JPH0467127A - Liquid crystal display panel - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶ＴＶ、ＯＡ、情報端末用デイスプレィ装置
等に適用される液晶デイスプレイノくネルの構成に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the structure of a liquid crystal display panel applied to liquid crystal TVs, office automation equipment, display devices for information terminals, and the like.
従来の液晶ディスプレイパネルは日経ＢＰ社、電子グル
ープ編「フラットパネル・デイスプレィＪ日経ＢＰ社
１９８９．１１．Ｉ Ｐ、１１４ 図２に示される
ように、二枚のガラス基板の間に液晶を封入する構成が
基本である。上記の図は薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ
）をスイッチ素子として用いるアクティブマトリクス型
液晶ディスプレイパネルを示したものである。Conventional liquid crystal display panels are manufactured by Nikkei BP, Inc., "Flat Panel Display J" edited by Electronics Group, Nikkei BP, Inc.
1989.11. I P, 114 As shown in FIG. 2, the basic structure is that liquid crystal is sealed between two glass substrates. The above figure shows a thin film transistor (T P T
) is used as a switching element.
ディスプレイパネルの動作を上記公知側図面と同様な第
２図を用いて説明する。図は液晶を封入する二枚のガラ
ス基板のうちＴＰＴ基板１の回路図を示したものである
。もう１枚のガラス基板は全面に透明共通電極を形成し
、カラー用パネルの場合は色フィルタが付く。ＴＰＴ基
板にはゲートパスライン２とデータバスライン３が互い
に絶縁されて形成される。これらのパスラインの交点に
ＴＰＴ４と画素電極を形成する。画素電極ともう一枚の
基板の共通電極との間の液晶５に信号電圧すなわち映像
信号に対応する電圧が印加され液晶の透過率が制御変調
される。The operation of the display panel will be explained using FIG. 2, which is similar to the above-mentioned prior art drawing. The figure shows a circuit diagram of a TPT substrate 1 among two glass substrates that enclose liquid crystal. The other glass substrate has a transparent common electrode formed on its entire surface, and in the case of a color panel, a color filter is attached. A gate pass line 2 and a data bus line 3 are formed on the TPT substrate so as to be insulated from each other. A TPT 4 and a pixel electrode are formed at the intersection of these pass lines. A signal voltage, that is, a voltage corresponding to a video signal is applied to the liquid crystal 5 between the pixel electrode and the common electrode of another substrate, and the transmittance of the liquid crystal is controlled and modulated.
信号電圧は一走査ライン毎に印加される。垂直シフトレ
ジスタ６から順次走査パルスがゲートパスラインに送ら
れ、水平シフトレジスタ７からの信号がこのゲートパス
ライン上のＴＰＴを介して液晶に印加される。液晶には
通常並列容量８が接続される。これは液晶に印加した電
圧を走査期間中保持するためのもので蓄積容量と呼ぶ。The signal voltage is applied for each scanning line. Scanning pulses are sequentially sent from the vertical shift register 6 to the gate pass line, and signals from the horizontal shift register 7 are applied to the liquid crystal via the TPT on this gate pass line. A parallel capacitor 8 is usually connected to the liquid crystal. This is used to hold the voltage applied to the liquid crystal during the scanning period, and is called a storage capacitor.
上記従来技術は各画素毎に蓄積容量を付けることにより
、各画素に印加する電圧の実効的放電時定数の増大をは
かっている。これにより液晶の不安定性に起因する輝度
分布の不均一性を目立たなくさせることができる。The above conventional technology attempts to increase the effective discharge time constant of the voltage applied to each pixel by adding a storage capacitor to each pixel. This makes it possible to make non-uniformity in brightness distribution caused by instability of the liquid crystal less noticeable.
本発明の目的は液晶の不安定性要因を取り除き、経時変
化が起きないようにすることにある。An object of the present invention is to eliminate factors that cause instability of liquid crystals and to prevent changes over time.
本発明の別の目的はノーマリホワイトＴＮ液晶を用いた
場合のブラックマトリクスを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a black matrix when normally white TN liquid crystal is used.
上記目的を達成するためにディスプレイパネルの表示領
域内に、特定の領域を設定しこの領域の液晶に高い電圧
振幅を有する交流電圧に印加するようにしたものである
。In order to achieve the above object, a specific area is set within the display area of the display panel, and an AC voltage having a high voltage amplitude is applied to the liquid crystal in this area.
上記課題はアクティブマトリクス方式液晶ディスプレイ
パネルすなわち薄膜トランジスタ等を用いた液晶パネル
においてとくに顕著に現れるため、アクティブマトリク
ス方式の場合とくに有効である。アクティブマトリクス
の配線工程に合わせであるいはこれとは別個に特定領域
を設定するための電極を形成する。この電極はゲート配
線、信号線配線２画素電極等の作製過程を利用して形成
することも可能であり、また別個に堆積する導電体ない
し金属により形成することも可能である。また、通常Ｔ
ＰＴ基板あるいは画素電極を形成する基板側に特定領域
を設定するための電極を形成するが、もう−枚の共通電
極基板側に特定領域設定のための電極を形成する場合も
ある。また、両方のガラス基板を利用する場合もある。The above-mentioned problem is particularly noticeable in an active matrix type liquid crystal display panel, that is, a liquid crystal panel using thin film transistors, etc., and is therefore particularly effective in the case of the active matrix type. Electrodes for setting specific regions are formed in conjunction with or separately from the active matrix wiring process. This electrode can be formed using the process of manufacturing gate wiring, signal line wiring, two-pixel electrodes, etc., and can also be formed from a separately deposited conductor or metal. Also, usually T
An electrode for setting a specific area is formed on the side of the PT substrate or the substrate on which the pixel electrode is formed, but an electrode for setting the specific area may also be formed on the other side of the common electrode substrate. Moreover, both glass substrates may be used.
このように設定する電極はゲート配線、信号線配線ある
いは画素電極、蓄積容量等への影響を極小化した構成で
設定される。The electrodes set in this manner are set in a configuration that minimizes the influence on gate wiring, signal line wiring, pixel electrodes, storage capacitance, and the like.
このように設定した特定領域は上記特定領域を設定する
電極に電圧を印加し、この領域の液晶に一定値以上の交
流電圧を印加するものである。In the specific area set in this way, a voltage is applied to the electrode that sets the specific area, and an alternating current voltage of a certain value or more is applied to the liquid crystal in this area.
