JPH0468296A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0468296A JPH0468296A JP18188390A JP18188390A JPH0468296A JP H0468296 A JPH0468296 A JP H0468296A JP 18188390 A JP18188390 A JP 18188390A JP 18188390 A JP18188390 A JP 18188390A JP H0468296 A JPH0468296 A JP H0468296A
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体基板等の熱処理に用いられる炉の加熱用ヒータに
関し。
関し。
熱処理炉内にある半導体基板への金属汚染を防止したヒ
ータを提供することを目的とし。
ータを提供することを目的とし。
１）所定形状に成型された基材上に炭化珪素（ＳｉＣ）
を被覆したヒータを炉芯管の外側に設けてなるように構
成する。
を被覆したヒータを炉芯管の外側に設けてなるように構
成する。
２）前記基材が炭素または炭素繊維であるように構成す
る。
る。
３）前記ヒータが、前記基材が消滅されて炭化珪素の被
覆のみからなるように構成する。
覆のみからなるように構成する。
４）前記ヒータが、炉芯管を取り巻きかつ一部欠けたリ
ング状をなし、複数個が連結されて構成する。
ング状をなし、複数個が連結されて構成する。
５）前記ヒータが、炉芯管の回りを蛇行して取り巻くよ
うに成型されているように構成する。
うに成型されているように構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に係り、とくに半導体基板等の
熱処理に用いられる炉の加熱用ヒータに関する。
熱処理に用いられる炉の加熱用ヒータに関する。
（従来の技術〕
半導体基板のアニール等の熱処理炉の従来の加熱用ヒー
タに、鉄やアルミニウム等の数種類の金属の合金を用い
た電熱線（商品名 カンタル線）が主として用いられて
いた。
タに、鉄やアルミニウム等の数種類の金属の合金を用い
た電熱線（商品名 カンタル線）が主として用いられて
いた。
半導体基板中にイオン注入された不純物の活性化アニー
ルや不純物の熱拡散のために、 １２００°Ｃ以上の高
温で長時間のアニール工程が必要な工程がある。
ルや不純物の熱拡散のために、 １２００°Ｃ以上の高
温で長時間のアニール工程が必要な工程がある。
従来の石英製炉芯管を用いた熱処理炉では、このような
高温アニールを行った場合９次のような問題を生じてい
た。
高温アニールを行った場合９次のような問題を生じてい
た。
（１）高温により炉芯管の素材の石英が失透し、ヒータ
を構成する金属元素がヒータから遊離して炉芯管を透過
して内部の半導体基板を汚染する。
を構成する金属元素がヒータから遊離して炉芯管を透過
して内部の半導体基板を汚染する。
（２）熱によりヒータ線が変形する。
従来の石英製炉芯管に対し、気相成長による炭化珪素（
ＣＶＤ ５ｉＣ）製炉芯管を用いることが考えられる。
ＣＶＤ ５ｉＣ）製炉芯管を用いることが考えられる。
ＣＶＤ ＳｉＣは、高温における金属の拡散係数が極め
て小さいために、透過しようとする金属元素を実質的に
遮断することができるので、半導体基板の金属汚染を防
止することができる。
て小さいために、透過しようとする金属元素を実質的に
遮断することができるので、半導体基板の金属汚染を防
止することができる。
しかし、 ＣＶＤ ＳｉＣにより炉芯管を製造すること
は、技術的に難しくかつコストも高くつく。
は、技術的に難しくかつコストも高くつく。
本発明は熱処理炉内にある半導体基板への金属汚染を防
止したヒータを提供することを目的とする。
止したヒータを提供することを目的とする。
上記課題の解決は。
１）所定形状に成型された基材上に炭化珪素（ＳｉＣ）
を被覆したヒータを炉芯管の外側に設けてなる半導体製
造装置、あるいは ２）前記基材が炭素または炭素繊維である前記工）記載
の半導体製造装置、あるいは ３）前記ヒータが、前記基材が消滅されて炭化珪素の被
覆のみからなる前記１）または２）記載の半導体製造装
置、あるいは ４）前記ヒータが、炉芯管を取り巻きかつ一部欠けたリ
ング状をなし、複数個が連結されて構成されている前記
ｌ）または２）または３）記載の半導体製造装置、ある
いは ５）前記ヒータが、炉芯管の回りを蛇行して取り巻くよ
うに成型されている前記１）または２）または３）記載
の半導体製造装置によって達成される。
を被覆したヒータを炉芯管の外側に設けてなる半導体製
造装置、あるいは ２）前記基材が炭素または炭素繊維である前記工）記載
の半導体製造装置、あるいは ３）前記ヒータが、前記基材が消滅されて炭化珪素の被
覆のみからなる前記１）または２）記載の半導体製造装
置、あるいは ４）前記ヒータが、炉芯管を取り巻きかつ一部欠けたリ
