JPH0468315A - 透明導電膜およびその製造方法 - Google Patents
透明導電膜およびその製造方法Info
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- JPH0468315A JPH0468315A JP18120390A JP18120390A JPH0468315A JP H0468315 A JPH0468315 A JP H0468315A JP 18120390 A JP18120390 A JP 18120390A JP 18120390 A JP18120390 A JP 18120390A JP H0468315 A JPH0468315 A JP H0468315A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Ni-7 Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明導電膜およびその製造方法に関する。
従来より液晶表示体、エレクトロルミネッセンス、太陽
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
金属薄膜は低い基板温度で容易に低抵抗の膜を作製する
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方酸化物半導体は優れた透光性と8強度
を有しており導電性も良いことから実用的であり広く応
用されているが、近年、より高い特性が要求されてきて
いることから、金属層と酸化物層を積層させた結晶性の
高い透明導電膜が提案されている。
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方酸化物半導体は優れた透光性と8強度
を有しており導電性も良いことから実用的であり広く応
用されているが、近年、より高い特性が要求されてきて
いることから、金属層と酸化物層を積層させた結晶性の
高い透明導電膜が提案されている。
しかしながら、金属層と酸化物層を積層させた透明導電
層の場合、配線をバターニング加工する際酸化物層と金
属層とて二層のエツチングが必要となり加工の手間が増
え、生産性を悪くしてしまう。そこで本発明の目的とす
るところは金属層と酸化物層を積層させたことによって
結晶性を高くした透明導電膜の加工性を改善することに
ある。
層の場合、配線をバターニング加工する際酸化物層と金
属層とて二層のエツチングが必要となり加工の手間が増
え、生産性を悪くしてしまう。そこで本発明の目的とす
るところは金属層と酸化物層を積層させたことによって
結晶性を高くした透明導電膜の加工性を改善することに
ある。
本発明の透明導電膜は、基板上に作製された透明導電膜
であり、第1層として透明導電性酸化物層が形成された
後、第2層として金属層が150オングストローム以下
の厚さで形成され、その金属層上に第3層として透明導
電性酸化物層が形成された積層構造を持つことを特徴と
している。また、本発明の透明導電膜の製造方法は、基
板上に透明導電膜を形成する際、第1層として透明導電
性酸化物層を、第2層として膜厚が150オングストロ
ーム以下の金属層を、第3層として透明導電性酸化物層
を順次設けることを特徴としている。
であり、第1層として透明導電性酸化物層が形成された
後、第2層として金属層が150オングストローム以下
の厚さで形成され、その金属層上に第3層として透明導
電性酸化物層が形成された積層構造を持つことを特徴と
している。また、本発明の透明導電膜の製造方法は、基
板上に透明導電膜を形成する際、第1層として透明導電
性酸化物層を、第2層として膜厚が150オングストロ
ーム以下の金属層を、第3層として透明導電性酸化物層
を順次設けることを特徴としている。
第1層の透明導電性酸化物層は積層体を一度にパターン
エツチングすることを可能にし生産性を上げる力めのも
のである。膜厚はとくに制限されるものではないが、透
光性の関係から500オングストローム以下が実用的で
ある。第2層の金属層は第3層の透明導電性酸化物層の
結晶性を高くするためのもので、あまり厚くすると透光
性が著しく低下するので150オングストローム以下の
膜厚が適当である。
エツチングすることを可能にし生産性を上げる力めのも
のである。膜厚はとくに制限されるものではないが、透
光性の関係から500オングストローム以下が実用的で
ある。第2層の金属層は第3層の透明導電性酸化物層の
結晶性を高くするためのもので、あまり厚くすると透光
性が著しく低下するので150オングストローム以下の
膜厚が適当である。
〔実施例1〕
真空チャンバー内を5X1(I’TOrrの圧力まで排
気した後、酸素の圧力が4×1O−5Torr、アルゴ
ンと酸素の圧力の和が5X10−’T。
気した後、酸素の圧力が4×1O−5Torr、アルゴ
ンと酸素の圧力の和が5X10−’T。
rrになるようにガスを導入し、300°Cに加熱した
ガラス基板上にDCマグネトロンスパッタ法で第1層の
ITO層を200オングストローム形成した。その復、
酸素を止めアルゴン圧力が2×1O−3T o r r
になるように調整し、DCマグネトロンスパッタ法で第
2層の金属層を50ないし150オングストローム形成
、さらに再び、酸素の圧力が4xlO−’Torr、ア
