JPH0470711A - Laser scanning optical system - Google Patents
Laser scanning optical systemInfo
- Publication number
- JPH0470711A JPH0470711A JP2183342A JP18334290A JPH0470711A JP H0470711 A JPH0470711 A JP H0470711A JP 2183342 A JP2183342 A JP 2183342A JP 18334290 A JP18334290 A JP 18334290A JP H0470711 A JPH0470711 A JP H0470711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- scanned
- lasers
- optical system
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はレーザ走査光学系に関し、特に複数のビームス
ポットを用いて被走査面を同時に光走査し高速及び高密
度で画像情報の形成を行うようにした例えばレーザービ
ームプリンタ(LBP)等の装置に好適なレーザ走査光
学系に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a laser scanning optical system, and particularly to a laser scanning optical system that simultaneously scans a surface to be scanned using multiple beam spots to form image information at high speed and high density. The present invention relates to a laser scanning optical system suitable for a device such as a laser beam printer (LBP).
(従来の技術)
従来よりレーザーど−ムプリンタ等のレーザ走査光学系
においては、文字等の画像情報の書き込み速度の向上を
図る為、複数の半導体レーザより成る光源手段を用いて
いる。(Prior Art) Conventionally, in laser scanning optical systems such as laser beam printers, light source means consisting of a plurality of semiconductor lasers have been used in order to improve the writing speed of image information such as characters.
即ち、該光源手段から放射された複数のレーザーど一ム
を回転多面鏡等の光偏向器を介して被走査面である感光
体面上に導光して、該感光体面上に複数のビームスポッ
トを形成し、同時に複数のビームスポットで光走査する
ことによって画像の書き込みの高速化を図っている。That is, a plurality of laser beams emitted from the light source means are guided onto the surface of the photoreceptor, which is the surface to be scanned, through an optical deflector such as a rotating polygon mirror, and a plurality of beam spots are formed on the surface of the photoreceptor. The image writing speed is increased by forming the image and scanning with multiple beam spots at the same time.
このようなレーザ走査光学系で用いられる光源手段とし
てのマルチ半導体レーザは第7図に示すようにストライ
プ構造のレーザな1チップ中に複数個(同図ではレーザ
71,72.73の3つ)1列に並へて構成されている
。As shown in FIG. 7, the multi-semiconductor laser as a light source used in such a laser scanning optical system has a plurality of striped lasers in one chip (in the figure, there are three lasers 71, 72, and 73). They are arranged in one row.
同図において1つのレーザの素子構造は第8図に示すよ
うに基板及び各層に対して垂直な結晶のへき開面に2つ
の反射面を正対して形成されている。そしてこの2つの
反射面に挟まれて基板(n)と水平にファプリー・ベロ
ー共振器が形成され活性層(P)の発振領域てレーザ発
振が起こり基板(n)に対して水平方向から即ち同図に
示す矢印六方向からレーザービームを発振している。As shown in FIG. 8, the element structure of one laser is formed with two reflective surfaces directly facing each other on a crystal cleavage plane perpendicular to the substrate and each layer. A Fapley-Bello resonator is formed horizontally to the substrate (n) between these two reflective surfaces, and laser oscillation occurs in the oscillation region of the active layer (P) from the horizontal direction with respect to the substrate (n). Laser beams are oscillated from the six directions shown by the arrows in the figure.
同図に示したレーザにおいての発振領域は5×200〜
300μm程度と細長くストライプ構造より構成されて
いる。The oscillation area of the laser shown in the figure is 5 x 200 ~
It has a long and narrow stripe structure of about 300 μm.
尚、第7図に示したストライプ構造の複数のレーザを持
つマルチ半導体レーザは個々のレーザか独立して容易に
レーザ発振の0N10FFができるように構成されてい
る。Incidentally, the multi-semiconductor laser having a plurality of lasers having a stripe structure shown in FIG. 7 is constructed so that 0N10FF of laser oscillation can be easily performed independently of each laser.
