駆動回路はCMOSであり、
20Vの駆動電圧Vapで駆動した。

CMOSの他に、FET、バイポーラトランジス
タ、TTL、VMOS等の回路素子により駆動する
事ができる。

第９図は、応答時間の温度変化を示している。

第９図、Tc−Ａ−Ｔ／℃は相転移温度Tcから
の温度差を単位℃で表し、τは応答時間を単位
msecで表している。

次に実際の駆動波形の実施例を示し、本発明を
さらに詳細に説明する。

液晶パネルの走査電極を駆動する走査電極駆動
回路と、信号電極駆動回路とに対して、次の４つ
の基本駆動波形が供給される。

φy……選択走査電極信号 ……非選択走査電極信号 φx……反転信号電極信号 ……非反転信号電極信号 走査電極駆動回路から液晶パネルの走査電極に
対して、上記φyとが組み合わされた走査信号
が線順次に供給される。信号電極駆動回路からは
上記走査信号と同期して、φxとが、表示デー
タに応じて選択されたデータ信号として、信号電
極へ印加される。

第１０図〜第１３図は、本発明の基本駆動波形
の一実施例である。

非選択時に、±1/3Vapの電圧が加わるように考
慮されている。

また、図中、ｌ及びｄのサフイツクスは、点灯
及び非点灯（偏光板の向きにより、ネガ及びポジ
どちらでも可）に対応した記号である。

実際の駆動では、点灯の走査と非点灯の走査を
交互に繰り返して表示し、第１０図乃至第１３図
のどちらのｌ又はｄの波形を利用してもよい。

第３３図から第３６図に第１０図から第１３図
の基本駆動波形により画素に印加される合成電圧
パルスの電圧波形をそれぞれ示す。

第１４図に示した駆動波形は、交流パルスによ
り駆動する基本駆動波形の他の実施例であり、第
３７図はこの駆動波形により画素に印加される合
成電圧パルスの電圧波形を示す。

第１５図は、第１０図と第１１図の波形を交互
に連続して、第１フレームにおいて点灯、第２フ
レームにおいて非点灯動作するように構成され
た、基本駆動波形を示し、第１６図は、第１４図
に基づく同様の基本駆動波形をそれぞれ示すもの
である。

第１７図は、前記点灯と非点灯を交互に行う駆
動法の場合の画素に印加される合成電圧パルスの
具体的波形を示した図である。

次に、第１０図に示される上記４つの基本的駆
動信号から、第１７図ａ，ｂに示される各画素へ
印加される駆動波形を導く。第３１図は、走査電
極１から５番目に順次印加される電圧波形図であ
る。第３１図の走査電極１の第１フレームにおけ
る期間τ₁₁においては、選択走査電極信号φyが印
加される。次に期間τ₁₂以後は、非選択走査電極
信号が印加される。この切り替えは、駆動回
路、または、走査電極駆動回路へ信号を出力する
制御回路によつて行うことができる。次に、走査
電極１の第２フレームにおけるτ₂₁において、選
択走査電極信号φyが印加され、期間τ₂₂以後は前
記と同様に非選択走査電極信号が印加される。
次に走査電極２においては、第１フレームの期間
τ₁₁において、非選択電極信号が印加され、次
の期間τ₁₂において選択電極信号φyが印加され、
以後再び非選択電極信号が印加される。第２
フレームにおいても同様に、、φy、の順
序で印加される。このようにして、走査電極に
は、順次走査信号が印加される。第３１図は、順
次印加される走査電極５まで記載しているが、さ
らに多数の走査電極を有する場合も同様である。

次に、走査電極と信号電極の交点に形成される
画素へ印加される駆動波形を第３２図によつて説
明する。第３２図Vyは第３１図の走査電極１の
信号波形を示す。第３２図φx、は、第１０図
に示される、反転信号電極信号φx、及び、非反
転信号電極信号と同じである。

従つて、φx−Vy、または−Vyは、信号電
極を基準とした画素へ印加される合成電圧パルス
となる。第３２図φx−Vyは画素が選択され、一
方の表示状態、例えば、暗状態を書き込む波形で
あり、−Vyは画素選択され、他方の表示状
態、例えば明状態を書き込む波形である。第３２
図のφx−Vyと−Vyは、第１７図ａ，ｂの波
形と等しい。

このようにして、第１０図に示す基本駆動信号
より、第１７図の画素へ印加される合成電圧パル
スを導くことができる。

本駆動法は、２フレームで黒白（点灯、非点
灯）を書き込む駆動法である。第１７図ａは、フ
レームに対応して変化する信号であり、例えば第
１フレームに対応した前半部の走査において、黒
が書き込まれ、第２フレームに対応した後半部の
走査において白が書き込まれる。