ルゴンと酸素の圧力の和が5X1.0−3Torrにな
るようにガスを導入して、DCマグネトロンスパッタ法
で第3層のIT○膜を1000オングストローム作製し
た。金属層には金、白金、ルテニウム、クロム、タンタ
ル、バナジウム、ニオ7、鉛、アルミニウム、チタン、
インジウム、スズの単金属とインジウム・スズ合金層を
それぞれ使い試料を作製した。
ガラス基板上にDCマグネトロンスパッタ法で第1層の
ITO層を200オングストローム形成した。その復、
酸素を止めアルゴン圧力が2×1O−3T o r r
になるように調整し、DCマグネトロンスパッタ法で第
2層の金属層を50ないし150オングストローム形成
、さらに再び、酸素の圧力が4xlO−’Torr、ア
ルゴンと酸素の圧力の和が5X1.0−3Torrにな
るようにガスを導入して、DCマグネトロンスパッタ法
で第3層のIT○膜を1000オングストローム作製し
た。金属層には金、白金、ルテニウム、クロム、タンタ
ル、バナジウム、ニオ7、鉛、アルミニウム、チタン、
インジウム、スズの単金属とインジウム・スズ合金層を
それぞれ使い試料を作製した。
また、比較例として、第1層のITo層がないものと第
2層の金属層が200オングストロームのものを作製し
た。各試料の構成を第1表に示す。
2層の金属層が200オングストロームのものを作製し
た。各試料の構成を第1表に示す。
第1表
これら試料1から13および比較例を塩酸と硝酸と水の
混合液でエツチングした結果、試料lから13は金属層
が島状に形成されているため基板表面までエツチングす
ることができたのに対し、比較例1はITO膜しかエツ
チングできす金膜が残ってしまうので、再び金膜を別の
方法でエツチングする必要があった。また、比較例2.
3は金属層が200オングストロームと厚いため第1層
のITO層がエツチングされず、本発明の一度にエツチ
ングするという目的は達成されなかった。
混合液でエツチングした結果、試料lから13は金属層
が島状に形成されているため基板表面までエツチングす
ることができたのに対し、比較例1はITO膜しかエツ
チングできす金膜が残ってしまうので、再び金膜を別の
方法でエツチングする必要があった。また、比較例2.
3は金属層が200オングストロームと厚いため第1層
のITO層がエツチングされず、本発明の一度にエツチ
ングするという目的は達成されなかった。
〔実施例2〕
真空チャンバー内を5xlO−”Torrの圧力まで排
気した後、酸素の圧力が4X10−5Torr、アルゴ
ンと酸素の圧力の和が5×1O−3TOrrになるよう
にガスを導入し、300°Cに加熱したガラス基板上に
DCマグネトロンスパッタ法でアンチモンがドピングさ
れた酸化スズ膜を200オングストローム形成した。そ
の後、酸素の導入を止め圧力が2X10−3Torrに
なるようにアルゴンガスを調整し、DCマグネトロンス
パッタ法で第2層の金属層を50ないし150オングス
トローム形成、さらに再び、酸素の圧力が4×10”T
orr、アルゴンと酸素の圧力の和が5xlO−’To
rrになるようにガスを導入して、同じ(DCマグネト
ロンスバッタン夫でアンチモンがドピングされた酸化ス
ズ膜を1000オングストローム形成した。金属層には
金、白金、ルテニウム、クロム、アルミニウム、インジ
ウム、アンチモン、スズの単金属層とインジウム・スズ
合金層をそれぞれ使い試料を作製した。また、比較例と
して第1層のITO層がないものと第2層の金属層が2
00オングストロームのものを作製した。各試料の構成
を第2表に示す。
気した後、酸素の圧力が4X10−5Torr、アルゴ
ンと酸素の圧力の和が5×1O−3TOrrになるよう
にガスを導入し、300°Cに加熱したガラス基板上に
DCマグネトロンスパッタ法でアンチモンがドピングさ
れた酸化スズ膜を200オングストローム形成した。そ
の後、酸素の導入を止め圧力が2X10−3Torrに
なるようにアルゴンガスを調整し、DCマグネトロンス
パッタ法で第2層の金属層を50ないし150オングス
トローム形成、さらに再び、酸素の圧力が4×10”T
orr、アルゴンと酸素の圧力の和が5xlO−’To
rrになるようにガスを導入して、同じ(DCマグネト
ロンスバッタン夫でアンチモンがドピングされた酸化ス
ズ膜を1000オングストローム形成した。金属層には
金、白金、ルテニウム、クロム、アルミニウム、インジ
ウム、アンチモン、スズの単金属層とインジウム・スズ
合金層をそれぞれ使い試料を作製した。また、比較例と
して第1層のITO層がないものと第2層の金属層が2
00オングストロームのものを作製した。各試料の構成
を第2表に示す。
第2表
これら試料1から9と比較例を亜鉛粉と塩酸によりエツ
チングした。その結果、試料1から9は金属層が島状に
形成されているため基板表面までエツチングすることが
できたのに対し、比較例1は酸化スズ膜しかエツチング
できす金膜が残ってしまうので、再び金膜を別の方法で
エツチングする必要があった。また、比較例2.3は金
属層が200オングストロームと厚いため第1層のIT
○膜がエツチングされず、本発明の一度にエツチングす
るという目的は達成されなかった。
チングした。その結果、試料1から9は金属層が島状に
形成されているため基板表面までエツチングすることが
できたのに対し、比較例1は酸化スズ膜しかエツチング
できす金膜が残ってしまうので、再び金膜を別の方法で
エツチングする必要があった。また、比較例2.3は金
属層が200オングストロームと厚いため第1層のIT
○膜がエツチングされず、本発明の一度にエツチングす
るという目的は達成されなかった。
以上述べたように、本発明の透明導電膜は基板上に第]
−層として透明導電性酸化物層が形成された後、第2層
として金属層が150オングストローム以下の厚さで形
成され、その金属層上に第3層として透明導電性、酸化
物層が形成された積層構造を持つので、従来金属層と透
明導電性酸化物層の積層膜を配線パターニングするため
に二層のエツチングが必要たったのに対し、−度でエツ
チングができる。これは、第2層の金属層が島状に成長
しているため第1層の透明導電性酸化物層がエツチング
され、同時に金属層もエツチングされるからであると考
えられる。従って本発明によれば金属層と透明導電性酸
化物層の積層膜の生産プロセスを簡単にし生産性を向上
させることができるので生産コストを低減させることが
できるという効果を有する。なお本発明の透明導電膜の
金属層に用いる材料は特定のものに限らず金属であれば
よい。さらに本発明の透明導電膜は真空蒸着法、RFス
ノマッタリング法、イオンブレーティングン去、イオン
ヒ゛−ムスパッタ?去、CVD法なと゛様々な手法によ
り成膜可能てありその応用分野も各種表示デバイス、太
陽電池、撮像素子などの透明電極や発熱膜、帯電防止膜
、熱線反射膜、選択透過膜など広い分野で応用可能であ
る。また、本発明の透明導電膜の製造方法は、基板上に
透明導電膜を形成する際、第1層として透明導電性酸化
物層を、第2層として膜厚が150オングストローム以
下の金属層を、第3層として透明導電性酸化物層を順次
設Oプたので、−度にエツチングができる加工性の良い
透明導電膜を得ることができる。
−層として透明導電性酸化物層が形成された後、第2層
として金属層が150オングストローム以下の厚さで形
成され、その金属層上に第3層として透明導電性、酸化
物層が形成された積層構造を持つので、従来金属層と透
明導電性酸化物層の積層膜を配線パターニングするため
に二層のエツチングが必要たったのに対し、−度でエツ
チングができる。これは、第2層の金属層が島状に成長
しているため第1層の透明導電性酸化物層がエツチング
され、同時に金属層もエツチングされるからであると考
えられる。従って本発明によれば金属層と透明導電性酸
化物層の積層膜の生産プロセスを簡単にし生産性を向上
させることができるので生産コストを低減させることが
できるという効果を有する。なお本発明の透明導電膜の
金属層に用いる材料は特定のものに限らず金属であれば
よい。さらに本発明の透明導電膜は真空蒸着法、RFス
ノマッタリング法、イオンブレーティングン去、イオン
ヒ゛−ムスパッタ?去、CVD法なと゛様々な手法によ
り成膜可能てありその応用分野も各種表示デバイス、太
陽電池、撮像素子などの透明電極や発熱膜、帯電防止膜
、熱線反射膜、選択透過膜など広い分野で応用可能であ
る。また、本発明の透明導電膜の製造方法は、基板上に
透明導電膜を形成する際、第1層として透明導電性酸化
物層を、第2層として膜厚が150オングストローム以
下の金属層を、第3層として透明導電性酸化物層を順次
設Oプたので、−度にエツチングができる加工性の良い
透明導電膜を得ることができる。
なお、−度でエツチングできるのは第2層の金属層が島
状に成長しているため第1層の透明導電性酸化物層がエ
ツチングされ、同時に金属層がエツチングされるからで
あり、第1層あるいは第3層の透明導電性酸化物層へド
ピングされた不純物に関係なく上述の効果が得られる。
状に成長しているため第1層の透明導電性酸化物層がエ
ツチングされ、同時に金属層がエツチングされるからで
あり、第1層あるいは第3層の透明導電性酸化物層へド
ピングされた不純物に関係なく上述の効果が得られる。
以 上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人弁理士 鈴木喜三部(他1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)基板上に作製された透明導電膜で、第1層として
透明導電性酸化物層が形成された後、第2層として金属
層が150オングストローム以下の厚さで形成され、そ
の金属層上に第3層として透明導電性酸化物層が形成さ
れた積層構造を持つことを特徴とする透明導電膜。 (2)第1層および第3層の透明導電性酸化物層が酸化
インジウム系透明導電層であることを特徴とする請求項
1記載の透明導電膜。 (3)酸化インジウム系透明導電層がスズがドピングさ
れた酸化インジウム(ITO)層であることを特徴とす
る請求項2記載の透明導電膜。(4)第2層の金属層が
金、白金、ルテニウム、クロム、タンタル、ニオブ、バ
ナジウム、鉛、アルミニウム、チタン、インジウム、ス
ズの単金属層あるいはそれらの金属の内少なくとも1つ
を含む合金層であることを特徴とする請求項2または請
求項3記載の透明導電膜。 (5)第1層および第3層の透明導電性酸化物層が酸化
スズ系透明導電層であることを特徴とする請求項1記載
の透明導電膜。 (6)酸化スズ系透明導電層がアンチモンがドープされ
た酸化スズ(ATO)層であることを特徴とする請求項
5記載の透明導電膜。 (7)第2層の金属層が金、白金、ルテニウム、クロム
