JPH0469833A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0469833A JPH0469833A JP18215990A JP18215990A JPH0469833A JP H0469833 A JPH0469833 A JP H0469833A JP 18215990 A JP18215990 A JP 18215990A JP 18215990 A JP18215990 A JP 18215990A JP H0469833 A JPH0469833 A JP H0469833A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は光磁気記録媒体、特には化学的安定性にすぐれ
ており、カー回転角が大きく、光透過性がすぐれていて
C/Nもよく、記録密度の向上をはかることができる光
磁気記録媒体に関するものである。
ており、カー回転角が大きく、光透過性がすぐれていて
C/Nもよく、記録密度の向上をはかることができる光
磁気記録媒体に関するものである。
[従来の技術]
近年、情報化社会の進展に伴なって書換可能な光磁気メ
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してはTbFeCoなとの希土類元素−遷り金属元素薄
膜が用いられているが、このものは得られるカー回転角
があまり大きくないためにこれには再生信号のC/Nが
十分でないという欠点がある。
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してはTbFeCoなとの希土類元素−遷り金属元素薄
膜が用いられているが、このものは得られるカー回転角
があまり大きくないためにこれには再生信号のC/Nが
十分でないという欠点がある。
また、最近、この光磁気記録媒体について信号処理の高
速化に対する要求が強くなるにつれてディスクの記録感
度が大きな問題となり、この記録感度を上げるために誘
電体膜の熱伝導率を低くしてその熱拡散を抑え、レーザ
ーの熱効率を上げて記録に要するパワーを小さくすると
いうことも試みられているが、従来用いられているSi
N、 AILN、SrOなどを用いる誘電体膜では熱伝
導率を低く抑えることが難しく、この点からも新しい膜
材料の開発が求められている。
速化に対する要求が強くなるにつれてディスクの記録感
度が大きな問題となり、この記録感度を上げるために誘
電体膜の熱伝導率を低くしてその熱拡散を抑え、レーザ
ーの熱効率を上げて記録に要するパワーを小さくすると
いうことも試みられているが、従来用いられているSi
N、 AILN、SrOなどを用いる誘電体膜では熱伝
導率を低く抑えることが難しく、この点からも新しい膜
材料の開発が求められている。
他方、従来から使用されている非晶質磁性体膜は希土類
金属を含んでいるが、この希土類金属が極めて酸化され
易いものであるために、これには高温高湿下で簡単に磁
気特性が劣化するという難点があり、上記の訪電体層に
保護膜としての役割を負わせるという提案もあるが、S
iOなどの酸化物では逆に希土類元素がSiO中の0と
酸化反応を起こしてしまうためにその効果は十分なもの
ではないし、SiN、AI!Nなどの窒化物には、この
ような反応性が小さいので耐蝕性向上という目的には適
しているものの、これには樹脂基板などに成膜するとき
にクラックが生じ易く、機械的強度に問題がある。
金属を含んでいるが、この希土類金属が極めて酸化され
易いものであるために、これには高温高湿下で簡単に磁
気特性が劣化するという難点があり、上記の訪電体層に
保護膜としての役割を負わせるという提案もあるが、S
iOなどの酸化物では逆に希土類元素がSiO中の0と
酸化反応を起こしてしまうためにその効果は十分なもの
ではないし、SiN、AI!Nなどの窒化物には、この
ような反応性が小さいので耐蝕性向上という目的には適
しているものの、これには樹脂基板などに成膜するとき
にクラックが生じ易く、機械的強度に問題がある。
[課題を解決するための手段]
本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、読電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、話電体層がHを含むSiGe
Nからなる非晶質材料から作られることを特徴とするも
のである。
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、読電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、話電体層がHを含むSiGe
Nからなる非晶質材料から作られることを特徴とするも
のである。
すなわち、本発明者らはカー回転角が大きく、光透過性
がすぐれていてC/Nもよく、記録密度も向上した光磁
気記録媒体を開発すべく種々検討した結果、基体上に設
けられる屈電体層にHを含むSiGeNからなる非晶質
材料(以下アモルファスSiGeN :H膜と略記する
)を使用すると、1)このアモルファス5iGaN :
H[は膜材料がGeを含んでいるので高屈折率を有して
いてエンハンス効果が大きく、また光透過性にもすぐれ
ていて、特に可視〜赤外領域で極めて高い透過性を有す
るので、C/Nの大きな光磁気記録媒体を与える、2)