ング状をなし、複数個が連結されて構成されている前記
ｌ）または２）または３）記載の半導体製造装置、ある
いは ５）前記ヒータが、炉芯管の回りを蛇行して取り巻くよ
うに成型されている前記１）または２）または３）記載
の半導体製造装置によって達成される。
本発明はＣＶＤ ＳｉＣ自体を電熱線に用いたヒータを
使用することで金属汚染を防止するようにしたものであ
る。
使用することで金属汚染を防止するようにしたものであ
る。
ＣＶＤ ＳｉＣは、導電性を持ち、その電気抵抗は通常
の電熱線のニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）とほぼ同じ値である
ので電熱線として使用が可能である。
の電熱線のニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）とほぼ同じ値である
ので電熱線として使用が可能である。
また、 ＣＶＤ ＳｉＣは加熱されても当然金属元素を
発生しない。
発生しない。
また、 ＣＶＤ ＳｉＣは耐熱性に優れているから、ヒ
ータ線の変形が防止できる。
ータ線の変形が防止できる。
ＣＶＤ ＳｉＣによるヒータ線の作製方法は、炉芯管を
囲むような形状に、炭素８または線状に束ねたもしくは
コイル状に巻いた炭素繊維を成型して基材とし、その表
面上にＣＶＤ法によりＳｉＣを成長する。
囲むような形状に、炭素８または線状に束ねたもしくは
コイル状に巻いた炭素繊維を成型して基材とし、その表
面上にＣＶＤ法によりＳｉＣを成長する。
ＳｉＣ成長後、高温酸素雰囲気中で炭素基材を炭酸ガス
（ＣＯ２）として除去してもよい。
（ＣＯ２）として除去してもよい。
〔実施例）
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する図
である。
である。
この例のＣＶＤ ＳｉＣヒータ線１は第１図（ａ）に示
されるような一部を欠いたリング（発熱体単体）である
。
されるような一部を欠いたリング（発熱体単体）である
。
これらのリングｌは第１図［有］）または（Ｃ）に示さ
れるような連結体２で連結されて、第１図（ｄ）に示さ
れるように石英炉芯管４の回りに保持される。
れるような連結体２で連結されて、第１図（ｄ）に示さ
れるように石英炉芯管４の回りに保持される。
リング１はリング状に成型された前記の炭素基材の上に
ＣＶＤ ＳｉＣを厚さ約２００〜３００μｍ被覆して形
成する。
ＣＶＤ ＳｉＣを厚さ約２００〜３００μｍ被覆して形
成する。
ＳｉＣ（７）ＣＶＤ条件は１反応ガスとしてＣＨ３Ｓｉ
Ｃｌ３を用い、これを１５０ Ｔｏｒｒに減圧した雰囲
気中で。
Ｃｌ３を用い、これを１５０ Ｔｏｒｒに減圧した雰囲
気中で。
基材温度を１１００″Ｃに保持して行う。
また、炭素基材の成型は１例えば次のようにして行う。
炭素棒を機械加工して削り出して成型したり。
金型に炭素または炭素繊維をつめ、圧し固めて炭素機材
を成型する。
を成型する。
連結体２は導電性と耐熱性を持つ材料１例えばヒータと
同様にＣＶＤ ＳｉＣで被覆した炭素や、セラミックＳ
ｉＣやポリシリコンで作製される。
同様にＣＶＤ ＳｉＣで被覆した炭素や、セラミックＳ
ｉＣやポリシリコンで作製される。
この連結体２を配置するピッチや、リング１の連結数を
変えることにより、炉芯管上のヒータゾーンの大きさや
ヒータ線の密度を自由に変えることができ、また、ヒー
タ線の交換等の補修も容品である。
変えることにより、炉芯管上のヒータゾーンの大きさや
ヒータ線の密度を自由に変えることができ、また、ヒー
タ線の交換等の補修も容品である。
第２図は本発明の他の実施例を説明する図である。
この例は、炉芯管４の回りを蛇行して取り巻くように成
型されているＣＶＤ ＳｉＣヒータ線１を用いている。
型されているＣＶＤ ＳｉＣヒータ線１を用いている。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、熱処理炉内にある
半導体基板への金属汚染を防止したヒータが得られた。
半導体基板への金属汚染を防止したヒータが得られた。
この結果、高温アニール時のヒータ線を発生源とする金
属元素による半導体基板の汚染が防止され、半導体装置
の品質と製造歩留の向上に寄与することができた。
属元素による半導体基板の汚染が防止され、半導体装置
の品質と製造歩留の向上に寄与することができた。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する図
。 第２図は本発明の他の実施例を説明する図である。 図において。 ■はＣＶＤ５ｉＣＥ：一夕線。 ２．３は連結体。 ４は石英炉芯管 （ＣＬ） （し） （Ｃ） （’ｄ） 夫斃例の説明図 箔１図
。 第２図は本発明の他の実施例を説明する図である。 図において。 ■はＣＶＤ５ｉＣＥ：一夕線。 ２．３は連結体。 ４は石英炉芯管 （ＣＬ） （し） （Ｃ） （’ｄ） 夫斃例の説明図 箔１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）所定形状に成型された基材上に炭化珪素（ＳｉＣ）