特定領域を構成するための電極は液晶に交流電圧を印加
するために利用される。第３図はＴＮ液晶デイスプレィ
の画素電極部と特定領域部の違いを示したものである。The electrodes forming the specific area are used to apply an alternating voltage to the liquid crystal. FIG. 3 shows the difference between the pixel electrode section and the specific area section of a TN liquid crystal display.
画素電極９および特定領域電極１０と共通電極１１との
間には信号電圧および特定領域用電圧がそれぞれに印加
される。第３図は画素電極に信号電圧が印加されていな
い場合を示している。すなわち液晶分子１３はガラス基
板に対し水平方向に配向している。特定領域用電極には
パネル動作時常時電圧が印加されており液晶分子はガラ
ス基板に対して垂直方向に配向している。このため液晶
分子は特定領域内において面内の動きを妨げられ液晶の
不安定性を生じない。A signal voltage and a specific area voltage are applied between the pixel electrode 9, the specific area electrode 10, and the common electrode 11, respectively. FIG. 3 shows a case where no signal voltage is applied to the pixel electrode. That is, the liquid crystal molecules 13 are aligned horizontally with respect to the glass substrate. A voltage is constantly applied to the specific area electrode during panel operation, and the liquid crystal molecules are aligned perpendicularly to the glass substrate. Therefore, in-plane movement of liquid crystal molecules is prevented within a specific region, and instability of the liquid crystal does not occur.
また、ノーマリホワイト型ＴＮ液晶パネルにおいては特
定領域は電圧が印加されているため常時光を透過しない
。′したがってこの領域はブラックマトリクスの作用を
もち、画素電極の周囲に特定領域を設定すればブラック
マトリクスあるいはブラックストライプを構成すること
ができ、パネルのコントラストの改善作用を持つことに
なる。第１７図はこの様子を示したもので特定領域部で
は電圧が印加されているためここを通過する光の偏波面
は回転せず光は偏光板４２により遮断される。Further, in a normally white type TN liquid crystal panel, a voltage is applied to a specific area, so that no light is transmitted through the specific area at all times. 'Therefore, this area has the effect of a black matrix, and if a specific area is set around the pixel electrode, a black matrix or black stripe can be formed, which has the effect of improving the contrast of the panel. FIG. 17 shows this state. Since a voltage is applied to the specific area, the plane of polarization of the light passing through this area does not rotate, and the light is blocked by the polarizing plate 42.
以下、本発明を実施例により説明する。 The present invention will be explained below using examples.
第１図は本発明の一実施例であるＴＰＴ液晶デイプスレ
イのＴＰＴ基板の平面図を示したものである。第１図の
ａａ’部の断面図は第４図に示しである。まず、これら
の図を用いて作成プロセスを簡単に説明する。ガラス基
板１上にゲートパスライン２およびＴＦＴのゲート１４
をＣｒにより形成するｍ Ｃｒゲート電極１４はスパッ
タ蒸着により厚さ１１００ｎで形成し通常のホトリソグ
ラフィ法により所望の形状にパターニングする。FIG. 1 shows a plan view of a TPT substrate of a TPT liquid crystal depth array according to an embodiment of the present invention. A cross-sectional view of section aa' in FIG. 1 is shown in FIG. 4. First, the creation process will be briefly explained using these figures. A gate pass line 2 and a TFT gate 14 are formed on a glass substrate 1.
The Cr gate electrode 14 is formed by sputter deposition to a thickness of 1100 nm, and is patterned into a desired shape by ordinary photolithography.
ついでプラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜ＳｉＮ層１
５．アンドープアモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈこ
こではａ−８ｉと略す）層１６゜オーミックコンタクト
用ｎ”ａ−８ｉ１７ を順次堆積する。厚さはそれぞ
れ３５０ｎｍ （ＳｉＮ）、１５０ｎｍ （ａ−８ｉ）
、６０ｎｍ（ｎ”ａ−８ｉ）である。Next, a gate insulating film SiN layer 1 is formed by plasma CVD method.
5. An undoped amorphous silicon (a-8i:H here abbreviated as a-8i) layer 16° n"a-8i17 for ohmic contact is sequentially deposited. The thickness is 350 nm (SiN) and 150 nm (a-8i), respectively.
, 60 nm (n"a-8i).
ａ−８ｉ層はＴＰＴ領域形成のため島状にエツチングし
、次に画素電極９を透明電極ＩＴＯで形成する。ＩＴＯ
電極の膜厚は１２０ｎｍである。The a-8i layer is etched into an island shape to form a TPT region, and then a pixel electrode 9 is formed with a transparent electrode of ITO. ITO
The film thickness of the electrode is 120 nm.
ついでＴＰＴのソース、ドレイン電極を形成する。Next, source and drain electrodes of TPT are formed.
信号パスラインに接続されるＴＰＴ電極（ドレインとす
る）１８９画素電極に接続されるＴＰＴ電極（ソースと
する）１９をパターニングし、これをマスクにしてａ
−Ｓ ｉのｎ十層をエツチングすることによりＴＰＴが
完成する。ソース、ドレイン電極はＣｒ ／ Ａ Ｑの
二重層を用い、厚さはそれぞれ１００ ／ ５００ ｎ
ｍである。この上にもう一度保護膜２０としてＳｉＮ
をプラズマＣＶＤで８００ｎｍ厚に堆積後、特定領域電
極１０を形成するためＩＴＯ電極を４００ｎｍ厚でスパ
ッタ蒸着し、パターニングする。パターニングは第１図
の一点鎖線で示したように行った。この−点鎖線で示し
たＩＴＯ部は本発明のかなめとなる部分であり、第３図
の特定領域電極にあたるｓａａ’で示したところはＴＦ
Ｔ部を示したもので、この上部のＩＴＯは特定領域電極
１０の一部で後述するようにノーマリホワイト液晶の場
合遮光を兼ねる。Pattern the TPT electrode (used as a drain) 189 connected to the signal pass line (used as a drain) and pattern the TPT electrode (used as a source) 19 connected to the pixel electrode, and use this as a mask to
- TPT is completed by etching n0 layers of Si. The source and drain electrodes use a double layer of Cr/AQ, and the thickness is 100/500 n, respectively.
It is m. On top of this, SiN is again used as a protective film 20.
