JPH0469896A - センスアンプ回路 - Google Patents

センスアンプ回路

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JPH0469896A
JPH0469896A JP2184961A JP18496190A JPH0469896A JP H0469896 A JPH0469896 A JP H0469896A JP 2184961 A JP2184961 A JP 2184961A JP 18496190 A JP18496190 A JP 18496190A JP H0469896 A JPH0469896 A JP H0469896A
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JP
Japan
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signal
bit
transistor
circuit
pair
Prior art date
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Pending
Application number
JP2184961A
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English (en)
Inventor
Yoshinori Hashimoto
芳徳 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/065Differential amplifiers of latching type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356104Bistable circuits using complementary field-effect transistors
    • H03K3/356113Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit

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  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は、lデツプ・マイクロコンピュータおよびマイ
クロプロセッサおよびメモリに使用できる0MO8を用
いた半導体集積回路装置におけるセンスアンプ回路に関
する。
【従来の技術】
第3,4図に従来のセンスアンプ回路の回路図とタイミ
ング図を示す。第3図において、II。 12は予備充電用のPヂャネルトランジスタ、13.1
4は増幅用のNチャネルトランジスタ、I5は駆動用の
Nチャネルトランジスタである。ゲートに印加されるI
’l?E信号が予備充電用のPチャネルトランジスタ1
1および12をオンすると同時に、ゲートに印加される
SA倍信号駆動用のNチャネルトランジスタ15をオン
することはない。 以下、トランジスタのゲートにかかる信号がこのトラン
ジスタをオンする値になることを、信号がアクティブに
なると言い、上記信号が上記トランジスタをオフする値
になることを、信号が非アクティブになるという。ずな
わち、上記PRE信号とSA倍信号同時にアクティブに
なることはない。 また、一対のビット線BIT、I31’l’の信号であ
るBIT信号とB I T信号は、図示しないメモリよ
りの出力信号あるいは入力信号である。 上記センスアンプは、上記BIT信号およびBIT信号
とSA倍信号タイミングが、図示しない外部回路によっ
て正確に制御されている場合には、第4図(A)に示す
動作タイミングで、次のように動作する。すなわち、メ
モリへの古き込み動作およびメモリからの読み出し動作
の際には、まず、P RE倍信号アクティブになり、P
チャネルトランジスタ11および12をオンする。この
とき、B ! i’倍信号[31T信号は、両方共、高
レベルである。その後、PIKE信号が非アクティブに
なる。次に、B I T信号とBIT信号とが互いに反
転した信号になった後に、SA倍信号アクティブになり
、Nヂャネルトランジスタ15をオンする。そして、増
幅用のNチャネルトランジスタ34が互いに反転したB
 I T信号とB I T信号を増幅する。
【発明が解決しようとする課題] ところが、上記従来のセンスアンプ回路では、一対のビ
ット線の信号であるBIT信号およびBI′r信号と駆
動用トランジスタを駆動するSA倍信号の間のタイミン
グを制御する外部回路が必要・であるという問題がある
。さらに、上記センスアンプ回路は、上記BIT信号お
よびBIT信号とSΔ倍信号間のタイミングを外部回路
が正確に制御しない時には、例えば、第4図(13)に
示す動作タイミングで動作する。この場合には、SA倍
信号アクティブになって、Nチャネルトランジスタ!5
がオンになったときに、BIT信号と[31′rT信号
両方とし高レベルの状態のままである。すると、131
 T信号とU [’I’信号は、両方共、低レベルに引
っ張られる。このとき、例えば、高レベル信号を佇する
べきビット1iQ1311’が、低レベルを有するべき
