JPH0472323A - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
- Publication number
- JPH0472323A JPH0472323A JP18462790A JP18462790A JPH0472323A JP H0472323 A JPH0472323 A JP H0472323A JP 18462790 A JP18462790 A JP 18462790A JP 18462790 A JP18462790 A JP 18462790A JP H0472323 A JPH0472323 A JP H0472323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- curing agent
- inorganic filler
- sealing
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 17
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QEZIKGQWAWNWIR-UHFFFAOYSA-N antimony(3+) antimony(5+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Sb+3].[Sb+5] QEZIKGQWAWNWIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical class [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- -1 esters and paraffins Chemical class 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- CAYGQBVSOZLICD-UHFFFAOYSA-N hexabromobenzene Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=C(Br)C(Br)=C1Br CAYGQBVSOZLICD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、耐湿性、半田耐熱性、成形性に優れた封止用
樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
(従来の技術)
近年、半導体、IA積回路の分野における高集積化、高
信頼性化の技術開発と同時に、半導体装置の実装工程の
自動化が推進されている。 例えば、フラットパッケー
ジ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合、従来は
リードビン毎に半田付けを行っていたが、最近は半導体
装置全体を250℃に加熱した半田浴に浸漬して、−度
に半田付けを行う方法が採用されている。
信頼性化の技術開発と同時に、半導体装置の実装工程の
自動化が推進されている。 例えば、フラットパッケー
ジ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合、従来は
リードビン毎に半田付けを行っていたが、最近は半導体
装置全体を250℃に加熱した半田浴に浸漬して、−度
に半田付けを行う方法が採用されている。
従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノールm脂およ
び無機質充填剤からなる樹脂組成物で封止した半導体装
!では、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿性か低下す
るという欠点がある。 特に吸湿した半導体装置を半田
浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チップあるいは封止
樹脂とフレームとの間に剥がれが生じ、著しい耐湿劣化
をおこし、電極の腐食による断線や水分によるリーク電
流を生じ、長期間の信頼性を保証することかできないと
いう欠点かある。 このため、耐湿性の影響が少なく、
半導体装!全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化の少ない
成形性のよい側圧用樹脂の開発が強く要望されていた。
び無機質充填剤からなる樹脂組成物で封止した半導体装
!では、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿性か低下す
るという欠点がある。 特に吸湿した半導体装置を半田
浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チップあるいは封止
樹脂とフレームとの間に剥がれが生じ、著しい耐湿劣化
をおこし、電極の腐食による断線や水分によるリーク電
流を生じ、長期間の信頼性を保証することかできないと
いう欠点かある。 このため、耐湿性の影響が少なく、
半導体装!全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化の少ない
成形性のよい側圧用樹脂の開発が強く要望されていた。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、上記の欠点を解消し、要望に応えるためにな
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性および半田耐熱性に優れた成形性のよい封止用
樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするも
のである。
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性および半田耐熱性に優れた成形性のよい封止用
樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするも
のである。
「発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ね
た結果、イミド環を有する芳香族硬化剤を配合すること
によって、半田浴浸漬後の耐湿性および半田耐熱性か向
上し、かつ成形性がよくなることを見いだし、本発明を
完成したものである。
た結果、イミド環を有する芳香族硬化剤を配合すること
によって、半田浴浸漬後の耐湿性および半田耐熱性か向
上し、かつ成形性がよくなることを見いだし、本発明を
完成したものである。
すなわち、本発明は、
(A)エポキシ樹脂、
(B)次の構造式で示されるイミド環を有する芳香族硬
化剤及び δ (目し、式中、nは0又は1を表す) (C)無機質充填剤 を必須成分とし、FM脂組成物に対して前記(C)の無
機質充填剤を25〜90重量%含有してなることを特徴
とする封止用樹脂組成物、およびその封止用樹脂組成物
の硬化物により、半導体装置を封止してなることを特徴
とする半導体封止装置である。
化剤及び δ (目し、式中、nは0又は1を表す) (C)無機質充填剤 を必須成分とし、FM脂組成物に対して前記(C)の無
機質充填剤を25〜90重量%含有してなることを特徴
とする封止用樹脂組成物、およびその封止用樹脂組成物
の硬化物により、半導体装置を封止してなることを特徴
とする半導体封止装置である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に用いる(A)エポキシ樹脂としては、その分子