After depositing to a thickness of 800 nm by plasma CVD, an ITO electrode is sputter-deposited to a thickness of 400 nm to form a specific region electrode 10, and patterned. Patterning was performed as shown by the dashed line in FIG. The ITO part indicated by the dashed line is the key part of the present invention, and the part indicated by saa', which corresponds to the specific area electrode in Fig. 3, is the TF
This figure shows the T part, and the ITO on the upper part is a part of the specific area electrode 10 and also serves as a light shield in the case of a normally white liquid crystal, as will be described later.
第１図に示すようにＴＰＴ領域以外にも特定領域が形成
される。本実施例では画素電極の周囲を完全にＩＴＯ電
極がとりかこむような形状となっている。このとき留意
すべき点は本特定領域電極と他電極との相互作用をでき
るだけ少なくすることである。すなわち容量カップリン
グをなるべく小さくするため電極間のオーバラップを少
なくしている。As shown in FIG. 1, specific areas are formed in addition to the TPT area. In this embodiment, the shape is such that the ITO electrode completely surrounds the pixel electrode. At this time, it is important to keep in mind that the interaction between the specific region electrode and other electrodes should be minimized. In other words, the overlap between the electrodes is reduced in order to reduce capacitive coupling as much as possible.
ＴＰＴ基板とは別にカラーフィルタと共通電極１１（Ｉ
ＴＯ）を形成したカラーフィルタ基板を用意し、これら
の基板の間に液晶を封入する。封入する液晶はＴＮ液晶
で基板間ギャップすなわち液晶の厚さは５μｍである。A color filter and a common electrode 11 (I
Color filter substrates formed with TO) are prepared, and liquid crystal is sealed between these substrates. The liquid crystal to be sealed is a TN liquid crystal, and the gap between the substrates, that is, the thickness of the liquid crystal is 5 μm.
第１図の一点鎖線部で示した特定領域への電気的接続を
ガラス基板の端部にて行い、パネルへの駆動回路の接続
等の実装を行ってパネル製作を完成した。Electrical connection to the specific area indicated by the dashed line in FIG. 1 was made at the edge of the glass substrate, and mounting such as connection of a drive circuit to the panel was carried out to complete the panel fabrication.
パネル動作は通常の液晶パネルと同様に行う。The panel operates in the same way as a normal LCD panel.
すなわち１つのゲートパスラインに走査用ゲートパルス
を印加して、上記ゲートパスライン上のＴＰＴを開く、
信号線パスラインを介して線順次方式で上記パスライン
上の画素電極に信号電圧を印加する。この操作を順次繰
り返すことによりパネル上の全画素に映像信号を印加す
る。That is, applying a scanning gate pulse to one gate pass line to open the TPT on the gate pass line;
A signal voltage is applied to the pixel electrodes on the pass line in a line sequential manner via the signal line pass line. By sequentially repeating this operation, a video signal is applied to all pixels on the panel.
上記映像信号とは別個に特定領域には一定の交流電圧を
印加する。ここでは映像の信号電圧の最大振幅に合わせ
、交流電圧振幅を６．３■とし４０Ｈｚの交流電圧を印
加した。本実施例では、ノーマリホワイト液晶構成を用
いているので特定領域は光を透過しない領域となり、ブ
ラックマトリクス化がはかれる。また、ＴＦＴ部の遮光
も十分行われる。A constant AC voltage is applied to the specific area separately from the video signal. Here, in accordance with the maximum amplitude of the video signal voltage, an AC voltage amplitude of 6.3 Hz was applied, and an AC voltage of 40 Hz was applied. In this embodiment, since a normally white liquid crystal structure is used, the specific area becomes an area that does not transmit light, and a black matrix is created. Further, the TFT section is sufficiently shielded from light.
このような特定領域をメツシュ状に設置し、ここに電圧
を印加することにより画素と画素の間の液晶分子の移動
を抑制することができる。これにより液晶の不安定性要
因を除去し、経時変化に伴う液晶の不安定性を抑えるこ
とが可能となる。By arranging such a specific region in a mesh shape and applying a voltage thereto, movement of liquid crystal molecules between pixels can be suppressed. This makes it possible to eliminate the factors that cause instability of the liquid crystal and suppress the instability of the liquid crystal that accompanies changes over time.
第５図は本発明の別の実施例を示したものである。本実
施例は基本的には第３図と同じ構成を有しているが本実
施例では特定領域用電極１０作成にＣｒを用いた。すな
わちＴＰＴを作成し保護膜を堆積した後Ｃｒをスパッタ
蒸着してパターン化した。また、特定領域の設定が前実
施例とは異なっており、ＴＦＴ部に特定領域電極を重畳
させていない点等が違っている。但し、特定領域は画素
ピッチでメツシュ状に配置されているので、液晶パネル
作成後この領域に交流電圧を６０ Ｈｚで振幅５．ＯＶ
で印加することにより液晶分子の画素間移動をなくし経
時変化を抑えることができた。FIG. 5 shows another embodiment of the invention. This embodiment basically has the same configuration as that in FIG. 3, but in this embodiment, Cr was used to create the electrode 10 for a specific region. That is, after forming TPT and depositing a protective film, Cr was sputter-deposited and patterned. Further, the setting of the specific area is different from the previous embodiment, and the difference is that the specific area electrode is not superimposed on the TFT section. However, since the specific area is arranged in a mesh shape with a pixel pitch, after the liquid crystal panel is created, an AC voltage is applied to this area at 60 Hz and an amplitude of 5. O.V.
By applying this voltage, we were able to eliminate the movement of liquid crystal molecules between pixels and suppress changes over time.
前記二つの実施例はＴＰＴの構成が似たものについて述
べたが、ＴＰＴの構成はこれに限るものでないことは無
論である。第６図に示した実施例はその例を示したもの
であるａＴＦＴは画素電極の下部に設置し、特定領域１
０の設置は第６図の実施例の上下方向には画素ピッチで
行い、同図の左右方向には３画素に１本の割合で設置し
ている。Although the two embodiments described above have similar TPT configurations, it goes without saying that the TPT configuration is not limited to this. The embodiment shown in FIG. 6 shows an example of this. The aTFT is installed under the pixel electrode, and
0 is installed at a pixel pitch in the vertical direction of the embodiment shown in FIG. 6, and is installed at a ratio of one for every three pixels in the horizontal direction of the same figure.
３画素はＲＧＢカラー画素に対応する。The three pixels correspond to RGB color pixels.
第７図は本発明の別の実施例を示したものである。FIG. 7 shows another embodiment of the invention.
本実施例においては特定領域を設定する電極の形成をゲ
ート電極の形成と同時に行なう。特定領域は画素電極の
まわりをとりかこむように配置し、相互に配線２１を介
して接続し、水平方向につながった配線は基板端部にお
いてひとつにまとめられ外部端子へ導かれる。In this embodiment, the formation of the electrode for setting the specific region is performed simultaneously with the formation of the gate electrode. The specific areas are arranged so as to surround the pixel electrodes and are connected to each other via wiring 21, and the wiring connected in the horizontal direction is gathered into one at the edge of the substrate and guided to an external terminal.
ゲートパスライン２およびゲート電極１４の形成は特定
領域の形成と同時に行われる。このためにＣｒを１３０
ｎｍの厚さにスパッタ蒸着し、ホトリソグラフィ工程を
経てパターン加工される。Formation of gate pass line 2 and gate electrode 14 is performed simultaneously with formation of specific regions. For this purpose, 130 Cr
It is sputter deposited to a thickness of nm and patterned through a photolithography process.
ゲート電極形成後のプロセスは第１図、第４図の実施例
で述べたような工程を経て実行される。すなわち第７図
のＡＡ’断面である第８図に示すようにゲート絶縁膜１
５としてＳｉＮ、ＴＰＴチャネル層としてａ−８ｉ層１
６．オーミックコンタクト層１７としてｎ”ａ−８ｉ層
、ＴＰＴのソース電極１９．ドレイン電極１８としてＣ
ｒ／ＡＱを用いた。ＴＰＴ作製作製後膜護膜成してＴＰ
Ｔ基板プロセスが完了する。The process after forming the gate electrode is carried out through the steps described in the embodiments of FIGS. 1 and 4. That is, as shown in FIG. 8, which is a cross section taken along line AA' in FIG.
SiN as 5, a-8i layer 1 as TPT channel layer
6. n''a-8i layer as ohmic contact layer 17, source electrode 19 of TPT, C as drain electrode 18
r/AQ was used. After TPT fabrication, a protective film is formed on the TP.
T-substrate process is completed.
ＴＰＴ基板プロセス終了後の平面図が第７図であるが、
この基板を用いて液晶ディスプレイパネルを作り特定領
域への電圧印加をおこなうことにより所望の効果を得る
ことができた。このとき注意すべき場所は特定領域電極
の配線部２１と信号線との交差部２２やソース電極１９
と特定領域電極との重畳部２３等である。これらの領域
２２゜２３はまず液晶への電圧印加が、上部の電極にシ
ールドされて、行われない。したがって特定領域は部分
的に分断された状況になり、この部分は液晶分子の移動
が起こりうる。しかしながらこれらの領域は局所的なも
のであり、経時変化を抑えるという所望の効果を十分あ
げることができる。もう一つ留意すべき点は交流電圧の
カップリングである。Figure 7 shows a plan view after the TPT substrate process is completed.
By making a liquid crystal display panel using this substrate and applying voltage to specific areas, the desired effect could be obtained. At this time, the places to be careful are the intersection 22 of the wiring part 21 of the specific area electrode and the signal line, and the source electrode 19.
and the specific region electrode, such as the overlapping portion 23. In these regions 22 and 23, voltage is not applied to the liquid crystal because they are shielded by the upper electrodes. Therefore, the specific area becomes partially divided, and movement of liquid crystal molecules may occur in this area. However, these regions are local and can sufficiently achieve the desired effect of suppressing changes over time. Another point to keep in mind is the coupling of AC voltage.
交差部２２あるいは重畳部２３を通して信号線や画素電
極への電圧結合がある。これらは出来るだけ小さく抑え
ることが必要であり、そのためには重畳部の面積を極小
化することが大切である。There is voltage coupling to the signal line and the pixel electrode through the crossing portion 22 or the overlapping portion 23. These need to be kept as small as possible, and for this purpose it is important to minimize the area of the overlapping portion.
信号線へのカップリングは信号線が一定電圧に外部で設
定されているので大きな影響はないが、重畳部の面積を
出来るだけ小さくすることは重要である。Coupling to the signal line does not have a large effect because the signal line is externally set to a constant voltage, but it is important to reduce the area of the overlapped portion as much as possible.
画素電極部への交流電圧の影響をなくした構成例を第９
図に示す。第７図における重畳部２３を除いた構成であ
り、単純な構成となっている。本実施例の作製プロセス
は前実施例と同じである。A configuration example that eliminates the influence of AC voltage on the pixel electrode section is shown in No. 9.
As shown in the figure. This is the configuration shown in FIG. 7 without the superimposing section 23, and has a simple configuration. The manufacturing process of this example is the same as that of the previous example.
上記実施例は特定領域に印加する交流電圧が画素電極に
与える影響を極小化する方向のものであった。しかしな
がらその影響をむしろ積極的に利用することもできる。The above-mentioned embodiments were designed to minimize the influence of the alternating current voltage applied to a specific area on the pixel electrode. However, it is also possible to use this influence more positively.
第１０図はこの場合の実施例を示したものである。本実
施例のポイントは特定領域形成用電極１ｏと画素電極９
との間に重畳部２４を設けたことである。FIG. 10 shows an embodiment in this case. The key point of this embodiment is that the specific area forming electrode 1o and the pixel electrode 9
This is because an overlapping portion 24 is provided between the two.
第１１図は第１０図のＢＢ’断面を示したもので、ここ
に示すようにこの領域２４はゲート絶縁膜であるＳｉＮ
が両電極間に介在しており容量を形成している。液晶デ
ィスプレイパネル動作時に電極１０に交流電圧を印加す
るとこの２４部の容量を介して交流電圧が画素電極に加
わる。この電圧は結局画素電極部の液晶に印加される。FIG. 11 shows the BB' cross section of FIG.
is interposed between both electrodes, forming a capacitance. When an AC voltage is applied to the electrode 10 during operation of the liquid crystal display panel, the AC voltage is applied to the pixel electrode through this 24 part capacitor. This voltage is eventually applied to the liquid crystal in the pixel electrode section.