、アルミニウム、インジウム、アンチモン、スズの単金
属層あるいはそれらの金属の内少なくとも1つを含む合
金層であることを特徴とする請求項5または請求項6記
載の透明導電膜。 (8)基板上に透明導電膜を形成する際、第1層として
透明導電性酸化物層を、第2層として膜厚が150オン
グストローム以下の金属層を、第3層として透明導電性
酸化物層を順次設けることを特徴とする透明導電膜の製
造方法。 (9)透明導電性酸化物層が酸化インジウム系透明導電
層であることを特徴とする請求項8記載の透明導電膜の
製造方法。 (10)酸化インジウム系透明導電層がITO層である
ことを特徴とする請求項9記載の透明導電膜の製造方法
。 (11)第2層の金属層が金、白金、ルテニウム、クロ
ム、タンタル、ニオブ、バナジウム、鉛、アルミニウム
、インジウム、スズの単金属層あるいはそれらの金属の
内少なくとも1つを含む合金層であることを特徴とする
請求項9または請求項10記載の透明導電膜の製造方法
。 (12)透明導電性酸化物層が酸化スズ系透明導電層で
あることを特徴とする請求項8記載の透明導電膜の製造
方法。 (13)酸化スズ系透明導電層がATO層であることを
特徴とする請求項12記載の透明導電膜の製造方法。 (14)第2層の金属層が金、白金、ルテニウム、クロ
ム、アルミニウム、インジウム、アンチモン、スズの単
金属層あるいはそれらの金属の内少なくとも1つを含む
合金層であることを特徴とする請求項12または請求項
13記載の透明電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18120390A JPH0468315A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18120390A JPH0468315A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0468315A true JPH0468315A (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=16096644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18120390A Pending JPH0468315A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0468315A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5538905A (en) * | 1992-10-21 | 1996-07-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming a transparent conductive ITO film |
JPH09251161A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 表示素子用基板 |
JPH1091084A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体 |
CN106292031A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-04 | 红河凯立特科技有限公司 | 一种tft‑lcd制造工艺中的双面刻蚀方法 |
CN106371232A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-02-01 | 贵州乾盛科技有限公司 | 一种tft‑lcd制造工艺中双面功能片的制备方法 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP18120390A patent/JPH0468315A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5538905A (en) * | 1992-10-21 | 1996-07-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming a transparent conductive ITO film |
JPH09251161A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 表示素子用基板 |
JPH1091084A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体 |
CN106292031A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-04 | 红河凯立特科技有限公司 | 一种tft‑lcd制造工艺中的双面刻蚀方法 |
CN106371232A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-02-01 | 贵州乾盛科技有限公司 | 一种tft‑lcd制造工艺中双面功能片的制备方法 |
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