中にエポキシ基を少なくとも2個有する化合物である限
り、分子構造、分子量など特に制限はなく、一般に封止
用材料として使用されているものを広く包含することが
できる。 例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シク
ロヘキサン誘導体等の脂環族系、さらに次の一般式で示
されるエポキシノボラック系の樹脂が挙げられる。
中にエポキシ基を少なくとも2個有する化合物である限
り、分子構造、分子量など特に制限はなく、一般に封止
用材料として使用されているものを広く包含することが
できる。 例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シク
ロヘキサン誘導体等の脂環族系、さらに次の一般式で示
されるエポキシノボラック系の樹脂が挙げられる。
(但し、式中R1は水素原子、ハロゲン原子又はアルキ
ル基を、R2は水素原子又はアルキル基を、nは1以上
の整数をそれぞれ表す) これらのエポキシ樹脂は単独もしくは2種以上混合して
用いることができる。
ル基を、R2は水素原子又はアルキル基を、nは1以上
の整数をそれぞれ表す) これらのエポキシ樹脂は単独もしくは2種以上混合して
用いることができる。
本発明に用いる(B)イミド環を有する芳香族硬化剤と
しては、前記の構造式を有するものであればよく、分子
量、構造等に制限はなく広く使用できる。 この芳香族
硬化剤は、それ単独でもよいが、ノボラック型フェノー
ル樹脂及びこれらの変性樹脂と併用することもできる。
しては、前記の構造式を有するものであればよく、分子
量、構造等に制限はなく広く使用できる。 この芳香族
硬化剤は、それ単独でもよいが、ノボラック型フェノー
ル樹脂及びこれらの変性樹脂と併用することもできる。
芳香族硬化剤の配合割合は、前述したエポキシ樹脂の
エポキシ基(a )と芳香族硬化剤又は芳香族硬化剤と
併用するノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水
酸基<b)との当量比[(a)/(b)コが0.1〜1
0の範囲内であることが望ましい、 当量比が0.1未
満もしくは10を超えると、耐湿性、成形作業性および
硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ましく
ない。
エポキシ基(a )と芳香族硬化剤又は芳香族硬化剤と
併用するノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水
酸基<b)との当量比[(a)/(b)コが0.1〜1
0の範囲内であることが望ましい、 当量比が0.1未
満もしくは10を超えると、耐湿性、成形作業性および
硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ましく
ない。
本発明に用いる(C)無機質充填剤としては、シリカ粉
末、アルミナ、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カルシ
ウム、チタンホワイト、クレーマイカ、ベンガラ、ガラ
ス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混
合して使用する。
末、アルミナ、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カルシ
ウム、チタンホワイト、クレーマイカ、ベンガラ、ガラ
ス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混
合して使用する。
これらの中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好まし
く、よく使用される。 無機質充填剤の配合割合は、全
体の樹脂組成物に対して25〜90重量%である。 そ
の割合が25重量%未満では、耐湿性、半田耐熱性、機
械的特性および成形性が悪くなり、また90重1%を超
えるとカサバリが大きくなり成形性が悪く、実用に適さ
ない。
く、よく使用される。 無機質充填剤の配合割合は、全
体の樹脂組成物に対して25〜90重量%である。 そ
の割合が25重量%未満では、耐湿性、半田耐熱性、機
械的特性および成形性が悪くなり、また90重1%を超
えるとカサバリが大きくなり成形性が悪く、実用に適さ
ない。
本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、特定の芳
香族硬化剤、無機質充填剤を必須成分とするが、本発明
の目的を損なわないかぎり、必要に応じて天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎧脂肪酸の金属塩、酸アミド、
エステル類、パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフ
ィン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、二酸
化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラック、ベンガ
ラなどの着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促
進側等を適宜、添加配合することができる。
香族硬化剤、無機質充填剤を必須成分とするが、本発明
の目的を損なわないかぎり、必要に応じて天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎧脂肪酸の金属塩、酸アミド、
エステル類、パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフ
ィン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、二酸
化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラック、ベンガ
ラなどの着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促
進側等を適宜、添加配合することができる。
本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として製造する場
合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、特定の芳香族硬化
剤、!!機質充填剤、その他の原料成分を所定の組成比
に選んで、ミキサー等によって十分均一に混合した後、
さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ等に
よる混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大き
さに粉砕して成形材料とする。 そして、この成形材料
を電子部品或いは電気部品の封止に、また被覆、絶縁等
に適用し、優れた特性と信頼性を付与することができる
。
合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、特定の芳香族硬化
剤、!!機質充填剤、その他の原料成分を所定の組成比
に選んで、ミキサー等によって十分均一に混合した後、
さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ等に