すなわち、第１フレームでは、表示情報に対応
した黒となるべき画素に、表示状態が黒になるよ
うな一方の安定状態に強誘電性液晶分子を反転さ
せる電圧を印加する。第２フレームでは、白とな
るべき残りの画素に、表示状態が白になるような
他方の安定状態に液晶分子を反転させる電圧を印
加して白とする。強誘電性液晶はメモリー性を有
しているため、上記２フレームによつて、画像は
完成する。

第１８図のｂは、第１走査線を選択する走査選
択信号である。第１７図の信号ａ，ｂは、第１８
図の信号ｂによつて選択された第１走査線上の画
素を、例えばａで黒、ｂで白とする場合の画素に
かかる電圧を示している。

第１８図の第２の信号ｂがHighレベルの時に、
黒（点灯）及び白（非点灯）が選択される。

第１９図〜第２４図は、それぞれ非選択時に選
択時の印加電圧Vapの1/4の電圧が印加する場合
の基本駆動波形を示し、第４０図から第４３図に
前記各図の基本駆動波形の組み合わせにより、画
素に印加される合成電圧パルスの電圧波形をそれ
ぞれ示すものである。

それぞれ、点灯にはｌ、非点灯にはｄのサフイ
ツクスを添付した。実際の駆動では、点灯・非点
灯信号列の任意の組み合わせで駆動できる。しか
し、この駆動では選択された走査電極上の画素の
うち、点灯画素の場合は非点灯時に、また非点灯
画素の場合は点灯時に1/2Vapの電圧がかかる。

第１０図〜第２４図の実施例は、非選択時に
Vapの±１／ａの正負の電圧が印加される駆動法
のうち、ａ＝３、ａ＝４についての実施例であ
り、一般に１／ａの正負の電圧が印加される駆動
方法も同様に考えられる。（但しａは任意の正の
数）。

このような駆動法によりTN型のLCDでは実現
できない多分割が可能になつた。大容量液晶装置
を簡易な単純マトリツクスで実現させ安価で高画
質なデイスプレイなどの電気光学装置を本発明に
より実現させる事ができる。

以上のような駆動波形によつてSmC^*を駆動し
た場合、光学的透過率は第２５図のようになる。

走査電極のうち選択された電極上の画素に、
正・負のVapが印加されると、液晶分子は第５図
のａまたはa′の位置、もしくはその位置に近い所
まで回転し、光学的にも明・暗ともに最高のレベ
ルに達する。

その後、印加される正・負に等しく振動する交
流パルスによつて、光学的透過率は振動しながら
減衰するが、減衰は正・負の等しい交流パルスが
印加された直後が最も大きく、その後はほとんど
変化がない。

分割数が多い場合は、走査電極が選択される時
間は短くなり、非選択の時間が大半を占める。

本発明の場合、走査電極群は間断なく選択され
る（ある走査電極の走査制御信号の立ち下がり時
に、次の走査電極の走査制御信号が立ち上がるよ
うに連続的に選択される）ため、分割数がｎの場
合、一走査時間はt₀とすると走査電極一本を選択
する時間t₁は t₁＝t₀／ｎ で表される。

また、選択されない時間t₂は、 t₂＝（Ｎ−１）t₀／ｎ である。

非選択時の交流パルスが印加されているときの
光学的透過率は、前述のように駆動しているが、
大きさはほとんど変化しない。

この状態が、走査時間中のほとんどを占めてい
るわけであるから、人間の眼にはこの状態の光学
的透過率が画素のコントラストとしてうつる。

よつて、分割数が多くても少なくても、コント
ラストは一定になる。

我々の測定では、現在256分割が駆動可能なパ
ネルにおいて、８分割〜256分割までコントラス
トは、あまり変化がなかつた。

SmC^*のこ現象は、TN型の液晶表示パネルが
分割数が多くなるにつれて選択点と非選択点の実
効電圧に差がなくなりコントラストが低下する事
に比べて、非常に多分割表示に適しているという
ことを示している。

SmC^*の応答が10μsecまで可能になるとすれ
ば、本発明における走査電極群は連続して選択さ
れるため、分割数は ｎ＝30000（μsec）／10×２（μsec）＝1500程度に
なる。

但し、30m secは一回の走査に必要な時間であ
る。また、分母の２は選択時間中に正・負の電圧
をとる事を示している。

今まで世の中で得られた最高スピードで液晶が
応答すると、1500分割程度のパネルが駆動でき、
また、前述のように1500分割と８分割でコントラ
ストの差が出ないようにする事が本発明の駆動法
で可能である。