ビット線+31 ’rより低レベルに引き落とされると
すると、?fi4図(U)に点線で示すように、Bl’
l”信号とr(I T信号の取るべき値が逆になるとい
う誤動作を生じる問題がある。 そこで、本発明の目的は、一対のビット線の信号を用い
て〃)作タイミングを正確に制御することのできるセン
スアンプ回路を提供することにある。 【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するため、本発明のセンスアンプ回路は
、一対のビット線のうちの一方のビット線と電源との間
に接続した第1予備充電用トランジスタと、上記一対の
ビット線のうちの他方のビット線とff1Ktとの間に
接続した第2予備充電用トランジスタと、ゲートに駆動
用の信号線を接続し、一端を接地した駆動用トランジス
タと、上記一方のビット線と駆動用トランジスタの他端
との間に接続され、ゲートを他方のビット線に接続した
第1増幅用トランジスタと、上記他方のビット線と駆動
用トランジスタの他端との間に接続され、ゲートを上記
一方のビット線に接続した第2増幅用トランジスタを備
えたセンスアンプ回路において、上記第1.第2増幅用
トランジスタの接続点と上記駆動用トランジスタの他端
との間に接続した制御用トランジスタと、上記一対のビ
ット線に入力側を接続し、出力側を上記制御用トランジ
スタのゲートに接続したエクスクル−シブオア回路を備
えたことを特徴としている。 また、上記エクスクル−シブオア回路に替えてナンド回
路を用いることが望ましい。
【作用】
制御用トランジスタを、第1.第2増幅用トランジスタ
の接続点と駆動用トランジスタの間に接続している。そ
して、一対のビット線の信号が互いに反転した信号であ
るときには、この互いに反転した信号を受けたエクスク
ルーシブオア回路は、このエクスクル−ツブオア回路の
出力側にゲートを接続した上記制御用)・ランジスタを
オンする。 すると、駆動用トランジスタは第1.第2増幅用トラン
ジスタと導通し、この駆動用トランジスタは、この駆動
用トランジスタのゲートに駆動用信号線からの信号を受
けて第1.第2増幅用トランジスタを駆動することがで
きる状態になる。一方、一対のビット線が両方とも高レ
ベルのときには、この2つの高レベルの信号を受けたエ
クスクル−シブオア回路は、制御用トランジスタをオフ
する。 すると、上記駆動用トランジスタは、第1.第2増幅用
トランノスタと非導通となり、この駆動用トランジスタ
は第1.第2増輻用トランジスタを駆動できない状態に
なる。すなわち、一対のビット線の信号が互いに反転し
た信号であるときにだけ、第1.第2増幅用トランジス
タを駆動可能であるので、一対のビット線の信号が両方
共晶レベルの時に、第1.第2増幅用トランジスタが駆
動して、一対のビット線の信号が低レベルに引っ張られ
て、一対のビット線の有するべき信号値が逆になるとい
う誤動作がなく、動作タイミングを正確に制御できる。 また、上記エクスクル−シブオア回路に替えてナンド回
路を用いた場合には、同じ作用を有し、トランジスタの
個数を減らすことができる。
【実施例】
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。 第1図は本実施例のセンスアンプ回路の回路図である。 第2図は上記センスアンプ回路のタイミング図である。 このセンスアンプ回路は、一対のビット線BIT、BI
Tの一方のビット線B171’と電源の間に接続され、
ゲートを予備充電用の信号線1’REに接続した第1予
備充電用トランジス・夕としてのPチャネルトランジス
タ1と、他方のビット線BITと電源の間に接続され、
ゲートを上記信号線PREに接続した第2予備充電用ト
ランジスタとしてのPチャネルトランジスタ2を備えて
いる。また、第1増幅用トランジスタとしてのNチャネ
ルトランジスタ3は、上記ビット線BITと制御用トラ
ンジスタとしてのNチャネルトランジスタ5の間に接続
され、ゲートをビット線l31Tに接続している。第2
増幅用トランジスタとしてのNチャネルトランジスタ4
はビット線B丁モと上記Nチャネルトランジスタ5の間
に接続され、ゲートをビット線B I Tに接続してい
る。 上記Nチャネルトランジスタ5のゲートには、対のビッ
ト線BIT、BITに入力端を接続した2人力エクスク
ルーシブオア回路の出力側を接続している。また、駆動
用トランジスタとしてのNチャネルトランジスタ6は、
一端を接地して、他端を上記Nチャネルトランジスタ5
に接続し、ゲ−1に駆動用の信号線SAを接続している
。 上記構成のセンスアンプ回路は、第2図に示す動作タイ
ミングに基づいて次のように動作する。 すなわち、図示しないメモリへの書き込み動作および上
記メモリからの読み出し動作の際には、まず、信号線P
IFの予備充電信号としてのPRE信号が、アクティブ
になり、予備充電用のPチャネルトランジスタlおよび
2をオンして、一対のビット線[31’f’、 BI 
i’を予備充電する。このとき、一対のビット線r3 
IT、 B I TO)B IT倍信号81 ’I’信
号は両方とも高レベルである。次に、上記F TI E
信号が非アクティブになり、その後、信号線SAの駆動
用信号としてのSA倍信号アクティブになる。このとき