この電圧は液晶にバイアス電圧を加える働きを持つ、液
晶のしきい値電圧に略々等しい電圧が画素電極に加わる
ように結合容量値を制御しておく。ＴＰＴを介して与え
られる信号電圧はこのバイアス電圧とは別個に印加され
るが、バイアス電圧がある分車さい電圧で済むので信号
線およびＴＰＴに与える電圧はその分低くすることがで
きる。付は加えるならば、ここで述べた容量は液晶の放
電時定数を増す働きも有しており、いわゆる保持容量も
しくは蓄積容量（第２図の容量８）と等価である。This voltage has the function of applying a bias voltage to the liquid crystal, and the coupling capacitance value is controlled so that a voltage approximately equal to the threshold voltage of the liquid crystal is applied to the pixel electrode. The signal voltage applied via the TPT is applied separately from this bias voltage, but since the bias voltage only requires a smaller voltage, the voltage applied to the signal line and TPT can be lowered accordingly. In addition, the capacitance described here also has the function of increasing the discharge time constant of the liquid crystal, and is equivalent to a so-called retention capacitance or storage capacitance (capacitance 8 in FIG. 2).
第１０図において電極１０のうち画素電極部とオーバラ
ップしない部分は上記実施例で述べたと同様液晶の特定
領域を設定するための電極として働き、経時変化の防止
およびノーマリホワイト液晶使用時のブラックマトリク
スの働きを有するものである。第１０図の実施例に限ら
ずノーマリホワイト液晶用ブラックマトリクスの働きを
完全にするには画素電極部以外からの光の漏洩がないよ
うにする必要がある。上記特定領域用電極のみでは光の
漏洩を遮断することは難しい、光の漏洩を完全になくす
ためには共通電極用ガラス基板１２側にもブラックマト
リクスを設ける必要がある。In FIG. 10, the portion of the electrode 10 that does not overlap with the pixel electrode portion functions as an electrode for setting a specific area of the liquid crystal, as described in the above embodiment, and serves to prevent deterioration over time and to black when normally white liquid crystal is used. It has the function of a matrix. Not limited to the embodiment shown in FIG. 10, in order to perfect the function of the black matrix for a normally white liquid crystal, it is necessary to prevent light from leaking from areas other than the pixel electrode portion. It is difficult to block light leakage using only the electrode for the specific area. In order to completely eliminate light leakage, it is necessary to provide a black matrix on the common electrode glass substrate 12 side as well.
共通電極用基板に設けるブラックマトリクスはＣｒ等の
金属を用いる場合が多い。したがってブラックマトリク
スではあるが共通電極側から見ると光を反射することに
なる。したがって共通電極基板のブラックマトリクス用
電極は出来るだけその面積を少なくすることが望ましい
。上記実施例における特定領域を設けることにより、共
通電極基板側の光を反射するＣｒ等の面積を極小化する
ことができる。この効果は小さくない。The black matrix provided on the common electrode substrate is often made of metal such as Cr. Therefore, although it is a black matrix, it reflects light when viewed from the common electrode side. Therefore, it is desirable to reduce the area of the black matrix electrode on the common electrode substrate as much as possible. By providing the specific area in the above embodiment, the area of Cr or the like that reflects light on the common electrode substrate side can be minimized. This effect is not small.
第１２図は本発明の別の実施例を示したものである。ダ
イオードを用いたアクティブマトリクス液晶ディスプレ
イパネルである。ダイオード２５はＭ Ｉ Ｍ （Ｍｅ
ｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）方式のもの
でガラス基板上にスパッタ蒸着したＴａを陽極化成して
Ｔａ、Ｏ，層を形成し、この上にＣｒをスパッタする方
法でＭＩＭダイオードを作成した。信号線２６もＴａを
用いて形成し画素電極９を形成した後、保護膜を形成し
、特定領域設定用電極１０をメツシュ状にＡＱで形成し
た。FIG. 12 shows another embodiment of the invention. This is an active matrix liquid crystal display panel that uses diodes. The diode 25 is M I M (Me
A MIM diode was fabricated by using a method (tal-insulator-metal) to anodize Ta sputter-deposited on a glass substrate to form a Ta, O layer, and then sputtering Cr thereon. After the signal line 26 was also formed using Ta and the pixel electrode 9 was formed, a protective film was formed, and the specific area setting electrode 10 was formed in a mesh shape using AQ.
一方対向するカラーフィルタ基板側電極は信号線に直交
するストライプ状透明電極を形成し、画素電極へ信号電
圧を印加した。特定領域電極へは５０Ｈｚの交流信号電
圧を印加して動作を行い、液晶に経時変化のないことを
確認した。On the other hand, the opposing color filter substrate side electrode formed a striped transparent electrode perpendicular to the signal line, and a signal voltage was applied to the pixel electrode. The operation was performed by applying an AC signal voltage of 50 Hz to the specific area electrode, and it was confirmed that the liquid crystal did not change over time.
第１３図は本発明の別の実施例を示したものである。上
記の実施例においてはＴＰＴ基板（ダイオード基板）側
に特定領域設定用の電極を形成するケースを詳述した。FIG. 13 shows another embodiment of the invention. In the above embodiment, the case in which electrodes for setting a specific area are formed on the TPT substrate (diode substrate) side has been described in detail.
本実施例では、これをさらに徹底するために対向する共
通電極基板側にもＴＰＴ基板に対応した特定領域設定用
電極を設けたものである。In this embodiment, in order to make this even more thorough, specific area setting electrodes corresponding to the TPT substrate are also provided on the opposing common electrode substrate side.
まずガラス基板上にカラーフィルタを形成する。First, a color filter is formed on a glass substrate.
赤色カラーフィルタ２７．緑色カラーフィルタ２８、青
色カラーフィルタ２９を順次形成した後保護膜３０によ
り色フィルタを保護し共通電極１１を全面に形成する。Red color filter 27. After a green color filter 28 and a blue color filter 29 are sequentially formed, the color filters are protected by a protective film 30, and a common electrode 11 is formed on the entire surface.
再度この上に、保護膜３１を形成し、特定電極設定用電
極３２を格子状に形成する。保護膜３０および３１はポ
リイミド系の透明有機膜を用いることによりプロセス簡
略化をはかった。A protective film 31 is formed thereon again, and specific electrode setting electrodes 32 are formed in a grid pattern. The process was simplified by using polyimide-based transparent organic films as the protective films 30 and 31.