(発明が解決しようとする問題点)
しかしなから第7図に示した従来のストライプ構造の複
数のレーザより成るマルチ半導体レーザは動作電流か3
0〜80mAと高い為、それに伴い発熱量か大きくなる
傾向かあった。この為、該ストライプ構造のレーザを1
チ・ツブ中に1列に複数個並へて構成した場合、発光の
際、互いに隣り合うレーザの発熱の影響を受けてレーザ
発振の動作、例えば発光量や発振波長か不安定となり被
走査面上の走査ライン間において画像に強度ムラか生じ
良好なる画像情報の形成(書き込み)かできなくなって
くるという問題点かあった。(Problems to be Solved by the Invention) However, the conventional multi-semiconductor laser consisting of a plurality of lasers with a stripe structure shown in FIG.
Since the current was high at 0 to 80 mA, there was a tendency for the amount of heat generated to increase accordingly. For this reason, the laser with the stripe structure is
If multiple lasers are arranged in a row in a chip, when emitting light, the laser oscillation operation, such as the amount of light emitted or the oscillation wavelength, becomes unstable due to the effect of heat generation from adjacent lasers, which may cause damage to the scanned surface. There was a problem in that intensity unevenness occurred in the image between the upper scanning lines, making it impossible to form (write) good image information.
その為、従来のマルチ半導体レーザにおいてはレーザの
発熱によるレーザ発振動作の不安定を避ける為、それぞ
れのレーザ間隔を例えば100μm以上と大きく設定し
て構成していた。この為画像情報を書き込む際の画像の
画質の向上を図るのが大変難かしく、又装置全体の小型
化か大変難しいという問題点があった。For this reason, in conventional multi-semiconductor lasers, in order to avoid instability of laser oscillation due to laser heat generation, the distance between each laser is set large, for example, 100 μm or more. For this reason, it is very difficult to improve the quality of images when writing image information, and it is also very difficult to downsize the entire device.
本発明は光源手段から放射された複数のレーザービーム
な用いて被走査面を同時に光走査するようにしたレーザ
走査光学系において、光源手段として垂直共振器構造を
有するレーザな1チップ中に複数個効果的に並へて構成
したマルチ半導体レーザな用いることにより、互いに隣
り合うレーザの発熱の影響を少なくし各レーザからの発
光量やレーザ発振波長等を独立に制御することができる
ようにして安定した光量で光走査することかでき高速及
び高画質の画像形成が可能なレーザ走査光学系の提供を
目的とする。The present invention provides a laser scanning optical system in which a surface to be scanned is simultaneously optically scanned using a plurality of laser beams emitted from a light source means, in which a plurality of laser beams having a vertical cavity structure are used as the light source means in one chip. By using multi-semiconductor lasers that are effectively arranged side by side, the effect of heat generation from adjacent lasers is reduced, and the amount of light emitted from each laser and the laser oscillation wavelength can be controlled independently to achieve stability. An object of the present invention is to provide a laser scanning optical system capable of performing optical scanning with a certain amount of light and forming high-speed and high-quality images.
(問題点を解決するための手段)
本発明のレーザ走査光学系は、複数の発光部を有する光
源手段より放射された複数のレーザーど−ムを回動可能
の光偏向器を介して被走査面上に導光し、該被走査面上
に複数のビームスポットを形成し、該光偏向器を回動さ
せることにより該複数のビームスポットで被走査面上を
光走査するレーザ走査光学系において、該光源手段は垂
直共振器構造を有するレーザな1チップ中に該被走査面
上の副走査方向に沿って複数個並べて構成したマルチ半
導体レーザを有していることを特徴としている。(Means for Solving the Problems) The laser scanning optical system of the present invention scans a plurality of laser beams emitted from a light source means having a plurality of light emitting parts via a rotatable optical deflector. In a laser scanning optical system that guides light onto a surface, forms a plurality of beam spots on the surface to be scanned, and rotates the optical deflector to scan the surface to be scanned with the plurality of beam spots. The light source means is characterized in that it includes a plurality of multi-semiconductor lasers arranged in a single laser chip having a vertical cavity structure along the sub-scanning direction on the surface to be scanned.
更に本発明は、前記レーザ走査光学系は前記被走査面に
をインターレース走査方式で光走査していることを特徴
としている。Furthermore, the present invention is characterized in that the laser scanning optical system optically scans the surface to be scanned using an interlace scanning method.
(実施例)
第1図は本発明のレーザ走査光学系の第1実施例の要部
概略図である。同図において1は光源手段であり、複数
の発光部を有するマルチ半導体レーザより成っている。(Embodiment) FIG. 1 is a schematic diagram of a main part of a first embodiment of a laser scanning optical system of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a light source means, which is composed of a multi-semiconductor laser having a plurality of light emitting parts.
このマルチ半導体レーザ1は第2図に示すように垂直共
振器構造を有した3つのレーザ22,23.24を1チ
ップ21中に被走査面上の副走査方向に沿って1列に並
へて構成しており、光変調された3つのレーザービーム
を基板21に対して垂直方向に放射している。As shown in FIG. 2, this multi-semiconductor laser 1 includes three lasers 22, 23, and 24 having a vertical cavity structure arranged in a line along the sub-scanning direction on a surface to be scanned in one chip 21. It emits three optically modulated laser beams in a direction perpendicular to the substrate 21.
2はコリメーターレンズであり、マルチ半導体レーザ1
から放射された複数のレーザーど−ムを平行光束として
いる。3は回転多面鏡より成る光偏向器であり、駆動手
段(不図示)により矢印a方向に一定速度で回転してい
る。4はf−θレンズ等の結像光学系であり、光偏向器
3からの複数のレーザービームを集光し被走査面(不図
示)上にビームスポットを形成している。2 is a collimator lens, and multi-semiconductor laser 1
A plurality of laser beams emitted from the beam are made into a parallel beam of light. Reference numeral 3 denotes an optical deflector consisting of a rotating polygon mirror, which is rotated at a constant speed in the direction of arrow a by a driving means (not shown). Reference numeral 4 denotes an imaging optical system such as an f-theta lens, which condenses a plurality of laser beams from the optical deflector 3 to form a beam spot on a surface to be scanned (not shown).
本実施例においてマルチ半導体レーザ1から放射された
複数のレーザービームはコリメーターレンズ2によって
各々平行光束とされ光偏向器3の反射面に入射する。In this embodiment, a plurality of laser beams emitted from a multi-semiconductor laser 1 are each made into parallel beams by a collimator lens 2 and are incident on a reflecting surface of an optical deflector 3.
モして該光偏向器3の反射面によって反射された各々の
レーザービームは結像光学系4によって不図示の被走査
面である感光体面上にそれぞれ所定寸法のビームスポッ
ト径を形成し該感光体面上に画像情報の形成(書き込み
)を順次行っている。Each of the laser beams reflected by the reflective surface of the optical deflector 3 forms a beam spot diameter of a predetermined size on a photoreceptor surface (not shown) which is a surface to be scanned by an imaging optical system 4. Image information is sequentially formed (written) on the body surface.
次に本発明に係る光源手段である垂直共振器構造の複数
のレーザから成るマルチ半導体レーザの特徴について第
2.第3図を用いて説明する。Next, we will discuss the characteristics of the multi-semiconductor laser, which is a light source means according to the present invention, and is composed of a plurality of lasers having a vertical cavity structure. This will be explained using FIG.
第2図は第1図に示した光源手段であるマルチ半導体レ
ーザ1の外観図である。FIG. 2 is an external view of the multi-semiconductor laser 1 which is the light source means shown in FIG.
第3図は第2図に示した複数のレーザのうちの1つの垂
直共振器構造のレーザの素子構造を示した断面説明図で
ある。FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view showing the element structure of one of the plurality of lasers shown in FIG. 2, which has a vertical cavity structure.
