JPH046896A - セラミック配線板 - Google Patents
セラミック配線板Info
- Publication number
- JPH046896A JPH046896A JP10851490A JP10851490A JPH046896A JP H046896 A JPH046896 A JP H046896A JP 10851490 A JP10851490 A JP 10851490A JP 10851490 A JP10851490 A JP 10851490A JP H046896 A JPH046896 A JP H046896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inorganic material
- wiring board
- sintering
- heat treatment
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910020674 Co—B Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 26
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 9
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 4
- 230000008520 organization Effects 0.000 abstract 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910017132 AlSn Inorganic materials 0.000 description 1
- RAOSIAYCXKBGFE-UHFFFAOYSA-K [Cu+3].[O-]P([O-])([O-])=O Chemical compound [Cu+3].[O-]P([O-])([O-])=O RAOSIAYCXKBGFE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(従来の技術)
メツキは木来極めて精密な膜形成ができる。
このためにセラミック基板の上に精密な回路模様を形成
する際、はとんどの場合、メツキが用いられている。
する際、はとんどの場合、メツキが用いられている。
このメツキ技術と他のパターンニング技術が組み合わさ
れて回路模様が形成されることになる。
れて回路模様が形成されることになる。
しかしながらメツキの難点はセラミックに対する接着強
度が小さく、信頼性に欠けることである。
度が小さく、信頼性に欠けることである。
現在この接着強度を高くするために、通常セラミックの
表面をエツチングによって粗面化して、つまりアンカー
効果を高めて物理的に接着強度を高くすることが行われ
ている。
表面をエツチングによって粗面化して、つまりアンカー
効果を高めて物理的に接着強度を高くすることが行われ
ている。
この方法によると約2 kg/■■2前後の接着強度が
得られることもあるが、メツキ金属は本来その機構上、
セラミックに単に物理的に係合されているに過ぎないの
で、本質的に高強度は得難く、またそのバラツキも避け
がたいものである。
得られることもあるが、メツキ金属は本来その機構上、
セラミックに単に物理的に係合されているに過ぎないの
で、本質的に高強度は得難く、またそのバラツキも避け
がたいものである。
また従来内部導体配線を有する多層基板の表面層の配線
やパッドは、Ag−Pd、Cuペースト等を用いてスク
リーン印刷法で形成されている。
やパッドは、Ag−Pd、Cuペースト等を用いてスク
リーン印刷法で形成されている。
現在の技術水準では、配線間の幅は、200〜300μ
■が限度であ本発明は、アルミナ、窒化アルミ、炭化ケ
イ素等のセラミック基板(東層、多層基板)に導電層を
形成した配線板に係わるものである。
■が限度であ本発明は、アルミナ、窒化アルミ、炭化ケ
イ素等のセラミック基板(東層、多層基板)に導電層を
形成した配線板に係わるものである。
部品を搭載するバットの表面が山伏になり、部品の座り
具合が悪い。できるだけ水平なバットの形成が必要であ
る。
具合が悪い。できるだけ水平なバットの形成が必要であ
る。
また印刷法の欠点は、断面がスロープ状になり必要以上
に面積を占有する。
に面積を占有する。
いわゆる超精密回路形成は、印刷法では不可部である。
(発明が解決する間層点)
本発明lよかかる問題点に艦みてなされたもので、その
目的とするところは、上記したメツキ技術の強度不足と
、接着強度のバラツキの問題を解決するにある。
目的とするところは、上記したメツキ技術の強度不足と
、接着強度のバラツキの問題を解決するにある。
(問題点を解決するための手段)
上記問題点はつぎの構造の配線板によって解決される。
(1)セラミック基板と、該基板の上に形成された中間
層と、該中間層の上にメツキによって形成された導電層
からなる構造のセラミック配線板であって、該中間層は
、金属マトリックスの中にセラミックに焼結性のある無
機質材料の粒子が分散した組織、あるいは該マトリック