を被覆したヒータを炉芯管の外側に設けてなることを特
徴とする半導体製造装置。 ２）前記基材が炭素または炭素繊維であることを特徴と
する請求項１記載の半導体製造装置。 ３）前記ヒータが、前記基材が消滅されて炭化珪素の被
覆のみからなることを特徴とする請求項１または２記載
の半導体製造装置。 ４）前記ヒータが、炉芯管を取り巻きかつ一部欠けたリ
ング状をなし、複数個が連結されて構成されていること
を特徴とする請求項１または２または３記載の半導体製
造装置。 ５）前記ヒータが、炉芯管の回りを蛇行して取り巻くよ
うに成型されていることを特徴とする請求項１または２
または３記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18188390A JPH0468296A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18188390A JPH0468296A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468296A true JPH0468296A (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=16108542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18188390A Pending JPH0468296A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0468296A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0842976A (ja) * | 1994-07-01 | 1996-02-16 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Mbh | 溶融るつぼ加熱用加熱要素 |
| US5527890A (en) * | 1993-04-16 | 1996-06-18 | Glycomed Incorporated | Derivatives of triterpenoid acids and uses thereof |
| JP2018195425A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | イビデン株式会社 | 抵抗発熱体 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP18188390A patent/JPH0468296A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5527890A (en) * | 1993-04-16 | 1996-06-18 | Glycomed Incorporated | Derivatives of triterpenoid acids and uses thereof |
| US5679644A (en) * | 1993-04-16 | 1997-10-21 | Glycomed Incorporated | Methods of treating diseases using triterpenoid acid derivatives |
| US5688922A (en) * | 1993-04-16 | 1997-11-18 | Glycomed Incorporated | Substituted fucopyranosides |
| US5763582A (en) * | 1993-04-16 | 1998-06-09 | Glycomed Incorporated | Derivatives of triterpenoid acids and uses thereof |
| US5837690A (en) * | 1993-04-16 | 1998-11-17 | Glycomed Incorporated | Derivatives of triterpenoid acids and uses thereof. |
| JPH0842976A (ja) * | 1994-07-01 | 1996-02-16 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Mbh | 溶融るつぼ加熱用加熱要素 |
| JP2018195425A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | イビデン株式会社 | 抵抗発熱体 |
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