ＴＰＴ基板とカラーフィルタ基板を合わせて液晶を封入
し、ディスプレイパネルを作った。特定領域への電圧印
加は振幅３ｖの９０Ｈｚ交流電圧をそれぞれの基板の電
極１０および電極３２に逆相で加えることにより行った
。液晶には９０ Ｈｚの交流電圧が実効振幅６■で加わ
ることになり、所望の結果を得ることができた。これは
小振幅の電圧印加で済む点がパネル動作に際して有利な
点である。このように電圧印加をＴＰＴ基板側に限定し
ないで行うごとはパネル設計上の裕度を拡大することに
なりフレキシビリティの増大につながる。ＴＰＴ基板上
では配線が複雑にからんでおり特定電極の設置が設計ル
ールの点あるいは寄生容量結合の点から制限されるケー
スが多い。対向基板上に設置する場合はそのようなこと
は少ないので設計の自由度は増大する。A display panel was made by combining a TPT substrate and a color filter substrate and encapsulating liquid crystal. The voltage was applied to the specific area by applying a 90 Hz AC voltage with an amplitude of 3 V to the electrodes 10 and 32 of each substrate in opposite phases. An alternating current voltage of 90 Hz was applied to the liquid crystal with an effective amplitude of 6 square meters, and the desired result could be obtained. This is advantageous for panel operation in that a voltage of small amplitude can be applied. Applying voltage without limiting it to the TPT substrate side in this way increases the latitude in panel design, leading to increased flexibility. The wiring on the TPT substrate is complicated, and the installation of specific electrodes is often restricted due to design rules or parasitic capacitive coupling. When installing on the opposite substrate, such a problem is rare, so the degree of freedom in design increases.
第１３図に示した例では共通電極１１と特定領域用電極
３２との間には保護膜３１を介した容量が形成される。In the example shown in FIG. 13, a capacitance is formed between the common electrode 11 and the specific area electrode 32 via the protective film 31.
この容量はメツシュがパネル全体にわたって形成される
ため大きな値となり電極３２を駆動するとき負荷は重く
なる。これを避ける方法を第１４図に示す。格子状電極
３２は第１３図の場合と同じであるが共通電極は第１４
図の３３に示すように欠損部を設けた。これにより第１
３図の共通電極１１起因の容量は大幅に低減され格子状
電極に電圧を印加する際の負荷の大幅低減をはかること
ができた。This capacitance has a large value because the mesh is formed over the entire panel, and the load becomes heavy when driving the electrode 32. A method for avoiding this is shown in FIG. The grid electrode 32 is the same as in FIG. 13, but the common electrode is the 14th one.
A defective portion was provided as shown in 33 in the figure. This allows the first
The capacitance caused by the common electrode 11 in FIG. 3 was significantly reduced, making it possible to significantly reduce the load when applying voltage to the grid electrode.
カラーフィルタ基板側に特定領域設定用電極を設ける場
合、ＴＰＴ基板側の電極をそれに対応して別途設ける実
施例について述べたがＴＰＴ基板側にはＴＦＴ用の配線
が走っているのでこれを利用することも出来る。第１５
図はこのような例を示したものである。この実施例では
ＴＰＴ基板のゲートパスライン配線を利用する。ゲート
パスラインを同図に示したように枝分かれした形状で形
成し、これに対向するカラーフィルタ基板側の特定領域
形成用電極３２を同図の斜線部の如く形成する。When providing a specific area setting electrode on the color filter substrate side, an example was described in which an electrode on the TPT substrate side is separately provided correspondingly, but since the TFT wiring runs on the TPT substrate side, this is used. You can also do that. 15th
The figure shows such an example. This embodiment uses gate pass line wiring on a TPT substrate. The gate pass line is formed in a branched shape as shown in the same figure, and the specific region forming electrode 32 on the color filter substrate side opposite to this is formed as shown in the shaded area in the figure.
パネルを仕上げた後でカラーフィルタ側電極に交流電圧
を印加する。ＴＰＴ基板側のゲート電極は通常は負の一
定電圧に保持され、走査時に正電圧パルスが印加される
。パルス電圧の印加デユーティ比は走査線数をＮとすれ
ば１／Ｎとなる。この実施例では走査線数は４８０本な
のでデユーティ比はｌ／４８０となる。したがってゲー
ト電極は交流的にはほぼ接地された状態となっており、
カラーフィルタ基板側の電極３２に交流電圧を印加する
ことにより第１５図の斜線部に対応する液晶に交流電圧
が印加される。After finishing the panel, apply AC voltage to the color filter side electrode. The gate electrode on the TPT substrate side is normally held at a constant negative voltage, and a positive voltage pulse is applied during scanning. The application duty ratio of the pulse voltage is 1/N, where N is the number of scanning lines. In this embodiment, the number of scanning lines is 480, so the duty ratio is 1/480. Therefore, the gate electrode is almost grounded in terms of AC,
By applying an AC voltage to the electrode 32 on the color filter substrate side, the AC voltage is applied to the liquid crystal corresponding to the shaded area in FIG.
第１６図は本発明の別の実施例を示したもので第１５図
の方式に蓄積容量の一種である付加容量３４を加えたも
のである。第２図でも述へたように液晶の放電時定数を
増大するために蓄積容量を液晶セルに並列に接続するこ
とが一般に行われている。付加容量は走査ゲート線の次
段もしくは前段のゲート線と画素電極との間に容量を形
成するものでプロセスが簡単な点に特徴がある。第１６
図においては、３４で示した領域が付加容量形成領域と
なる。FIG. 16 shows another embodiment of the present invention, in which an additional capacitor 34, which is a type of storage capacitor, is added to the system of FIG. 15. As mentioned in FIG. 2, it is common practice to connect a storage capacitor in parallel to a liquid crystal cell in order to increase the discharge time constant of the liquid crystal. The additional capacitor forms a capacitance between the pixel electrode and the next or previous gate line of the scanning gate line, and is characterized by a simple process. 16th
In the figure, the area indicated by 34 is the additional capacitance forming area.