第2図に示すように本実施例ではマルチ半導体レーザ1
を垂直共振器構造を有する3つのレーザ22.23.2
4を1チップ中に被走査面上の副走査方向に沿フて1列
に並へて構成し、光変調された複数のレーザービームを
基板21に対して垂直方向に放射している。As shown in FIG. 2, in this example, a multi-semiconductor laser 1
Three lasers with vertical cavity structure 22.23.2
4 are arranged in a line along the sub-scanning direction on the surface to be scanned in one chip, and a plurality of optically modulated laser beams are emitted in a direction perpendicular to the substrate 21.
本実施例において光源手段であるマルチ半導体レーザ1
は光技術の最先@((株)トリケップス平成元年12月
19日セミナー資料第3請)に述へられているように別
名面発光型半導体レーザと呼ばれ第4図に示すように活
性領域か小さい為、しきい電流を非常に小さくすること
かできる等の特長を有している。In this embodiment, a multi-semiconductor laser 1 serving as a light source means
It is also called a surface-emitting semiconductor laser and has an active state as shown in Fig. Since the area is small, it has the advantage that the threshold current can be made very small.
この面発光型半導体レーザの構造は第3図に示すように
クラッド層(n)32と活性層(P)33そしてクラッ
ト層(P)34の上下の面に高い反射率を有する反射面
35と反射面36とか正対して形成されている。As shown in FIG. 3, the structure of this surface-emitting semiconductor laser includes a cladding layer (n) 32, an active layer (P) 33, and a reflective surface 35 having a high reflectance on the upper and lower surfaces of the cladding layer (P) 34. It is formed directly opposite the reflective surface 36.
この2つの反射面35.36に挟まれた領域が基板31
に対して垂直な所謂ファプリー・ベロー共振器となり、
活性層(P)33の発振領域37てレーザ発振か起こり
基板31に対して垂直な方向、即ち同図に示す矢印へ方
向からレーザーど一ムを発振している。The area sandwiched between these two reflective surfaces 35 and 36 is the substrate 31.
It becomes a so-called Fapley-Bello resonator perpendicular to
Laser oscillation occurs in the oscillation region 37 of the active layer (P) 33, and a laser beam is oscillated in a direction perpendicular to the substrate 31, that is, in the direction of the arrow shown in the figure.
特にこのような垂直共振器構造を有した半導体レーザは
発振領域37を3〜5μmと小さくすることができる為
、動作電流を小さく抑えることかできレーザ発光による
発熱を少なくすることができる。In particular, in a semiconductor laser having such a vertical cavity structure, the oscillation region 37 can be made as small as 3 to 5 μm, so that the operating current can be kept low and the heat generated by laser emission can be reduced.
この為、レーザーど−ムを発光させてもレーザ個々の発
熱量は小さいので発熱によって相互のレーザ発振動作が
影響されることなく各レーザからの発光量及び発振波長
が独立に制御でき安定した発光量が得られる。For this reason, even when the laser beam is emitted, the amount of heat generated by each laser is small, so the amount of light emitted from each laser and the oscillation wavelength can be controlled independently without affecting the mutual laser oscillation operation due to heat generation, resulting in stable light emission. quantity is obtained.
又、本実施例における光源手段を構成する個々のレーザ
は独立して画像信号に従って光変調ができ、即ちレーザ
発振を容易に0N10FFすることができるように構成
されている。又、前述したように1つのレーザからの発
熱量は小さい為に温度による悪影響を受けることなく安
定した光量か得られるのでそれぞれのレーザ間隔を1チ
ップ上に例えば20μm程度の間隔て多数形成すること
かできる。Further, each laser constituting the light source means in this embodiment is configured so that it can independently perform optical modulation according to an image signal, that is, it can easily perform 0N10FF laser oscillation. Furthermore, as mentioned above, since the amount of heat generated from one laser is small, a stable amount of light can be obtained without being adversely affected by temperature, so it is recommended to form a large number of lasers on one chip with a spacing of about 20 μm, for example. I can do it.
このように本実施例においては垂直共振器構造のレーザ
を光源手段として利用することにより、それぞれのレー
ザ間の距離を近接して複数形成することかできる。この
為複数のレーザースポットを被走査面である感光体面上
に隣接して形成させることができるので走査ライン間て
の画像の強度ムラを小さく抑えた高密度で良好なる画質
の画像を形成することができる。As described above, in this embodiment, by using a laser having a vertical cavity structure as a light source means, a plurality of lasers can be formed with the distances between the respective lasers close to each other. For this reason, multiple laser spots can be formed adjacently on the photoreceptor surface, which is the surface to be scanned, so it is possible to form a high-density, high-quality image with minimal image intensity unevenness between scanning lines. I can do it.
第5図は本実施例による複数のビームスポットで被走査
面を光走査している様子を示した説明図である。同図に
示すようにビームスポットを隣接して形成することがで
きるので1回の光走査で3ラインの画像を同時に走査ラ
イン間での画像の強度ムラが無い状態で良好に形成(書
き込み)することができる。FIG. 5 is an explanatory diagram showing how a surface to be scanned is optically scanned with a plurality of beam spots according to this embodiment. As shown in the figure, since the beam spots can be formed adjacent to each other, three lines of images can be formed (written) at the same time in a single optical scan without uneven image intensity between the scanning lines. be able to.
第6図は本発明のレーザ走査光学系で被走査面上を光走
査するときの走査方式としてインターレース走査方式を
用いたときの被走査面上におけるレーザースポットの様
子を示した説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing the appearance of a laser spot on a surface to be scanned when an interlaced scanning method is used as a scanning method for optically scanning the surface to be scanned with the laser scanning optical system of the present invention.
般にコリメーターレンズのFナンバを小さくしレーザー
ビームを多く集光し、明るい状態で光走査しようとする
と隣り合うレーザーど−ムの間隔が広くなり、それに伴
い被走査面上でビームスポット間隔か広くなり良好なる
画像が得られなくなってくる。Generally, if you try to scan light in bright conditions by reducing the F number of the collimator lens and concentrating a large number of laser beams, the distance between adjacent laser beams will become wider, and the distance between the beam spots on the surface to be scanned will increase accordingly. As the area becomes wider, it becomes difficult to obtain a good image.
そこで本実施例においてはインターレース走査方式を用
いてそのビームのスポット間隔内に他の走査によるレー
ザービームを入れて光走査することにより画像密度の低
下を防止し、結合効率を高め画像形成の際の画質の向上
を図っている。Therefore, in this embodiment, an interlaced scanning method is used to perform optical scanning by inserting a laser beam from another scanning within the spot interval of that beam, thereby preventing a decrease in image density, increasing the coupling efficiency, and improving the efficiency during image formation. We are trying to improve the image quality.
本実施例においても前述の実施例と同様に光源手段とし
て垂直共振器構造を有する複数のレーザ(本実施例では
3個)を1チップ中に並へて構成したマルチ半導体レー
ザを用いている。この為、それぞれのレーザ間隔は第7
図に示した従来のストライプ構造型の半導体レーザに比
べ小さくして形成することかできる。In this embodiment, as in the previous embodiment, a multi-semiconductor laser in which a plurality of lasers (three in this embodiment) having a vertical cavity structure are arranged side by side in one chip is used as a light source means. For this reason, the distance between each laser is 7th
It can be formed smaller than the conventional stripe structure type semiconductor laser shown in the figure.
これにより被走査面上におけるビームスポ、ット間隔の
広かりを小さく抑えることかでき、又インターレース走
査での間引き数(中間に入れるレーザービームの数)も
少なくすることかてきる為、画像の書き込みの為の制御
回路の構成は従来のストライブ構造のマルチ半導体レー
ザを用いたレーザ走査光学系に比へて簡易に構成するこ
とかできる。This makes it possible to keep the width of the beam spot spacing on the surface to be scanned small, and also to reduce the number of thinnings (the number of laser beams inserted in the middle) in interlaced scanning, which makes it possible to write images. The configuration of the control circuit for this can be simpler than that of a conventional laser scanning optical system using a multi-semiconductor laser with a stripe structure.
尚、本実施例においては垂直共振器構造を有するレーザ
な3個用いて光源手段を構成したか2個以上複数のレー
ザより光源手段を構成しても良い。In this embodiment, the light source means is constructed using three lasers having a vertical resonator structure, or may be constructed from two or more lasers.
(発明の効果)
本発明によれば前述したように垂直共振器構造を有する
レーザな1チップ中に被走査面上の副走査方向に沿って
複数個並べて構成したマルチ半導体レーザな光源手段と
して用いることにより、複数のビームスポットで被走査
面を同時に走査する際、走査ライン間での画像の強度ム
ラを小さく抑えることがてき、これにより画質の向上を
図った画像形成ができるレーザ走査光学系を達成するこ
とかできる。(Effects of the Invention) According to the present invention, as described above, a multi-semiconductor laser is used as a light source means, in which a plurality of lasers having a vertical cavity structure are arranged in one chip along the sub-scanning direction on the surface to be scanned. As a result, when scanning a surface to be scanned simultaneously with multiple beam spots, it is possible to suppress unevenness in image intensity between scanning lines, thereby creating a laser scanning optical system that can form images with improved image quality. It is possible to achieve something.
第1図は本発明のレーザ走査光学系の第1実施例の要部
概略図、第2図は第1図に示した半導体レーザの外観図
、第3図は第1図に示した垂直共振器構造のレーザの素
子構造を示す説明図、第4図は垂直共振器構造の半導体
レーザの光出力・電流特性を示す説明図、第5図は第1
実施例において被走査面上のビームスポットの様子を示
した説明図、第6図は本発明の第2実施例のインターレ
ース走査を用いたときの被走査面上のビームスポットの
様子を示す説明図、第7図は従来のストライブ構造型の
レーザを有した光源手段の外観図、第8図はストライプ
構造型の半導体レーザの素子構造を示す説明図である。
図中、1は半導体レーザ、2はコリメーターレンズ、3
は光偏向器、4は結像光学系である。
第
図
第
図
第
図
第
図
○
−−□・−・□・□−〉FIG. 1 is a schematic diagram of the main parts of the first embodiment of the laser scanning optical system of the present invention, FIG. 2 is an external view of the semiconductor laser shown in FIG. 1, and FIG. 3 is the vertical resonance shown in FIG. 1. 4 is an explanatory diagram showing the element structure of a semiconductor laser with a vertical cavity structure. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the optical output and current characteristics of a semiconductor laser with a vertical cavity structure.
An explanatory diagram showing the state of the beam spot on the scanned surface in the embodiment, FIG. 6 is an explanatory diagram showing the state of the beam spot on the scanned surface when using interlaced scanning of the second embodiment of the present invention , FIG. 7 is an external view of a light source means having a conventional stripe structure type laser, and FIG. 8 is an explanatory diagram showing the element structure of a stripe structure type semiconductor laser. In the figure, 1 is a semiconductor laser, 2 is a collimator lens, and 3 is a semiconductor laser.
4 is a light deflector, and 4 is an imaging optical system. Figure Figure Figure Figure ○ −−□・−・□・□−〉
Claims (2)
数のレーザービームを回動可能の光偏向器を介して被走
査面上に導光し、該被走査面上に複数のビームスポット
を形成し、該光偏向器を回動させることにより該複数の
ビームスポットで被走査面上を光走査するレーザ走査光
学系において、該光源手段は垂直共振器構造を有するレ
ーザを1チップ中に該被走査面上の副走査方向に沿って
複数個並べて構成したマルチ半導体レーザを有している
ことを特徴とするレーザ走査光学系。(1) A plurality of laser beams emitted from a light source means having a plurality of light emitting parts are guided onto a surface to be scanned via a rotatable optical deflector, and a plurality of beam spots are formed on the surface to be scanned. In a laser scanning optical system that optically scans a surface to be scanned with the plurality of beam spots by rotating the optical deflector, the light source means includes a laser having a vertical cavity structure in one chip. A laser scanning optical system characterized by having a plurality of multi-semiconductor lasers arranged in parallel along a sub-scanning direction on a surface to be scanned.
ーレース走査方式で光走査していることを特徴とする請
求項1記載のレーザ走査光学系。(2) The laser scanning optical system according to claim 1, wherein the laser scanning optical system optically scans the surface to be scanned using an interlaced scanning method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2183342A JPH0470711A (en) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | Laser scanning optical system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2183342A JPH0470711A (en) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | Laser scanning optical system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0470711A true JPH0470711A (en) | 1992-03-05 |
Family
ID=16134050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2183342A Pending JPH0470711A (en) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | Laser scanning optical system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0470711A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0653877A1 (en) * | 1993-11-17 | 1995-05-17 | Xerox Corporation | Multispot facet tracked raster output scanning system |
US5610647A (en) * | 1991-05-14 | 1997-03-11 | Seigo Epson Corporation | Image forming apparatus including a plural laser beam scanning apparatus |
JPH09120036A (en) * | 1994-08-09 | 1997-05-06 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | Image generator |
US5828483A (en) * | 1993-11-23 | 1998-10-27 | Schwartz; Nira | Printing and inspection system using rotating polygon and optical fibers |
JP2013170962A (en) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Ricoh Co Ltd | Distance measuring device |
JP2014077660A (en) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Fuji Xerox Co Ltd | Detector |
JP2015007578A (en) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 株式会社デンソー | Optical scanner |
-
1990
- 1990-07-11 JP JP2183342A patent/JPH0470711A/en active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5610647A (en) * | 1991-05-14 | 1997-03-11 | Seigo Epson Corporation | Image forming apparatus including a plural laser beam scanning apparatus |
US5870132A (en) * | 1991-05-14 | 1999-02-09 | Seiko Epson Corporation | Laser beam scanning image forming apparatus having two-dimensionally disposed light emitting portions |
US6326992B1 (en) | 1991-05-14 | 2001-12-04 | Seiko Epson Corporation | Image forming apparatus |
EP0653877A1 (en) * | 1993-11-17 | 1995-05-17 | Xerox Corporation | Multispot facet tracked raster output scanning system |
US5828483A (en) * | 1993-11-23 | 1998-10-27 | Schwartz; Nira | Printing and inspection system using rotating polygon and optical fibers |
JPH09120036A (en) * | 1994-08-09 | 1997-05-06 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | Image generator |
JP2013170962A (en) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Ricoh Co Ltd | Distance measuring device |
JP2014077660A (en) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Fuji Xerox Co Ltd | Detector |
US9400342B2 (en) | 2012-10-09 | 2016-07-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Detection apparatus |
JP2015007578A (en) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 株式会社デンソー | Optical scanner |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4796964A (en) | Method of utilizing a multiple emitter solid state laser in a raster output scanner (ROS) | |
US6606180B2 (en) | Light beam scanning device | |
JP3154200B2 (en) | Multi-beam semiconductor laser | |
US5305022A (en) | Interlaced multi-beam scanning type recording apparatus | |
JP3237452B2 (en) | Image writing device | |
JP2001350111A (en) | Multibeam scanner | |
JPH0470711A (en) | Laser scanning optical system | |
JPH10153742A (en) | Multi-beam light source device | |
KR100739761B1 (en) | Multi-beam scanning unit | |
US6740869B2 (en) | Light beam scanning device for micro-area light source | |
JPH0582905A (en) | Light source unit | |
JP3369101B2 (en) | Laser recording device | |
US5734488A (en) | Light scanning optical system | |
JP4172533B2 (en) | Optical scanning device and image output device | |
JP2004066543A (en) | Semiconductor laser array light source | |
US6867796B1 (en) | Semiconductor laser array and optical scanner | |
KR100538250B1 (en) | Multi-beam emitting device and light scanning unit employing the same | |
JPH10301044A (en) | Multibeam scanning device | |
JPH06991A (en) | Laser beam printer | |
JPH10325933A (en) | Optical scanner | |
JP3455485B2 (en) | Optical scanning light source device and optical scanning device using the same | |
JPS63292688A (en) | Semiconductor laser array | |
JPH0789131A (en) | Optical scanning device | |
JP2003005109A (en) | Optical scanner | |
JP2000310746A (en) | Image recording device and optical fiber |