ここで、コントラストについて本発明のもう一
つの優れた点について述べる。

セルギヤツプを1μm程度まで薄くすると、
SmC^*は螺旋構造を消失し、層がパネルの基板に
垂直になるように配列する。この事は、前にも述
べた通りである。

層が基板に垂直になるという事は、液晶分子が
基板に対して水平になるという事である。

この状態の分子は本発明による駆動方法で駆動
した場合、第５図のａ，a′に近いｂ，b′の状態に
あるから、分子は近似的に基板に水平であると考
えられる。

この状態を色々の視野で見ても、分子が基板に
対して水平であるからコントラストの変化はほと
んどない。

これに対し、TN型液晶表示パネルでは非点灯
（ポジ表示の場合）で液晶が完全に基板に対して
水平にならず、視角によつては立つているとみな
す事ができ、その結果クロストークが生じてしま
う。

これはいわゆる視角依存性として知られてい
る。SmC^*を用いた本発明による表示は、このよ
うな視角依存性がない。多分割が今までの常識を
一変させたのと同様に、コントラストに関しても
視野依存性がなく分割数によりコントラストが変
化しない等、画期的な特性を本発明によるSmC^*
を用いた電気光学装置は持つていると言える。さ
らに本発明による駆動波形の一実施例を第２６図
に示す。

この駆動波形は、前記第１０図から第２４図に
示した駆動波形等を、１回もしくは有限回走査を
し表示させた後、ハイインピーダンス状態（駆動
回路を切つた状態）にして表示を保持させた場合
の液晶にかかる電圧変化を示すものである。

第２６図では、ａは走査の部分を示し、ｂはハ
イインピーダンス状態を示す。

ハイインピーダンス状態にして第５図のｂ，
b′の位置に留まる事は、光学的透過率がハイイン
ピーダンスにしてもほとんど変化しない事から明
らかである。

このメモリー性は充分長く、表示が変化する時
にのみａの走査を行えば良い。

ハイインピーダンス状態における消費電力は、
ゼロであり省エネルギー型の駆動であり、また固
定表示等のあまり表示内容が変化しない画像表示
に最も適している。

この駆動と類似した駆動波形の一実施例を第２
７図に示す。

第２６図のハイインピーダンスを利用した駆動
法と同様に、１回もしくは有限回の走査を行つた
後、駆動周波数をあげて表示を保持させる。駆動
周波数をあげれば第７図に示されているように、
液晶分子の状態をより安定に保持することができ
る。

ハイインピーダンスによりメモリする第２６図
に示した駆動では、分子位置がハイインピーダン
スとなつて外部規制力がなくなつた時点から徐々
に初期配向状態に戻つていくのに比較して、メモ
リー性はさらに良くなる。ハイインピーダンスに
おける初期配向状態にもどる現象は配向力が強い
ほど大きく、また温度が高いほど大きい。

特に温度による影響が大きいので、第２７図の
ように駆動周波数をあげて表示を保持させる方が
確実である。

第２７図の駆動の場合、走査は通常どうり行い
駆動周波数をあげるだけで良い。また信号電極側
では、表示データをそのまま出力するか、点灯ま
たは非点灯のどちらかに定めておけば良い。

誘電異方性Δεが正の液晶であつても負の液晶
であつても、駆動周波数を上げることによつて分
子の状態をより安定に保持でき、その結果、画質
を向上させることができるのである。特に、負の
液晶を用いた場合には、高周波電圧の印加によつ
て液晶分子には分子をねかせるような誘電トルク
が加えられることになり、そのため、コントラス
トを向上させることができる効果もある。

次に第２７図に類似した駆動の一実施例を第２
８図に示す。

前述の第２７図の駆動と異なる点は１回もしく
は有限回の走査後、非選択時に印加される正・負
の電圧が等しい交流パルスと同じか、または異な
つた正・負の電圧が等しい交流パルスを印加する
事により表示状態を保持させる点にある。

第２８図では±1/3Vapの交流パルスがかかつ
た駆動波形を示している。

この実施例の場合、走査終了後走査電極及び信
号電極に印加される駆動波形は、第２９図に示し
たような位相の異なる振幅の等しい波形となる。

この場合、走査電極の走査は行わず、またデー
タの如何を問わず、第２９図の一方の波形を走査
電極へ、もう一方の波形を信号電極へ印加する。

第３０図は、有限回数走査後、ゼロボルトとす
る駆動法を用いた場合の液晶にかかる電圧の実施
例を示すものである。

以上説明してきたように、本発明によれば明状
態を書き込むフレーム走査と、暗状態を書き込む
フレーム走査とを交互に行うようにしたため、最
短では２フレーム走査ですべての情報を書き込む
ことができる。また、書き込まれた情報はフレー
ム走査後に高周波数の交流電圧を画素部に印加し
て保持するものである。