一方、第１５図の場合と同様カラーフィルタ基板側に特
定領域設定用電極３２を設け（第１６図斜線部）、パネ
ル作製後コニに電圧を印加して液晶不安定性を抑えるこ
とができた。この方式は本発明の主旨を従来の付加容量
パネルへ展開しうる点で大きな効果を持つものである。On the other hand, as in the case of FIG. 15, a specific area setting electrode 32 was provided on the color filter substrate side (shaded area in FIG. 16), and voltage was applied to the panel after panel fabrication to suppress liquid crystal instability. This method has a great effect in that the gist of the present invention can be applied to conventional additional capacitance panels.
以上本発明を実施例に基づいて述べてきたが、本発明の
主旨は以上に限られるものではない。Although the present invention has been described above based on Examples, the gist of the present invention is not limited thereto.
アクティブマトリクス型のデイスプレィなかでもａ−５
ｉ ＴＦＴおよびＴａ系ＭＩＭについて述へてきたが
、単純マトリクス型液晶デイスプレィであってもよい。A-5 among active matrix displays
i TFT and Ta-based MIM have been described, but a simple matrix type liquid crystal display may also be used.
液晶はＴ Ｎ （Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型
あるいはＳ Ｔ Ｎ （Ｓｕｐｅｒ ＴＮ）型でもよい
。ノーマリホワイトに限らずノーマリブラック液晶であ
ってもよい。また、ＴＰＴもａ−３ｉ系に限らずＣｄＳ
ｅ、ｐｏｌｙ Ｓｉ、Ｔｅ等であってもよく、ダイオ
ードもＭＩＭに限らずａ−８ｉのダイオードの組み合わ
せやダイオードリング等であっても良い。また、トラン
ジスタの構造、材料も実施例で述べた例に限るものでな
いことは勿論である。The liquid crystal may be of T N (Twisted Nematic) type or S T N (Super TN) type. The display is not limited to a normally white liquid crystal, but may be a normally black liquid crystal. In addition, TPT is not limited to a-3i type, but CdS
e, poly Si, Te, etc., and the diode is not limited to MIM, but may be a combination of A-8i diodes, a diode ring, or the like. Furthermore, it goes without saying that the structure and materials of the transistor are not limited to those described in the embodiments.
特定領域設定のために印加する交流電圧も、周波数は実
施例に述べたもの以外でもよく、それより低周波、高周
波いずれであってもよい。液晶に実効的に交流電圧がか
かればよく矩形波形等でも構わない。電圧値もその振幅
を信号電圧のそれに比して大きく選んだがこれに限られ
るものではない。但し、液晶分子がガラス基板に垂直に
立ってくるような電圧であることは必要である。少なく
とも液晶にかかる信号電圧の平均値以上の電圧を印加す
ることは必要である。The frequency of the AC voltage applied to set the specific area may be other than that described in the embodiments, and may be either lower frequency or higher frequency. A rectangular waveform or the like may be used as long as an AC voltage is effectively applied to the liquid crystal. Although the amplitude of the voltage value is selected to be larger than that of the signal voltage, the present invention is not limited to this. However, it is necessary that the voltage be such that the liquid crystal molecules stand perpendicular to the glass substrate. It is necessary to apply a voltage that is at least higher than the average value of the signal voltage applied to the liquid crystal.
また、パネルはカラーデイスプレィを念頭に置いたが、
カラーデイスプレィである必要は必ずしもなくモノクロ
パネルであっても一向に差し支えない。In addition, the panel was designed with a color display in mind,
It does not necessarily have to be a color display, and a monochrome panel is perfectly acceptable.
特定領域の配置は８来るだけ密な方が望ましいが、画素
単位でなくてもよい。数画素に一本であってもよい。こ
れはパネルの縦方向、横方向とも数画素に一本という場
合を含む。Although it is preferable that the specific areas be arranged as densely as 8 pixels, it is not necessary to arrange them in pixel units. It may be one line per several pixels. This includes cases in which there is one line per several pixels in both the vertical and horizontal directions of the panel.
本発明によれば液晶の不安定性あるいは経時変化をなく
すことができるので、信頼性の高い液晶デイスプレィを
得ることができるという大きな効果がある。According to the present invention, it is possible to eliminate instability or change over time of liquid crystal, and therefore, there is a great effect that a highly reliable liquid crystal display can be obtained.
上記の経時変化はとくにアクティブマトリクス型ディス
プレイパネルで起こりやすいので、ここに適用するとき
とくに効果が大き′い。Since the above-mentioned changes over time are particularly likely to occur in active matrix display panels, the effect is particularly great when applied here.
特定領域に電圧を印加することはノーマリホワイト液晶
の場合は、この領域が黒表示の領域となることを意味す
るので、ブラックマトリクスの働′きを有する効果をも
つ。これによりコントラストの向上ができる。In the case of a normally white liquid crystal, applying a voltage to a specific area means that this area becomes a black display area, so it has the effect of having the function of a black matrix. This can improve contrast.
この特定領域をＴＦＴ上に設定すればＴＰＴの遮光を兼
ねることができる。If this specific area is set on the TFT, it can also serve as a light shield for the TPT.
特定領域に印加する交流電圧は結合容量を利用して液晶
にバイアス電圧を加えることもできる。The AC voltage applied to a specific area can also apply a bias voltage to the liquid crystal using coupling capacitance.
このときは信号電圧を低くすることができるという効果
を持つ。At this time, the effect is that the signal voltage can be lowered.