ス金属の中に熱処理によって該無機質材料に転化する成
分元素が含まれた組織からなり、該基板と焼結されて成
ることを特徴とするセラミック配線板。
層と、該中間層の上にメツキによって形成された導電層
からなる構造のセラミック配線板であって、該中間層は
、金属マトリックスの中にセラミックに焼結性のある無
機質材料の粒子が分散した組織、あるいは該マトリック
ス金属の中に熱処理によって該無機質材料に転化する成
分元素が含まれた組織からなり、該基板と焼結されて成
ることを特徴とするセラミック配線板。
■上記無機質材料が酸化物、活性金属である上記(1)
に記載の配線板(3)上記酸化物が酸化ホー素、ガラス
、カオリンである上記(2)に記載の配線板。
に記載の配線板(3)上記酸化物が酸化ホー素、ガラス
、カオリンである上記(2)に記載の配線板。
(4)上記無機質材料に転化する成分元素がBである上
記(1)に記載の配線板。
記(1)に記載の配線板。
■上記マトリックス金属がCu+ Fe、Ni+ Co
、Ag+ Au、AlSn、In、Zn、Cu−P,N
1−P,Co−P,N1−B、Co−Bあるいは、これ
らを成分とする合金である上記(1)に記載の配線板(
作用) 本発明のセラミック配線板の構造を図面を参照しながら
詳細に説明する。
、Ag+ Au、AlSn、In、Zn、Cu−P,N
1−P,Co−P,N1−B、Co−Bあるいは、これ
らを成分とする合金である上記(1)に記載の配線板(
作用) 本発明のセラミック配線板の構造を図面を参照しながら
詳細に説明する。
第1図に示すごとく、本発明の配線板は、セラミック基
板1と導電層2、および導電層と基板の境界に設けられ
た中間H3から成る。
板1と導電層2、および導電層と基板の境界に設けられ
た中間H3から成る。
中間N3は、金属マトリックスの中にセラミックに焼結
性のある無機質材料の粒子が分散した組織、あるいはマ
トリックス金属の中に熱処理によってこの無mW材料に
転化する成分元素が含まれた組織から成り、この無機質
材料の相をセラミックに焼結することによって基板1に
焼結されている。
性のある無機質材料の粒子が分散した組織、あるいはマ
トリックス金属の中に熱処理によってこの無mW材料に
転化する成分元素が含まれた組織から成り、この無機質
材料の相をセラミックに焼結することによって基板1に
焼結されている。
セラミックに焼結性のある無機質材料とは、セラミック
質のものは、ガラス、カオリン、酸化ホー素等の酸化物
、金属質のものは、活性金属あるいはこれらの水素化物
等であり、これらはいずれも比較的低い温度でセラミッ
クに焼結あるいはセラミックに拡散する性質がある。
質のものは、ガラス、カオリン、酸化ホー素等の酸化物
、金属質のものは、活性金属あるいはこれらの水素化物
等であり、これらはいずれも比較的低い温度でセラミッ
クに焼結あるいはセラミックに拡散する性質がある。
これらの材料の焼結性あるいは拡散性を利用して中間層
と基板が一体的に焼結される。
と基板が一体的に焼結される。
ガラスには、低温(400〜500℃)でセラミックに
焼結するものが好ましく低融点フリットが適している。
焼結するものが好ましく低融点フリットが適している。
活性金属にはT1がもつとも好ましく金1lTiあるい
は水素化Tiの形で用いるとよい。
は水素化Tiの形で用いるとよい。
これらの酸化物は複数のものを共存させることも可能で
あり、また酸化物と活性金属を共存させることもできる
。
あり、また酸化物と活性金属を共存させることもできる
。
特に酸化物が酸化ホー素でT1と共存させるときがもつ
とも好ましい。
とも好ましい。
熱処理によって上記無機質材料に転化する成分元素とは
、焼結熱処理中に上記した酸化物に変化する成分で、B
等の元素である。
、焼結熱処理中に上記した酸化物に変化する成分で、B
等の元素である。
Bは酸素の存在する雰囲気で熱処理すると酸化ホー素B
2O3に転化する。
2O3に転化する。
マトリックス金属にはCu+ Fe、Ni、Co、Ag
、Au、AIS n + I n + Z n +
Cu P + N x P + Co−P + N
I B + C。
、Au、AIS n + I n + Z n +
Cu P + N x P + Co−P + N
I B + C。
B等の金属あるいはこれらの合金を適宜用いることがで
きる。
きる。
中間層の形成は、湿式メツキ、気相メツキ、真空メツキ
等の何れによっても可能である。
等の何れによっても可能である。
特に無電解のN1−B、Co−Bメツキを用いるとマト
リックス金属の中にBを含有した金属層が得られる。
リックス金属の中にBを含有した金属層が得られる。
この皮膜には、熱処理によって酸化ホー素が形成される
。
。
無機質材料の粒子が分散した層の形成は、湿式メツキが
もっとも好ましい。
もっとも好ましい。
この方法は、メツキ液の中に該粉末を分散させて電解、
あるいは無電解メツキする、いわゆる複合メツキ法であ
る。
あるいは無電解メツキする、いわゆる複合メツキ法であ
る。
中間層は以上のような方法で形成されるが、この上には
更に導電層がメツキによって形成される。
更に導電層がメツキによって形成される。
メツキ金属には主にCuが用いられる。
パターンニングは、導電層をメツキした後、中間層と導
電層を一体的に行う場合、あるいは中間層を予め所定の
模様にエツチングした後、このうえに導電層をメツキす
る場合があるが、いずれにしろパターンニングは焼結熱
処理の前に行う。
電層を一体的に行う場合、あるいは中間層を予め所定の
模様にエツチングした後、このうえに導電層をメツキす
る場合があるが、いずれにしろパターンニングは焼結熱
処理の前に行う。
つまり、中間層、導電層−法的エッチング坤熱処理中間
層エツチング呻導電層メツキ坤熱処理中間層エツチング
功熱処理#導重層メツキ である。
層エツチング呻導電層メツキ坤熱処理中間層エツチング
功熱処理#導重層メツキ である。
焼結前にメツキした場合、導電層と中間層の焼結も同時
に行われるので密着が強固になる。
に行われるので密着が強固になる。
焼結は、大気中あるいは非酸化性雰囲気で行い、温度は
概ね400〜1000℃の範囲が好ましい。
概ね400〜1000℃の範囲が好ましい。
中間層としてN1−B、Co−Bを用いる場合、雰囲気
は弱酸化性雰囲気が好ましい。
は弱酸化性雰囲気が好ましい。
基板lのセラミックには酸化物、炭化物(SiC’3)
、窒化* (Al11等)等通常の基板に用いられる
セラミックはすべて使用できる。
、窒化* (Al11等)等通常の基板に用いられる
セラミックはすべて使用できる。
SiCやAINの場合、大気中で表面を酸化処理すると
中間層の酸化物との焼結性が向上する。
中間層の酸化物との焼結性が向上する。
(実施例)
実施例1
96%アルミナ基板(10xlOXlOm嘗)に無電解
N1−Bを0,5μ■メツキした後、平均粒径0.5μ
層のB20.が5g/]分散するNiメツキ浴で5μ■
N1〜B、0.の共析メツキ。
N1−Bを0,5μ■メツキした後、平均粒径0.5μ
層のB20.が5g/]分散するNiメツキ浴で5μ■
N1〜B、0.の共析メツキ。
続いて、このうえに10μ鳳電気銅メツキ。
所定の模様にエツチングした後、0.を微量含むN2雰
囲気で6[10’Cで30分熱処理した。
囲気で6[10’Cで30分熱処理した。
徐冷後密着試験を行った。
密着強度:5〜7kg/■■”(lx1m脂の面積部分
)ちなみに熱処理なしの場合、0.5〜1.5kg/−
m”実施例2 AIN基板(IOXloXI)を1200”Cで5時間
大気中で加熱して酸化処理した後N1−Bを0.1μ無
電解メツキ。
)ちなみに熱処理なしの場合、0.5〜1.5kg/−
m”実施例2 AIN基板(IOXloXI)を1200”Cで5時間
大気中で加熱して酸化処理した後N1−Bを0.1μ無
電解メツキ。
次に平均粒径0.5μ■のT IHzが5g/1分散す
るじ0リン酸銅メツキ浴で5μ■Cu + T i H
zの共析メツキ。
るじ0リン酸銅メツキ浴で5μ■Cu + T i H
zの共析メツキ。
所定の模様にパターンニングした後、0.をgi量含む
N2雰囲気で700℃、30分焼結熱処理。
N2雰囲気で700℃、30分焼結熱処理。
密着強度=4.5〜6.5kg/龍2
実施例3
Ni−Pの無電解メツキ浴に軟化温度400℃のフリッ
ト(0,5μmlを5g/l懸濁させた浴で、96%ア
ルミナ基扱に0.2μ閣N1−P+フリットの共析メツ
キ。
ト(0,5μmlを5g/l懸濁させた浴で、96%ア
ルミナ基扱に0.2μ閣N1−P+フリットの共析メツ
キ。
このうえに10μ醜電気銅メツキ。
所定の模様にパターンユング後、Ar雰囲気、600℃
、30分焼結処理。
、30分焼結処理。
密着強度:4〜7kg/m■2
(発明の効果)
(1)回路素線はセラミック基板に焼結されているので
接着強度が高い。
接着強度が高い。
■)接着強度のバラツキが小さくなり信頼性が向上する
。
。
(3)ベヤ−チップをダイレクトに搭載できる。
(4)超精密パターンを形成でき、集積度を上げること
ができる。
ができる。
第1図は本発明の配線板の構造を説明した図である。
1・・・セラミック基板
2・・・導電層
3・・・中間層
特許出願人 株式会社ワールドメタル第1図
2導電層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)セラミック基板と、該基板の上に形成された中間
層と、該中間層の上にメッキによって形成された導電層
からなる構造のセラミック配線板であって、該中間層は
、金属マトリックスの中にセラミックに焼結性のある無
機質材料の粒子が分散した組織、あるいは該マトリック
ス金属の中に熱処理によつて該無機質材料に転化する成
分元素が含まれた組織から成り、該基板と焼結されて成
ることを特徴とするセラミツク配線板。 (2)上記無機質材料が酸化物、活性金属である請求項
(1)に記載の配線板。 (3)上記酸化物が酸化ホー素、ガラス、カオリンであ
る請求項(2)に記載の配線板。(4)上記無機質材料
に転化する成分元素がBである請求項(1)に記載の配
線板。 (5)上記マトリックス金属がCu,Fe,Ni,Co
,Ag,Au,Al,Sn,In,Zn,Cu−P,N
i−P,Co−P,Ni−B,Co−Bあるいは、これ
らを成分とする合金である請求項(1)に記載の配線板
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10851490A JPH046896A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | セラミック配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10851490A JPH046896A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | セラミック配線板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH046896A true JPH046896A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14486719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10851490A Pending JPH046896A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | セラミック配線板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH046896A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017195414A1 (ja) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-24 JP JP10851490A patent/JPH046896A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017195414A1 (ja) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3493844B2 (ja) | 半導体基板材料とその製造方法及び該基板を用いた半導体装置 | |
US20050263877A1 (en) | Laminated radiation member, power semiconductor apparatus, and method for producing the same | |
CA1168115A (en) | Process for forming refractory metal layers on ceramic substrate | |
JP3408298B2 (ja) | 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板,その製造方法および窒化けい素モジュール | |
KR19990045105A (ko) | 기판 | |
JPH0957487A (ja) | ろう材 | |
EP3799965A1 (en) | Metallized ceramic substrate and method for manufacturing same | |
JPH03179793A (ja) | セラミックス基板の表面構造およびその製造方法 | |
JPS583962A (ja) | 応力のないニツケル層を与える方法 | |
JPH046896A (ja) | セラミック配線板 | |
JP2590255B2 (ja) | セラミックスとの接合性の良い銅材 | |
JPH09315876A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
JPS62216979A (ja) | ガラス層を有する窒化アルミニウム焼結体並びにその製造方法 | |
JPH05238857A (ja) | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法 | |
JP3493310B2 (ja) | 多層配線基板 | |
JP2009253196A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2000154081A (ja) | セラミックス部品およびその製造方法 | |
JP2751473B2 (ja) | 高熱伝導性絶縁基板及びその製造方法 | |
JPH08293654A (ja) | セラミックへの金属被膜形成方法及び金属被覆セラミック構造体 | |
JPS62182182A (ja) | 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体 | |
JP2524129B2 (ja) | セラミツク配線基板 | |
JP3898400B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2820566B2 (ja) | 半導体パッケージ用放熱部材の製造方法 | |
JP3628088B2 (ja) | 窒化アルミニウム多層配線基板およびその製造方法 | |
JPS60145980A (ja) | 金属被膜を有するセラミツクス焼結体およびその製造方法 |