、上記SA倍信号よって、駆動用トランジスタとしての
Nチャネルトランジスタ6がオンになる。そして、BI
T信号と131 ’l’信号のいずれか一方がメモリの
内容に応じて低レベルになった場合にだけ、上記2人力
エクスクルーシブオア回路7の発生するタイミング信号
がアクティブになって、制御用トランジスタとしてのN
チャネルトランジスタ5がオンし、増幅用のNチャネル
トランジスタ3.4が駆動してBIT信号とl31T信
号を増幅する。したがって、上記BIT信号とBIT信
号が両方共差が表われる程に高レベルのときには、上記
Nチャネルトランジスタ5がオンにならず、増幅用のN
チャネルトランジスタ3,4は駆動せず、上記B I 
T信号とI31′l゛信号を、両方共、低レベルに引っ
張り一対のビット線BITとB I Tの取るべき信号
値を逆にするという誤動作が発生しない。 尚、本実施例では、タイミング信号を発生する手段とし
て、2人力エクスクルーシブオア回路を用いたが、上記
D I ’rT信号I31 ’I’信号が同時に低レベ
ルとなることはないことを考慮して、上記2人力エクス
クルーシブオア回路に替えて2人力ナンド回路を用いて
もよい。上記2人力ナンド回路を用いた場合には、先の
実施例と同様の作用をし、トランジスタの個数を減らず
ことができる。
【発明の効果】
以上の説明より明らかなように、本発明のセンスアンプ
回路は、一対のビット線に入力側を接続したエクスクル
−シブオア回路と、第1.第2増幅用トランジスタと駆
動用トランジスタの間に接続され、上記エクスクル−シ
ブオア回路の出力信号をゲートに受けてオンオフする制
御用トランジスタを備えて、上記一対のビット線の信号
が互いに反転した信号であるときにのみ、上記制御用ト
ランジスタがオンして第1.第2増幅用トランジスタが
駆動可能な状態になるので、一対のビット線の信号と駆
動用トランジスタを駆動する信号との間のタイミングを
制御する外部回路がなくても、上記一対のビット線の信
号が、両方ノ(、高レベルの時に、一対のビット線の信
号を両方共低レベルに引っ張り、一対のピッ!・線の取
るべき信号値を逆にするという誤動作がなく、動作タイ
ミングが正確になる。 また、上記エクスクル−シブオア回路に替えてナンド回
路を用いた場合には、トランジスタの個数を減らずこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のセンスアンプ回路の一実施例の回路図
、第2図は上記実施例の動作タイミングを示すタイミン
グ図、第3図は従来のセンスアンプ回路の回路図、第4
図は従来のセンスアンプ回路の動作タイミングを示すタ
イミング図である。 1.2.11.12・・・Pチャネルトランジスタ、3
.4,5,6.+ 3.14.15 ・・・Nチャネルトランジスタ、 7・・2人力エクスクルーシブオア回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一対のビット線のうちの一方のビット線と電源と
    の間に接続した第1予備充電用トランジスタと、 上記一対のビット線のうちの他方のビット線と電源との
    間に接続した第2予備充電用トランジスタと、 ゲートに駆動用の信号線を接続し、一端を接地した駆動
    用トランジスタと、 上記一方のビット線と駆動用トランジスタの他端との間
    に接続され、ゲートを他方のビット線に接続した第1増
    幅用トランジスタと、 上記他方のビット線と駆動用トランジスタの他端との間
    に接続され、ゲートを上記一方のビット線に接続した第
    2増幅用トランジスタを備えたセンスアンプ回路におい
    て、 上記第1、第2増幅用トランジスタの接続点と上記駆動
    用トランジスタの他端との間に接続した制御用トランジ
    スタと、 上記一対のビット線に入力側を接続し、出力側を上記制
    御用トランジスタのゲートに接続したエクスクルーシブ
    オア回路を備えたことを特徴とするセンスアンプ回路。
  2. (2)請求項1に記載のセンスアンプ回路において、上
    記エクスクルーシブオア回路に替えてナンド回路を用い
    たことを特徴とするセンスアンプ回路。
JP2184961A 1990-07-10 1990-07-10 センスアンプ回路 Pending JPH0469896A (ja)

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JP2184961A JPH0469896A (ja) 1990-07-10 1990-07-10 センスアンプ回路
US07/725,786 US5272670A (en) 1990-07-10 1991-07-08 Sense amplifier for semiconductor memory device

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ID=16162380

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US5272670A (en) 1993-12-21

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