このように、SmC^*を利用した本発明による電
気光学装置は、従来の能動素子を用いないＸ−Ｙ
マトリツクス型の液晶素子の限界を打ち破る画期
的な液晶素子である。この素子を用いれば単純マ
トリツクスで多分割駆動できドライバーICの数
を大幅に減少でき、また、能動素子を用いない単
純なパネルであるから、安価な大容量液晶パネル
を実現する事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、Ｎ，SmA，SmCの分子配列の模式
図である。第２図は、SmC^*の螺旋軸のまわりの
分子配列と単一分子−状態を模式的に示した図で
ある。第３図は、基板方向からみた分子状態と従
来の表示原理を示した模式図である。第４図は、
本発明による電気光学装置の断面図である。第５
図は、本発明による電気光学装置における分子状
態を示した模式図である。第６図、第７図は、直
流電圧印加後ただちに交流パルス電圧を加えた場
合の光学的透過率の変化を示している。第８図
は、応答時間と印加電圧との関係を示した図であ
る。第９図は応答時間と温度との関係を示した図
である。第１０図〜第１３図は、非選択時に選択
電圧Vapの1/3の正負の交流パルスがかかる場合
の実施例である。第１４図は、第１０図〜第１３
図が極性が同じ波形であるのに対して信号が交流
パルスで構成されている実施例である。第１５図
および第１６図は、点灯走査・非点灯走査をまと
めた実際のφY，，φX，信号を、第１０
図，第１１図の組み合わせと、第１４図の場合に
おいて示した図である。第１７図は、第１０図〜
第１４図を用いた場合、実際に液晶間に印加され
る電圧を示している。第１８図は、その制御信号
を示した。第１９図〜第２４図は、非選択時に1/
４Vapの正負の交流パルスがかかる場合の実施例
である。第２５図は、駆動した場合の光学的透過
率の変化を示す。第２６図〜第２８図は、有限回
数の走査後フローテイング及び周波数を高くする
及び完全な交流パルスをかける駆動法を用いた場
合の液晶にかかる電圧の実施例である。第２９図
は、第２８図の有限回数の走査後、走査電極及び
信号電極に印加される波形を示している。第３０
図は、有限回数走査数、ゼロボルトとする駆動法
を用いた場合の液晶にかかる電圧の実施例であ
る。第３１図は走査電極に印加される走査信号を
示し、第３２図は走査信号とデータ信号との合成
により画素に印加される合成電圧パルスの波形を
示す実施例である。第３３図から第３７図は第１
０図から第１４図の基本駆動波形の組み合わせに
より画素に印加される合成電圧パルスを示す図で
ある。第３８図から第４３図は第１９図から第２
４図の基本駆動波形の組み合わせにより画素に印
加される合成電圧パルスを示す図である。 １……双極子モーメント、２……液晶分子、
３，４，５……偏向方向、６……電極、７……配
向膜、８……液晶、９……シール剤、１０……偏
光板、１１……液晶分子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面に複数の走査電極が形成された一方の基
   板と、複数の信号電極が形成された他方の基板と
   を、前記電極が対向するように平行に設置し、前
   記基板間隙にカイラルスメクテイツク液晶を挾持
   し、基板間隙をカイラルスメクテイツク液晶の螺
   旋ピツチ以下に制限し、前記２枚の基板を偏光板
   の間に設置し、前記走査電極と前記信号電極の各
   交差部において画素部を形成し、前記走査電極を
   線順次に選択して走査信号を供給し、前記走査電
   極に供給される走査信号と前記走査信号に同期し
   て前記信号電極に供給されるデータ信号との合成
   電圧パルスを前記画素部に印加して、カイラルス
   メクテイツク液晶の２つの安定な分子配列状態を
   いずれか一方へ反転させて明暗情報を書き込む強
   誘電性液晶電気光学装置において、 前記走査電極の選択期間において、前記データ
   信号中の明データに応じて、カイラルスメクテイ
   ツク液晶の動作電圧以上である一方の極性の合成
   電圧パルスを前記画素部に印加して明情報を書き
   込む第１のフレーム走査と、前記データ信号中の
   暗データに応じて、カイラルスメクテイツク液晶
   の動作電圧以上である他方の極性の合成電圧パル
   スを前記画素部に印加して暗情報を書き込む第２
   のフレーム走査とを、交互に行うとともに、 前記走査電極の非選択期間において、電圧パル
   スのおのおのがカイラルスメクテイツク液晶の動
   作電圧以下であり、かつ、一走査電極の走査期間
   内に極性を異にする交流電圧パルスを含む合成電
   圧パルスを各画素部に印加して、前記選択期間に
   書き込まれた情報を維持することを特徴とする強
   誘電性液晶電気光学装置。