アモルファスSiGeN :H膜はHを含んでいるので
Hを含まない膜にくらべて熱伝導度が小さく、したがっ
て照射するレーザーの熱拡散を抑え、効率よく温度上昇
させることができるので、光磁気記録媒体の記録感度を
向上させることができる、3)またこの膜材料はHを含
んでいて熱拡散が小さいので、記録ビット径の広がりを
抑えることができ、記録密度の向上をはかることかでざ
る、4)膜材料はHを含んでいるので、アモルファスに
なり易く、組成の均一性がすぐれており、表面が平滑な
膜を与える、5)従来の保護膜にくらべて剥離し難く、
機械的強度、耐久性にすぐれているので、記録膜を保護
する目的からその効果が大きい、ということを見出し、
このアモルファスSiGeN :H膜の形成方法などに
ついての研究を進めて本発明を完成させた。
がすぐれていてC/Nもよく、記録密度も向上した光磁
気記録媒体を開発すべく種々検討した結果、基体上に設
けられる屈電体層にHを含むSiGeNからなる非晶質
材料(以下アモルファスSiGeN :H膜と略記する
)を使用すると、1)このアモルファス5iGaN :
H[は膜材料がGeを含んでいるので高屈折率を有して
いてエンハンス効果が大きく、また光透過性にもすぐれ
ていて、特に可視〜赤外領域で極めて高い透過性を有す
るので、C/Nの大きな光磁気記録媒体を与える、2)
アモルファスSiGeN :H膜はHを含んでいるので
Hを含まない膜にくらべて熱伝導度が小さく、したがっ
て照射するレーザーの熱拡散を抑え、効率よく温度上昇
させることができるので、光磁気記録媒体の記録感度を
向上させることができる、3)またこの膜材料はHを含
んでいて熱拡散が小さいので、記録ビット径の広がりを
抑えることができ、記録密度の向上をはかることかでざ
る、4)膜材料はHを含んでいるので、アモルファスに
なり易く、組成の均一性がすぐれており、表面が平滑な
膜を与える、5)従来の保護膜にくらべて剥離し難く、
機械的強度、耐久性にすぐれているので、記録膜を保護
する目的からその効果が大きい、ということを見出し、
このアモルファスSiGeN :H膜の形成方法などに
ついての研究を進めて本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
[作 用]
本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に誘電体膜、磁性
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
膜をアモルファスSiGeN :H膜としたものである
。
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
膜をアモルファスSiGeN :H膜としたものである
。
この光磁気記録媒体の構成は公知のものであり、これは
例えば第1図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板1の上に誘電体膜2、磁性膜3、誘電体膜2と
同質の誘電体膜4および反射膜5を順次積層されたもの
であり、これは第2図に示しまたように透明基板7の上
に誘電体膜8、磁性膜9、誘電体膜10を順次積層した
3層構造のものであってもよく、これらにおいてはこの
透明基板1.7の光の入射側から光6.11が入射する
と光6は反射膜5で反射され、磁性膜の膜厚を厚くした
第2図のものでは入射光11は磁性@9て反射される。
例えば第1図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板1の上に誘電体膜2、磁性膜3、誘電体膜2と
同質の誘電体膜4および反射膜5を順次積層されたもの
であり、これは第2図に示しまたように透明基板7の上
に誘電体膜8、磁性膜9、誘電体膜10を順次積層した
3層構造のものであってもよく、これらにおいてはこの
透明基板1.7の光の入射側から光6.11が入射する
と光6は反射膜5で反射され、磁性膜の膜厚を厚くした
第2図のものでは入射光11は磁性@9て反射される。
本発明の光磁気記録媒体ではこの誘電体@2゜8および
/または4,10が前記したアモルファスSiGeN
:H膜で形成されるのであるが、この誘電体膜について
は水素を含有することによって水素を含まないものにく
らへて熱伝導率が小さくなり、また熱拡散も小さくなる
ので、これは水素を2〜30モル%含むものとすること
がよく、これはまたSiGeNを含むことによって保護
特性が向上するのでこれを98〜70モル%含むものと
することが必要とされるが、このSiGeNについては
6eを含むことによって高屈折率のものとなりエンハン
ス効果の大きいものとなるのでこのSiと6eとのモル
比についてはSi:Ge = 99〜60:1〜40の
ものとすることがよい。また、このアモルファス5iG
eH:HHについてはこの屈折草が1.75未満では十
分なエンハンス効果が期待できず、2.50より大きく
しようとすると透過率および膜貿の低下がもたらされて
、C/Nが低下したり、機械的強度や耐久性に悪影響が
及ぼされるので、これは175〜2.50の範囲とする
ことがよい。
/または4,10が前記したアモルファスSiGeN
:H膜で形成されるのであるが、この誘電体膜について
は水素を含有することによって水素を含まないものにく
らへて熱伝導率が小さくなり、また熱拡散も小さくなる
ので、これは水素を2〜30モル%含むものとすること
がよく、これはまたSiGeNを含むことによって保護
特性が向上するのでこれを98〜70モル%含むものと
することが必要とされるが、このSiGeNについては
6eを含むことによって高屈折率のものとなりエンハン
ス効果の大きいものとなるのでこのSiと6eとのモル
比についてはSi:Ge = 99〜60:1〜40の
ものとすることがよい。また、このアモルファス5iG
eH:HHについてはこの屈折草が1.75未満では十
分なエンハンス効果が期待できず、2.50より大きく
しようとすると透過率および膜貿の低下がもたらされて
、C/Nが低下したり、機械的強度や耐久性に悪影響が
及ぼされるので、これは175〜2.50の範囲とする
ことがよい。
なお、このアモルファスSiGeN:H膜の形成はスパ
ッタリング法で行なえばよいが、これについてはSiと
Geとの合金をターゲットとし、アルゴン−窒素−水素
混合ガス雰囲気でスパッタリングするか、SiNとGe
Nとの混合物をターゲットとし、アルゴン−水素または
アルゴン−窒素−水素の混合ガス雰囲気下でスパッタリ
ングすればよいが、これはまたSiとGeとの合金また
はSENとGeNとの混合物をターゲットとし、アンモ
ニアガス、アルゴン−アンモニア混合ガス、5in4ガ
ス、アルゴン−SiH4、アルゴン−SiH4−窒素、
アルゴン−SiH,−アンモニアの混合ガス雰囲気でス
パッタリングするか、さらにはSiまたはSiNをター
ゲットとし、GeH4ガス、アルゴン−GeH4、アル
ゴン−G e H4−窒素、アルゴン=G e tl
4−アンモニアの混合ガス雰囲気またはGe2H,ガス
、アルゴン−Ge2H6ガス、アルゴン−Ge、H8−
窒素、アルゴン−Ge、H6ガス−アンモニアの混合ガ
ス雰囲気下にスパッタリングするという方法で行なえば
よい。
ッタリング法で行なえばよいが、これについてはSiと
Geとの合金をターゲットとし、アルゴン−窒素−水素
混合ガス雰囲気でスパッタリングするか、SiNとGe
Nとの混合物をターゲットとし、アルゴン−水素または
アルゴン−窒素−水素の混合ガス雰囲気下でスパッタリ
ングすればよいが、これはまたSiとGeとの合金また
はSENとGeNとの混合物をターゲットとし、アンモ
ニアガス、アルゴン−アンモニア混合ガス、5in4ガ
ス、アルゴン−SiH4、アルゴン−SiH4−窒素、
アルゴン−SiH,−アンモニアの混合ガス雰囲気でス
パッタリングするか、さらにはSiまたはSiNをター
ゲットとし、GeH4ガス、アルゴン−GeH4、アル
ゴン−G e H4−窒素、アルゴン=G e tl
4−アンモニアの混合ガス雰囲気またはGe2H,ガス
、アルゴン−Ge2H6ガス、アルゴン−Ge、H8−
窒素、アルゴン−Ge、H6ガス−アンモニアの混合ガ
ス雰囲気下にスパッタリングするという方法で行なえば
よい。
なお、本発明の光磁気記録媒体は基体上に成膜されたこ
の誘電体膜の上に磁性膜と反射膜を形成するのであるが
、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は希
土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがってT
b、 Dy、 Gd、Ndなどの希土類元素とFe、
Go、 Niなとの遷移金属元素からなる、例えばTb
Fe、 TbFeCo、 GdTbFe、 GdDyF
eCoなどからなる非晶質金属膜を第1図の構造のもの
では200〜500人、第2図の構造のものでは800
〜1.000人程度の厚さでスパッタリング法で形成す
ればよく、この反射層は1. Cu、 Au、 Agな
どの金属膜を厚さ200〜i、ooo人程度で設ければ
よい。
の誘電体膜の上に磁性膜と反射膜を形成するのであるが
、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は希
土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがってT
b、 Dy、 Gd、Ndなどの希土類元素とFe、
Go、 Niなとの遷移金属元素からなる、例えばTb
Fe、 TbFeCo、 GdTbFe、 GdDyF
eCoなどからなる非晶質金属膜を第1図の構造のもの
では200〜500人、第2図の構造のものでは800
〜1.000人程度の厚さでスパッタリング法で形成す
ればよく、この反射層は1. Cu、 Au、 Agな
どの金属膜を厚さ200〜i、ooo人程度で設ければ
よい。
[実施例コ
つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例1.比較例1〜2
アモルファスSiGeN+)I 膜の形成をスパッタリ
ング法で行なうこととし、真空装置内にガラス基板とタ
ーゲットとしてのSiとGeとの合金を入れ、装置内を
アルゴンガス70%、NH3ガス30%からなる混合ガ
ス雰囲気とし、圧力を10mトールとしてここに出力3
00Wの高周波を印加してスパッタリングによって基板
上にアモルファスSiGeN:)I膜を形成させ、この
膜の組成比、膜の屈折率および透過率をしらべたところ
、第1表に記載したとおりの結果が得られた(実施例1
)。
ング法で行なうこととし、真空装置内にガラス基板とタ
ーゲットとしてのSiとGeとの合金を入れ、装置内を