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は従来
ディスプレイパネルの構成図、第３図は本発明の原理説
明図、第４図は第１図のａａ’線断面図、第５図、第６
図、第７図は、本発明の別の実施例の平面図、第８図は
第７図のＡＡ’線の断面図、第９図、第１０図は本発明
の別の実施例を示す平面図、第１１図は第１０図のＢＢ
’線断面図、第１２図は本発明の別の実施例平面図、第
１３図は本発明の別の実施例の斜視図、第１４図、第１
５図、第１６図は本発明の別の実施例の平面図である。
第１７図は本発明のブラックマトリクス効果を示す図面
。
１・・・ガラス基板、２・・・ゲートパスライン、３・
・・データバスライン、４・・・薄膜トランジスタ（Ｔ
Ｐ Ｔ）。
５・・・液晶、６・・・垂直シフトレジスタ、７・・・
水平シフトレジスタ、８・・・蓄積容量、９・・・画素
電極、１ｏ・・・特定領域電極、１１・・・共通電極、
１２・・・共通電極基板、１３・・・液晶分子、１４・
・・ゲート電極、１５・・・ゲート絶縁膜、１６・・・
ａ−８ｉ、１７・・・オーミックコンタクト、１８・・
・ドレイン電極、１９・・・ソース電極、２０・・・保
護膜、２１・・・特定領域電極配線部、２２・・・２１
と信号線の交差部、２３・・・２１とソース電極との重
畳部、２４・・特定領域電極と画素電極との重畳部、２
５・・・ＭＩＭダイオード、２６・・・信号線、２７・
・・赤色カラーフィルタ、２８・・・緑色カラーフィル
タ、２９・青色カラーフィルタ、３０・・・保護膜、３
１・・・保護膜、３２・・共通電極基板側特定領域設定
用電極、３３・・欠損部付き共通電極、３４・・・付加
容量、４１・・偏光板、４２・・・偏光板、４３・・・
バックライト、４４・・・透過第１図
第３図
第５図
第７図
ＡＡ’
断面
第１１図
■
第１０図
第９図
第１２図
第１５図
第１４図
第１６図FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional display panel, FIG. 3 is a diagram explaining the principle of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line aa' of FIG. 1. , Figure 5, Figure 6
7 are a plan view of another embodiment of the present invention, FIG. 8 is a sectional view taken along line AA' in FIG. 7, and FIGS. 9 and 10 are a plan view of another embodiment of the present invention. Plan view, Figure 11 is BB of Figure 10
12 is a plan view of another embodiment of the present invention, FIG. 13 is a perspective view of another embodiment of the present invention, FIG.
5 and 16 are plan views of other embodiments of the present invention. FIG. 17 is a drawing showing the black matrix effect of the present invention. 1... Glass substrate, 2... Gate pass line, 3...
...Data bus line, 4...Thin film transistor (T
PT). 5...Liquid crystal, 6...Vertical shift register, 7...
horizontal shift register, 8... storage capacitor, 9... pixel electrode, 1o... specific area electrode, 11... common electrode,
12... Common electrode substrate, 13... Liquid crystal molecules, 14.
... Gate electrode, 15... Gate insulating film, 16...
a-8i, 17...ohmic contact, 18...
- Drain electrode, 19... Source electrode, 20... Protective film, 21... Specific area electrode wiring part, 22... 21
and a signal line intersection, 23...an overlapping part between 21 and a source electrode, 24...an overlapping part between a specific area electrode and a pixel electrode, 2
5...MIM diode, 26...signal line, 27...
...Red color filter, 28...Green color filter, 29.Blue color filter, 30...Protective film, 3
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Protective film, 32... Common electrode board side specific area setting electrode, 33... Common electrode with defective part, 34... Additional capacitor, 41... Polarizing plate, 42... Polarizing plate, 43 ...
Backlight, 44...Transmission Fig. 1 Fig. 3 Fig. 5 Fig. 7 Fig. AA' Cross section Fig. 11 ■ Fig. 10 Fig. 9 Fig. 12 Fig. 15 Fig. 14 Fig. 16
Claims (1)
ィスプレイパネルの表示領域内に画像表示のための信号
電圧とは異なる交流電圧を印加する特定領域を設けたこ
とを特徴とする液晶ディスプレイパネル。 ２、上記液晶ディスプレイパネルが薄膜トランジスタを
スイッチ素子として用いたアクティブマトリクス型パネ
ルであることを特徴とする第１項記載の液晶ディスプレ
イパネル。３、上記液晶ディスプレイパネルがダイオー
ドをスイッチ素子として用いたアクティブマトリクス型
パネルであることを特徴とする第１項記載の液晶ディス
プレイパネル。 ４、上記交流電圧印加領域がパネル内において周期的に
配置されてなることを特徴とする第１項乃至第３項のい
ずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。 ５、上記交流電圧印加領域がパネル内において画素単位
の周期で配置されてなることを特徴とする第１項乃至第
４項のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。 ６、上記交流電圧印加領域が表示領域内の各画素電極の
周囲に設置されていることを特徴とする第１項乃至第５
項のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。 ７、上記交流電圧印加領域に印加される交流電圧の振幅
が、そのパネル内の液晶に印加する信号電圧の平均振幅
値以上であることを特徴とする第１項乃至第６項のいず
れかに記載の液晶ディスプレイパネル。 ８、上記交流電圧印加領域に印加される交流電圧の振幅
が、そのパネル内の液晶に印加する信号電圧の最大振幅
以上であることを特徴とする第１項乃至第７項のいずれ
かに記載の液晶ディスプレイパネル。 ９、上記液晶パネルがノーマリホワイト型のＴＮ液晶か
らなることを特徴とする第１項乃至第８項のいずれかに
記載の液晶ディスプレイパネル。 １０、上記液晶パネルの特定領域がパネルのブラックマ
トリクス領域を少なくとも含むことを特徴とする第９項
記載の液晶ディスプレイパネル。[Claims] 1. A display panel using a liquid crystal, characterized in that a specific area to which an AC voltage different from a signal voltage for image display is applied is provided within the display area of the display panel. display panel. 2. The liquid crystal display panel according to item 1, wherein the liquid crystal display panel is an active matrix panel using thin film transistors as switch elements. 3. The liquid crystal display panel according to item 1, wherein the liquid crystal display panel is an active matrix panel using diodes as switch elements. 4. The liquid crystal display panel according to any one of items 1 to 3, wherein the AC voltage application areas are arranged periodically within the panel. 5. The liquid crystal display panel according to any one of items 1 to 4, wherein the alternating current voltage application areas are arranged at a pixel-by-pixel period within the panel. 6. Items 1 to 5, wherein the AC voltage application area is installed around each pixel electrode in the display area.
The liquid crystal display panel according to any of paragraphs. 7. Any one of items 1 to 6, wherein the amplitude of the AC voltage applied to the AC voltage application area is greater than or equal to the average amplitude value of the signal voltage applied to the liquid crystal in the panel. The liquid crystal display panel described. 8. According to any one of items 1 to 7, the amplitude of the AC voltage applied to the AC voltage application area is greater than or equal to the maximum amplitude of the signal voltage applied to the liquid crystal in the panel. LCD display panel. 9. The liquid crystal display panel according to any one of items 1 to 8, wherein the liquid crystal panel is made of a normally white TN liquid crystal. 10. The liquid crystal display panel according to item 9, wherein the specific area of the liquid crystal panel includes at least a black matrix area of the panel.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179672A JPH0467127A (en) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | Liquid crystal display panel |
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