よる混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大き
さに粉砕して成形材料とする。 そして、この成形材料
を電子部品或いは電気部品の封止に、また被覆、絶縁等
に適用し、優れた特性と信頼性を付与することができる
。
本発明の半導体封止装置は、上記のようにして得られた
封止用樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することに
より容易に製造することができる。
封止用樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することに
より容易に製造することができる。
封止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー
成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封
止も可能である。 封止用樹脂組成物を封止め際に加熱
して硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって
封止された半導体封止装置が得られる。 加熱による硬
化は150℃以上の温度で加熱硬化させることが望まし
い、 封止を行う半導体装置としては、例えば集積回路
、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオ
ード等で、特に限定されるものではない。
成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封
止も可能である。 封止用樹脂組成物を封止め際に加熱
して硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって
封止された半導体封止装置が得られる。 加熱による硬
化は150℃以上の温度で加熱硬化させることが望まし
い、 封止を行う半導体装置としては、例えば集積回路
、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオ
ード等で、特に限定されるものではない。
(作用)
本発明において、イミド環を有する芳香族硬化剤を用い
たことによって目的とする特性が得られるものである。
たことによって目的とする特性が得られるものである。
この芳香族硬化剤は封止用樹脂組成物の高温下におけ
る特性に優れ、また封止用樹脂組成物とリードフレーム
との密着性を向上させ、半田浴に浸漬しても耐湿性の劣
化を少なくすることができる。
る特性に優れ、また封止用樹脂組成物とリードフレーム
との密着性を向上させ、半田浴に浸漬しても耐湿性の劣
化を少なくすることができる。
(実施例)
次に本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発
明は、以下の実施例に限定されるものではない、 以下
の実施例および比較例において「%」とは「重量%」を
意味する。
明は、以下の実施例に限定されるものではない、 以下
の実施例および比較例において「%」とは「重量%」を
意味する。
実施例 1
クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量21
5) 18%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量107) 9%、次の芳香族硬化剤0.3% 溶融シリカ粉末71%、エステル系ワックス0,3%お
よびシラン系カップリング剤0.4%を配合し、常温で
混合し更に90〜95℃で冷却固化した後、粉砕して成
形材料を製造した。 この成形材料を170℃に加熱し
た金型内にトランスファー注入し硬化させて成形品(封
止品)をつくった、 この成形品について耐湿性等の特
性を試験したので、その結果を第1表に示した。 特に
耐湿性において本発明の謬著な効果が認められた。
5) 18%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量107) 9%、次の芳香族硬化剤0.3% 溶融シリカ粉末71%、エステル系ワックス0,3%お
よびシラン系カップリング剤0.4%を配合し、常温で
混合し更に90〜95℃で冷却固化した後、粉砕して成
形材料を製造した。 この成形材料を170℃に加熱し
た金型内にトランスファー注入し硬化させて成形品(封
止品)をつくった、 この成形品について耐湿性等の特
性を試験したので、その結果を第1表に示した。 特に
耐湿性において本発明の謬著な効果が認められた。
実施例 2
クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量21
5) 19%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量107) 9%、次の芳香族硬化剤を0.3
% クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当jl
215) 19%にノボラック型フェノール樹脂(フェ
ノール当量107) 9%、シリカ粉末71%、硬化
促進剤0.3%、エステル系ワックス03%およびシラ
ン系カップリング剤04兇を実施例1と同様にして成形
材料を製造した。 この成形材料を用いて成形品とし、
成形品の諸特性について実施例1と同様にして試験を行
い、その結果を第1表に示した。
5) 19%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量107) 9%、次の芳香族硬化剤を0.3
% クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当jl
215) 19%にノボラック型フェノール樹脂(フェ
ノール当量107) 9%、シリカ粉末71%、硬化
促進剤0.3%、エステル系ワックス03%およびシラ
ン系カップリング剤04兇を実施例1と同様にして成形
材料を製造した。 この成形材料を用いて成形品とし、
成形品の諸特性について実施例1と同様にして試験を行
い、その結果を第1表に示した。
δ
シリカ粉末71%、エステル系ワックス03%およびシ
ランカップリング剤0,4%を実施例1と同様に混合、
混線、粉砕して成形材料を製造した。
ランカップリング剤0,4%を実施例1と同様に混合、
混線、粉砕して成形材料を製造した。
また実施例1と同様にして成形品をつくり耐湿性等の特
性試験を行ったので、その結果を第1表に示した。 耐
湿性において本発明の膠著な効果が認られた。
性試験を行ったので、その結果を第1表に示した。 耐
湿性において本発明の膠著な効果が認られた。
比較例
第1表
(単位)
ネ1 :JIS−に−6911により測定。
*2 :吸水率の試験と同じ成形品をつくり、これを
175℃で8時間の後硬化を行い、適当な大きさのテス
トピースとし、熱機器分析装!を用いて測定した。
175℃で8時間の後硬化を行い、適当な大きさのテス
トピースとし、熱機器分析装!を用いて測定した。
*3:成形材料を用いて2本以上のアルミニウム配線を
有するシリコン製チップ(テスト用素子)を通常の42
70イフレームに接着し2175°Cで2分間トランス
ファー成形して5x 10x 1.5inのフラット
パッケージ型成形品をつくり、その後175℃で8時間
の後硬化を行った。 この成形品を予め40℃、90%
RH,100時間の吸湿処理をした後、250℃の半田
浴に10秒間浸漬した。 そのt!に127℃、2.5