アルゴンガス70%、NH3ガス30%からなる混合ガ
ス雰囲気とし、圧力を10mトールとしてここに出力3
00Wの高周波を印加してスパッタリングによって基板
上にアモルファスSiGeN:)I膜を形成させ、この
膜の組成比、膜の屈折率および透過率をしらべたところ
、第1表に記載したとおりの結果が得られた(実施例1
)。
ついで、比較のために上記における7囲気ガスをアルゴ
ンガス50%、NH350%の混合ガスとしたほかは上
記と同棟に処理してアモルファス5fGeN膜を作る(
比較例1)と共に、ターゲットをSiとし、雰囲気ガス
をアルゴン50%、窒素50%、の混合ガスとしてスパ
ッタリングしてアモルファスSiN膜を作り(比較例2
)、この膜の屈折率、透過率をしらべたところ、第1表
に併記したとおりの結果が得られた。
ンガス50%、NH350%の混合ガスとしたほかは上
記と同棟に処理してアモルファス5fGeN膜を作る(
比較例1)と共に、ターゲットをSiとし、雰囲気ガス
をアルゴン50%、窒素50%、の混合ガスとしてスパ
ッタリングしてアモルファスSiN膜を作り(比較例2
)、この膜の屈折率、透過率をしらべたところ、第1表
に併記したとおりの結果が得られた。
なお、この場合における各元素の組成分析はPBS、
)IFSを用いて行なったものであるが、ここに得られ
たSiGeN:H膜は従来のSiNにくらべて大きな屈
折率を有し、またSiGeNよりも透過率においてすぐ
れたものであった。
)IFSを用いて行なったものであるが、ここに得られ
たSiGeN:H膜は従来のSiNにくらべて大きな屈
折率を有し、またSiGeNよりも透過率においてすぐ
れたものであった。
つぎに第1図に示したような光磁気記録媒体を作るべく
、ポリカーボネート基板上にアモルファスSiGeN・
H膜を厚さ900 人で形成し、この上にアルゴンガス
圧7のトール、高周波電力200 Wという条イ牛のス
パッタリングY去て、厚さ200人のT b F e
Qi磁性膜、厚さ300人の5fGeN:)I @およ
び厚さ 500人のアルミニウム反射膜を形成し、この
ものの最適記録パワーを測定したところ、このものはア
モルファスSiGeN:Hlli中のH%に対して第3
図に示した通りの結果を示した。
、ポリカーボネート基板上にアモルファスSiGeN・
H膜を厚さ900 人で形成し、この上にアルゴンガス
圧7のトール、高周波電力200 Wという条イ牛のス
パッタリングY去て、厚さ200人のT b F e
Qi磁性膜、厚さ300人の5fGeN:)I @およ
び厚さ 500人のアルミニウム反射膜を形成し、この
ものの最適記録パワーを測定したところ、このものはア
モルファスSiGeN:Hlli中のH%に対して第3
図に示した通りの結果を示した。
第1表
[発明の効果コ
本発明は光磁気記録媒体に関するもので、これは前記し
たように基板に誘電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光磁
気記録媒体において、この誘電体をHを含むSiGeN
とからなる非晶質材料とするというものであり、これに
よればこの誘電体膜が屈折率1.75〜2.50のもの
となるので大きなエンハンス効果をもつものとなり、カ
ー回転角の増大がはかれるし、これはまた光透過性がす
ぐれているのでC/Nが増大されるほか、この非晶質膜
はHを含んでいるので膜面が平滑なものとなるし、これ
はまた機械的強度、耐久性がすぐれたものとなり、熱伝
導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さくなって記録
ビットの径の広がりが抑えられるので記録密度が向上さ
れるという有利性が与えられる。
たように基板に誘電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光磁
気記録媒体において、この誘電体をHを含むSiGeN
とからなる非晶質材料とするというものであり、これに
よればこの誘電体膜が屈折率1.75〜2.50のもの
となるので大きなエンハンス効果をもつものとなり、カ
ー回転角の増大がはかれるし、これはまた光透過性がす
ぐれているのでC/Nが増大されるほか、この非晶質膜
はHを含んでいるので膜面が平滑なものとなるし、これ
はまた機械的強度、耐久性がすぐれたものとなり、熱伝
導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さくなって記録
ビットの径の広がりが抑えられるので記録密度が向上さ
れるという有利性が与えられる。
第1図、第2図は光磁気記録媒体の構成図、第3図は実
施例における光磁気記録媒体の水素量と最適記録パワー
変化量との関係グラフを、第4図は光磁気記録媒体の膜
厚とカー回転角との関係グラフを示したものである。 1.7・・・透明基板 2.4,8.10・・・誘電体@(層)3.9・・・磁
性膜 5・・・反射膜〃 荒 井 鐘 司、二一一 1 O0 +50 □−→該厚(n nl) 第 図 6Ω 一−−−−−−H1(01%)
施例における光磁気記録媒体の水素量と最適記録パワー
変化量との関係グラフを、第4図は光磁気記録媒体の膜
厚とカー回転角との関係グラフを示したものである。 1.7・・・透明基板 2.4,8.10・・・誘電体@(層)3.9・・・磁
性膜 5・・・反射膜〃 荒 井 鐘 司、二一一 1 O0 +50 □−→該厚(n nl) 第 図 6Ω 一−−−−−−H1(01%)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光の入射側に置かれる透明基板上に、誘電体層、磁
性膜、反射膜を設けて成る光磁気記録媒体において、誘
電体層がHを含むSiGeNからなる非晶質材料からな
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 2、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料がモル比と
して2〜30%の水素を含むものである請求項1に記載
した光磁気記録媒体。 3、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料のSi:G
eモル比がSi:Ge=99〜60:1〜40である請
求項1に記録した光磁気記録媒体。 4、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料の屈折率が
1.75以上2.50以下である請求項1に記載した光
磁気記録媒体。 5、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料がスパッタ
リング法で形成されたものである請求項1に記載した光
磁気記録媒体。 6、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料がSiとG
eとの合金をターゲットとし、アルゴン−窒素−水素混
合ガス雰囲気でのスパッタリング法により形成されたも
のである請求項1または5に記載した光磁気記録媒体。 7、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料がSiNと
GeNとの混合物をターゲットとし、アルゴン−水素ま
たはアルゴン−窒素−水素混合ガス雰囲気でのスパッタ
リング法によって形成されたものである請求項1または
5に記載した光磁気記録媒体。 8、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料がSiとG
eとの合金またはSiNとGeNとの混合物をターゲッ
トとし、アンモニアガス雰囲気またはアルゴン−アンモ
ニアの混合ガス雰囲気下でのスパッタリング法によって
形成されたものである請求項1または5に記載した光磁
気記録媒体。 9、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料がSiとG
eとの合金またはSiNとGeNとの混合物をターゲッ
トとし、SiH_4ガス雰囲気、アルゴン−SiH_4
、アルゴン−SiH_4−窒素またはアルゴン−SiH
_4−アンモニアの混合ガス雰囲気中のスパッタリング
法によって形成されたものである請求項1または5に記
載した光磁気記録媒体。 10、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料がSiま
たはSiNをターゲットとし、GeH_4ガス、アルゴ
ン−GeH_4、アルゴン−GeH_4−窒素、アルゴ
ン−GeH_4−アンモニアの混合ガス雰囲気でのスパ
ッタリングにより形成されたものである請求項1または
5に記載した光磁気記録媒体。 11、Hを含むSiGeNからなる非晶質材料がSiま
たはSiNをターゲットとし、Ge_2H_6ガス、ア
ルゴン−Ge_2H_6、アルゴン−Ge_2H_6−
窒素、アルゴン−Ge_2H_6−アンモニアの混合ガ
ス雰囲気でのスパッタリングによって形成されたもので
ある請求項1または5に記載した光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18215990A JPH0469833A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18215990A JPH0469833A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0469833A true JPH0469833A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16113389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18215990A Pending JPH0469833A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0469833A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
US6821707B2 (en) * | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP18215990A patent/JPH0469833A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821707B2 (en) * | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
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