気圧の飽和水蒸気中でpcTを行い、アルミニウムの腐
食による断線を不良として評価した。
有するシリコン製チップ(テスト用素子)を通常の42
70イフレームに接着し2175°Cで2分間トランス
ファー成形して5x 10x 1.5inのフラット
パッケージ型成形品をつくり、その後175℃で8時間
の後硬化を行った。 この成形品を予め40℃、90%
RH,100時間の吸湿処理をした後、250℃の半田
浴に10秒間浸漬した。 そのt!に127℃、2.5
気圧の飽和水蒸気中でpcTを行い、アルミニウムの腐
食による断線を不良として評価した。
[発明の効果]
以上の説明および第1表から明らかなように、本発明の
封止用樹脂組成物は、半導体チップやリードフレームに
対する密着性が良いために、吸湿の影響が少なく、半田
浴に浸漬した後でも耐湿性に優れ、その結果、@極の腐
食による断線や水分によるリーク電流の発生などを著し
く低減することができ、しかも長時間にわたって信頼性
を保証することができる。 また、250℃の半田浴浸
漬にもかかわらず、優れた半田耐熱性を示した。
封止用樹脂組成物は、半導体チップやリードフレームに
対する密着性が良いために、吸湿の影響が少なく、半田
浴に浸漬した後でも耐湿性に優れ、その結果、@極の腐
食による断線や水分によるリーク電流の発生などを著し
く低減することができ、しかも長時間にわたって信頼性
を保証することができる。 また、250℃の半田浴浸
漬にもかかわらず、優れた半田耐熱性を示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1(A)エポキシ樹脂、 (B)次の構造式で示されるイミド環を有 する芳香族硬化剤及び ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中、nは0又は1を表す) (C)無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記 (C)の無機質充填剤を25〜90重量%含有してなる
ことを特徴とする封止用樹脂組成物。 2(A)エポキシ樹脂、 (B)次の構造式で示されるイミド環を有 する芳香族硬化剤及び ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、式中、nは0又は1を表す) (C)無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記 (C)の無機質充填剤を25〜90重量%含有した封止
用樹脂組成物の硬化物により、半導体装置が封止されて
なることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18462790A JPH0472323A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18462790A JPH0472323A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0472323A true JPH0472323A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16156543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18462790A Pending JPH0472323A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0472323A (ja) |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP18462790A patent/JPH0472323A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63280720A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP2001106768A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JP2000136290A (ja) | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 | |
JP2892433B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH01144438A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH0472323A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH08245762A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JP2660999B2 (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH03221518A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH10310629A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JP2680389B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JPH04248830A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH0222322A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS6289721A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS63110212A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH0819214B2 (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS63110213A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH03296522A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPS62192423A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS63118322A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH0232116A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH0665357A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPS63170409A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH11130943A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH11302503A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |